專利名稱：整合型化學(xué)機(jī)械式研磨的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用多組分研磨和/或清潔組合物(polishing and/orcleaning composition)研磨和/或清潔基材(substrate)的方法及裝置。
背景技術(shù)：
基材的有效平面化或研磨一般涉及使用一種或多種多組分組合物。例如，化學(xué)-機(jī)械研磨(chemical-mechanical polishing，CMP)過程涉及使用研磨組合物及視情況地使用清潔組合物，以自研磨基材的表面去除漿液及基材殘留物。
常規(guī)的CMP過程使用預(yù)混的松體積組合物。購買研磨組合物和/或清潔組合物且儲(chǔ)存在大型容器中，并且在需要時(shí)經(jīng)適當(dāng)?shù)难b置輸送至所需的使用點(diǎn)。這種常規(guī)的方式具有許多缺點(diǎn)。特別地，必須制造松體積組合物使得其可在使用前以穩(wěn)定的方式長時(shí)間儲(chǔ)存。結(jié)果，常規(guī)多組分組合物的效果有時(shí)為了利于制造更穩(wěn)定而削弱，但是組分的組合的最佳性較低。此外，使用預(yù)混得多組分組合物，對(duì)組合物化學(xué)的動(dòng)態(tài)變化較不適合。特別地，在研磨或清潔過程時(shí)無法改變研磨組合物和/或清潔組合物的配方。
因此，仍有一種提供使基材制造(例如，半導(dǎo)體裝置及內(nèi)存或硬盤)最適的動(dòng)態(tài)、整合型研磨和/或清潔過程的方法和/或裝置的需求。本發(fā)明尋求提供此方法及裝置。本發(fā)明的這些及其它優(yōu)點(diǎn)由在此提供的發(fā)明說明而更清楚。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種使用多組分研磨和/或清潔組合物研磨和/或清潔基材的方法，其中研磨和/或清潔組合物的組分在使用點(diǎn)或恰在輸送至使用點(diǎn)之前混合。本發(fā)明還提供一種使用單一裝置(apparatus)同時(shí)研磨和/或清潔超過一個(gè)基材的方法，其中將不同的研磨或清潔組合物輸送至各基材。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種使用多組分研磨和/或清潔組合物研磨和/或清潔基材的方法。本發(fā)明還提供一種使用單一裝置同時(shí)研磨和/或清潔超過一個(gè)基材的方法。研磨和/或清潔組合物的組分可在使用點(diǎn)或恰在輸送至使用點(diǎn)之前混合?；蛘撸蛄硗獾?，將不同的研磨或清潔組合物輸送至各基材。
術(shù)語＂研磨(polish)＂及＂平面化(planarize)＂交換地使用以指自基材去除材料。在此使用的術(shù)語＂組分(component)＂包括可分別地儲(chǔ)存的各個(gè)成分(例如，酸、堿、氧化劑、水等)或任何成分的組合(例如，氧化劑、酸、堿、復(fù)合劑等的水性組合物、磨料漿液、混合物及溶液)，而且它們?cè)谑褂命c(diǎn)或恰在使用點(diǎn)之前組合，以形成研磨或清潔組合物。術(shù)語＂使用點(diǎn)(poing-of-use)＂指將組合物涂布于基材表面(例如，研磨墊或基材表面本身)時(shí)的位置。以下討論結(jié)合在本發(fā)明中使用的基材、研磨或清潔組合物的成分、研磨或清潔組合物及裝置。
基材本發(fā)明可結(jié)合任何適合的基材使用。適合的基材包含，例如，金屬、金屬氧化物、金屬復(fù)合物或其混合物?；目砂魏芜m合的金屬，或由任何合適的金屬組成或基本組成。適合的金屬包括，例如，銅、鋁、鈦、鎢、鉭、金、鉑、銥、釕及其混合(例如，合金或混合物)。基材還可以包含任何適合的金屬氧化物或由它們組成或基本組成。適合的金屬氧化物包括，例如，氧化鋁(alumina)、二氧化硅(silica)、氧化鈦(titania)、氧化鈰(ceria)、氧化鋯(zirconia)、氧化鍺(germania)、氧化鎂(magnesia)及其共形成產(chǎn)物，以及它們的混合物。此外，基材可包含任何適合的金屬復(fù)合物和/或金屬合金或由它們組成或基本組成。適合的金屬復(fù)合物及金屬合金包括，例如，金屬氮化物(例如氮化鉭(tantalum nitride)、氮化鈦(titanium nitride)及氮化鎢(tungsten nitride))、金屬碳化物(例如，碳化硅與碳化鎢)、鎳-磷、硼硅酸鋁、硼硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、硅/鍺合金以及硅儲(chǔ)/碳合金?；囊嗫砂魏芜m合的半導(dǎo)體基本材料(base matedal)或由它們組成或基本組成。適合的半導(dǎo)體基本材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅、絕緣體上的硅及砷化鎵。玻璃基材亦可結(jié)合本發(fā)明使用，包括本領(lǐng)域已知的各種型式的技術(shù)級(jí)玻璃、光學(xué)級(jí)玻璃及陶瓷。
特別地，本發(fā)明可結(jié)合內(nèi)存(memory)或硬盤(rigid disk)、金屬(例如，貴重金屬)、ILD層、集成電路、半導(dǎo)體元件(semiconductor device)、半導(dǎo)體晶片、微電子機(jī)械系統(tǒng)、電磁鐵、磁頭、聚合膜、低與高介電常數(shù)膜以及技術(shù)級(jí)或光學(xué)級(jí)玻璃使用。本方法特別適用于研磨和/或?qū)雽?dǎo)體元件平面化，例如，具有約0.25微米或更小(例如，0.18微米或更小)的元件特點(diǎn)幾何學(xué)的半導(dǎo)體元件。在此使用的術(shù)語＂元件特點(diǎn)(device feature)＂指單功能組件，如晶體管、電阻、電容器、集成電路等。隨著半導(dǎo)體裝置的元件特點(diǎn)逐漸變小，平面化程度變成更嚴(yán)格。在最小元件特點(diǎn)的尺寸(例如，0.25微米或更小的元件特點(diǎn)，如0.18微米或更小的元件特點(diǎn))可經(jīng)照相平版術(shù)在表面上解析時(shí)，半導(dǎo)體元件的表面視為充分平的面?；谋砻娴钠矫娑纫嗫杀硎緸楸砻嫔系匦巫罡吲c最低點(diǎn)間的距離量測(cè)。在半導(dǎo)體基材方面，表面上高與低點(diǎn)間的距離希望小于約2000埃，較佳為小于約1500埃，更佳為小于約500埃，而且最佳為小于約100埃。
