陶瓷基板的切割方法及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陶瓷基板的切割方法，包括將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件；使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，包括電阻，所述電阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。本發(fā)明可以在不改變電阻制造主要制程的基礎(chǔ)上，有效改善由于陶瓷熔渣重鑄而導(dǎo)致的電子件失效問題。
【專利說明】
陶瓷基板的切割方法及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陶瓷基板的切割方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]0201(英寸)和01005(英寸)等規(guī)格電阻，以及陶瓷天線等在電子領(lǐng)域內(nèi)被廣泛使用。目前行業(yè)內(nèi)的制作流程一般是:先用激光對(duì)整張的陶瓷基板進(jìn)行切割，然后在得到的陶瓷基粒兩端依次鍍上鎳/鉻合金層、鎳層和錫層，形成上下電極導(dǎo)通，再經(jīng)過后制程加工最終得到電阻成品。
[0003]但是，以電阻為例，在使用激光設(shè)備對(duì)陶瓷基板進(jìn)行加工的過程中，由于激光的熱沖擊作用，切割出來的陶瓷基粒局部氣化后的熔渣會(huì)堆積在切割位置形成重鑄，使側(cè)壁形成不規(guī)則的凹陷;進(jìn)而在實(shí)施真空濺鍍工藝時(shí)，由于陶瓷基粒側(cè)壁的凹陷部分被遮擋，導(dǎo)致鎳/鉻合金層無法上鍍；最終使電阻在表面組裝(又稱表面貼裝，即SMT，Surface MountTechnology的縮寫，是目前電子組裝行業(yè)里最流行的一種技術(shù)和工藝)等制程后發(fā)生開路，進(jìn)而產(chǎn)生了成品電阻失效的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是要提供一種陶瓷基板的切割方法及電子設(shè)備，可以在不改變電阻制造主要制程的基礎(chǔ)上，有效改善由于陶瓷熔渣重鑄而導(dǎo)致的電阻失效問題。
[0005]—方面，本發(fā)明提供了一種陶瓷基板的切割方法，包括:
[0006]將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件；
[0007]使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。
[0008]另一方面，本發(fā)明還提供了一種電阻，所述電阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0009]另一方面，本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，包括電阻，所述電阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0010]本發(fā)明的切割方法，通過將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件，使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了將陶瓷基板放在具有良好導(dǎo)熱性的水冷液體中，使陶瓷基粒被切割位置的熱量被及時(shí)導(dǎo)出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆積的情況，從而解決了由于熔渣堆積而導(dǎo)致的電阻或天線等需要電鍍金屬層的電子件失效的問題。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例的附圖，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1是本發(fā)明的陶瓷基板的切割方法第一實(shí)施例的流程示意圖；
[0013]圖2是本發(fā)明的陶瓷基板的切割方法第二實(shí)施例的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0015]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0016]參見圖1，其為本發(fā)明的陶瓷基板的切割方法第一實(shí)施例的流程示意圖。本發(fā)明的電阻陶瓷的切割方法的第一實(shí)施例包括以下步驟:
[0017]SlOl，將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例中，關(guān)于陶瓷基板的燒結(jié)、成型，可與現(xiàn)有的常規(guī)制程無異。當(dāng)陶瓷基板成型后，將其整體浸入水冷液體中。本實(shí)施例中，水冷液體可以是比熱容大于空氣的液體，以創(chuàng)造一個(gè)迅速散熱的切割環(huán)境。其中，水冷液體導(dǎo)熱性良好，可以將加工中陶瓷基板上產(chǎn)生的能量及時(shí)分散，避免這些熱量使陶瓷基板的切口位置發(fā)生反應(yīng);另外，液體對(duì)激光能量的吸收率低，減少激光能量的損耗。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例中，所述水冷液體包括水。已知地，水的比熱容是4.2kJ/(kg*K)，而空氣的比熱容約是1.4kJ/(kg*K)，也就是說常溫下水每升高或降低一度吸收或放出的熱量是空氣的三倍左右;加之，無論從成本方面考量還是從環(huán)境保護(hù)方面著眼，使用水環(huán)境加工陶瓷基板都較為合適，因此使用水作為水冷液體。
[0020]S102，使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例中，利用激光設(shè)備發(fā)出激光將對(duì)浸入水冷液體環(huán)境中的陶瓷基板進(jìn)行切割。其中，可以直接切出預(yù)設(shè)尺寸的陶瓷基粒，也可以在切割完后再進(jìn)行折粒處理以得到陶瓷基粒。而后續(xù)再對(duì)陶瓷基粒進(jìn)行濺鍍等加工，并最終得到成品電阻。
