一種非晶合金的去毛刺方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及非晶合金的后加工【技術領域】，特別是涉及一種非晶合金的去毛刺方法，其包括以下步驟：步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內；步驟二，往密閉容器內充入混合氣體；步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的混合氣體，使混合氣體加熱反應，并控制混合氣體的反應溫度和反應時間；步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射冷卻氣體，冷卻后得到毛刺已去除的非晶合金；加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。本發(fā)明在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下，實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，極大地縮短生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的優(yōu)點，從而提高非晶合金產(chǎn)品的質量。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及非晶合金的后加工【技術領域】，特別是涉及一種非晶合金的去毛刺方 法。 一種非晶合金的去毛刺方法

【背景技術】
[0002] 非晶合金因具有強度、硬度、韌性、耐磨性、耐腐蝕性、軟磁性和超導性等方面的優(yōu) 良特性，其在電子、機械、化工等領域都得到了廣泛應用。然而，非晶合金的脆性很高，因此 易碎裂。由于非晶合金具有硬度高和易碎裂的特性，使得非晶合金在加工切割后，切割面容 易產(chǎn)生毛刺。另外，非晶合金在鑄造后，非晶合金的表面也會產(chǎn)生小量的毛刺。
[0003] 對于非晶合金在鑄造或者后加工過程產(chǎn)生的毛刺，如果不去除，將會嚴重影響非 晶合金產(chǎn)品的質量，從而大大影響非晶合金的應用。
[0004] 現(xiàn)有技術中，對于非晶合金在鑄造或者后加工過程產(chǎn)生的毛刺，一般是通過滾筒 研磨或者磁力去除的方法進行去除毛刺。滾筒研磨或者磁力去除毛刺的方法，存在生產(chǎn)工 時長，且去毛刺效果不好的缺點。


【發(fā)明內容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術中的不足之處而提供一種生產(chǎn)工時短，且去毛刺 效果好的非晶合金的去毛刺方法。
[0006] 為達到上述目的，本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn)。
[0007] 提供一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往所述密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體，或者充入甲烷和氧氣的 第二混合氣體； 步驟三，經(jīng)所述火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體或第二混合氣體，使所述第一混 合氣體或所述第二混合氣體加熱反應，并控制所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的反 應溫度和反應時間； 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往所述非晶合金噴射冷卻氣體，冷卻后得到毛刺已 去除的非晶合金； 所述加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使所述非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0008] 上述技術方案中，所述步驟二，所述充入的第一混合氣體中，所述氫氣的壓力為 15bar"30bar,所述氧氣的量為與所述氫氣完全反應的量。
[0009] 上述技術方案中，所述步驟二，所述充入的第二混合氣體中，所述甲烷的壓力為 15bar"30bar,所述氧氣的量為與所述甲燒完全反應的量。
[0010] 上述技術方案中，所述步驟三，所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應溫 度均為 2500°C ?3500°C。 toon] 上述技術方案中，優(yōu)選的，所述步驟三，所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的 反應溫度均為3000°C。
[0012] 上述技術方案中，所述步驟三，所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應時 間均為0· 001秒?0· 010秒。
[0013] 上述技術方案中，優(yōu)選的，所述步驟三，所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的 反應時間均為0. 003秒。
[0014] 上述技術方案中，所述步驟四，往所述非晶合金噴射的冷卻氣體為惰性氣體或氮 氣。
[0015] 所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣和氙氣。
[0016] 所述步驟四中，往所述非晶合金噴射的冷卻氣體的溫度為常溫。
[0017] 其中，本發(fā)明所述的TTT圖是指溫度時間轉變圖，本發(fā)明所述的TTT圖如附圖1所 示。加熱曲線和冷卻曲線均不可碰觸到晶化區(qū)域。其中，在加熱成型和冷卻的過程中，只要 不碰觸到晶化區(qū)域，即非晶合金在不發(fā)生晶化反應的狀況下完成加熱和冷卻。
[0018] 本發(fā)明的有益效果： (1)本發(fā)明提供的一種非晶合金的去毛刺方法，屬于一種熱能去毛刺的方法，本發(fā)明在 非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下，實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短 了生產(chǎn)工時。
[0019] (2)本發(fā)明提供的一種非晶合金的去毛刺方法，由于毛刺相對于非晶合金工件基 體來說，毛刺具有表面積大而體積小的特點，因此毛刺相對于非晶合金工件基體能吸收更 多的熱量，又因毛刺的根部較細薄，因此能夠阻礙熱量從毛刺向非晶合金工件基體傳遞，況 且由于反應時間極短，所以在加熱的過程中，只有毛刺能被燒熔和去除；由于非晶合金工 件基體的面積體積比相對很小，從而使非晶合金工件基體不會被燒損，因此，在加熱的過程 中，非晶合金工件基體的尺寸不會發(fā)生變化，且能夠保持非晶組織的結構。