本發(fā)明可用于在基材制造的任何階段將基材(例如，半導(dǎo)體裝置)的任何部份研磨。例如，本發(fā)明可用以結(jié)合淺渠隔離(STI)處理，例如，如美國專利5,498,565、5,721,173、5,938,505與6,019,806所述，或結(jié)合層間介電體的形成，研磨半導(dǎo)體裝置。
研磨及清潔組分本發(fā)明可結(jié)合使用本領(lǐng)域已知的任何合適的組分(或成分)，例如，磨料、氧化劑、催化劑、膜形成劑、復(fù)合劑、流變控制劑、表面活性劑(即，表面活化劑)、聚合穩(wěn)定劑、pH調(diào)整劑及其它適合的成分。
任何適合的磨料可結(jié)合本發(fā)明使用。適合的磨料包括，例如，金屬氧化物磨料。適合的金屬氧化物磨料包括，例如，氧化鋁、氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、與氧化鎂、它們的共形成產(chǎn)物、它們的混合物及它們的化學(xué)摻合物。術(shù)語＂化學(xué)摻合物＂指包括經(jīng)原子混合或涂覆金屬氧化物磨料混合物的顆粒。適合的磨料亦包括經(jīng)熱處理的磨料及經(jīng)化學(xué)處理的磨料(例如，化學(xué)地結(jié)合有機(jī)官能基的磨料)。
磨料可通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何適合技術(shù)制造。例如，磨料可源自如美國專利6,015,506所述的任何方法，其包括火焰法、溶膠-凝膠法、熱液法、等離子法、氣溶膠法、發(fā)煙法、沈淀法、開礦及其方法的組合。此外，磨料可為縮合聚合的金屬氧化物，例如，縮合聚合的二氧化硅，如美國專利案09/440,525所揭示。適合的磨料亦可包含氧化鋁(包括γ、ξ、δ與α-氧化鋁)的高溫結(jié)晶相，和/或氧化鋁(包括所有非高溫結(jié)晶氧化鋁相)的低溫相，或由它們組成或基本組成。亦適合結(jié)合本發(fā)明使用的為依照美國專利5,230,833制備的磨料及各種商業(yè)可得產(chǎn)品，如Akzo-Nobel Bindzil50/80產(chǎn)品，及Nalco 1050、2327與2329產(chǎn)品，及得自DuPont、Bayer、Applied Research、Nissan Chemical與Clariant公司的其它類似產(chǎn)品。
磨料可組合有任何適合的載體(例如，水性載體)以形成＂分散液＂(即＂漿液＂)。適合的分散液可具有任何適合的磨料濃度。
視所需研磨效果而定，磨料可具有任何適合的磨料顆粒特征。特別地，磨料可具有任何適合的表面積。例如，適合的磨料表面積為范圍為約5平方米/克至約430平方米/克的表面積，如由S.Brunauer、P.H.Emmet、與I.Teller的J.Am.Chemical Society，60，309(1938)的方法所計(jì)算。此外，結(jié)合本發(fā)明使用的組合物中的磨料可以磨料粒度分布單分散，例如，如美國專利5,993,685所述?；蛘撸チ狭６确植急举|(zhì)上為雙型亦為適合的，例如，如美國專利申請(qǐng)案09/440,525所述。結(jié)合本發(fā)明使用的磨料特征為任何適合的填充密度。例如，適合的磨料填充密度敘述于如美國專利申請(qǐng)案09/440,525。結(jié)合本發(fā)明使用的具有特定表面羥基密度特征的磨料亦為適合的，例如美國專利申請(qǐng)案60/172,540所述。
任何適合的氧化劑可結(jié)合本發(fā)明使用。適合的氧化劑包括，例如，氧化鹵化物(例如，氯酸鹽、溴酸鹽、碘酸鹽、高氯酸鹽、過溴酸鹽、過碘酸鹽、含氟化合物及其混合物等)。適合的氧化劑亦包括，例如，過硼酸、過硼酸鹽、過碳酸鹽、硝酸鹽(例如，硝酸鐵(III)及硝酸羥基胺)、過硫酸(例如，過硫酸銨)、過氧化物、過氧酸(例如，過乙酸、過苯甲酸、間-氯過苯甲酸、其鹽、其混合物等)、過錳酸鹽、鉻酸鹽、鈰化合物、氰化鐵(例如，鉀氰化鐵)、其混合物等。結(jié)合本發(fā)明使用的組合物含，例如，如美國專利6,015,506所述的氧化劑，亦為適合的。
任何適合的催化劑可結(jié)合本發(fā)明使用。適合的催化劑包括金屬催化劑、非金屬催化劑及其組合。催化劑可選自具有多氧化狀態(tài)的金屬化合物，例如但不限于Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti及V。術(shù)語＂多氧化狀態(tài)＂指隨著損失一個(gè)或多個(gè)電子形式的負(fù)電荷而價(jià)數(shù)增加的原子和/或化合物。鐵催化劑包括但不限于鐵的無機(jī)鹽，如硝酸鐵(II或III)、硫酸鐵(II或III)、鹵化鐵(II或III)，其包括氟化物、氯化物、溴化物與碘化物，以及過氯酸鹽、過溴酸鹽與過碘酸鹽，鐵有機(jī)鐵(II或III)化合物如但不限于乙酸鹽、乙酰醋酮酸鹽、檸檬酸鹽、葡糖酸鹽、草酸鹽、苯二甲酸鹽、琥珀酸鹽及其混合物。
任何適合的膜形成劑(film-forming agent)(即，腐蝕抑制劑)可結(jié)合本發(fā)明使用。適合的膜形成劑包括，例如，雜環(huán)有機(jī)化合物(例如，具有一或更多個(gè)反應(yīng)性官能基的有機(jī)化合物，如雜環(huán)，特別是含氮雜環(huán))。適合的膜形成劑包括，例如，苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物，如美國專利申請(qǐng)案09/442,217所述。
