線路板以及此線路板的激光鉆孔方法
【專利摘要】一種線路板及此線路板的激光鉆孔方法。在此方法中，將一激光束照射于一包括一絕緣層的線路基板，以移除絕緣層的一部分，其中線路基板位于激光束的聚焦段，而聚焦段具有一中央?yún)^(qū)、一位于中央?yún)^(qū)的光軸以及一圍繞中央?yún)^(qū)的周邊區(qū)。聚焦段的一最大光強(qiáng)度位于周邊區(qū)內(nèi)。一種線路板，其包括一絕緣層、二層線路層以及至少一導(dǎo)電柱。絕緣層位于這些線路層之間，而導(dǎo)電柱位在位于絕緣層內(nèi)，并電性連接這些線路層，其中導(dǎo)電柱具有一第一端與一相對(duì)第一端的第二端，而第一端的寬度大于第二端的寬度。第二端的寬度與第一端的寬度二者的比值大于或等于0.75。
【專利說(shuō)明】線路板以及此線路板的激光鉆孔方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板以及此線路板的鉆孔方法，且特別是涉及一種具有盲孔(blind via)結(jié)構(gòu)的線路板以及利用激光束(laser beam)對(duì)此線路板鉆孔的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的線路板制造方法已采用聚焦激光束(focused laser beam)來(lái)制作線路板中的盲孔。為了盡量讓聚焦激光束的功率密度達(dá)到最大，以加速盲孔的形成，上述聚焦激光束的光強(qiáng)度分布通常是高斯分布(Gauss distribution),即此聚焦激光束的激光模式(laser mode)為高斯模式(Gauss mode,又可稱為TEMOO模式)。
[0003]當(dāng)利用這種具有高斯分布的聚焦激光束來(lái)形成盲孔時(shí)，形成好的盲孔的開(kāi)口孔徑會(huì)大于盲孔的底部孔徑，且此盲孔通常具有偏低的孔徑比，其中這里所述的孔徑比是指盲孔的底部孔徑與開(kāi)口孔徑之間的比值。所以，孔徑比越小，開(kāi)口孔徑會(huì)越大于底部孔徑。
[0004]然而，一般而言，具有偏低孔徑比的盲孔可能會(huì)對(duì)線路板的結(jié)構(gòu)造成不良的影響，從而導(dǎo)致可靠性(reliability)降低。因此，為了提高線路板盲孔的孔徑比，目前也有采用光強(qiáng)度分布為頂帽分布(top-hat distribution)的聚焦激光束來(lái)形成盲孔,如圖1所示。
[0005]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中具有頂帽分布的聚焦激光束的光強(qiáng)度分布示意圖，其中圖1中的橫軸代表與聚焦激光束的光軸(optic axis)的距離，而橫軸的零點(diǎn)代表光軸的位置。請(qǐng)參閱圖1，這種聚焦激光束可利用光束整形器(beam shaper)來(lái)產(chǎn)生，而此聚焦激光束的光強(qiáng)度分布10基本上是均勻的。也就是說(shuō)，聚焦激光束在中央?yún)^(qū)11內(nèi)的光強(qiáng)度大致上等于在邊緣區(qū)12內(nèi)的光強(qiáng)度。
[0006]由于頂帽分布的聚焦激光束具有均勻的光強(qiáng)度分布10，因此當(dāng)這種聚焦激光束照射于線路基板，以在線路基板的表面上形成光斑時(shí)，聚焦激光束的能量大致上會(huì)均勻地分布在光斑內(nèi)。如此，相較于高斯分布的聚焦激光束，這種頂帽分布的聚焦激光束能提高盲孔的孔徑比。然而，一般而言，不論是高斯分布或頂帽分布，現(xiàn)今聚焦激光束仍有極限，難以將盲孔的孔徑比進(jìn)一步地提高。例如，目前的聚焦激光束很難將孔徑比提高到0.75。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種線路板的激光鉆孔方法，其能提高盲孔的孔徑比。
[0008]本發(fā)明另提供一種線路板，其利用上述激光鉆孔方法來(lái)制造。
[0009]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種線路板的激光鉆孔方法。在此方法中，將一激光束照射于一包括一絕緣層的線路基板，以移除絕緣層的一部分，其中線路基板位于激光束的一聚焦段，而聚焦段具有一中央?yún)^(qū)、一位于中央?yún)^(qū)的光軸以及一圍繞中央?yún)^(qū)的周邊區(qū)。聚焦段的一最大光強(qiáng)度位于周邊區(qū)內(nèi)。