[0022]本實(shí)施方式中，在導(dǎo)熱性良好的液體環(huán)境中切割，切割中產(chǎn)生的熱量被及時(shí)分散，避免陶瓷側(cè)壁產(chǎn)生熔渣、重鑄，有效改善陶瓷融渣重鑄導(dǎo)致的電阻側(cè)壁不上鍍問題，消除了由于該問題而導(dǎo)致的電阻SMT后開路的可靠性隱患。
[0023]本發(fā)明提供的切割方法，通過將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件，使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了將陶瓷基板放在具有良好導(dǎo)熱性的水冷液體中，使陶瓷基粒被切割位置的熱量被及時(shí)導(dǎo)出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆積的情況，從而解決了由于熔渣堆積而導(dǎo)致的電阻或天線等需要電鍍金屬層的電子件失效的問題。
[0024]參見圖2，其為本發(fā)明的陶瓷基板的切割方法第二實(shí)施例的流程示意圖。本發(fā)明的電阻陶瓷的切割方法的第二實(shí)施例包括以下步驟:
[0025]S201，將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例中，所述水冷液體包括水。本步驟與本發(fā)明的陶瓷基板的切割方法第一實(shí)施例的相應(yīng)步驟相同，此處不再贅述。
[0027]S202，將所述激光設(shè)備的激光發(fā)射部分置于所述水冷液體中。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例中，將激光設(shè)備發(fā)出激光的部分，如激光頭也浸入水冷液體中，可以防止激光在空氣和水的界面位置發(fā)生折射造成能量散失，起到了節(jié)能的作用。
[0029]S203，控制所述激光設(shè)備以波長(zhǎng)為300nm-800nm的激光，按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例中，激光波長(zhǎng)一般選擇在300nm-800nm范圍內(nèi)，此范圍內(nèi)的激光穿透力強(qiáng)，同時(shí)水對(duì)此波長(zhǎng)內(nèi)激光能量吸收小，因此激光能量損耗低。其中，所述激光設(shè)備用于切割所述陶瓷基板的激光的波長(zhǎng)包括532nm。當(dāng)激光波長(zhǎng)為532nm時(shí)，切割效果較好。
[0031]本發(fā)明提供的切割方法，通過將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件，將所述激光設(shè)備的激光發(fā)射部分置于所述水冷液體中，控制所述激光設(shè)備以波長(zhǎng)為300nm-800nm的激光，按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了將陶瓷基板放在具有良好導(dǎo)熱性的水冷液體中，使陶瓷基粒被切割位置的熱量被及時(shí)導(dǎo)出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆積的情況，從而解決了由于熔渣堆積而導(dǎo)致的電阻或天線等需要電鍍金屬層的電子件失效的問題。
[0032]上文對(duì)本發(fā)明的電阻陶瓷切割方法的實(shí)施例作了詳細(xì)介紹。下面將相應(yīng)于上述方法的裝置(即電阻和電子設(shè)備)作進(jìn)一步闡述。
[0033]本實(shí)施例的電阻，其陶瓷基板采用了上述的切割方法加工。
[0034]本實(shí)施例的電子設(shè)備，包括電阻，其中，所述電阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0035]本發(fā)明提供的電子設(shè)備，由于其電阻的陶瓷基板在具有良好導(dǎo)熱性的水冷液體中平滑切割，保證了端電極層的鍍膜效果，實(shí)現(xiàn)了有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆積的情況，從而解決了由于熔渣堆積而導(dǎo)致的電阻失效的問題。
[0036]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陶瓷基板的切割方法，其特征在于，包括: 將陶瓷基板整體置于水冷液體中，所述陶瓷基板用于制作電子件； 使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板的步驟之前，還包括: 將所述激光設(shè)備的激光發(fā)射部分置于所述水冷液體中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用激光設(shè)備按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板的步驟，包括: 控制所述激光設(shè)備以波長(zhǎng)為300nm-800nm的激光，按預(yù)設(shè)尺寸切割所述陶瓷基板。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光設(shè)備用于切割所述陶瓷基板的激光的波長(zhǎng)包括532nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述水冷液體包括水。6.—種電阻，其特征在于，所述電阻的陶瓷基板由權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的切割方法加工。7.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求6所述的電阻。
【文檔編號(hào)】B23K26/38GK106001939SQ201610497255
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月27日
【發(fā)明人】謝長(zhǎng)虹, 李明, 孫學(xué)彪, 殷向兵
【申請(qǐng)人】維沃移動(dòng)通信有限公司