任何適合的復(fù)合劑(complexing agent)(即，螯合劑或選擇性增強(qiáng)劑)可結(jié)合本發(fā)明使用。適合的復(fù)合劑包括，例如，羰基化合物(例如，乙酰醋酮酸鹽等)、簡單羧酸鹽(例如，乙酸鹽、芳基羧酸鹽等)、含一或多個(gè)羥基的羧酸鹽(例如，羥乙酸鹽、乳酸鹽、葡糖酸鹽、五倍子酸及其鹽等)、二-、三-與多-羧酸鹽(例如，草酸鹽、苯二甲酸鹽、檸檬酸鹽、琥珀酸鹽、酒石酸鹽、蘋果酸鹽、乙二胺四乙酸鹽(例如，EDTA二鈉)、其混合物等)、含一或更多個(gè)磺酸基和/或磷酸基的羧酸鹽、及如美國專利申請(qǐng)案09/405,249所述的羧酸鹽。適合的螯合或復(fù)合劑亦可包括，例如，二-、三-或多元-醇(例如，乙二醇、焦兒茶酚、焦五倍子酚、單寧酸等)，以及含磷酸基的化合物，例如，鱗鹽及磷酸，例如，如美國專利申請(qǐng)案09/405,249所述。復(fù)合劑亦可包括含胺化合物(例如，氨基酸、氨基醇、二-、三-及多元-胺等)。含胺化合物的實(shí)例包括甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、二乙醇胺可可鹽、三乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、亞硝基乙醇胺及其混合物。適合的含胺化合物還包括銨鹽(例如，TMAH及四級(jí)銨化合物)。含胺化合物亦可為任何適合的陽離子性含胺化合物，例如，氫化的胺與四級(jí)銨化合物，其吸收至存在于被研磨基材上的氮化硅，而且在研磨時(shí)降低，實(shí)質(zhì)上降低，或甚至抑制(即，阻礙)氮化硅的去除。
任何適合的表面活性劑和/或流變控制劑可結(jié)合在本發(fā)明中使用，其包括粘度增強(qiáng)劑及凝聚劑(coagulant)。適合的流變控制劑包括，例如，聚合流變控制劑。此外，適合的流變控制劑包括，例如，氨基甲酸酯聚合物(例如，具有大于約100,000道耳頓的分子量的氨基甲酸酯聚合物)，包含一或多個(gè)丙烯酸類次單位的丙烯酸酯(例如，丙烯酸乙烯酯與苯乙烯丙烯酸酯)，以及它們的聚合物、共聚物、寡聚物和鹽。適合的表面活性劑包括，例如，陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、陰離子性多電解質(zhì)、非離子性表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑及其混合物等。
結(jié)合在本發(fā)明中使用的組合物可含任何適合的聚合物穩(wěn)定劑或其它的表面活性分散劑，例如，如美國專利申請(qǐng)案序號(hào)09/440,401所述。適合的聚合穩(wěn)定劑包括，例如，磷酸、有機(jī)酸、氧化錫、有機(jī)磷酸鹽以及它們的混合物等。
應(yīng)了解，許多上述化合物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽等)、酸或部份鹽的形式存在。例如，檸檬酸鹽包括檸檬酸，及其單-、二-與三-鹽；苯二甲酸鹽包括苯二甲酸，及其單-鹽(例如，苯二甲酸氫鉀)與其二-鹽；過氯酸鹽包括對(duì)應(yīng)酸(即，過氯酸)及其鹽。此外，在此所列的化合物已為了描述性目的而分類；但是在本發(fā)明中并無限制這些化合物的用途的意圖。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的，特定化合物可表現(xiàn)超過一種功能。例如，一些化合物可作為螯合及氧化劑(例如，特定的硝酸鐵等)。
結(jié)合在本發(fā)明中使用的任何組分可以在適合的載體液體或溶劑(例如，水或適合的有機(jī)溶劑)中的混合物或溶液的形式提供。此外，如已經(jīng)描述過的，可使用化合物單獨(dú)或以任何組合的形式作為研磨或清潔組合物的組分。然后可將二種或多種組分個(gè)別地儲(chǔ)存，繼而在使用點(diǎn)或恰在到達(dá)之前混合形成研磨或清潔組合物。就儲(chǔ)存及意圖的最終用途而言，組分可具有任何適合的pH，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的。此外，結(jié)合在本發(fā)明中使用的組分的pH可以任何適合的方式調(diào)整，例如，通過加入pH調(diào)整劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑。適合的pH調(diào)整劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑包括酸，例如，氫氯酸、如無機(jī)酸的酸(例如，硝酸、硫酸、磷酸)、有機(jī)酸(例如，乙酸、檸檬酸、丙二酸、琥珀酸、酒石酸、草酸)。適合的pH調(diào)整劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑亦包括堿，例如，無機(jī)氫氧化物堿(例如，氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨等)及碳酸堿(例如，碳酸鈉等)。
研磨及清潔組合物在此敘述的研磨及清潔組合物可以任何方式及比例組合，以提供一或更多種適合研磨或清潔基材(例如，半導(dǎo)體基材)的組合物。適合的研磨組合物敘述于，例如，美國專利5,116,535，5,246,624，5,340,370，5,476,606，5,527,423，5,575,885，5,614,444，5,759,917，5,767,016，5,783,489，5,800,577，5,827,781，5,858,813，5,868,604，5,897,375，5,904,159，5,954,997，5,958,288，5,980,775，5,993,686，6,015,506，6,019,806，6,033,596，與6,039,891，及WO 97/43087，WO 97/47030，WO 98/13536，WO 98/23697，WO 98/26025。適合的清潔組合物敘述于，例如，美國專利5,837,662與美國專利申請(qǐng)案09/405,249。