[0010]本發(fā)明的另一實(shí)施例提出一種線路板，其包括一絕緣層、二層線路層以及至少一導(dǎo)電柱。絕緣層位于這些線路層之間，而導(dǎo)電柱位于絕緣層內(nèi)，并電性連接這些線路層，其中導(dǎo)電柱具有一第一端與一相對(duì)第一端的第二端，而第一端的寬度大于第二端的寬度。第二端的寬度與第一端的寬度二者的比值大于或等于0.75。
[0011]基于上述，利用最大光強(qiáng)度位于周邊區(qū)內(nèi)的激光束，本發(fā)明能提高盲孔的孔徑比，據(jù)以提高可靠度。
[0012]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，但是該說(shuō)明與附圖僅用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中具有頂帽分布的聚焦激光束的光強(qiáng)度分布示意圖。
[0014]圖2A至圖2G是利用本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的激光鉆孔方法來(lái)制造線路板的流程不意圖。
[0015]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0016]10:光強(qiáng)度分布
[0017]11、212:中央?yún)^(qū)
[0018]12:邊緣區(qū)
[0019]100:線路板
[0020]100’:線路基板
[0021]102:內(nèi)層基板
[0022]110、110’、140:絕緣層
[0023]112:高分子材料
[0024]114:玻璃纖維布
[0025]120、130:線路層
[0026]120’:金屬層
[0027]122:開(kāi)口
[0028]132:接墊
[0029]150:導(dǎo)電柱
[0030]151:第一端
[0031]152:第二端
[0032]200:激光束
[0033]210:聚焦段
[0034]210f:焦點(diǎn)
[0035]21Ow:光束腰
[0036]214:周邊區(qū)
[0037]216:光軸
[0038]Dl:聚焦深度
[0039]Hl:盲孔
[0040]L1:長(zhǎng)度
[0041]Rl:底部孔徑
[0042]R2:開(kāi) 口孔徑
[0043]R3、R4:寬度[0044]S1:最大光強(qiáng)度
[0045]S2:最小光強(qiáng)度
【具體實(shí)施方式】
[0046]圖2A至圖2G是利用本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的激光鉆孔方法來(lái)制造線路板的流程示意圖，其中圖2A至圖2F示本實(shí)施例的激光鉆孔方法，而圖2G顯示利用本實(shí)施例的激光鉆孔方法所制造的線路板。請(qǐng)參閱圖2A，首先，提供一線路基板100’，其中線路基板100’為線路板的半成品，例如是多層線路板(multilayer wiring board)的半成品,而線路基板100’具有至少一層線路層。
[0047]具體而言，線路基板100’包括一金屬層120’、一絕緣層110’以及一內(nèi)層基板(inner substrate) 102。絕緣層110’位于金屬層120’與內(nèi)層基板102之間，而金屬層120’位于絕緣層110’上。內(nèi)層基板102包括一線路層130以及一絕緣層140，其中絕緣層110’接觸金屬層120’、線路層130與絕緣層140，而線路層130夾置(sandwich)在絕緣層110’與絕緣層140之間，并且線路層130包括至少一個(gè)接墊132。所以，線路基板100’會(huì)具有至少一層線路層(即線路層130)。
[0048]另外，除了線路層130之外，內(nèi)層基板102可以還包括其它線路層(未顯示)以及多根電性連接線路層130與其它線路層的導(dǎo)電柱(未顯示)。詳細(xì)而言，內(nèi)層基板102可以具有多個(gè)通孔(through hole,未顯示)、盲孔(未顯示)以及埋孔(embedded hole,未顯示),而這些導(dǎo)電柱可以分別位于于這些通孔、盲孔以及埋孔內(nèi)，其中通孔延伸至絕緣層140內(nèi)，而至少一個(gè)盲孔可位于絕緣層140內(nèi)。
