專利名稱：Led晶片共晶焊接設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED晶片制造技木，尤其涉及ー種LED晶片共晶焊接設(shè)備。
背景技術(shù)：
共晶焊接技術(shù)在電子封裝行業(yè)具有廣泛的應(yīng)用，如晶片與基板的粘接、基板與管殼的粘接、管殼封帽等等。與傳統(tǒng)的環(huán)氧導(dǎo)電膠粘接相比，共晶焊接具有熱導(dǎo)率高、熱阻低、傳熱快、可靠性強(qiáng)、粘接后強(qiáng)度大的優(yōu)點(diǎn)，適用于高頻、大功率器件中晶片與基板、基板與管 殼的互聯(lián)。隨著LED技術(shù)的高速發(fā)展，LED晶片及封裝越來(lái)越向大功率和集成方向發(fā)展，傳統(tǒng)的銀膠粘接エ藝已經(jīng)很難滿足LED晶片的焊接エ藝要求，因而，越來(lái)越多的LED封裝廠家開(kāi)始嘗試其他更先進(jìn)的焊接エ藝來(lái)實(shí)現(xiàn)LED晶片與支架的粘接，其中，共晶焊接技術(shù)被普通認(rèn)為具有很好的應(yīng)用前景。然而，由于LED晶片的共晶溶點(diǎn)大約在300°C以上，而現(xiàn)有技術(shù)的LED晶片共晶焊接設(shè)備一般采用熱風(fēng)回流爐作為加熱裝置，這種加熱裝置加熱速度慢、且加熱能夠達(dá)到的最高溫度比較低。另外，現(xiàn)有技術(shù)中還有采用紅外焊接技術(shù)的方案，這種方案里然有熱源控制方便、容易控制加熱溫度上升速度的優(yōu)點(diǎn)，但也存在很多缺點(diǎn)，如更多的感光點(diǎn)會(huì)被遮蔽、較少的統(tǒng)ー加熱、元件和PCB質(zhì)量的不同會(huì)影響加熱效果、溫差較大等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種LED晶片共晶焊接設(shè)備，該設(shè)備加熱速度快、焊接精度高，且可使焊接后的LED晶片具有更好的導(dǎo)熱效果。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案—種LED晶片共晶焊接設(shè)備，包括有加熱裝置、電源配置箱體、和驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)，還包括有共晶焊接平臺(tái)；設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)前部中間位置，用于放置待焊接的晶片和支架的共晶焊接平臺(tái)；分別圍繞所述共晶焊接平臺(tái)兩側(cè)和后方設(shè)置，用于將待焊接支架搬運(yùn)到所述共晶焊接平臺(tái)上的支架供給裝置和用于將待焊接的晶片搬運(yùn)到位于所述共晶焊接平臺(tái)的待焊接支架上的晶片供給裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方，用于在位于所述共晶焊接平臺(tái)的待焊接支架表面點(diǎn)印焊接劑的焊接劑供給裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上，用于對(duì)所述加熱裝置加熱焊接后的晶片焊接完成品進(jìn)行冷卻降溫的氮?dú)饫鋮s裝置；所述加熱裝置包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的ー側(cè)，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流對(duì)所述待焊接的晶片從上往下進(jìn)行加熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的脈沖電流加熱裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)內(nèi)部，用于同時(shí)對(duì)待焊接的支架從下往上進(jìn)行恒溫加熱熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的恒溫加熱裝置。優(yōu)選地，該設(shè)備還包括有 視覺(jué)定位系統(tǒng)，用于對(duì)待焊接支架進(jìn)行視覺(jué)定位處理，確認(rèn)待焊接支架的位置，并判定待焊接支架外觀，剔除定位不準(zhǔn)的不良品。優(yōu)選地，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)具體包括有光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置，設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的上方，用于通過(guò)上方設(shè)置的檢測(cè)定位攝像頭對(duì)待焊接的支架表面尺寸進(jìn)行視覺(jué)定位檢測(cè)，并拍攝定位圖像；圖像處理單元，與所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置相連，用于對(duì)所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置拍攝的定位圖像進(jìn)行圖像處理，通過(guò)利用預(yù)設(shè)的多值化標(biāo)準(zhǔn)圖像與拍攝的定位圖像進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算待焊接的支架的定位準(zhǔn)確率；識(shí)別處理單元，與所述圖像處理單元相連，用于判斷所述定位準(zhǔn)確率是否達(dá)到預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)，若是，則向所述加熱裝置發(fā)送啟動(dòng)信號(hào)，否則，將所述待焊接的晶片和/或支架作為不良品處理。