組分儲(chǔ)存本發(fā)明利用至少2種，而且較佳為超過2種(例如，3或更多種、4或更多種或甚至5或更多種)儲(chǔ)存裝置，其中儲(chǔ)存研磨或清潔組合物的組分直到使用。因此，各儲(chǔ)存裝置含一種用以研磨基材的研磨或清潔組合物的組分。如前所述，此使用的術(shù)語，研磨或清潔組合物的＂組分＂，可為研磨或清潔組合物的任何單一化合物或成分，或多于一種的這類化合物或成分的任何組合。例如，用以輸送包含過氧化氫、復(fù)合劑、膜形成劑與磨料的研磨或清潔組合物的儲(chǔ)存裝置，可以許多方式設(shè)計(jì)。一種設(shè)計(jì)包括含過氧化氫的一個(gè)儲(chǔ)存裝置、含復(fù)合劑與膜形成劑的第二儲(chǔ)存裝置、含磨料漿液的第三儲(chǔ)存裝置。替代的設(shè)計(jì)可包含含過氧化氫、復(fù)合劑與膜形成劑的一個(gè)儲(chǔ)存裝置以及含磨料漿液的第二儲(chǔ)存裝置。而另一種設(shè)計(jì)包括各成分的分別儲(chǔ)存裝置。
儲(chǔ)存裝置可為用于儲(chǔ)存組分(例如，液態(tài)組分)的任何適當(dāng)大小及形狀。使用的裝置可為不同程度的剛性、撓性或甚至彈性。此外，儲(chǔ)存裝置可具有等于大氣壓力的內(nèi)壓，或者儲(chǔ)存裝置可以在組分充填之前或之后加壓或抽氣。此儲(chǔ)存裝置的實(shí)例包括圓柱形、球形或長方形容器、活塞、汽球、加壓或抽氣槽、袋子、封包、口袋，或者本領(lǐng)域中已知的其它適當(dāng)成形的容器。
儲(chǔ)存裝置可由本領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)材料制造。如熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所了解的，使用的材料視其中所含的特定組分而定。特別地，儲(chǔ)存裝置(例如，儲(chǔ)存裝置的暴露內(nèi)表面)必須由在其中所含的特定組分存在下不反應(yīng)(例如，軟化、腐蝕、溶解等)的材料制造。優(yōu)選，使用的材料與研磨或清潔組合物中超過一種組分相容。適合的材料包括各種塑料、金屬、金屬合金以及本領(lǐng)域中已知的其它材料。
組分流動(dòng)路徑本發(fā)明利用一或更多個(gè)由各儲(chǔ)存裝置引導(dǎo)至研磨漿液使用點(diǎn)(例如，平臺(tái)、研磨墊或基材表面)的流動(dòng)管線。術(shù)語＂流動(dòng)管線＂表示由個(gè)別儲(chǔ)存容器至其中儲(chǔ)存的組分的使用點(diǎn)的流動(dòng)路徑。一或更多個(gè)流動(dòng)管線可直接引導(dǎo)至使用點(diǎn)，或在使用超過一個(gè)流動(dòng)管線時(shí)，二個(gè)或多個(gè)流動(dòng)管線可在任何點(diǎn)組合成為引導(dǎo)至使用點(diǎn)的單一流動(dòng)管線。此外，任何一或更多個(gè)流動(dòng)管線(例如，個(gè)別流動(dòng)管線或組合的流動(dòng)管線)可在到達(dá)組分的使用點(diǎn)之前，首先引導(dǎo)至一或更多個(gè)其它裝置(例如，泵取裝置、測(cè)量裝置、混合裝置等)。
因此，一或更多個(gè)流動(dòng)管線可由儲(chǔ)存裝置引導(dǎo)至二個(gè)或多個(gè)使用點(diǎn)(例如，二個(gè)或多個(gè)平臺(tái)、二個(gè)或多個(gè)研磨墊或二個(gè)或多個(gè)基材表面)。關(guān)于此點(diǎn)，例如，對(duì)于輸送至至少兩個(gè)基材的多組分研磨和/或清潔組合物，合適的是相同或不同的研磨和/或清潔組合物，并且具有由相同儲(chǔ)存裝置輸送的至少一種共同組分。類似地，對(duì)于輸送至至少兩個(gè)基材的研磨和/或清潔組合物，合適的是為相同或不同的研磨和/或清潔組合物，并且必須具有至少2種(例如，至少3種，至少4種，或甚至至少5種)由相同儲(chǔ)存裝設(shè)輸送的共同組分。
流動(dòng)管線可包含管、管道、渠或容器的任何組合。優(yōu)選，流動(dòng)管線包含管或管道，或由它們組成或基本組成。此管或管道可具有適合將組分輸送至使用點(diǎn)的任何橫切面大小(例如，任何橫切面直徑)或形狀(例如，圓形、橢圓形或多角形)。流動(dòng)管線的橫切面直徑部份地視其運(yùn)輸?shù)奶囟ńM分而定。例如，磨料組分(例如，固/液混合物)可能需要比純液態(tài)組分大的流動(dòng)管線直徑。此外，流動(dòng)管線的大小部份地視其運(yùn)輸?shù)牟牧狭慷?。例如，?duì)于需較大量磨料組分的研磨過程，磨料組分可使用較大的流動(dòng)管線。因此，流動(dòng)管線的大小與形狀可不同。
流動(dòng)管線可用任何適合將組分輸送至使用點(diǎn)的材料制造。如熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所了解的，使用的材料部份地視其中輸送的特定組分而定。特別地，流動(dòng)管線(例如，流動(dòng)管線的暴露內(nèi)表面)必須由在其所運(yùn)輸?shù)奶囟ńM分存在下不反應(yīng)(例如，軟化、溶解、腐蝕、硬化等)的材料制造。優(yōu)選，使用的材料與超過一種的研磨或清潔組合物的組分兼容(例如，與研磨或清潔組合物的所有組分兼容)。更優(yōu)選，流動(dòng)管線的內(nèi)表面可包含利于其中運(yùn)輸組分的快速和/或順利流動(dòng)的材料。適合的材料包括各種塑料、聚硅氧烷、金屬、金屬合金及本領(lǐng)域中已知的其它材料。
