一種不可見微孔的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種不可見微孔的制備方法，其包括以下步驟：S1，制作原始通孔：采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在100μm以上的微孔；S2，制作最終通孔：對步驟S1所得的不透光基材進行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于100μm，形成最終通孔。本發(fā)明不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實現(xiàn)，其工藝要求低、成本低。
【專利說明】—種不可見微孔的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及殼體微孔顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種不可見微孔的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，對于電子產(chǎn)品殼體，尤其是不透光殼體，為提高其裝飾效果或指示燈裝飾等，一般在外殼工件上形成通孔，使通孔排列形成圖案(如電腦指示燈、手機鍵盤顯示等)，然后通過LED燈、導(dǎo)光板或其它電子發(fā)光系統(tǒng)輔助，可以使發(fā)光光源光線穿透通孔為人肉眼所識別，進而識別殼體表面圖案。該方法主要應(yīng)用在3C電子類產(chǎn)品，通過光線的變化可以帶來優(yōu)異的裝飾效果，可以非常吸引消費者，因而大受歡迎。
[0003]現(xiàn)有的不可見微孔透光系統(tǒng)中微孔的制備方法一般為:采用激光或其它方式在不可透光材料上制作出孔徑小于IOOum通孔，這些通孔根據(jù)一定排列順序組成一定圖案。由于這些通孔孔徑小于人的裸眼分辨范圍內(nèi)，因此在通常情況下無法識別。但是，由于微孔孔徑要達到小于人的裸眼分辨范圍，其孔徑一般小于lOOum，這對打孔工藝及精度的要求非常高，需要特殊的設(shè)備，如特別的激光器，對設(shè)備和工藝的要求非常高，不易實現(xiàn)，且生產(chǎn)效率低，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0005]為此，本發(fā)明提供一種不可見微孔的制備方法，包括以下步驟:
Si，制作原始通孔:采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔；
S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中均是通過一次成孔步驟，在不透光基材上直接制作出裸眼不可見的微孔，其對設(shè)備、打孔工藝及精度要求非常高。而本發(fā)明提供的不可見微孔的制備方法，是先在不透光基材上制備出人裸眼可視的原始通孔，即孔徑大小在IOOum以上的微孔，然后通過微弧氧化處理，使不透光基材表面原始通孔的孔徑縮減至裸眼不可視，即孔徑小于lOOum，從而形成最終裸眼不可視的最終通孔。本發(fā)明由于制備的原始通孔孔徑較大，故在制作原始通孔的過程中不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實現(xiàn)，其工藝要求低、易實現(xiàn)、且成本低。
[0007]
【具體實施方式】
[0008]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0009]一種不可見微孔的制備方法，其包括以下步驟:
Si，制作原始通孔:采用物理方法在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔，
S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
[0010]裸眼可視范圍一般是指普通的成年人，在正常的光線條件下，在Im的距離能夠看見的物體大小。對于通孔而言，一般裸眼可視的孔徑大小為大于lOOum。
[0011]在本發(fā)明中，對于不透光基材沒有特殊限制，可以為常規(guī)的不透光的能夠進行微弧氧化的金屬材料或者含有該金屬鍍層的塑料基材。本發(fā)明優(yōu)選為鋁、鋁合金、鎂、鎂合金、鈦或鈦合金。其作為電子產(chǎn)品殼體具有優(yōu)異的表觀效果。所述不透光基材的厚度優(yōu)選為0.1一 10mm，便于進行打孔及后續(xù)的微弧氧化處理。
[0012]在本發(fā)明中，采用物理打孔方法在基材上制作出裸眼可視的原始通孔，原始通孔的大小在IOOum以上，故采用普通的物理打孔方法即可實現(xiàn)。本發(fā)明中,物理打孔方法優(yōu)選采用為激光打孔法或CNC打孔法，在不透光基材上制作出孔徑為10(T300um的原始通孔。激光打孔法或CNC打孔法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，本發(fā)明在此不做詳細(xì)贅述。通過激光打孔或者CNC打孔工藝，得到的微孔一般是內(nèi)表面孔徑大、外表面孔徑小的錐形孔，本發(fā)明中“孔徑”是指微孔的平均孔徑。