優(yōu)選地，所述脈沖電流加熱裝置具體包括有焊接吸嘴；與所述焊接吸嘴連接，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流使所述焊接吸嘴即時(shí)升溫到焊接所需溫度的脈沖電流產(chǎn)生單元；與所述脈沖電流產(chǎn)生単元和恒溫電流加熱裝置相連，對(duì)其進(jìn)行階梯式脈沖恒溫控制的加熱溫度控制單元；優(yōu)選地，所述晶片供給裝置具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的ー側(cè)，具有晶片載體定位孔的晶片供給臺(tái)；設(shè)置在所述晶片載體定位孔下方的晶片頂取部；設(shè)置在所述晶片載體定位孔上方的晶片材料識(shí)別部；設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)和共晶焊接平臺(tái)之間的晶片角度校正裝置；設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)上方，端部具有吸嘴的晶片搬運(yùn)機(jī)械臂，用于將該吸嘴吸取到的晶片搬運(yùn)至所述晶片角度校正裝置或共晶焊接平臺(tái)。優(yōu)選地，所述晶片角度校正裝置具體包括有設(shè)置在所述晶片供應(yīng)臺(tái)和共晶焊接平臺(tái)之間的校正臺(tái)，所述校正臺(tái)上具有呈T型設(shè)置的三個(gè)限位條，該三個(gè)限位條的交點(diǎn)處留出晶片放置位；所述晶片搬運(yùn)機(jī)械臂具體包括有一次晶片搬運(yùn)臂，用于將所述吸嘴吸取到的晶片從晶片載體位置搬運(yùn)到校正臺(tái)上等待角度校正；二次晶片搬運(yùn)臂，與所述一次晶片搬運(yùn)臂并排設(shè)置，用于將角度校正后的晶片從校正臺(tái)上搬運(yùn)至共晶焊接平臺(tái)上。優(yōu)選地，所述支架供給裝置具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的另ー側(cè)，用于放置支架托盤(pán)的支架供給臺(tái)；設(shè)置在所述支架供給臺(tái)上方，端部具有支架爪鉤的支架搬運(yùn)機(jī)械臂，用于將支架托盤(pán)內(nèi)的支架搬運(yùn)至所述共晶焊接平臺(tái)上。優(yōu)選地，所述焊接劑供給裝置具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方的點(diǎn)膠筒；與所述點(diǎn)膠筒連接的點(diǎn)膠機(jī)械臂。優(yōu)選地，所述脈沖電 流加熱裝置設(shè)置在所述二次晶片搬運(yùn)臂上，所述二次晶片搬運(yùn)臂下部設(shè)置所述焊接吸嘴。優(yōu)選地，所述晶片供給部和共晶焊接平臺(tái)均通過(guò)XY工作臺(tái)設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)上。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)利用脈沖電流加熱裝置產(chǎn)生脈沖電流達(dá)到瞬間升溫，并通過(guò)焊接吸嘴導(dǎo)熱到LED晶片表面，同時(shí)對(duì)芯片下部采用恒溫加熱，使晶片底部的金錫成分的焊接劑與底座材料共晶溶解達(dá)到固定粘接，將LED晶片和支架焊接在一起，實(shí)現(xiàn)LED晶片共晶焊接的效果，從而使焊接完成后的LED晶片達(dá)到了更好的導(dǎo)熱效果，且大大加快了加熱速度、焊接時(shí)間、提聞了共晶精度、生廣效率。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步的詳細(xì)描述。


圖I是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例的外觀示意圖。圖2是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中設(shè)置在焊接工作臺(tái)上的部件結(jié)構(gòu)圖。圖3是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中晶片供給裝置的立體結(jié)構(gòu)圖。圖4是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中支架供給裝置的立體結(jié)構(gòu)圖。圖5是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中視覺(jué)定位系統(tǒng)的立體結(jié)構(gòu)圖。圖6是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中助焊劑供給裝置的立體結(jié)構(gòu)圖。