[0049]不過(guò)，須說(shuō)明的是，本實(shí)施例可以任意選擇及組合這些通孔、盲孔以及埋孔在內(nèi)層基板102中的配置。例如，內(nèi)層基板102可以只具有通孔，而不具有任何盲孔與埋孔；或是內(nèi)層基板102可以只具有盲孔與埋孔，而不具有任何通孔。因此，本實(shí)施例不限制如何設(shè)計(jì)內(nèi)層基板102中供導(dǎo)電柱所配置的孔洞(例如通孔、盲孔或埋孔)。
[0050]金屬層120’可為金屬箔片，其例如是銅箔或錫箔。此外，金屬層120’可以是經(jīng)過(guò)厚度薄化處理的金屬箔片。例如，金屬層120’可以是經(jīng)過(guò)蝕刻(etching)或研磨(polishing)之后的金屬箔片。另外，在本實(shí)施例中，絕緣層110’可以是已固化的膠片(prepreg),所以絕緣層110’可以包括一高分子材料112以及一玻璃纖維布114,其中玻璃纖維布114位于高分子材料112中。
[0051]高分子材料112可選自于由環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、改質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂、聚脂(polyester)、丙烯酸酯(acrylic ester)、氟素聚合物(fluoro-polymer)、聚亞苯基氧化物(polyphenylene oxide)、聚酰亞胺(polyimide)、酹醒樹(shù)脂(phenolicresin)、聚砜(polysulfone)、娃素聚合物(silicone polymer)、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹(shù)脂(bismaleimide triazine modified epoxy,即所謂的 BT 樹(shù)脂)、氰酸聚酯(cyanateester)、聚乙烯(polyethylene)、聚碳酸酯樹(shù)脂(polycarbonate, PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, ABS copolymer)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂(polyethylene terephthalate, PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯樹(shù)脂(polybutylene terephthalate, PBT)、液晶高分子(liquid crystal polymers, LCP)、聚酰胺 6 (polyamide6, PA6)、尼龍(Nylon)、共聚聚甲醒(polyoxymethylene, Ρ0Μ)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、環(huán)狀烯經(jīng)共聚高分子(cyclic olefin copolymer,COC)或這些高分子材料的任意組合。
[0052]雖然在本實(shí)施例中，絕緣層110’包括高分子材料112以及玻璃纖維布114，但是在其它實(shí)施例中，絕緣層110’也可以只包括高分子材料112而不包括玻璃纖維布114 ;或者，絕緣層110’也可以是陶瓷層，而不包括任何高分子材料112以及玻璃纖維布114。所以，圖2A中的絕緣層110’僅供舉例說(shuō)明，并非限制本發(fā)明。
[0053]請(qǐng)參閱圖2A與圖2B，接著，移除金屬層120’的至少一部分，以形成至少一個(gè)開(kāi)口122。開(kāi)口 122局部暴露絕緣層110’，并且位于接墊132的正上方。移除金屬層120’有多種方法，而本實(shí)施例可采用微影(photolithography)與蝕刻(etching)來(lái)移除部分金屬層120’，其中此蝕刻可以是干蝕刻(dry etching)或濕蝕刻(wet etching)。此外，雖然圖2B只顯示一個(gè)開(kāi)口 122,但根據(jù)不同的布線設(shè)計(jì)(layout design),可形成二個(gè)或二個(gè)以上的開(kāi)口 122，所以圖2B所示的開(kāi)口 122僅供舉例說(shuō)明，不限制本發(fā)明。