[0020] (3)本發(fā)明提供的一種非晶合金的去毛刺方法，具有去毛刺效果好的優(yōu)點，從而提 高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0021] (4)本發(fā)明提供的一種非晶合金的去毛刺方法，適合小工件非晶合金的大批量去 毛刺，尤其適合現(xiàn)有技術難以對具有復雜型腔、相貫相交孔系、深孔、盲孔、螺紋孔等去毛刺 難度較大的工件的去毛刺處理。
[0022] (5)本發(fā)明提供的一種非晶合金的去毛刺方法，具有方法簡單，能夠適用于大規(guī)模 生產(chǎn)的特點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 圖1是本發(fā)明的一種非晶合金的去毛刺方法的TTT圖。
[0024] 在圖1中包括有： 1- -晶化區(qū)域、 2- -非晶化區(qū)域。

【具體實施方式】
[0025] 實施例1。
[0026] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體；本實施例中，充入的第一混合 氣體中，氫氣的壓力為15bar，氧氣的量為與氫氣完全反應的量。
[0027] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體，使第一混合氣體加熱反應， 并控制第一混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第一混合氣體的反應溫度為 3000°C，第一混合氣體的反應時間為0. 003秒。
[0028] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氮氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氮氣的溫度為常溫。
[0029] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0030] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0031] 實施例2。
[0032] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入甲烷和氧氣的第二混合氣體；本實施例中，充入的第二混合 氣體中，甲烷的壓力為30bar，氧氣的量為與甲烷完全反應的量。
[0033] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第二混合氣體，使第二混合氣體加熱反應， 并控制第二混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第二混合氣體的反應溫度為 2800°C，第二混合氣體的反應時間為0. 005秒。
[0034] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氦氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氦氣的溫度為常溫。
[0035] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0036] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0037] 實施例3。
[0038] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體；本實施例中，充入的第一混合 氣體中，氫氣的壓力為30bar，氧氣的量為與氫氣完全反應的量。
[0039] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體，使第一混合氣體加熱反應， 并控制第一混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第一混合氣體的反應溫度為 2500°C，第一混合氣體的反應時間為0. 001秒。
[0040] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氖氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氖氣的溫度為常溫。
[0041] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0042] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0043] 實施例4。
[0044] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體；本實施例中，充入的第一混合 氣體中，氫氣的壓力為20bar，氧氣的量為與氫氣完全反應的量。
[0045] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體，使第一混合氣體加熱反應， 并控制第一混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第一混合氣體的反應溫度為 3500°C，第一混合氣體的反應時間為0. 010秒。
[0046] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氬氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氬氣的溫度為常溫。
[0047] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0048] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0049] 實施例5。
[0050] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體；本實施例中，充入的第一混合 氣體中，氫氣的壓力為25bar，氧氣的量為與氫氣完全反應的量。
[0051] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體，使第一混合氣體加熱反應， 并控制第一混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第一混合氣體的反應溫度為 3200°C，第一混合氣體的反應時間為0. 006秒。