圖7是本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備ー個(gè)實(shí)施例中加熱裝置的立體結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面參考圖I-圖7詳細(xì)描述本發(fā)明的LED晶片共晶焊接設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例；如圖I所示，本實(shí)施例主要包括有機(jī)身1000，機(jī)身1000主要包括底部箱體101、上部箱體102，底部箱體102內(nèi)設(shè)有電源配置箱體(圖中未示出)、底部箱體102上設(shè)有焊接工作臺(tái)100，上部箱體102頂板上設(shè)置有散熱風(fēng)扇103、報(bào)警燈104。另外，請(qǐng)參考圖2，上部箱體102內(nèi)設(shè)有驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)(圖中未示出)，主要包括伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和單片機(jī)控制系統(tǒng)；設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)100前部中間位置，用于放置待焊接的晶片和支架的共晶焊接平臺(tái)10 ；
分別圍繞所述共晶焊接平臺(tái)10兩側(cè)和后方設(shè)置，用于將待焊接支架搬運(yùn)到所述共晶焊接平臺(tái)10上的支架供給裝置2和用于將待焊接的晶片搬運(yùn)到位于共晶焊接平臺(tái)10的待焊接支架上的晶片供給裝置I ;視覺(jué)定位系統(tǒng)3，用于對(duì)待搬運(yùn)或待焊接支架和晶片進(jìn)行視覺(jué)定位處理，剔除定位不準(zhǔn)的不良品；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10上方，用于在位于共晶焊接平臺(tái)10上的待焊接支架表面點(diǎn)印焊接劑的焊接劑供給裝置4 ；加熱裝置5 ；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10上，用于對(duì)所述加熱裝置5加熱焊接后的晶片焊接完 成品進(jìn)行冷卻降溫的氮?dú)饫鋮s裝置(圖中未示出)。請(qǐng)參考圖3，具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述晶片供給裝置I具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10的ー側(cè)，具有晶片載體定位孔10的晶片供給臺(tái)11 ；設(shè)置在所述晶片載體定位孔10下方的晶片頂取部12 ；設(shè)置在所述晶片載體定位孔10上方的晶片材料識(shí)別部121 ；設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)11和共晶焊接平臺(tái)10之間的晶片角度校正裝置13 ；設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)11上方，端部具有吸嘴的晶片搬運(yùn)機(jī)械臂，用于將吸嘴吸取到的晶片搬運(yùn)至所述晶片角度校正裝置13或共晶焊接平臺(tái)10。進(jìn)ー步地，所述晶片角度校正裝置13具體包括有設(shè)置在所述晶片供應(yīng)臺(tái)11和共晶焊接平臺(tái)10之間的校正臺(tái)131，校正臺(tái)31上具有呈T型設(shè)置的三個(gè)限位條132，該三個(gè)限位條132的交點(diǎn)處留出晶片放置位；進(jìn)ー步地，所述晶片搬運(yùn)機(jī)械臂具體包括有—次晶片搬運(yùn)臂151，用于將吸嘴吸取到的晶片從晶片載體位置搬運(yùn)到校正臺(tái)131上等待角度校正；二次晶片搬運(yùn)臂152，與所述一次晶片搬運(yùn)臂151并排設(shè)置，用于將角度校正后的晶片從校正臺(tái)131上搬運(yùn)至共晶焊接平臺(tái)10上。請(qǐng)參考圖4，具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述支架供給裝置2具體包括有設(shè)置在共晶焊接平臺(tái)10的另ー側(cè)，用于放置支架托盤(pán)的支架供給臺(tái)21 ；設(shè)置在所述支架供給臺(tái)21上方，端部具有支架爪鉤22的支架搬運(yùn)機(jī)械臂23，用于將支架托盤(pán)800內(nèi)的支架搬運(yùn)至共晶焊接平臺(tái)10上。本實(shí)施例的支架供給裝置2除可正向動(dòng)作完成支架的供給之外，還可逆向動(dòng)作實(shí)現(xiàn)焊接完成品的收納功能。