納米鉆石薄膜鋁用刀具的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種納米鉆石薄膜鋁用刀具，包括刀頭，在所述刀頭上依次涂覆有四層薄膜：基礎層、隔離層、過渡層和表層，所述基礎層為鈦鋁合金層(TiAl)，所述隔離層為碳化鈦層(TiC)，所述過渡層為氮碳化鈦層(TiCN)，所述表層為氮鋁化鈦鍍膜層(AlTiN)，其中，隔離層起提高熔點的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起連接支撐作用，表層具有高硬度(3200HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。鋁用銑刀的刀頭涂覆該鍍層后，結(jié)構(gòu)更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小，耐高溫、耐磨損，從而保證鋁用銑刀在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽命。
【專利說明】納米鉆石薄膜鋁用刀具
【技術(shù)領域】
[0001] 本實用新型涉及一種鋁用刀具，尤其涉及一種納米鉆石薄膜鋁用刀具。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，國內(nèi)鋁加工業(yè)一般是以普通機床、精雕機和CNC加工中心加工完成。因為鋁 的特殊性，所以不論采用任何加工機器，刀具對于現(xiàn)在鋁件生產(chǎn)行業(yè)來講在效率、壽命、工 件光澤度方面往往不盡人意。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 為了克服上述缺陷，本實用新型提供了一種納米鉆石薄膜鋁用刀具，能夠大大增 強鋁用刀具的排屑性、潤滑性和表面光潔度。
[0004] 本實用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種納米鉆石薄膜鋁用刀 具，包括刀頭，在所述刀頭上依次涂覆有四層薄膜：基礎層、隔離層、過渡層和表層，所述基 礎層為鈦鋁合金層，所述隔離層為碳化鈦層，所述過渡層為氮碳化鈦層，所述表層為氮鋁化 鈦鍍膜層。
[0005] 作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述基礎層厚度為100-300納米，所述隔離層厚度 為100-300納米，所述過渡層的厚度100-300納米，所述表層的厚度為500-800納米。
[0006] 本實用新型的有益效果是：該納米鉆石薄膜鋁用刀具通過在刀頭上涂覆四層薄 膜，隔離層起提高熔點的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起連接支撐作用，表 層具有高硬度（3200HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。鋁用銑刀的刀頭涂覆該四層鍍層 后，結(jié)構(gòu)更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小，耐高溫、耐磨 損，從而保證鋁用銑刀在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽命。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 圖1為本實用新型剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008] 結(jié)合附圖，作以下說明：
[0009] 1--刀頭 2--基礎層
[0010] 3--隔離層 4--過渡層
[0011] 5 表層
【具體實施方式】
[0012] 以下結(jié)合附圖，對本實用新型的一個較佳實施例作詳細說明。但本實用新型的保 護范圍不限于下述實施例，即但凡以本實用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的簡單的 等效變化與修飾，皆仍屬本實用新型專利涵蓋范圍之內(nèi)。
[0013] 一種納米鉆石薄膜鋁用刀具，包括刀頭1，在所述刀頭上依次涂覆有四層薄膜：基 礎層2、隔離層3、過渡層4和表層（5)，所述基礎層為鈦鋁合金層（TiAl)，所述隔離層為碳 化鈦層（TiC)，所述過渡層為氮碳化鈦層（TiCN)，所述表層為氮鋁化鈦鍍膜層（AlTiN)。
[0014] 所述基礎層厚度為100-300納米，所述隔離層厚度為100-300納米，所述過渡層的 厚度100-300納米，所述表層的厚度為500-800納米。
[0015] 其中，隔離層起提高熔點的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起連接支 撐作用，表層具有高硬度（3200HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。鋁用銑刀的刀頭涂覆該 鍍層后，結(jié)構(gòu)更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小，耐高溫、 耐磨損，從而保證鋁用銑刀在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽命。
【權(quán)利要求】
1. 一種納米鉆石薄膜鋁用刀具，包括刀頭（1)，其特征在于：在所述刀頭上依次涂覆有 四層薄膜：基礎層（2)、隔離層（3)、過渡層（4)和表層（5)，所述基礎層為鈦鋁合金層，所述 隔離層為碳化鈦層，所述過渡層為氮碳化鈦層，所述表層為氮鋁化鈦鍍膜層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米鉆石薄膜鋁用刀具，其特征在于：所述基礎層厚度為 100-300納米，所述隔離層厚度為100-300納米，所述過渡層的厚度100-300納米，所述表層 的厚度為500-800納米。
【文檔編號】B23C5/00GK203900582SQ201420327198
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】周樹法 申請人:昆山立特納米電子科技有限公司