[0013]在不透光基材表面制作出裸眼可視的原始通孔后，本發(fā)明通過采用微弧氧化處理，使不透光基材表面的原始通孔的孔徑大小縮小至裸眼不可視的范圍，從而形成最終通孔。不透明基材浸入電解液后，進行微弧氧化時，不透明基材上的原始通孔的孔壁發(fā)生氧化并向外部生長出微弧氧化膜層，隨著微弧氧化反應(yīng)的進行，微弧氧化膜厚度逐漸增加，原始通孔的孔徑隨之逐漸縮小。優(yōu)選的，最終通孔的孔徑為2(T60um。
[0014]所述微弧氧化處理可以為常規(guī)的微弧氧化處理，本發(fā)明優(yōu)選為:將工件置于含有濃度為50—250g/L的Na2SiO3的電解液中，在工作電壓為400—800V、工作電流為10—35A下進行氧化，時間為10 — 120min。更優(yōu)選的，所述工作電壓為500— 800V，所述工作電流為15—35A.在此工作電壓和電流條件下，微弧氧化膜層生長速度較快，膜層厚度增加速度平穩(wěn)可控。
[0015]優(yōu)選的，在所述電解液中添加KOH以調(diào)節(jié)電解液的pH值，以增加微弧氧化處理中電解液的穩(wěn)定性。所述KOH的濃度優(yōu)選為10 — 50g/L。
[0016]本發(fā)明中由于制備的原始通孔孔徑較大，故在制作原始通孔的過程中不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實現(xiàn)，其工藝要求低、易實現(xiàn)、且成本低。
[0017]下面通過具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的描述。
[0018]實施例1
采用功率為20w的光纖激光打孔機在0.5mm厚的鋁合金基材上制作微孔，得到的微孔外表面孔徑100~I IOum,內(nèi)表面孔徑140~150um。
[0019]然后將基材置于100g/L的Na2SiO3電解液中進行微弧氧化處理，工作電壓為550V，工作電流為25A，氧化時間為60min。微弧氧化處理后，取出鋁合金基材并清洗干燥后，用顯微鏡測試鋁合金基材上通孔的內(nèi)、外表面孔徑，其外表面孔徑大小為75~85um，內(nèi)表面孔徑ll(Tl20Um。肉眼觀察鋁合金基材表面無法觀察到通孔存在。[0020]實施例2
采用四軸CNC數(shù)控加工設(shè)備在0.4mm厚的鋁合金基材上制作微孔，得到的微孔外表面孔徑10(Tll0um，內(nèi)表面孔徑120~130um。
[0021]然后將基材置于60g/L的Na2SiO3電解液中進行微弧氧化處理，同時添加(濃度30g/L)K0H調(diào)節(jié)pH值，工作電壓為530V，工作電流為20A，氧化時間lOOmin。微弧氧化處理后，取出鋁合金基材并清洗干燥后，用顯微鏡測試鋁合金基材上通孔的內(nèi)、外表面孔徑，其外表面孔徑4(T60um，內(nèi)表面孔徑7(T90um。肉眼觀察鋁合金基材表面無法觀察到通孔存在。
[0022]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，因此，只要運用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的任何修改、等同替`換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種不可見微孔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: Si，制作原始通孔:采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔； S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述原始通孔的孔徑為 100~300um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述物理打孔為激光打孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述物理打孔為CNC鉆孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述最終通孔的孔徑為 20~60um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化處理為:將不透光基材置于含有濃度為50—250g/L的Na2SiO3的電解液中，在工作電壓為400—800V、工作電流為10 — 35A下進行氧化，時間為10 — 120min。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述工作電壓為500— 800V，所述工作電流為15 — 35A。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述電解液中還含有K0H，所述KOH的濃度為10 — 50g/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述不透光基材的材質(zhì)為招、招合金、鎂、鎂合金、鈦或鈦合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述不透光基材的的厚度為0.1一10mm。
【文檔編號】B23B35/00GK103510138SQ201210205636
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月21日
【發(fā)明者】郭強 申請人:比亞迪股份有限公司