組分流動(dòng)控制本發(fā)明優(yōu)選利用一或更多個(gè)流動(dòng)閥，控制組分由儲(chǔ)存裝置至使用點(diǎn)的流動(dòng)。流動(dòng)閥可為儲(chǔ)存裝置的一部份，或位于由儲(chǔ)存裝置至使用點(diǎn)的流動(dòng)路徑的任何地方。流動(dòng)閥可調(diào)整(例如，開放或關(guān)閉)成任何不同的程度，而且可手動(dòng)地操作，或者優(yōu)選是，連接至控制裝置(下述)(例如，通過電或電機(jī)械方式連接)，其使流動(dòng)閥集中地或甚至自動(dòng)地操作。因此，可操作系統(tǒng)以對(duì)使用點(diǎn)連續(xù)地，或通過定期地中斷流動(dòng)而提供組分。例如，組分可連續(xù)地輸送至混合裝置，混合的組分由此連續(xù)地輸送至使用點(diǎn)?；蛘?，組分可定期地輸送至混合裝置，混合的組分由此定期地輸送至使用點(diǎn)，如分批或半分批混合及輸送過程。使用此系統(tǒng)將組分輸送至使用點(diǎn)的其它替代方法同樣地明顯，例如，通過如連續(xù)或斷續(xù)流動(dòng)使用點(diǎn)直接提供任何一或更多種組分，其中組分在使用點(diǎn)混合。流動(dòng)閥可使單向流動(dòng)或雙向流動(dòng)，而且可具有此技藝已知的任何適合的閥型式。
泵取裝置可無需泵取裝置(pumping device)進(jìn)行由儲(chǔ)存容器至使用點(diǎn)的研磨漿液組分的輸送，例如，通過使用重力進(jìn)料機(jī)理的輸送(例如，通過將儲(chǔ)存槽置于高于使用點(diǎn))。然而，本發(fā)明優(yōu)選利用至少一個(gè)泵取裝置以利于經(jīng)流動(dòng)管線由儲(chǔ)存容器至使用點(diǎn)的組分運(yùn)輸?？墒褂萌魏芜m合的泵取裝置，例如，膜片泵(diaphragm pump)、真空泵(例如，將系統(tǒng)抽氣及經(jīng)流動(dòng)管線自儲(chǔ)存槽＂拉出＂組分)、空氣泵(例如，對(duì)系統(tǒng)加壓或驅(qū)動(dòng)Ventura流動(dòng)機(jī)理)、蠕動(dòng)泵、推進(jìn)器或流體-渦輪型泵、液壓泵(例如，活塞或設(shè)計(jì)制造和/或維持系統(tǒng)中壓力的其它裝置)或本領(lǐng)域中已知的其它適合的泵取裝置。泵取裝置可以分離組件的形式提供，或可為一或更多個(gè)現(xiàn)存組件的一部份的形式提供。例如，包含活塞或加壓儲(chǔ)存容器(例如，加壓槽或汽球)的儲(chǔ)存裝置可作為研磨或清潔組合物的組分的儲(chǔ)存裝置及泵取裝置。此外，本發(fā)明可利用超過一個(gè)泵取裝置(例如，超過一型的泵取裝置和/或各組分的分別泵取裝置)。
組分計(jì)量本發(fā)明優(yōu)選利用至少一個(gè)計(jì)量或測(cè)量裝置控制提供至使用點(diǎn)的各組分的量(例如，控制個(gè)別組分的比例)?？墒褂脝我粶y(cè)量裝置個(gè)別地測(cè)量組分，或可使用許多個(gè)測(cè)量裝置(例如，各組分一個(gè)單一測(cè)量裝置)。除了一或更多個(gè)用以測(cè)定各輸送組分的量的測(cè)量裝置，設(shè)備中還可包含一個(gè)單獨(dú)的測(cè)量裝置以測(cè)定提供至使用點(diǎn)的任何二或更多種組分的量，和/或漿液(例如，所有組分的合并物)的總量。
測(cè)量裝置可為本領(lǐng)域中已知的能在本發(fā)明中使用的任何適合的測(cè)量裝置。例如，測(cè)量裝置可為容器，或優(yōu)選為，流動(dòng)計(jì)，由其可計(jì)算流經(jīng)流動(dòng)管線的組分量?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何適合的流動(dòng)計(jì)，如飛輪及轉(zhuǎn)子型流動(dòng)計(jì)。非接觸流動(dòng)計(jì)對(duì)于測(cè)量可能腐蝕或磨耗接觸流動(dòng)計(jì)的組分(例如，磨料組分)的流動(dòng)較佳。此非接觸流動(dòng)計(jì)包括電磁流動(dòng)計(jì)、超音波流動(dòng)計(jì)、熱分散流動(dòng)計(jì)、振動(dòng)滴流計(jì)、具有Hall效應(yīng)電子訊號(hào)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)動(dòng)計(jì)及科氏質(zhì)量流動(dòng)計(jì)。
組分混合研磨或清潔組合物的組分可獨(dú)立地輸送至使用點(diǎn)(例如，在研磨過程中將組分輸送至基材表面時(shí)組分在此點(diǎn)混合)，或組分可恰在輸送至使用點(diǎn)之前組合。如果在到達(dá)使用點(diǎn)之前少于10秒，優(yōu)選在到達(dá)使用點(diǎn)之前少于5秒，更優(yōu)選在到達(dá)使用點(diǎn)之前少于1秒或甚至在組分輸送至使用點(diǎn)時(shí)同時(shí)組合(例如，組分在分配器組合)，則組分＂恰在輸送至使用點(diǎn)之前＂組合。如果其在使用點(diǎn)的5米內(nèi)組合，如在使用點(diǎn)的1米內(nèi)或甚至在使用點(diǎn)的10厘米內(nèi)(例如，在使用點(diǎn)的1厘米內(nèi))，則組分亦＂恰在輸送至使用點(diǎn)之前＂組合。
在二或更多種組分在到達(dá)使用點(diǎn)之前組合時(shí)，組分在流動(dòng)管線中組合且輸送至使用點(diǎn)而無需使用混合裝置?；蛘?，一或更多個(gè)流動(dòng)管線可引導(dǎo)至混合裝置中，以利于二或更多種組分的組合?？墒褂萌魏芜m合的混合裝置。例如，混合裝置可為二或更多種組分經(jīng)其流動(dòng)的噴嘴或噴射器(例如，高壓噴嘴或噴射器)。或者，混合裝置可為包含一或更多個(gè)研磨漿液的二或更多種組分藉其引入混合器的入口，及至少一個(gè)混合組分經(jīng)其離開混合器而直接或經(jīng)裝置的其它組件(例如，經(jīng)一或更多個(gè)流動(dòng)管線)輸送至使用點(diǎn)的出口的容器型混合裝置。此外，混合裝置可包含超過一個(gè)槽，各槽具有至少一個(gè)入口及至少一個(gè)出口，其中二或更多種組分在各槽組合。如果使用容器型混合裝置，則混合裝置較佳為包含混合機(jī)構(gòu)以更利于組分的組合。混合機(jī)構(gòu)通常在此技藝為已知的，并且包括攪拌器、摻合器、攪動(dòng)器、槳型擋板、換氣系統(tǒng)、振動(dòng)器等。
