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      預(yù)清室的微粒防止方法

      文檔序號(hào):3402829閱讀:249來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:預(yù)清室的微粒防止方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種預(yù)清室的微粒防止方法,特別是涉及一種針對(duì)物理氣相沉積(PVD)裝置的預(yù)清室(pre-clean chamber)的微粒(particle)防止方法。
      于半導(dǎo)體制造過(guò)程中,物理氣相沉積(以下簡(jiǎn)稱PVD)裝置是大多被用來(lái)進(jìn)行金屬鍍膜工藝。現(xiàn)有的一種PVD裝置是如

      圖1所示,其主要是由一緩沖室(buffer chamber)1、一預(yù)清室2、一搬遷室(transfer chamber)3、一工藝室(process chamber)4、及一機(jī)械手臂5等構(gòu)成。
      其中,該預(yù)清室2是用以進(jìn)行一晶片的預(yù)清步驟,如圖2所示,該預(yù)清室2是主要由一無(wú)線電波頻率產(chǎn)生器(RF generator)21、一鐘型缸(belljar)22、一防護(hù)體(shield)23、及一預(yù)清室本體24所構(gòu)成。當(dāng)欲進(jìn)行晶片6預(yù)清時(shí),晶片6是會(huì)由該機(jī)械手臂5而被搬送到該預(yù)清室2中,然后,再將如氬氣的氣體導(dǎo)入于上述預(yù)清室2中,同時(shí)藉由該預(yù)清室2的無(wú)線電波頻率產(chǎn)生器21將氬氣解離成等離子,進(jìn)而利用等離子濺射(sputtering)晶片6方式將附著于該晶片6上的微粒清除。
      如上所述,由于晶片6的預(yù)清是以等離子濺射(sputtering)晶片方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的,因此,在濺射的過(guò)程中,除會(huì)將晶片6上的微粒清除外,也會(huì)同時(shí)將該晶片6的表面成分擊出,進(jìn)而使其表面成分附著于上述預(yù)清室2的鐘型缸22及防護(hù)體23上。此時(shí),若PVD裝置所進(jìn)行的金屬沉積工藝為中間金屬沉積工藝時(shí),則通常于該預(yù)清室2進(jìn)行預(yù)清的晶片6的表面成分是主要為硅,換言之,在進(jìn)行多次預(yù)清步驟后,該鐘型缸22及防護(hù)體23上將會(huì)附著大量的硅化物。
      由于該鐘缸型22通常是由石英所形成,而石英與硅化物之間的附著效果并不佳,因此,當(dāng)該鐘型缸22上累積一定厚度的硅化物時(shí),則其將會(huì)產(chǎn)生剝離現(xiàn)象,進(jìn)而對(duì)該預(yù)清室2中的晶片6產(chǎn)生微粒污染,如此,將會(huì)對(duì)后續(xù)的金屬薄膜工藝產(chǎn)生不良影響。為解決此一問(wèn)題,普通技術(shù)人員會(huì)在一定使用時(shí)間后,將鐘型缸22加以清洗,以避免鐘型缸22上的硅化物剝離所造成的微粒問(wèn)題。
      然而,由于每次清洗時(shí)必須暫停生產(chǎn),如此將會(huì)影響產(chǎn)能,如何有效延長(zhǎng)預(yù)清室2的鐘型缸22的使用時(shí)間,以降低保養(yǎng)次數(shù),進(jìn)而提高產(chǎn)能實(shí)為一重要課題。
      有鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種可延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸的使用時(shí)間、降低其保養(yǎng)次數(shù),進(jìn)而可提高產(chǎn)能的預(yù)清室的微粒防止方法。
      本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的特征是藉由濺射一二氧化硅材來(lái)產(chǎn)生二氧化硅,并使二氧化硅涂布于一已形成于鐘型缸上的硅化物層之上,以避免其硅化物快速剝離,據(jù)以達(dá)到延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸使用時(shí)間的目的。
      為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法包括以下步驟提供一二氧化硅材于該預(yù)清室中;于該預(yù)清室中產(chǎn)生等離子并濺射該二氧化硅材,而將該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸上。
      由于二氧化硅與鐘型缸間的附著較佳,因此,當(dāng)該預(yù)清室的的鐘型缸上形成有一硅化物層時(shí),藉由二氧化硅的濺射,則可將二氧化硅涂布于鐘型缸上的硅化物層上,如此,即可避免硅化物快速剝離,進(jìn)而延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間。
      以下結(jié)合附圖來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。附圖中圖1是現(xiàn)有物理氣相沉積裝置的主要部分的示意圖;圖2是現(xiàn)有物理氣相沉積裝置的預(yù)清室的部分分解圖;以及圖3是利用本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的一實(shí)施例的示意圖,圖中所示為一PVD裝置的主要部分的示意圖。
