本發(fā)明屬于材料,具體涉及一種提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法。
背景技術(shù):
1、金屬構(gòu)件在航空、航天、風(fēng)電、核電、工程機(jī)械等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,是重大裝備的核心部件,在國家安全和國民經(jīng)濟(jì)工程應(yīng)用中不可或缺。目前,這類大型金屬構(gòu)件常采用百噸級鑄錠制備,由于金屬凝固過程的尺寸效應(yīng),大鑄錠內(nèi)部常存在宏觀偏析、縮孔疏松等缺陷,嚴(yán)重影響構(gòu)件質(zhì)量,已成為世界性難題。
2、金屬構(gòu)筑成形是一種通過多個(gè)優(yōu)質(zhì)小鑄錠真空構(gòu)筑封焊然后進(jìn)行高溫大變形獲得均質(zhì)大鍛件的新工藝,以多塊小尺寸均質(zhì)化板坯作為基元,通過表面活化、真空封裝、高溫形變等手段,使構(gòu)筑界面與基體在組織和性能上完全一致,進(jìn)而獲得大鍛件所需均質(zhì)化母材,實(shí)現(xiàn)“以小制大”的新型制造方法。大鍛件構(gòu)筑成形的主要技術(shù)問題是如何保證界面無痕連接,主要科學(xué)問題是界面的變形連接問題,目前針對大鍛件構(gòu)筑成形主要采用高溫形變(cn?105618506b,2019;cn?113695502?b,2023)和電沖擊輔助高溫形變(cn?113579451a,2021;cn?113579452?a,2021)的方法促進(jìn)構(gòu)筑界面愈合(cn?106653629?a)、達(dá)到界面連接的目的,從而保證構(gòu)筑成形金屬鍛件力學(xué)性能。
3、然而,上述促進(jìn)金屬大鍛件構(gòu)筑界面連接技術(shù)方法均需采用高溫大變形,即目前金屬構(gòu)筑成形技術(shù)是通過自由鍛過程中的反復(fù)大變形來實(shí)現(xiàn)固態(tài)連接的,構(gòu)筑成形過程的固態(tài)連接條件是高溫、高真空、大塑性變形條件,這嚴(yán)重限制了構(gòu)筑成形技術(shù)的工程應(yīng)用范圍。
4、如何使大型金屬構(gòu)件構(gòu)筑界面在較低溫度、小變形甚至是不發(fā)生塑性變形的條件下發(fā)生愈合和連接,同時(shí)保證構(gòu)筑成形金屬構(gòu)件的力學(xué)性能,成為亟待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明目的在于提供一種提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,通過將電磁脈沖能量靶向作用于金屬構(gòu)筑界面,促使金屬構(gòu)筑界面發(fā)生預(yù)熔,促進(jìn)界面遷移、橋接和愈合,改善金屬構(gòu)筑界面的連接狀態(tài),提升構(gòu)筑成形金屬構(gòu)件的力學(xué)性能。
2、為達(dá)到上述目的,采用技術(shù)方案如下:
3、提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,包括以下步驟:
4、s1)將金屬基元的構(gòu)筑界面打磨拋光;
5、s2)將金屬基元組合后沿構(gòu)筑界面的外輪廓進(jìn)行真空封焊,得到封焊金屬坯料;
6、s3)對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理直至金屬構(gòu)筑界面完全愈合。
7、按上述方案,步驟s1所述金屬基元具有至少一個(gè)平面構(gòu)筑界面。
8、按上述方案,步驟s2所述真空封焊采用真空電子束焊或真空激光焊,焊縫熔深控制在封焊金屬坯料最小厚度的5~10%。
9、按上述方案,步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí)控制電極單次移動距離小于所采用尖電極圓形橫截面的半徑。
10、按上述方案,步驟s3電磁沖擊處理過程中,控制金屬坯料表面最高溫度tmax≤ktm,tm表示所處理金屬基元的熔點(diǎn),k的取值范圍為0.05~0.25。
11、按上述方案,步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí),電極連接和移動方式包括以下步驟:
12、在真空封焊面對向連接電極,然后沿真空封焊面的外輪廓反向移動,直至電極的連接線覆蓋整個(gè)真空封焊面。
13、按上述方案,步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí),針對真空封焊面為長方形的情形,電極連接和移動方式包括以下步驟:
14、(1)先在長方形真空封焊面的相鄰兩個(gè)角連接電極,然后沿真空封焊面的外輪廓平行移動,直至電極的連接線覆蓋整個(gè)真空封焊面;
15、(2)然后在長方形真空封焊面的對向兩個(gè)角連接電極,沿真空封焊面的外輪廓反向移動,直至電極的連接線覆蓋整個(gè)真空封焊面。