請(qǐng)參考圖5，具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)3具體包括有光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置31，設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10上方，用于通過(guò)上方設(shè)置的檢測(cè)定位攝像頭310對(duì)待焊接的支架表面尺寸進(jìn)行視覺(jué)定位檢測(cè)，并拍攝定位圖像；圖像處理單元(圖中未示出)，與所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置相連，用于對(duì)所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置拍攝的定位圖像進(jìn)行圖像處理，通過(guò)利用預(yù)設(shè)的多值化標(biāo)準(zhǔn)圖像與拍攝的定位圖像進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算待焊接的支架的定位準(zhǔn)確率；識(shí)別處理單元(圖中未示出)，與所述圖像處理單元相連，用于判斷所述定位準(zhǔn)確率是否達(dá)到預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)，若是，則向所述加熱裝置發(fā)送啟動(dòng)信號(hào)，否則，將所述待焊接的晶片和/或支架作為不良品處理，其中，所述預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)可以是90%以上，以98%為最佳。請(qǐng)參考圖6，具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述焊接劑供給裝置4具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10上方的點(diǎn)膠筒41 ；與所述點(diǎn)膠筒41連接的點(diǎn)膠機(jī)械臂42。請(qǐng)參考圖7,具體實(shí)現(xiàn)時(shí),所述加熱裝 置5具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10的ー側(cè)，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流對(duì)所述待焊接的晶片從上往下進(jìn)行加熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的脈沖電流加熱裝置51 ；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)10內(nèi)部，用于同時(shí)對(duì)待焊接的支架從下往上進(jìn)行恒溫加熱熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的恒溫加熱裝置(圖中未示出)。進(jìn)ー步地,所述脈沖電流加熱裝置51具體包括有焊接吸嘴511，焊接吸嘴511可為平頭吸嘴、錐形真空吸嘴、木屐式真空吸嘴、機(jī)械式吸嘴、或其它特殊吸嘴等；與所述焊接吸嘴511連接，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流使焊接吸嘴511即時(shí)升溫到焊接所需溫度的脈沖電流產(chǎn)生單元(圖中未示出)；與所述脈沖電流產(chǎn)生単元和恒溫電流加熱裝置相連，對(duì)其進(jìn)行階梯式脈沖恒溫控制的加熱溫度控制單元(圖中未示出)。更進(jìn)一歩地，脈沖電流加熱裝置51可設(shè)置在所述晶片供給裝置I的二次晶片搬運(yùn)臂152上，二次晶片搬運(yùn)臂152下部的吸嘴采用所述焊接吸嘴511。另外，所述氮?dú)饫鋮s裝置也設(shè)置在所述脈沖電流加熱裝置5內(nèi)部，與所述焊接吸嘴51相連。當(dāng)所述脈沖電流產(chǎn)生単元加熱完成時(shí)，通過(guò)電磁閥切換到所述氮?dú)饫鋮s裝置エ作，通過(guò)焊接吸嘴51向晶片和支架噴吹氮?dú)?，可使其迅速冷卻到常溫。作為本發(fā)明的ー個(gè)最佳實(shí)施方式，所述晶片供給臺(tái)11、共晶焊接平臺(tái)10均通過(guò)XY工作臺(tái)1001固定在焊接工作臺(tái)100上，從而實(shí)現(xiàn)可沿X、Y軸向移動(dòng)的功能。另外，本實(shí)施例還可包括有設(shè)置在上部箱體102內(nèi)上部的系統(tǒng)檢測(cè)単元105，用于檢測(cè)顯示系統(tǒng)的工作狀態(tài)，如晶片吸取檢測(cè)顯示単元、支架夾取檢測(cè)顯示単元、支架定位檢測(cè)顯示單元、真空檢測(cè)顯示單元、預(yù)熱溫度檢測(cè)顯示單元、加熱溫度檢測(cè)顯示單元、冷卻溫度檢測(cè)顯示單元、氮?dú)饬髁繖z測(cè)顯示單元、空氣流量監(jiān)測(cè)顯示單元等。另外，本實(shí)施例還包括有設(shè)置在所述系統(tǒng)檢測(cè)單元105和上部箱體102的頂板之間的若干人機(jī)對(duì)話界面。具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述人機(jī)對(duì)話界面可包括視覺(jué)識(shí)別顯示界面30、系統(tǒng)設(shè)置界面20、系統(tǒng)監(jiān)視裝置40等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)I、利用脈沖電流加熱裝置產(chǎn)生脈沖電流達(dá)到瞬間升溫，并通過(guò)焊接吸嘴導(dǎo)熱到LED晶片表面，使晶片底部的金錫成分的焊接劑與底座材料能瞬間達(dá)到共晶溶解后固定粘接，這種方式焊接后的LED晶片能達(dá)到更好的導(dǎo)熱效果且脈沖電流加熱可達(dá)到瞬間(數(shù)秒鐘內(nèi))實(shí)現(xiàn)從常溫到500°C的加溫技術(shù)從上料、下料、焊接、至完成品的作業(yè)時(shí)間可控制在