過程感應(yīng)器本發(fā)明優(yōu)選利用感應(yīng)器監(jiān)測(cè)研磨過程的參數(shù)。此感應(yīng)器的實(shí)例包括本領(lǐng)域中已知的各種型式的pH感應(yīng)器、流動(dòng)監(jiān)測(cè)器、溫度感應(yīng)器、壓力感應(yīng)器、速度感應(yīng)器、紅外線光譜計(jì)、熒光光譜計(jì)及終點(diǎn)檢測(cè)感應(yīng)器。本發(fā)明優(yōu)選利用至少一個(gè)可監(jiān)測(cè)輸送至使用點(diǎn)的各組分流動(dòng)的流動(dòng)監(jiān)測(cè)器，更優(yōu)選為各組分的獨(dú)立的流動(dòng)監(jiān)測(cè)器。本發(fā)明還優(yōu)選利用感應(yīng)器以動(dòng)態(tài)(例如，實(shí)時(shí))監(jiān)測(cè)，及因此動(dòng)態(tài)控制所使用的基材表面及研磨或清潔溶液。以此方式，通過隨過程進(jìn)行(例如，排除凹陷及模內(nèi)不均勻性)或在過程到達(dá)終點(diǎn)時(shí)(例如，得到適當(dāng)研磨深度的終點(diǎn)偵測(cè))檢測(cè)研磨或清潔條件的變化，可得到較高的研磨性能。例如，感應(yīng)器可測(cè)定基材或其任何部份的厚度(例如，使用輻射線、雷射或光型偵測(cè)裝置)，測(cè)定研磨或清潔組合物的pH變化(例如，藉由使用pH感應(yīng)器)，檢測(cè)研磨墊與基材間的磨擦或力矩變化(例如，通過檢測(cè)平臺(tái)或載體驅(qū)動(dòng)馬達(dá)上的電流變化)，和/或檢測(cè)基材的導(dǎo)電度變化(例如，經(jīng)電極測(cè)量通過基材的電流)。
組分分配器本發(fā)明利用至少一個(gè)分配器，其同時(shí)或依序?qū)⒁换蚋喾N組分由流動(dòng)管線分配至研磨表面(例如，基材表面或研磨墊)上。可使用單一分配器，由其分配單一組分或研磨和/或清潔組合物組分的任何組合?；蛘?，本發(fā)明可利用超過一個(gè)分配器，由其獨(dú)立地分配研磨和/或清潔組合物的組分(例如，每種組分一個(gè)分配器)。然而，優(yōu)選，本發(fā)明利用超過一個(gè)分配器，由其分配不同的組分組合或比例。例如，可利用二個(gè)或多個(gè)分配器，其各同時(shí)或依序?qū)⑸晕⒒蛲耆煌慕M分或組分的組合輸送至相同的研磨表面。更優(yōu)選，各獨(dú)立地控制這些分配器(例如，可獨(dú)立地控制各流動(dòng)的速率)。
研蘑站本發(fā)明的裝置優(yōu)選包含至少一個(gè)研磨站(polishing station)，更優(yōu)選為二個(gè)或多個(gè)研磨站(例如，四或多個(gè)研磨站)。
本發(fā)明優(yōu)選利用超過一個(gè)研磨站(即，研磨工具)，使得各研磨站具有分配器的任何組合。研磨站可平行地控制(例如，對(duì)各研磨站提供相同的參數(shù))，或研磨站可獨(dú)立地控制(例如，對(duì)各研磨站提供不同的參數(shù))。因此，例如，三站系統(tǒng)可同時(shí)或依序在一站提供ILD研磨、在第二站為STI研磨并在第三站為清潔操作。因此，本發(fā)明優(yōu)選可將不同的研磨或清潔組合物輸送至各研磨站。除了本領(lǐng)域中已知的其它組件，各研磨站一般包含平臺(tái)與平臺(tái)用驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、載體與載體用驅(qū)動(dòng)馬達(dá)及研磨墊?？墒褂萌魏芜m合的平臺(tái)、載體及驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。優(yōu)選，驅(qū)動(dòng)馬達(dá)可連接控制裝置以在研磨過程時(shí)集中地或自動(dòng)地控制(例如，反映研磨過程時(shí)的變化條件)。
任何適合的研磨墊可在本發(fā)明中結(jié)合使用。特別地，研磨墊可為紡織物或非織物，而且可包含不同密度、硬度、厚度、壓縮性、壓縮時(shí)回復(fù)的能力及壓縮模量的任何適合的聚合物。結(jié)合在本發(fā)明中使用的研磨墊優(yōu)選具有約0.6-0.95克/立方米的密度、小于約100的Shore A硬度比(hardnessrating)(例如，約40-90)、至少約0.75毫米的厚度(例如，約0.75-3毫米)、約0-10％(體積比)的壓縮性、在約35kPa的壓縮后至少約25％(體積比)的回復(fù)能力(例如，25-100％)，以及至少約1000kPa的壓縮模量。適合聚合物的實(shí)例包括聚氨基甲酸酯、聚三聚氰胺、聚乙烯、聚酯、聚砜、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸類、聚丙烯酰胺類、聚氯乙烯類、聚氟乙烯類、聚碳酸酯類、聚酰胺類、聚醚類、聚苯乙烯類、聚丙烯類、尼龍、氟化烴等及其混合物、共聚物及其接枝物。優(yōu)選，研磨墊包含聚氨基甲酸酯研磨表面。研磨墊和/或表面可使用本領(lǐng)域中已知的適合技術(shù)由這類材料形成，例如，使用熱燒結(jié)技術(shù)。此外，由這類材料形成的研磨墊可為實(shí)質(zhì)上多孔性(即，具有開放或封閉的孔)或?qū)嵸|(zhì)上非多孔性。多孔性墊優(yōu)選為具有約1-1000微米的孔徑及約15-70％的孔體積。研磨墊和/或表面亦可穿孔或未穿孔至任何程度。優(yōu)選，研磨墊包含穿孔的研磨表面。
研磨墊的研磨表面可包含多個(gè)孔穴，其可包括前述任何孔或穿孔和/或除這些孔之外另外包含?？籽ò▔|表面的凹痕或凹口，以在墊表面的突起部份間形成凹痕的方式配置的突起，或凹痕與突起的任何組合。凹痕或突起可為任何適合的大小或形狀。多個(gè)孔穴在研磨墊的研磨表面上形成巨觀紋路，其更可包括施加于巨觀紋路的凹痕和/或突起部份的微觀紋路。形成巨觀紋路和/或微觀紋路的多個(gè)孔穴可具有任何尺寸及配置。例如，孔穴可隨機(jī)地或如一種圖樣而配置。