16、按上述方案,步驟s3電磁沖擊處理過程中,控制脈沖電流峰值電流密度范圍為50~300a/mm2,脈沖電流頻率范圍為20~300hz,脈沖占空比為10~40%。
17、按上述方案,步驟s3電磁沖擊處理過程中包括高功率模式:
18、脈沖電流峰值電流密度范圍為50~300a/mm2,脈沖電流頻率范圍為50~300hz,脈沖占空比為10~25%,k取值范圍為0.10~0.25。
19、按上述方案,步驟s3電磁沖擊處理過程中包括低功率模式:
20、脈沖電流峰值電流密度范圍為50~200a/mm2,脈沖電流頻率范圍為20~200hz,脈沖占空比為25~40%,k取值范圍為0.05~0.15。
21、按上述方案,步驟s3電磁沖擊處理采用高、低功率模式重復(fù)切換,達(dá)到構(gòu)筑界面更好的愈合效果。
22、相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明有益效果如下:
23、本發(fā)明將電磁脈沖能量以脈沖電流的方式靶向引入構(gòu)筑金屬界面封焊區(qū)域,即針對構(gòu)筑金屬界面封焊區(qū)域進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí),一方面,間歇式的電磁脈沖產(chǎn)生的電磁振蕩(或振蕩的電磁場)會對界面表層原子產(chǎn)生循環(huán)動應(yīng)力(或電磁力),同時(shí),脈沖電流在合金內(nèi)部流通時(shí)會產(chǎn)生焦耳熱。在合理控制焦耳熱的條件下,界面原子經(jīng)過一定程度的熱激活,在電磁振動引起的循環(huán)壓應(yīng)力和剪切應(yīng)力作用,耦合熱激活和循環(huán)壓應(yīng)力、剪應(yīng)力作用,易引起界面原子振動失穩(wěn)或剪切失穩(wěn),導(dǎo)致金屬界面開始發(fā)生預(yù)熔,從而促使金屬界面發(fā)生從納米尺度到微米尺度的熔化,使構(gòu)筑金屬界面發(fā)生局部熔化,有利于構(gòu)筑金屬界面的連接;另一方面,將電磁脈沖能量通過電極靶向作用于構(gòu)筑界面區(qū)域,在磁壓縮效應(yīng)的作用下有利于構(gòu)筑金屬界面的連接,從而在沒有大塑性變形、沒有顯著溫升條件下實(shí)現(xiàn)構(gòu)筑界面連接的目的。
24、本發(fā)明通過將電磁脈沖能量靶向作用于金屬構(gòu)筑界面,在無大塑性變形、無顯著溫升的前提下,通過耦合脈沖電流引起的焦耳熱效應(yīng)和脈沖電磁場引起的電磁振動效應(yīng),引起構(gòu)筑界面表層原子發(fā)生振動失穩(wěn)或剪切失穩(wěn),即界面發(fā)生預(yù)熔甚至局部熔化,在磁壓縮效應(yīng)的輔助作用下,實(shí)現(xiàn)金屬構(gòu)筑界面的愈合或連接,達(dá)到提高金屬構(gòu)筑界面愈合性能的目的。
1.提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于包括以下步驟:
2.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s1所述金屬基元具有至少一個(gè)平面構(gòu)筑界面。
3.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s2所述真空封焊采用真空電子束焊或真空激光焊,焊縫熔深控制在封焊金屬坯料最小厚度的5~10%。
4.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí)控制電極單次移動距離小于所采用尖電極圓形橫截面的半徑。
5.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s3電磁沖擊處理過程中,控制金屬坯料表面最高溫度tmax≤ktm,tm表示所處理金屬基元的熔點(diǎn),k的取值范圍為0.05~0.25。
6.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí),電極連接和移動方式包括以下步驟:
7.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s3電磁沖擊處理過程中,控制脈沖電流峰值電流密度范圍為50~300a/mm2,脈沖電流頻率范圍為20~300hz,脈沖占空比為10~40%。
8.如權(quán)利要求1所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于步驟s3中對真空封焊面進(jìn)行電磁沖擊處理時(shí),針對真空封焊面為長方形的情形,電極連接和移動方式包括以下步驟:
9.如權(quán)利要求8所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于所述高功率模式:
10.如權(quán)利要求8所述提升金屬構(gòu)筑界面愈合性能的方法,其特征在于所述低功率模式: