專利名稱：真空鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)，具體地說是一種真空鍍膜裝置。
在現(xiàn)有技術(shù)中，真空鍍膜技術(shù)為科學(xué)研究與生產(chǎn)提供了膜層涂覆的新工藝，為光學(xué)研究、半導(dǎo)體電子學(xué)、表面科學(xué)、裝飾工業(yè)等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域提供了新的技術(shù)手段，隨著真空鍍膜技術(shù)的飛速發(fā)展，以及其應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延伸和擴(kuò)展，帶動國內(nèi)真空鍍膜設(shè)備的制造水平得到了很大的提高，在許多方面縮短了與發(fā)達(dá)國家之間的差距。然而，目前國內(nèi)大多數(shù)鍍膜設(shè)備采用的基片架為平面式，只能鍍平面膜材，樣品架固定安裝，不轉(zhuǎn)動，或轉(zhuǎn)動安裝也只有公轉(zhuǎn)，沒有基片架的自轉(zhuǎn)功能，常常是膜層質(zhì)量不理想，均勻性差。
為了克服上述不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種鍍膜質(zhì)量好，應(yīng)用范圍廣的真空鍍膜裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是由安裝在真空室里用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動的樣品架、靶、離子源、加熱源、用交流調(diào)速電機(jī)驅(qū)動的基片架和安裝在真空室外面的機(jī)械泵、分子泵組成，其中，基片架通過行星齒輪組與樣品架垂直安裝，圓周均布于樣品架上方，樣品架下設(shè)機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，于步進(jìn)電機(jī)之上，所述步進(jìn)電機(jī)、交流調(diào)速電機(jī)通過傳動軸分別安裝在樣品架和基片架的絕緣軸套上；所述基片架和靶之間設(shè)有擋板；分子泵通過電動閘板閥與真空室相連，機(jī)械泵通過預(yù)抽閥與真空室相連，在分子泵與機(jī)械泵之間設(shè)有前級閥；
所述光耦機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)由固定在支架上的光電開關(guān)、起始定位盤和靶位定位盤組成，其中光電開關(guān)A位于帶起始縫的起始定位盤上，光電開關(guān)B安裝在帶有靶位定位縫的靶位定位盤上，起始定位盤位于靶位定位盤上方，光電開關(guān)A、B與計(jì)算機(jī)電連接，靶位定位盤與起始定位盤同軸安裝固定，與靶位對應(yīng)；所述基片架由傘形齒輪、托和軸組成，其中托通過軸A與傘形齒輪A相連，傘形齒輪B與傘形齒輪A嚙合，傘形齒輪B通過軸B與樣品架連接；所述基片架數(shù)量范圍為1～10；所述樣品架上點(diǎn)對稱式設(shè)有抽氣孔；所述靶采用射頻磁控靶或直流磁控靶。
本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)1．膜層質(zhì)量好。樣品架和基片架分別由步進(jìn)電機(jī)和交流調(diào)速電機(jī)通過“行星齒輪傳動機(jī)構(gòu)”驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)樣品架的公轉(zhuǎn)和基片架的自轉(zhuǎn)，且轉(zhuǎn)動平穩(wěn)，樣品架的公轉(zhuǎn)帶動基片架對正固定的靶位，實(shí)現(xiàn)靶位的調(diào)整，完成換位功能；基片架的自轉(zhuǎn)帶動基片旋轉(zhuǎn)，消除了鍍膜徑向上的不均勻，使得膜層質(zhì)量得到改善。
2．應(yīng)用范圍廣。由于本實(shí)用新型所述基片架采用與交流調(diào)速電機(jī)的軸垂直固連或通過傘形齒輪連接兩種方式，使之可鍍平面基材，軸套內(nèi)、外環(huán)，也可給滾珠鍍膜。另外，本實(shí)用新型所述與真空室絕緣安裝，能加偏壓，可鍍介質(zhì)膜即絕緣膜，且膜層質(zhì)量好。


圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1中機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為圖1中樣品架、基片架安裝圖。
圖4為基片架另一個安裝實(shí)施例。
圖5為圖4實(shí)施例情況下樣品架俯視圖。
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
實(shí)施例1如圖1、3所示，由安裝在真空室1里用步進(jìn)電機(jī)51驅(qū)動的樣品架5、靶2、離子源3、加熱源10、用交流調(diào)速電機(jī)41驅(qū)動的基片架4和安裝在真空室1外面的機(jī)械泵7、分子泵8組成，其中，基片架4通過行星齒輪組11與樣品架5垂直安裝，圓周均布于樣品架5上方，樣品架5下設(shè)機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)6，于步進(jìn)電機(jī)51之上，分子泵8通過電動閘板閥與真空室1相連，機(jī)械泵7通過預(yù)抽閥與真空室1相連，在分子泵8與機(jī)械泵7之間設(shè)有前級閥；所述基片架4和靶2之間設(shè)有擋板9；所述步進(jìn)電機(jī)51、交流調(diào)速電機(jī)41通過傳動軸12分別安裝在樣品架5和基片架4的絕緣軸套13上；所述基片架4數(shù)量8；所述靶2采用射頻磁控靶(RF靶)；基片為平面基材。