[0052] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氪氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氪氣的溫度為常溫。
[0053] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0054] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0055] 實施例6。
[0056] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入甲烷和氧氣的第二混合氣體；本實施例中，充入的第二混合 氣體中，甲烷的壓力為15bar，氧氣的量為與甲烷完全反應的量。
[0057] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第二混合氣體，使第二混合氣體加熱反應， 并控制第二混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第二混合氣體的反應溫度為 2600°C，第二混合氣體的反應時間為0. 009秒。
[0058] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氙氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氙氣的溫度為常溫。
[0059] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0060] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[0061] 實施例7。
[0062] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往密閉容器內充入甲烷和氧氣的第二混合氣體；本實施例中，充入的第二混合 氣體中，甲烷的壓力為17bar，氧氣的量為與甲烷完全反應的量。
[0063] 步驟三，經(jīng)火花塞點燃步驟二中的第二混合氣體，使第二混合氣體加熱反應， 并控制第二混合氣體的反應溫度和反應時間；本實施例中，第二混合氣體的反應溫度為 3300°C，第二混合氣體的反應時間為0. 005秒。
[0064] 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往非晶合金噴射氦氣，冷卻后得到毛刺已去除 的非晶合金；其中，氦氣的溫度為常溫。
[0065] 其中，加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
[0066] 本實施例的一種非晶合金的去毛刺方法，在非晶合金不發(fā)生晶化反應的情況下， 實現(xiàn)了極短時間內去除毛刺的目的，從而極大地縮短了生產(chǎn)工時，并具有去毛刺效果好的 優(yōu)點，從而提高了非晶合金產(chǎn)品的質量。
[〇〇67] 最后應當說明的是，以上實施例僅用于說明本發(fā)明的技術方案而非對本發(fā)明保護 范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理 解，可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的實質和 范圍。
【權利要求】
1. 一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：包括以下步驟： 步驟一，將待去毛刺的非晶合金放置于帶火花塞的密閉容器內； 步驟二，往所述密閉容器內充入氫氣和氧氣的第一混合氣體，或者充入甲烷和氧氣的 第二混合氣體； 步驟三，經(jīng)所述火花塞點燃步驟二中的第一混合氣體或第二混合氣體，使所述第一混 合氣體或所述第二混合氣體加熱反應，并控制所述第一混合氣體或所述第二混合氣體的反 應溫度和反應時間； 步驟四，步驟三的反應結束后，立即往所述非晶合金噴射冷卻氣體，冷卻后得到毛刺已 去除的非晶合金； 所述加熱和冷卻過程，均以TTT圖為基準，使所述非晶合金均不發(fā)生晶化反應。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟二，所述 充入的第一混合氣體中，所述氫氣的壓力為15bar~30bar，所述氧氣的量為與所述氫氣完全 反應的量。
3. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟二，所述 充入的第二混合氣體中，所述甲烷的壓力為15bar~30bar，所述氧氣的量為與所述甲烷完全 反應的量。
4. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟三，所述 第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應溫度均為2500°C?3500°C。
5. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟三，所述 第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應溫度均為3000°C。
6. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟三，所述 第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應時間均為〇. 001秒、.010秒。
7. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟三，所述 第一混合氣體或所述第二混合氣體的反應時間均為〇. 003秒。
8. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟四，往所 述非晶合金噴射的冷卻氣體為惰性氣體或氮氣。
9. 根據(jù)權利要求8所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述惰性氣體包 括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣和氙氣。
10. 根據(jù)權利要求1所述的一種非晶合金的去毛刺方法，其特征在于：所述步驟四，往 所述非晶合金噴射的冷卻氣體的溫度為常溫。
【文檔編號】B23K7/06GK104084664SQ201410379002
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年8月4日 優(yōu)先權日:2014年8月4日
【發(fā)明者】李奉珪 申請人:東莞臺一盈拓科技股份有限公司