8.5秒/個(gè)；可在3-4秒內(nèi)，實(shí)現(xiàn)溫度從350°C到200°C的轉(zhuǎn)換，加熱時(shí)間可控制在2_3秒內(nèi)(含焊接時(shí)間)；冷卻時(shí)間可控制在I秒之內(nèi)；通過(guò)上下供熱方式能同時(shí)實(shí)現(xiàn)批量(或者模組式)封裝晶片，并且由于高溫部分在集中在焊接吸嘴上，能實(shí)現(xiàn)在模組化生產(chǎn)LED封裝時(shí)不會(huì)影響到周圍的LED晶片。
2、采用高精度視覺(jué)補(bǔ)正系統(tǒng)，棱鏡式上下目標(biāo)定位、確保兩個(gè)物體疊加率在98%以上，保證LED晶片與底座的吻合精度，可投入倒裝晶片，晶片雙電極倒裝，，取代目前需要金線焊接來(lái)導(dǎo)通LED提供電源的方式。3、利用晶片角度補(bǔ)正裝置對(duì)從晶片載體(藍(lán)膜)吸取的晶片進(jìn)行獨(dú)立的角度修正，確保每粒晶片與陶瓷支架在焊接時(shí)吻合率達(dá)到100 %。本發(fā)明也可適用于傳統(tǒng)的銀漿固晶和錫漿固晶等技術(shù)，可涵蓋使用銀漿、錫漿、錫銅、金錫等不同固晶方式和共晶合金材料，只需要簡(jiǎn)單對(duì)窗ロ程序調(diào)整參數(shù)或更換小部分配件即能實(shí)現(xiàn)多用途。 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種LED晶片共晶焊接設(shè)備，包括有加熱裝置、驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)、和電源配置箱體，其特征在于，還包括有 焊接工作臺(tái)； 設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)前部中間位置，用于放置待焊接的晶片和支架的共晶焊接平臺(tái)； 分別圍繞所述共晶焊接平臺(tái)兩側(cè)和后方設(shè)置，用于將待焊接支架搬運(yùn)到所述共晶焊接平臺(tái)上的支架供給裝置和用于將待焊接的晶片搬運(yùn)到位于所述共晶焊接平臺(tái)的待焊接支架上的晶片供給裝置； 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方，用于在位于所述共晶焊接平臺(tái)的待焊接支架表面點(diǎn)印助焊劑的焊接劑供給裝置； 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方，用于對(duì)所述加熱裝置加熱焊接后的晶片焊接完成品進(jìn)行冷卻降溫的氮?dú)饫鋮s裝置； 所述加熱裝置包括有 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的ー側(cè)，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流對(duì)所述待焊接的晶片從上往下進(jìn)行加熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的脈沖電流加熱裝置； 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)內(nèi)部，用于同時(shí)對(duì)待焊接的支架從下往上進(jìn)行恒溫加熱熱，使所述晶片和支架共晶溶解后固定粘接的恒溫加熱裝置。
2.—種LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備還包括有 視覺(jué)定位系統(tǒng)，用于對(duì)待焊接支架進(jìn)行視覺(jué)定位處理，確認(rèn)待焊接支架的位置，并判定待焊接支架外觀，剔除定位不準(zhǔn)的不良品。
3.如權(quán)利要求2所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)具體包括有 光學(xué)尺寸位置檢測(cè)裝置，設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的上方，用于通過(guò)上方設(shè)置的檢測(cè)定位攝像頭對(duì)待焊接的支架表面尺寸進(jìn)行視覺(jué)定位檢測(cè)，并拍攝定位圖像； 圖像處理單元，與所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置相連，用于對(duì)所述光學(xué)尺寸檢測(cè)裝置拍攝的定位圖像進(jìn)行圖像處理，通過(guò)利用預(yù)設(shè)的多值化標(biāo)準(zhǔn)圖像與拍攝的定位圖像進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算待焊接的支架的定位準(zhǔn)確率； 識(shí)別處理單元，與所述圖像處理單元相連，用于判斷所述定位準(zhǔn)確率是否達(dá)到預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)，若是，則向所述加熱裝置發(fā)送啟動(dòng)信號(hào)，否則，將所述待焊接的晶片和/或支架作為不良品處理。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，所述脈沖電流加熱裝置具體包括有 焊接吸嘴； 與所述焊接吸嘴連接，用于通過(guò)產(chǎn)生脈沖電流使所述焊接吸嘴即時(shí)升溫到焊接所需溫度的脈沖電流產(chǎn)生單元； 與所述脈沖電流產(chǎn)生単元和恒溫加熱裝置相連，對(duì)其進(jìn)行階梯式脈沖恒溫控制的加熱溫度控制單元。
