專利名稱：用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種紅外短脈沖激光刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿、銅層或者鉬鋁鉬層的
直O(jiān)
背景技術(shù)：
由于手機(jī)觸摸屏、平板電腦等觸控電子產(chǎn)品持續(xù)增長(zhǎng)需求，對(duì)于玻璃基底或PET 基底的銀漿蝕刻有較高刻蝕功能性要求。具體體現(xiàn)在蝕刻銀漿厚度在200nm 30um范圍內(nèi)變化時(shí)，可以制造出穩(wěn)定的較小線寬、功能完好的銀漿線條。銀漿系由高純度的(99. 9% )金屬銀的微粒、粘合劑、溶劑、助劑所組成的一種機(jī)械混和物的粘稠狀的漿料。導(dǎo)電銀漿對(duì)其組成物質(zhì)要求十分嚴(yán)格，其品質(zhì)的高低、含量的多少，以及形狀、大小對(duì)銀漿性能都有著密切關(guān)系。傳統(tǒng)的銀漿線條功能的實(shí)現(xiàn)是應(yīng)用絲網(wǎng)印刷方式，這種方法印刷銀漿寬度最細(xì)只能達(dá)到80um，且良品率較低，線性不均勻，更換不同批次產(chǎn)品較為繁瑣，需要用化學(xué)藥水清洗，污染環(huán)境；繃網(wǎng)張力值較小，成品材料耐磨性、耐化學(xué)藥品性較差，易老化發(fā)脆。這種印刷方式工序復(fù)雜、生產(chǎn)中需要較多耗材，產(chǎn)線需要較多人力維護(hù)，局限性較大，絲網(wǎng)印刷銀漿引腳的線性不良成為導(dǎo)致顯示器和觸摸屏失效的重要因素。銀漿的激光蝕刻可以避免這些問(wèn)題的出現(xiàn)，而且激光具有非接觸、無(wú)污染環(huán)境、易控制等特性，使其成為當(dāng)代銀漿線刻蝕寬控制的重要應(yīng)用熱點(diǎn)，并且逐漸會(huì)在工業(yè)中得到廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)研究，用紅外激光器蝕刻銀漿可以達(dá)到較穩(wěn)定的線寬，使銀漿的線寬最細(xì)可以達(dá)到20um，可以使未來(lái)觸摸屏不可視區(qū)域更小，生產(chǎn)時(shí)可以方便的更換蝕刻圖形， 無(wú)廢棄物產(chǎn)生，可大量節(jié)省研發(fā)成本，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期。高精度控制系統(tǒng)，特殊機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)， 能進(jìn)行高效率蝕刻，快速、平穩(wěn)、重覆性高，能確保加工的穩(wěn)定度與精密度，大幅提升良率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置。本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置，特點(diǎn)是高頻率短脈沖激光器的輸出端布置有光閘，光間的輸出端設(shè)置有擴(kuò)束鏡，擴(kuò)束鏡的輸出端依次布置有1/2波片和格蘭棱鏡，格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡，45度全反射鏡連接功率實(shí)時(shí)反饋探測(cè)探頭，45度全反射鏡的輸出端依次布置有振鏡和掃描場(chǎng)鏡，掃描場(chǎng)鏡正對(duì)于四軸吸附平臺(tái)，所述四軸吸附平臺(tái)上安裝有同軸吹吸氣集塵系統(tǒng)，所述四軸吸附平臺(tái)的對(duì)角位置分別安裝有CCD對(duì)位觀察系統(tǒng)。進(jìn)一步地，上述的用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置，所述高頻率短脈沖激光器是波長(zhǎng)為IOOOnm llOOnm、脈寬在IOOps 50ns、頻率在IOKHz 200KHz的激光器。本實(shí)用新型技術(shù)方案突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步主要體現(xiàn)在[0011]采用高頻率的紅外脈沖激光器作為激光源，通過(guò)對(duì)角線CCD抓靶加工材料的靶標(biāo)位置，確定加工圖形與平臺(tái)上的樣品位置一一對(duì)應(yīng)，對(duì)不同觸摸屏產(chǎn)品中不可視區(qū)域銀漿或者銅薄膜或者鉬鋁鉬層進(jìn)行激光蝕刻，使不可視區(qū)域的薄膜材料在高頻率的短脈沖紅外激光器的作用下氣化而達(dá)到蝕除的目的。通過(guò)高速掃描振鏡結(jié)合大幅面掃描場(chǎng)鏡，一次性將樣品掃描完畢，從而實(shí)現(xiàn)高精度、高效率的銀漿刻蝕，以得到較細(xì)較穩(wěn)定的線寬，且不損傷基底。產(chǎn)生的粉塵在經(jīng)過(guò)特制的吹氣系統(tǒng)和大流量積塵系統(tǒng)集塵，加工無(wú)污染，線性穩(wěn)定。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明


圖1 本實(shí)用新型的光路系統(tǒng)示意圖。圖中各附圖標(biāo)記的含義見(jiàn)下表
權(quán)利要求1.用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置，其特征在于高頻率短脈沖激光器(1)的輸出端布置有光閘O)，光閘( 的輸出端設(shè)置有擴(kuò)束鏡(3)，擴(kuò)束鏡C3)的輸出端依次布置有1/2 波片(1 和格蘭棱鏡G)，格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡(5)，45度全反射鏡(5)連接功率實(shí)時(shí)反饋探測(cè)探頭(13)，45度全反射鏡(5)的輸出端依次布置有振鏡(6) 和掃描場(chǎng)鏡(11)，掃描場(chǎng)鏡(11)正對(duì)于四軸吸附平臺(tái)(10)，所述四軸吸附平臺(tái)(10)上安裝有同軸吹吸氣集塵系統(tǒng)(7)，所述四軸吸附平臺(tái)(10)的對(duì)角位置分別安裝有CCD對(duì)位觀察系統(tǒng)(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置，其特征在于所述高頻率短脈沖激光器(1)是波長(zhǎng)為IOOOnm llOOnm、脈寬在IOOps 50ns、頻率在IOKHz 200KHz的激光器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及用于刻蝕電子產(chǎn)品上銀漿的裝置，高頻率短脈沖激光器的輸出端布置有光閘，光閘的輸出端設(shè)置有擴(kuò)束鏡，擴(kuò)束鏡的輸出端依次布置有1/2波片和格蘭棱鏡，格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡，45度全反射鏡的輸出端依次布置有振鏡和掃描場(chǎng)鏡，掃描場(chǎng)鏡正對(duì)于四軸吸附平臺(tái)，四軸吸附平臺(tái)上安裝有同軸吹吸氣集塵系統(tǒng)，四軸吸附平臺(tái)對(duì)角位置分別安裝有CCD對(duì)位觀察系統(tǒng)。采用高頻率紅外脈沖激光器作為激光源，通過(guò)對(duì)角線CCD抓靶加工材料的靶標(biāo)位置，確定加工圖形與平臺(tái)上的樣品位置一一對(duì)應(yīng)，對(duì)不同觸摸屏產(chǎn)品中不可視區(qū)域銀漿或者銅薄膜或鉬鋁鉬層進(jìn)行蝕刻，使不可視區(qū)域的薄膜材料在高頻率短脈沖紅外激光器作用下氣化而達(dá)到蝕除目的。
文檔編號(hào)B23K26/36GK202123319SQ20112015836
公開(kāi)日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者張偉, 狄建科, 趙裕興 申請(qǐng)人:江陰德力激光設(shè)備有限公司, 蘇州德龍激光有限公司