研磨墊視情況地(任選地)包含襯墊。襯墊部份可包含本領(lǐng)域中已知的任何適合的襯墊材料。例如，襯墊可為不同程度的撓性或剛性，如熟悉本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的。例如，典型襯墊材料包括聚合膜、金屬箔、布、紙、粉碎纖維及其組合。
研磨墊可包含在研磨墊的研磨表面上或的內(nèi)的固定磨料顆粒，或者研磨墊可實(shí)質(zhì)上無固定磨料顆粒?；囟チ涎心|包括磨料顆粒藉黏著劑、黏合劑、陶瓷、樹脂等固定于研磨墊的研磨表面的墊，或磨料已浸漬于研磨墊內(nèi)以形成研磨墊的整體部份，例如，以含磨料聚胺甲酸酯分散液浸漬的纖維毛層。固定磨料墊可排除在研磨或清潔組合物中提供磨料組分的需求。
系統(tǒng)控制本發(fā)明優(yōu)選利用控制裝置，由此可集中地或自動(dòng)地控制輸送過程的參數(shù)?？赏ㄟ^該裝置控制的參數(shù)的實(shí)例包括組分的流速、組分的組合比率、任何一或更多種組分(單獨(dú)或組合)至研磨站的輸送速率(例如，組分比例)、輸送至使用點(diǎn)的組合物的pH、在使用點(diǎn)的任何組分或漿液的溫度、系統(tǒng)的壓力及平臺(tái)和/或載體的轉(zhuǎn)動(dòng)速度與方向。
優(yōu)選，控制裝置包含與一或更多個(gè)用于本發(fā)明的其它裝置(例如，感應(yīng)器、泵取裝置、流動(dòng)閥、平臺(tái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、載體驅(qū)動(dòng)馬達(dá)等)連接(例如，經(jīng)電或電機(jī)械連接)的集成電路(例如，專用或外部微電腦)。例如，控制裝置可接受來自位于本發(fā)明過程的任何點(diǎn)或全程的感應(yīng)器的信號(hào)或數(shù)據(jù)。這些信號(hào)或數(shù)據(jù)可用以監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的參數(shù)(例如，對(duì)系統(tǒng)操作員顯示參數(shù))。操作員然后可藉由經(jīng)控制裝置調(diào)整流動(dòng)閥、泵取裝置、混合裝置、平臺(tái)或載體驅(qū)動(dòng)馬達(dá)或系統(tǒng)的其它各種組件，而調(diào)整各種過程參數(shù)。或者，控制裝置可自動(dòng)地調(diào)整這些過程參數(shù)或系統(tǒng)組件以維持或得到特定的預(yù)設(shè)參數(shù)(例如，組分比例或濃度的范圍)。
控制裝置可在研磨和/或清潔基材時(shí)手動(dòng)地或自動(dòng)地調(diào)整各組分的量(例如，反映研磨和/或清潔過程的一或更多個(gè)參數(shù))。例如，控制裝置可預(yù)先設(shè)計(jì)成輸送特定比例或濃度的用于此系統(tǒng)的組分，如對(duì)應(yīng)任何一或更多種在此所述的研磨或清潔組合物的任何特定比例或濃度。藉由經(jīng)感應(yīng)器和/或流動(dòng)閥、泵取裝置、混合裝置等連接系統(tǒng)，控制裝置可維持預(yù)先設(shè)計(jì)的設(shè)定，或者控制裝置可視研磨或清潔過程的特定需求改變?cè)O(shè)定，如由經(jīng)感應(yīng)器連接的信號(hào)或數(shù)據(jù)所決定。例如，控制裝置可調(diào)整一或更多種輸送至研磨站的組分的流動(dòng)。
此外，如以上所討論，控制裝置可對(duì)于超過一個(gè)研磨站監(jiān)測(cè)及控制系統(tǒng)的參數(shù)，以在各研磨站使用相同或不同的研磨和/或清潔組合物，以單一裝置同時(shí)研磨或清潔二個(gè)或多個(gè)基材。例如，如果同時(shí)使用2個(gè)研磨站，則在各研磨站實(shí)行的研磨過程可具有不同的需求(例如，需要不同的研磨或清潔組合物)?？刂蒲b置可獨(dú)立地監(jiān)測(cè)及控制各研磨站的參數(shù)，以在各站利于不同的研磨或清潔操作的性能(例如，在各站研磨不同的基材和/或使用不同的研磨和/或清潔組合物)。
系統(tǒng)(例如，在此所述系統(tǒng)的各種組件及對(duì)照物)優(yōu)選設(shè)計(jì)成化學(xué)上(例如，研磨和/或清潔溶液)可快速、不昂貴轉(zhuǎn)變。例如，對(duì)于其中使用相同的工具(即，研磨站)實(shí)行不同的研磨或清潔過程的應(yīng)用而言，裝置可設(shè)計(jì)成提供沖洗系統(tǒng)，藉其在改變研磨或清潔組合物的配方前，以適合的流體沖洗系統(tǒng)的各種組件(例如，流動(dòng)管線、混合裝置、分配器等)和/或被研磨的基材。用于此用途的適合流體通常在本領(lǐng)域中是已知的，并且包括去離子水及各種有機(jī)與無機(jī)溶劑。
例示設(shè)備用于本發(fā)明的適合的設(shè)備(apparatus)及其組件(例如，儲(chǔ)存裝置、流動(dòng)管線、閥、泵取裝置、測(cè)量裝置、混合裝置、感應(yīng)器、分配器和/或研磨站)包括敘述于美國專利4,059,929、5,148,945、5,330,072、5,407,526、5,478,435、5,540,810、5,664,990、5,679,063、5,750,440、5,803,599、5,874,049、5,994,224、與6,040,245，以及國際專利申請(qǐng)案PCT/US99/00291(WO 99/34956專利)與PCT/US97/17825(WO 98/14305專利)中的那些。
在此所列的所有參考文件，包括專利、專利申請(qǐng)以及公開文件，在此全部并入本文作為參考。雖然本發(fā)明已基于優(yōu)選的具體實(shí)施例著重進(jìn)行了敘述，但是很明顯本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可使用本發(fā)明所描述的優(yōu)選的具體實(shí)施例的變化，而且本發(fā)明并不只限于所描述的具體實(shí)時(shí)方式。因此，本發(fā)明包括如本發(fā)明權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)的所有方式。