5.如權(quán)利要求4所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，所述晶片供給裝置具體包括有設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的ー側(cè)，具有晶片載體定位孔的晶片供給臺(tái)； 設(shè)置在所述晶片載體定位孔下方的晶片頂取部； 設(shè)置在所述晶片載體定位孔上方的晶片材料識(shí)別部； 設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)和共晶焊接平臺(tái)之間的晶片角度校正裝置； 設(shè)置在所述晶片供給臺(tái)上方，端部具有吸嘴的晶片搬運(yùn)機(jī)械臂，用于將該吸嘴吸取到的晶片搬運(yùn)至所述晶片角度校正裝置或共晶焊接平臺(tái)。
6.如權(quán)利要求5所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在干， 所述晶片角度校正裝置具體包括有 設(shè)置在所述晶片供應(yīng)臺(tái)和共晶焊接平臺(tái)之間的校正臺(tái)，所述校正臺(tái)上具有呈T型設(shè)置的三個(gè)限位條，該三個(gè)限位條的交點(diǎn)處留出晶片放置位； 所述晶片搬運(yùn)機(jī)械臂具體包括有 一次晶片搬運(yùn)臂，用于將所述吸嘴吸取到的晶片從晶片載體位置搬運(yùn)到校正臺(tái)上等待角度校正； 二次晶片搬運(yùn)臂，與所述一次晶片搬運(yùn)臂并排設(shè)置，用于將角度校正后的晶片從校正臺(tái)上搬運(yùn)至共晶焊接平臺(tái)上。
7.如權(quán)利要求6所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，所述支架供給裝置具體包括有 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的另ー側(cè)，用于放置支架托盤(pán)的支架供給臺(tái)； 設(shè)置在所述支架供給臺(tái)上方，端部具有支架爪鉤的支架搬運(yùn)機(jī)械臂，用于將支架托盤(pán)內(nèi)的支架搬運(yùn)至所述共晶焊接平臺(tái)上。
8.如權(quán)利要求7所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于，所述焊接劑供給裝置具體包括有 設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方的點(diǎn)膠筒； 與所述點(diǎn)膠筒連接的點(diǎn)膠機(jī)械臂。
9.如權(quán)利要求8所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于所述脈沖電流加熱裝置設(shè)置在所述二次晶片搬運(yùn)臂上，所述二次晶片搬運(yùn)臂下部設(shè)置所述焊接吸嘴。
10.如權(quán)利要求9所述的LED晶片共晶焊接設(shè)備，其特征在于所述晶片供給部和共晶焊接平臺(tái)均通過(guò)XY工作臺(tái)設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種LED晶片共晶焊接設(shè)備，包括有加熱裝置、驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)、電源配置箱體、焊接工作臺(tái)、設(shè)置在所述焊接工作臺(tái)前部中間位置的共晶焊接平臺(tái)；分別圍繞所述共晶焊接平臺(tái)兩側(cè)和后方設(shè)置的支架供給裝置和晶片供給裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上方的助焊劑供給裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)上的氮?dú)饫鋮s裝置；設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)的一側(cè)的脈沖電流加熱裝置，設(shè)置在所述共晶焊接平臺(tái)內(nèi)部的恒溫電流加熱裝置。本發(fā)明加熱速度快、焊接精度高，且可使焊接后的LED晶片具有更好的導(dǎo)熱效果。
文檔編號(hào)B23K3/047GK102689070SQ20121017915
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月30日
發(fā)明者代克明, 胡華武 申請(qǐng)人:惠州市大亞灣永昶電子工業(yè)有限公司