      附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明如下1緩沖室 2預(yù)清室21無(wú)線電波頻率產(chǎn)生器 22鐘型缸23防護(hù)體 24預(yù)清室本體241預(yù)置室 3搬遷室4工藝室 5機(jī)械手臂6晶片 7二氧化硅材8傳動(dòng)機(jī)構(gòu) 81動(dòng)力部82承載部 9升降機(jī)構(gòu)91升降架在具體說(shuō)明之前,欲事先說(shuō)明的是,為說(shuō)明上的便利,以及避免說(shuō)明上的冗述,于本實(shí)施例中,有關(guān)PVD裝置的預(yù)清室等相關(guān)構(gòu)造說(shuō)明沿用上述的圖號(hào)。
      本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法包括一二氧化硅材提供步驟、及一二氧化硅濺射步驟。本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的利用時(shí)機(jī)在于一PVD裝置的預(yù)清室的鐘型缸上形成有一一定厚度硅化物層時(shí)使用。
      有關(guān)二氧化硅材的提供方式,可藉由圖3所示的PVD裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖3所示,該種PVD裝置的預(yù)清室本體24側(cè)壁上裝配有一可預(yù)置二氧化硅材7的預(yù)置室241。于本實(shí)施例中,該二氧化硅材7呈板狀,其可藉由一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)8而將其放置于一升降機(jī)構(gòu)9的升降架91上。
      更詳而言之,該傳動(dòng)機(jī)構(gòu)8由一動(dòng)力部81、及承載部82所構(gòu)成,當(dāng)動(dòng)力部81啟動(dòng)時(shí),則會(huì)使該承載部82轉(zhuǎn)動(dòng),進(jìn)而將置放于承載部82上的二氧化硅材7移位至該升降機(jī)構(gòu)9的升降架91上。
      之后,再進(jìn)行二氧化硅濺射步驟,于此一步驟中,將氬氣導(dǎo)入預(yù)清室2中,并藉由該預(yù)清室2的無(wú)線電波頻率產(chǎn)生器21(請(qǐng)參照?qǐng)D2)將氬氣解離成等離子,而使等離子濺射該二氧化硅材7,進(jìn)而使該二氧化硅材7的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸內(nèi)。
      在此值得一提的是,二氧化硅材的提供方式除可以圖3所示的方式外,尚可將二氧化硅材與晶片6混置于晶舟中,再藉由上述機(jī)械手臂5搬送到該預(yù)清室2中(未示于圖)。
      綜上所述,由于二氧化硅與鐘型缸間的附著較佳,因此,當(dāng)該預(yù)清室的鐘型缸上形成有一硅化物層時(shí),則可藉由二氧化硅的濺射,將二氧化硅涂布于鐘型缸上的硅化物層上。如此,即可避免硅化物快速剝離,進(jìn)而延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間。由于可延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間,因此可以減少保養(yǎng)次數(shù),進(jìn)而達(dá)到提高產(chǎn)能的功效。
      于本實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中所提出的具體的實(shí)施例僅為了易于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容,而并非將本發(fā)明狹義地限制于該實(shí)施例,在不超出本發(fā)明的精神及以下權(quán)利要求的情況,可作種種變化實(shí)施。
      權(quán)利要求
      1.一種預(yù)清室的微粒防止方法,包括一二氧化硅材提供步驟,提供一二氧化硅材于該預(yù)清室中;及一二氧化硅濺射步驟,于該預(yù)清室中產(chǎn)生等離子并濺射該二氧化硅材,而使該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室內(nèi)。
      2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法,其中該預(yù)清室包括物理氣相沉積裝置的預(yù)清室。
      3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法,其中該二氧化硅材預(yù)置于預(yù)清室中。
      4.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法,其中該等離子藉由將氬氣通入該預(yù)清室中,并在無(wú)線電波頻率作用下產(chǎn)生。
      5.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法,其中該預(yù)清室包括一鐘型缸,而該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸上。
      全文摘要
      一種預(yù)清室的微粒防止方法,包括一二氧化硅材提供步驟、及一二氧化硅濺射步驟,其是藉由濺射二氧化硅材方式來(lái)產(chǎn)生二氧化硅,并使二氧化硅涂布于一已形成于預(yù)清室的鐘型缸上的硅化物層上,以避免其硅化物快速剝離,據(jù)以達(dá)到延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸使用時(shí)間的目的。
      文檔編號(hào)C23C14/10GK1374684SQ0111099
      公開(kāi)日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2001年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月9日
      發(fā)明者郭家銘, 黃昭元 申請(qǐng)人:矽統(tǒng)科技股份有限公司
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