權(quán)利要求
1.一種同時(shí)研磨和/或清潔二個(gè)或多個(gè)基材的方法，包含(i)提供二個(gè)或多個(gè)基材，(ii)提供二個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存裝置，每個(gè)儲(chǔ)存裝置含有為多組分研磨和/或清潔組合物的組分，(iii)將研磨和/或清潔組合物的組分由二個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存裝置輸送至各基材，及(iv)同時(shí)研磨和/或清潔二個(gè)或多個(gè)基材，其中輸送至至少兩個(gè)基材的研磨和/或清潔組合物不同，而且具有至少一種由相同的儲(chǔ)存裝置輸送的共同組分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中各基材是不同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中各基材是相同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材為半導(dǎo)體元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中至少兩個(gè)基材為在不同制造階段的半導(dǎo)體元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材為硬盤或內(nèi)存盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的方法，其中不同研磨和/或清潔組合物的組分在使用點(diǎn)或恰在輸送至使用點(diǎn)之前混合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的方法，其中連續(xù)地提供不同的研磨和/或清潔組合物的組分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的方法，其中在研磨或清潔過程中調(diào)整組分的量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中響應(yīng)研磨和/或清潔過程中的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的變化而調(diào)整組分的量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中一個(gè)或多個(gè)參數(shù)包含至少一個(gè)選自基材厚度、研磨組合物的pH、基材的均勻性、研磨墊與基材間的磨擦以及基材的導(dǎo)電度的參數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的方法，其中各研磨或清潔組合物的配方彼此獨(dú)立地調(diào)整。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)的方法，其中將至少一種研磨組合物輸送至至少一個(gè)基材。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含金屬、金屬合金或金屬復(fù)合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含銅或銅合金。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含鉭或氮化鉭。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-16中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含半導(dǎo)體基材。
18.根據(jù)權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含介電膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求1-18中任一項(xiàng)的方法，其中至少一個(gè)基材包含金屬氧化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求1-19中任一項(xiàng)的方法，其中將至少兩種研磨組合物輸送至至少兩個(gè)基材。
21.根據(jù)權(quán)利要求1-20中任一項(xiàng)的方法，其中將至少一種清潔組合物輸送至至少一個(gè)基材。
22.根據(jù)權(quán)利要求1-21中任一項(xiàng)的方法，其中將至少兩種清潔組合物輸送至至少兩個(gè)基材。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種使用多組分研磨和/或清潔組合物研磨和/或清潔基材的方法，其中研磨和/或清潔組合物的組分在使用點(diǎn)或恰在輸送至使用點(diǎn)之前混合。本發(fā)明還提供了一種使用單一裝置同時(shí)研磨和/或清潔超過一個(gè)基材的方法，其中將不同的研磨或清潔組合物輸送至各基材。
文檔編號(hào)B24B37/04GK1422200SQ01807599
公開日2003年6月4日 申請(qǐng)日期2001年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月7日
發(fā)明者布拉德利·J·斯塔利, 格雷戈里·H·博古什, 杰弗里·P·張伯倫, 保羅·M·菲尼, 艾麗西亞·F·沃爾特斯, 史蒂文·K·格魯比恩, 布賴恩·L·米勒, 戴維·J·施羅德 申請(qǐng)人:卡伯特微電子公司