[0054]請(qǐng)參閱圖2C與圖2D，接著，將激光束200照射于線路基板100’，以移除絕緣層110’的至少一部分，并形成具有至少一個(gè)盲孔Hl的絕緣層110，其中盲孔Hl局部暴露出接墊132。激光束200可以是波長(zhǎng)在紅外光(infrared)至紫外光(ultraviolet)范圍的光束，例如激光束200的波長(zhǎng)可位于于256納米(nm)至10200納米之間。在本實(shí)施例中，激光束200可以來(lái)自于二氧化碳激光產(chǎn)生器(C021aser generator),所以激光束200的波長(zhǎng)可約為8000納米。
[0055]在本實(shí)施例中，激光束200是照射于開(kāi)口 122所裸露出來(lái)的部分絕緣層110’，以移除裸露于開(kāi)口 122的部分絕緣層110’。當(dāng)激光束200的波長(zhǎng)是位于可見(jiàn)光(visible light)的范圍，例如激光束200的波長(zhǎng)約為248納米時(shí)，金屬層120’對(duì)激光束200的吸收率偏低，以至于激光束200不易移除金屬層120’，但絕緣層110’卻對(duì)激光束200具有較高的吸收率。因此，當(dāng)激光束200照射于開(kāi)口 122時(shí)，裸露于開(kāi)口 122的部分絕緣層110’能被激光束200移除,從而形成盲孔Hl。
[0056]然而，特別一提的是，雖然在本實(shí)施例中，形成盲孔Hl的流程包括移除部分金屬層120’來(lái)形成局部暴露絕緣層110’的開(kāi)口 122，但選用適當(dāng)波長(zhǎng)的激光束200，激光束200也能移除部分金屬層120’。舉例來(lái)說(shuō)，波長(zhǎng)在紫外光范圍內(nèi)的激光束200 (例如波長(zhǎng)約為248納米)能移除部分金屬層120’。因此，在其它實(shí)施例中，也可直接將激光束200照射在金屬層120’，而不必先移除部分金屬層120’。換句話說(shuō)，圖2A至圖2B的流程可以省略，而圖2C中的金屬層120’可以更換成圖2A中的金屬層120’。
[0057]激光束200可以是脈沖激光束(pulsed laser beam)，且為聚焦激光束。所以，激光束200具有聚焦段(focus section)210，其中聚焦段210是激光束200在聚焦深度(DepthOf Focus, D0F) Dl內(nèi)的區(qū)域(section)，因此聚焦段210的長(zhǎng)度等于聚焦深度D1，如圖2C所示。此外，當(dāng)激光束200照射在線路基板100’上時(shí)，線路基板100’會(huì)在聚焦段210內(nèi)，而激光束200的光束腰(beam waist) 210w與焦點(diǎn)2IOf皆位于線路基板100’的上方。
[0058]請(qǐng)參閱圖2E與圖2F，其中圖2E顯示激光束200在聚焦段210的橫截面，而圖2F則是根據(jù)圖2E的橫截面顯示激光束200的光強(qiáng)度分布。此外，圖2F中的橫軸代表離光軸216的距離，而橫軸的零點(diǎn)代表光軸216的位置。激光束200的聚焦段210具有一中央?yún)^(qū)212、一位于中央?yún)^(qū)212的光軸216以及一圍繞中央?yún)^(qū)212的周邊區(qū)214，而激光束200可經(jīng)由光束整形器來(lái)產(chǎn)生。
[0059]有別于現(xiàn)有高斯分布與頂帽分布的光強(qiáng)度分布，聚焦段210中的最大光強(qiáng)度SI并不位于光軸216或是中央?yún)^(qū)212內(nèi)，而是位于周邊區(qū)214內(nèi)。其次，聚焦段210的光強(qiáng)度可從中央?yún)^(qū)212朝向周邊區(qū)214遞增，如圖2F所示，而聚焦段210的光強(qiáng)度在中央?yún)^(qū)212內(nèi)的最小光強(qiáng)度S2與在周邊區(qū)214內(nèi)的最大光強(qiáng)度SI 二者比值可以介于0.8至0.95之間。