如圖2所示，所述光耦機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)6由光電開關(guān)、起始定位盤63和靶位定位盤64組成，其中光電開關(guān)A61位于帶起始縫65的起始定位盤63上，光電開關(guān)B62安裝在帶有靶位定位縫66的靶位定位盤64上，起始定位盤63位于靶位定位盤64上方，光電開關(guān)A61、B62與計(jì)算機(jī)的多功能數(shù)據(jù)采集器電連接，靶位定位盤64與起始定位盤63同軸安裝在一起，與靶位對應(yīng)。
其工作原理如下樣品架5和基片架4分別由步進(jìn)電機(jī)51和交流調(diào)速電機(jī)41通過行星齒輪組11傳動機(jī)構(gòu)驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)樣品架5的公轉(zhuǎn)和基片架4的自轉(zhuǎn)，樣品架5的公轉(zhuǎn)帶動基片架4對正固定的靶位，實(shí)現(xiàn)靶位的調(diào)整，完成換位功能；在樣品架5的公轉(zhuǎn)軸上，固定兩個同步轉(zhuǎn)動的定位盤，上面為起始定位盤63，盤上開有一個0.5mm寬的窄縫，窄縫的寬度和起始定位盤63的直徑?jīng)Q定最大允許誤差。起始定位盤63旋轉(zhuǎn)時通過固定在支架上的光電開關(guān)A61的檢測縫，靶位定位盤64旋轉(zhuǎn)時通過光電開關(guān)B62的檢測縫；計(jì)算機(jī)通過多功能數(shù)據(jù)采集板“讀取”光電開關(guān)A61、B62的狀態(tài)，以此來判斷起始位和定位誤差，光電開關(guān)A61、B62對正“縫”否，決定光電開關(guān)的狀態(tài)。
實(shí)施例2如圖4、5所示，所述裝有滾珠基材的基片架4由傘形齒輪、托和軸組成，其中托42通過軸A43與傘形齒輪A45相連，傘形齒輪B46與傘形齒輪A45嚙合，傘形齒輪B46通過軸B44與樣品架5連接；所述樣品架5上點(diǎn)對稱式設(shè)有軸氣孔52四個。
本實(shí)用新型所述靶2也可采用直流磁控靶(DC靶)，還可以使用其它濺射源；基材亦可為軸套內(nèi)、外環(huán)；所述計(jì)算機(jī)的多功能數(shù)據(jù)采集器為現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求1．一種真空鍍膜裝置，其特征在于由安裝在真空室(1)里用步進(jìn)電機(jī)(51)驅(qū)動的樣品架(5)、靶(2)、離子源(3)、加熱源(10)、用交流調(diào)速電機(jī)(41)驅(qū)動的基片架(4)和安裝在真空室(1)外面的機(jī)械泵(7)、分子泵(8)組成，其中，基片架(4)通過行星齒輪組(11)與樣品架(5)垂直安裝，圓周均布于樣品架(5)上方，樣品架(5)下設(shè)機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(6)，于步進(jìn)電機(jī)(51)之上，所述步進(jìn)電機(jī)(51)、交流調(diào)速電機(jī)(41)通過傳動軸(12)分別安裝在樣品架(5)和基片架(4)的絕緣軸套(13)上；所述基片架(4)和靶(2)之間設(shè)有擋板(9)；分子泵(8)通過電動閘板閥與真空室(1)相連，機(jī)械泵(7)通過預(yù)抽閥與真空室(1)相連，在分子泵(8)與機(jī)械泵(7)之間設(shè)有前級閥。
2．按照權(quán)利要求1所述真空鍍膜裝置，其特征在于所述光耦機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(6)由固定在支架上的光電開關(guān)、起始定位盤(63)和靶位定位盤(64)組成，其中光電開關(guān)A(61)位于帶起始縫(65)的起始定位盤(63)上，光電開關(guān)B(62)安裝在帶有靶位定位縫(66)的靶位定位盤(64)上，起始定位盤(63)位于靶位定位盤(64)上方，光電開關(guān)A、B(61、62)與計(jì)算機(jī)電連接，靶位定位盤(64)與起始定位盤(63)同軸安裝固定，與靶位對應(yīng)。
3．按照權(quán)利要求1所述真空鍍膜裝置，其特征在于所述基片架(4)由傘形齒輪、托和軸組成，其中托(42)通過軸A(43)與傘形齒輪A(45)相連，傘形齒輪B(46)與傘形齒輪A(45)嚙合，傘形齒輪B(46)通過軸B(44)與樣品架(5)連接。
4．按照權(quán)利要求1、3所述真空鍍膜裝置，其特征在于所述基片架(4)數(shù)量范圍為1～10。
5．按照權(quán)利要求1所述真空鍍膜裝置，其特征在于所述樣品架(5)上點(diǎn)對稱式設(shè)有抽氣孔(52)。
6．按照權(quán)利要求1所述真空鍍膜裝置，其特征在于所述靶(2)采用射頻磁控靶或直流磁控靶。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜裝置。由用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動的樣品架、靶、離子源、加熱源、基片架和安裝在真空室外面的機(jī)械泵、分子泵組成,其基片架通過行星齒輪組與樣品架安裝,圓周均布于樣品架上方,樣品架下設(shè)機(jī)械定位校準(zhǔn)機(jī)構(gòu),于步進(jìn)電機(jī)之上,步進(jìn)電機(jī)、交流調(diào)速電機(jī)通過傳動軸分別安裝在樣品架和基片架的絕緣軸套上;基片架和靶之間設(shè)有擋板;機(jī)械泵和分子泵構(gòu)成真空室抽氣機(jī)組。具有鍍膜質(zhì)量好,應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)。
文檔編號C23C14/34GK2422291SQ0021214
公開日2001年3月7日 申請日期2000年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月7日
發(fā)明者黃文符, 張國棟 申請人:中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器研制中心