專利名稱：薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測(cè)控方法，特別是一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法。
背景技術(shù)：
飛秒激光是一種以脈沖形式運(yùn)轉(zhuǎn)的激光，持續(xù)時(shí)間非常短，只有幾個(gè)飛秒，一飛秒就是10的負(fù)15次方秒，也就是1/1000萬(wàn)億秒，它比利用電子學(xué)方法所獲得的最短脈沖要短幾千倍，飛秒激光的具有非常高的瞬時(shí)功率，可達(dá)到百萬(wàn)億瓦，它能聚焦到比頭發(fā)的直徑還要小的空間區(qū)域，使電磁場(chǎng)的強(qiáng)度比原子核對(duì)其周圍電子的作用力還要高數(shù)倍。鑒于飛秒激光的突出特點(diǎn)，它在物理學(xué)、生物學(xué)、化學(xué)控制反應(yīng)、光通訊、精細(xì)加工等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，我國(guó)的太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展極快，太陽(yáng)能發(fā)電量以每年30%的速度遞增，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展必然要求相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備的升級(jí)和工藝的改進(jìn)。由于飛秒激光的特殊性以及其特點(diǎn)，在刻蝕過(guò)程中對(duì)其跟蹤測(cè)控進(jìn)程、目標(biāo)的一致性等，具有一定的難度，仍是需要突破的難題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，對(duì)刻蝕工藝過(guò)程進(jìn)行測(cè)控，特別是對(duì)刻蝕過(guò)程與預(yù)設(shè)參數(shù)的一致性進(jìn)行測(cè)控，以保證刻蝕效果。技術(shù)方案一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，通過(guò)高度集成的LIBS模塊與激光發(fā)射器協(xié)同工作，在PPt級(jí)精度在線、非接觸實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集、處理信號(hào)反饋控制。對(duì)激光等離子體擊穿光譜的元素定性、定量分析，通過(guò)光譜在線分析比對(duì)，提高測(cè)控的準(zhǔn)確性。有益效果與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是針對(duì)飛秒激光的特殊性以及其特點(diǎn)，通過(guò)專門的刻蝕過(guò)程測(cè)控方法進(jìn)行測(cè)控，以保證刻蝕過(guò)程與預(yù)設(shè)參數(shù)的一致性，確?？涛g效果，薄膜太陽(yáng)能電池刻蝕的刻槽寬度能夠達(dá)到3微米，深度的精度控制可以達(dá)到100納米。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，通過(guò)高度集成的LIBS模塊與激光發(fā)射器協(xié)同工作，在PPt級(jí)精度在線、非接觸實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集、處理信號(hào)反饋控制。在線測(cè)控對(duì)激光等離子體擊穿光譜的元素定性、定量分析。激光等離子體擊穿光譜技術(shù)在元素定性與定量分析中是一個(gè)重要的工具，具有可選性、破壞性小、分辨率高以及可對(duì)固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)以及浮質(zhì)材料進(jìn)行實(shí)時(shí)分析。使用LIBS技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜表面微細(xì)加工過(guò)程，從而實(shí)現(xiàn)激光超精密薄膜加工的檢測(cè)和控制。優(yōu)化控制系統(tǒng)，高度集成LIBS模塊與激光器，實(shí)現(xiàn)協(xié)同工作；系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)研究等離子體產(chǎn)生、膨脹和淬滅過(guò)程，研究?jī)?yōu)化LIBS測(cè)控參數(shù)，在PPt級(jí)精度在線、非接觸實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集、處理好信號(hào)反饋控制。將薄膜太陽(yáng)能電池刻蝕的刻槽寬度由目前的40微米達(dá)到3微米，深度的精度控制可以達(dá)到100納米。
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，其特征在于通過(guò)高度集成的LIBS模塊與激光發(fā)射器協(xié)同工作，在PPt級(jí)精度在線、非接觸實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集、處理信號(hào)反饋控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，其特征在于對(duì)激光等離子體擊穿光譜的元素定性、定量分析。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜太陽(yáng)能電池飛秒激光刻蝕工藝過(guò)程測(cè)控方法，通過(guò)高度集成的LIBS模塊與激光發(fā)射器協(xié)同工作，在PPt級(jí)精度在線、非接觸實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集、處理信號(hào)反饋控制。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是針對(duì)飛秒激光的特殊性以及其特點(diǎn)，通過(guò)專門的刻蝕過(guò)程測(cè)控方法進(jìn)行測(cè)控，以保證刻蝕過(guò)程與預(yù)設(shè)參數(shù)的一致性，確保刻蝕效果，薄膜太陽(yáng)能電池刻蝕的刻槽寬度能夠達(dá)到3微米，深度的精度控制可以達(dá)到100納米。
文檔編號(hào)B23K26/42GK102615436SQ201210100799
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月9日
發(fā)明者景超 申請(qǐng)人:鎮(zhèn)江大成新能源有限公司