專利名稱：滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于一種超微粉表面納米復(fù)合膜處理技術(shù)。
目前，對納米金屬復(fù)合膜的處理，通常采用的是比較落后的方法和裝置，最簡單的方法就是將超微粉放在一個(gè)震動(dòng)篩上，用篩子震動(dòng)將超微粉表面濺射生成包覆納米復(fù)合膜，也有采用分子篩震動(dòng)的方法，超微粉從分子篩自由落下這種濺射裝置包覆納米復(fù)合膜，以上處理裝置不足之處是超微粉表面濺射不均勻，浪費(fèi)原材料，另外復(fù)合膜厚度達(dá)不到要求。
為解決以上裝置的不足，本實(shí)用新型的目的提供一種滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置，利用圓盤滾動(dòng)以達(dá)到超微粉表面濺射形成納米金屬復(fù)合膜，以達(dá)到表面均勻、厚度可任意控制的目的。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是這樣實(shí)現(xiàn)的該裝置的結(jié)構(gòu)是上面為一轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤下面為濺射靶面，兩平面平行且之間距離可調(diào)、轉(zhuǎn)速可調(diào)，轉(zhuǎn)盤與水平面成45度角，轉(zhuǎn)盤中心垂直裝有轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸下端裝有蝸輪，蝸輪與下面的減速器機(jī)、蝸桿連接，蝸桿端裝有直流調(diào)速電機(jī)，在轉(zhuǎn)盤的邊緣設(shè)有多個(gè)載料托盤，為15～30個(gè)，整個(gè)裝置以一立柱支架固定在某一個(gè)底座上(如


圖1所示)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)結(jié)構(gòu)簡單，制作容易，結(jié)合磁控濺射工藝，可在多種超微粉末表面濺射包覆納米金屬薄膜，解決了超微粉末易團(tuán)聚、流動(dòng)性差的缺點(diǎn)。
本實(shí)用新型詳細(xì)結(jié)構(gòu)及工作原理由以下實(shí)施例及附圖給出。
圖1為滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置結(jié)構(gòu)原理圖。
圖2為滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置轉(zhuǎn)盤結(jié)構(gòu)圖。
圖3為滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置轉(zhuǎn)盤側(cè)投影圖。
其結(jié)構(gòu)如
圖1所示，1為轉(zhuǎn)盤，2為濺射靶面，3為載料托盤，4為電機(jī)蝸桿，5為轉(zhuǎn)盤擋板，6為主軸，7為蝸輪。
工作過程轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)載料托板帶動(dòng)盤內(nèi)粉末由下至上運(yùn)動(dòng)，粉末到達(dá)上部后沿傾斜的盤面均勻滾落，使粉末的表面暴露在濺射氣氛中，與轉(zhuǎn)盤正對的靶面濺射出的金屬粒子便可均勻沉積在微粉表面。由于轉(zhuǎn)盤不停地轉(zhuǎn)動(dòng)，可使微粉表面均勻連續(xù)鍍膜，直至完成粉末的均勻包覆。
權(quán)利要求1.一種滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置，其特征是該裝置的結(jié)構(gòu)是上面為一轉(zhuǎn)盤(1)，轉(zhuǎn)盤下面為濺射靶面(2)，兩平面平行且之間距離可調(diào)、轉(zhuǎn)速可調(diào)，轉(zhuǎn)盤與水平面成45度角，轉(zhuǎn)盤中心垂直裝有轉(zhuǎn)軸(6)，轉(zhuǎn)軸下端裝有蝸輪(7)，蝸輪與下面的減速器機(jī)、蝸桿(4)連接，蝸桿端裝有直流調(diào)速電機(jī)，在轉(zhuǎn)盤的邊緣設(shè)有多個(gè)載料托盤(3)，整個(gè)裝置以一立柱支架固定在某一個(gè)底座上。
2.按照權(quán)利要求1所述滾動(dòng)轉(zhuǎn)盤式超微粉表面濺射包覆納米金屬復(fù)合膜裝置，其特征是載料托盤為15～30個(gè)。
專利摘要本裝置屬于一種超微粉表面納米復(fù)合膜處理技術(shù),其裝置是上面為一轉(zhuǎn)盤,下面為濺射靶面,且之間距離可調(diào),與水平面成45度角,下面設(shè)有轉(zhuǎn)軸,轉(zhuǎn)軸端部裝有蝸輪、蝸桿,由直流電機(jī)帶動(dòng),轉(zhuǎn)盤下面設(shè)有多個(gè)載料托盤。優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡單,制作容易,結(jié)合磁控濺射工藝,可在多種超微粉末表面濺射包覆納米金屬薄膜,解決了超微粉末易團(tuán)聚、流動(dòng)性差的缺點(diǎn)。
文檔編號C23C14/34GK2464483SQ00253420
公開日2001年12月12日 申請日期2000年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月13日
發(fā)明者華偉剛, 宮駿, 聞立時(shí), 孫超, 肖金泉, 關(guān)德慧, 譚明暉, 劉艷梅, 裴志亮 申請人:中國科學(xué)院金屬研究所