本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種切割裝置以及切割方法。

背景技術(shù)：

1、目前，晶圓的主流切割方式包括鋸切、激光切割、等離子切割、隱形切割等，因切割工藝限制，切割獲得的芯片形狀為矩形。矩形芯片的邊角與封裝模塊之間因應(yīng)力集中，容易發(fā)生破裂或分離。因此，在mems器件、太陽能電池和光電等領(lǐng)域的封裝應(yīng)用需求異形(非矩形)芯片，而目前的切割方式難以滿足異形芯片的切割需求。

2、因此，如何切割獲得任意形狀的異形芯片是亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種切割裝置以及切割方法，使得能夠切割獲得任意形狀的異形芯片。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種切割裝置，包括：

3、承載臺，用于承載基底，所述基底具有多個器件區(qū)以及連接相鄰所述器件區(qū)的切割道區(qū)；

4、激光器，用于向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光，以切割所述基底；

5、計算單元，用于根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)，以得到切割路徑坐標(biāo)；

6、移動單元，用于控制所述承載臺沿著所述切割路徑坐標(biāo)移動。

7、可選地，所述切割裝置還包括：

8、坐標(biāo)系建立單元，用于建立所述基底的平面直角坐標(biāo)系，所述計算單元用于計算所有所述切割道區(qū)在所述平面直角坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。

9、可選地，所述器件區(qū)的形狀為三角形、多邊形、圓形或橢圓形。

10、可選地，所述激光為綠光或紫光，所述激光的頻率為納秒、皮秒或飛秒。

11、可選地，所述基底上覆蓋有激光保護層。

12、可選地，所述基底包括襯底以及形成于所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層中形成有金屬層，所述激光器用于切割所述切割道區(qū)的所述絕緣介質(zhì)層和所述金屬層；所述切割裝置還包括：

13、刻蝕單元，用于切割所述切割道區(qū)的所述襯底。

14、本發(fā)明還提供一種切割方法，包括：

15、提供一基底，所述基底具有多個器件區(qū)以及連接相鄰所述器件區(qū)的切割道區(qū)；

16、根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)，以得到切割路徑坐標(biāo)；

17、向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光，以切割所述基底，且在切割所述基底的過程中控制所述基底沿著所述切割路徑坐標(biāo)移動。

18、可選地，在根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)之前，所述切割方法還包括：

19、建立所述基底的平面直角坐標(biāo)系，以計算所有所述切割道區(qū)在所述平面直角坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。

20、可選地，所述器件區(qū)的形狀為三角形、多邊形、圓形或橢圓形。

21、可選地，所述激光為綠光或紫光，所述激光的頻率為納秒、皮秒或飛秒。

22、可選地，在向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光之前，所述切割方法還包括：

23、形成激光保護層覆蓋于所述基底上。

24、可選地，所述基底包括襯底以及形成于所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層中形成有金屬層，所述激光用于切割所述切割道區(qū)的所述絕緣介質(zhì)層和所述金屬層；所述切割方法還包括：

25、采用刻蝕工藝切割所述切割道區(qū)的所述襯底。

26、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：

27、1、本發(fā)明的切割裝置，由于包括：承載臺，用于承載基底，所述基底具有多個器件區(qū)以及連接相鄰所述器件區(qū)的切割道區(qū)；激光器，用于向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光，以切割所述基底；計算單元，用于根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)，以得到切割路徑坐標(biāo)；移動單元，用于控制所述承載臺沿著所述切割路徑坐標(biāo)移動。使得能夠切割獲得任意形狀的異形芯片。

28、2、本發(fā)明的切割方法，由于包括：提供一基底，所述基底具有多個器件區(qū)以及連接相鄰所述器件區(qū)的切割道區(qū)；根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)，以得到切割路徑坐標(biāo)；向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光，以切割所述基底，且在切割所述基底的過程中控制所述基底沿著所述切割路徑坐標(biāo)移動。使得能夠切割獲得任意形狀的異形芯片。

技術(shù)特征：

1.一種切割裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述切割裝置，其特征在于，所述切割裝置還包括：

3.如權(quán)利要求1所述切割裝置，其特征在于，所述器件區(qū)的形狀為三角形、多邊形、圓形或橢圓形。

4.如權(quán)利要求1所述切割裝置，其特征在于，所述激光為綠光或紫光，所述激光的頻率為納秒、皮秒或飛秒。

5.如權(quán)利要求1所述切割裝置，其特征在于，所述基底上覆蓋有激光保護層。

6.如權(quán)利要求1所述切割裝置，其特征在于，所述基底包括襯底以及形成于所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層中形成有金屬層，所述激光器用于切割所述切割道區(qū)的所述絕緣介質(zhì)層和所述金屬層；所述切割裝置還包括：

7.一種切割方法，其特征在于，包括：

8.如權(quán)利要求7所述切割方法，其特征在于，在根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)之前，所述切割方法還包括：

9.如權(quán)利要求7所述切割方法，其特征在于，所述器件區(qū)的形狀為三角形、多邊形、圓形或橢圓形。

10.如權(quán)利要求7所述切割方法，其特征在于，所述激光為綠光或紫光，所述激光的頻率為納秒、皮秒或飛秒。

11.如權(quán)利要求7所述切割方法，其特征在于，在向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光之前，所述切割方法還包括：

12.如權(quán)利要求7所述切割方法，其特征在于，所述基底包括襯底以及形成于所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層中形成有金屬層，所述激光用于切割所述切割道區(qū)的所述絕緣介質(zhì)層和所述金屬層；所述切割方法還包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種切割裝置以及切割方法，切割裝置包括：承載臺，用于承載基底，所述基底具有多個器件區(qū)以及連接相鄰所述器件區(qū)的切割道區(qū)；激光器，用于向所述基底的切割道區(qū)發(fā)射激光，以切割所述基底；計算單元，用于根據(jù)所述器件區(qū)和所述切割道區(qū)的設(shè)計尺寸，計算所有所述切割道區(qū)的位置坐標(biāo)，以得到切割路徑坐標(biāo)；移動單元，用于控制所述承載臺沿著所述切割路徑坐標(biāo)移動。本發(fā)明的技術(shù)方案使得能夠切割獲得任意形狀的異形芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：宋勝金,胡勝
受保護的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17