[0060]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2C與圖2D，由于最大光強(qiáng)度SI位于聚焦段210的周邊區(qū)214內(nèi)(如圖2F所示)，因此相較于現(xiàn)有高斯分布或頂帽分布的聚焦激光束，光強(qiáng)度在聚焦段210邊緣處的衰減量較低，且聚焦深度Dl較長(zhǎng)。如此，激光束200能絕緣層110’中形成高孔徑比的盲孔H1。
[0061]具體而言，盲孔Hl具有底部孔徑Rl與開(kāi)口孔徑R2，而相較于現(xiàn)有高斯分布或頂帽分布的聚焦激光束所形成的盲孔，底部孔徑Rl與開(kāi)口孔徑R2之間的比值較大，而此比值在本實(shí)施例中可以大于或等于0.75，但小于I。也就是說(shuō)，與現(xiàn)有線路板的盲孔相比，底部孔徑Rl較接近開(kāi)口孔徑R2。此外，在形成盲孔Hl之后，可以進(jìn)行去膠渣流程(desmear)，以清潔盲孔Hl所暴露的接墊132表面。
[0062]請(qǐng)參閱圖2G，此后，在盲孔Hl內(nèi)形成導(dǎo)電柱150以及在絕緣層110上形成線路層120。導(dǎo)電柱150可利用通孔電鍍(Plating Through Hole，PTH)來(lái)形成，而線路層120可利用電鍍、微影以及蝕刻而形成，其中線路層120可由圖2D中的金屬層120’經(jīng)半加成法(sem1-additive)或減成法(subtractive)而形成。所以，形成線路層120的步驟可包括蝕刻金屬層120’。此外，當(dāng)線路層120是用半加成法來(lái)形成時(shí)，對(duì)金屬層120’的蝕刻可以是微蝕刻(micro-etching)。
[0063]在導(dǎo)電柱150以及線路層120都形成之后，該線路板100大致上已制造完成，其中線路板100可以是多層線路板，并且包括線路層120與130、位于線路層120與130之間的絕緣層110、以及電性連接線路層120與130的導(dǎo)電柱150。絕緣層110可以接觸線路層120與130。此外，導(dǎo)電柱150的數(shù)量可等于盲孔Hl的數(shù)量，所以當(dāng)盲孔Hl的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，導(dǎo)電柱150的數(shù)量也可為多根。因此，圖2G中的線路板100所包括的導(dǎo)電柱150的數(shù)量?jī)H供舉例說(shuō)明，不限定本發(fā)明。
[0064]承上述，導(dǎo)電柱150具有一第一端151以及一相對(duì)第一端151的第二端152,其中第一端151的寬度R4可大于第二端152的寬度R3。導(dǎo)電柱150基本上會(huì)填滿整個(gè)盲孔Hl，所以寬度R3實(shí)質(zhì)上等于盲孔Hl的底部孔徑Rl (標(biāo)示在圖2D中)，而寬度R4實(shí)質(zhì)上等于盲孔Hl的開(kāi)口孔徑R2 (標(biāo)示在圖2D中)。
[0065]由此可知，第二端152的寬度R3與第一端151的寬度R4 二者的比值會(huì)大于或等于0.75，但小于I。所以，相較于現(xiàn)有的線路板，導(dǎo)電柱150中的寬度R4較接近寬度R3。此夕卜，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電柱150的縱橫比可以介于0.8至5之間，其中此縱橫比是指導(dǎo)電柱150的長(zhǎng)度LI與第二端152的寬度R3之間的比值。
[0066]綜上所述，有別于現(xiàn)有高斯分布或頂帽分布的聚焦激光束，本發(fā)明采用最大光強(qiáng)度位于周邊區(qū)內(nèi)的激光束來(lái)制作線路板的盲孔，因而能降低激光束在邊緣處(位于聚焦段內(nèi))的光強(qiáng)度衰減量，從而能提高盲孔的孔徑比，例如將盲孔的孔徑比提高到0.75。如此，后續(xù)形成于盲孔內(nèi)的導(dǎo)電柱與位于盲孔底下的接墊二者之間的接觸面積得以增加，以強(qiáng)化導(dǎo)電柱與接墊之間的接合力量(bonding strength),據(jù)以提高線路板的可靠度。[0067]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍。任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤(rùn)飾的等效替換，仍為本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該方法包括: 將激光束照射于包括絕緣層的線路基板，以移除該絕緣層的一部分，其中該線路基板位于該激光束的聚焦段，而該聚焦段具有中央?yún)^(qū)、位于該中央?yún)^(qū)的光軸以及圍繞該中央?yún)^(qū)的周邊區(qū)，該聚焦段的最大光強(qiáng)度位于該周邊區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該聚焦段的光強(qiáng)度從該中央?yún)^(qū)朝向該周邊區(qū)遞增。
3.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該聚焦段的光強(qiáng)度在該中央?yún)^(qū)內(nèi)的最小光強(qiáng)度與在該周邊區(qū)內(nèi)的最大光強(qiáng)度二者比值介于0.8至0.95之間。
4.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，當(dāng)該激光束照射在該線路基板上時(shí)，該激光束的光束腰位于該線路基板的上方。
5.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該激光束為脈沖激光束。
6.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該激光束的波長(zhǎng)是在256納米至10200納米之間。
7.如權(quán)利要求1所述的線路板的激光鉆孔方法，其特征在于，該線路基板還包括金屬層，而該金屬層位于該絕緣層上，在該激光束照射在該線路基板上以前，移除該金屬層的一部分，以形成局部暴露該絕緣層的開(kāi)口，其中該激光束照射于該開(kāi)口所裸露出來(lái)的部分該絕緣層。
8.一種線路板，其特征在于，該線路板包括: 絕緣層； 兩層線路層，該絕緣層位于所述兩層線路層之間；以及 至少一導(dǎo)電柱，位于該絕緣層內(nèi)，并電性連接所述線路層，其中該至少一導(dǎo)電柱具有第一端與相對(duì)該第一端的第二端，而該第一端的寬度大于該第二端的寬度，且該第二端的寬度與該第一端的寬度二者的比值大于或等于0.75。
9.如權(quán)利要求8所述的線路板，其特征在于，該第二端的寬度與該第一端的寬度二者的比值小于I。
10.如權(quán)利要求8所述的線路板，其特征在于，該至少一導(dǎo)電柱的縱橫比介于0.8至5之間。
11.如權(quán)利要求8所述的線路板，其特征在于，該絕緣層接觸所述線路層。
12.如權(quán)利要求8所述的線路板，其特征在于，該絕緣層包括高分子材料，該高分子材料選自于由環(huán)氧樹(shù)脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹(shù)脂、聚砜、硅素聚合物、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹(shù)脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹(shù)脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯樹(shù)脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚及環(huán)狀烯烴共聚高分子所組成的群組其中之一。
13.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該絕緣層還包括玻璃纖維布，而該玻璃纖維布位于該高分子材料中。
14.如權(quán)利要求8所述的線路板，其特征在于，該絕緣層為陶瓷層。
【文檔編號(hào)】B23K26/06GK103909351SQ201310001402
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月4日
【發(fā)明者】翁正明, 鄭偉鳴, 黃瀚霈 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司