專利名稱：真空處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對比如半導體晶片或液晶顯示體用基板的被處理體進行刻蝕或成膜等處理用的真空處理裝置。
可是，搬送口和閘閥是在刻蝕處理中等離子體容易集中的地方。為了把搬送口與處理室做成一體，其材質(zhì)使用的是鋁，一般要在其表面進行防蝕加工。閘閥多也用同樣的材質(zhì)制造。防蝕加工面直接曝露在等離子體中，加工面受到刻蝕以后，就要露出下面的鋁面。而在半導體以及液晶器件的制造過程中，多使用由鹵化物組成的處理氣，這樣的鹵素離子的腐蝕性是很強的。如果露出面曝露在這樣的鹵素離子中，表面就會發(fā)生腐蝕。而且產(chǎn)生反應生成物的堆積，剝離此生成物就產(chǎn)生顆粒。
由于因如上所述的腐蝕或者顆粒而造成的污染，需要進行搬送口或閘閥的洗凈或更換所謂維修工作。如果腐蝕和污染的程度越顯著，此維修的頻度就越高。由于裝置具有復雜的結(jié)構(gòu)，維修的操作十分繁雜，而且需要很長的時間。若使裝置頻繁地長時間停止，就會產(chǎn)生降低了裝置的工作率，使生產(chǎn)率下降的所謂問題。
本發(fā)明就是鑒于此問題，作為其目的，是提供一種真空處理裝置，可在使其容易維修的同時，延長維修周期，能夠提高產(chǎn)出率。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述的課題，由本發(fā)明的第一個觀點看，本發(fā)明的特征在于，在此真空處理裝置中，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁上，設置了自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件。
而從本發(fā)明的第二個觀點看，本發(fā)明是，一種真空處理裝置，具有開閉形成于真空處理室的壁上的被處理體的搬送口的閘閥，其特征在于，在上述閘閥的至少覆蓋上述搬送口的部分表面處形成稀土類氧化物噴鍍被覆膜。
而如果詳細地說明本發(fā)明的特征，上述襯套部件也可以由多個部件構(gòu)成。在上述襯套部件的表面上，也可以施有絕緣被覆膜。上述絕緣被覆膜可以是稀土類氧化物的噴鍍被覆膜，比如可以使用Y2O3。而且，上述絕緣被覆膜或上述稀土類氧化物噴鍍被覆膜的厚度，可以在50μm以上和100μm以下。
根據(jù)本發(fā)明的第一個觀點中的結(jié)構(gòu)，在維修搬送口的內(nèi)壁時，由于只把襯套部件取出進行洗凈或更換即可，因此十分容易，也縮短了所需的時間。因此就能夠提高裝置的產(chǎn)出率。
根據(jù)本發(fā)明的第二個觀點中的結(jié)構(gòu)，在容易受到等離子體損害的的閘閥表面上使用了耐等離子體腐蝕性能很高的稀土類氧化物噴鍍被覆膜。由于稀土類氧化物的熔點高，和氧的化學結(jié)合力強，曝露在等離子體中也能夠維持穩(wěn)定的狀態(tài)。因此難以發(fā)生損傷，能夠降低金屬的污染和產(chǎn)生粉塵，而且能夠減少閘閥的維修頻度，可以提高裝置的產(chǎn)出率。
而在采用具有上述特征的結(jié)構(gòu)時，在襯套部件受到損傷的情況下，只更換受損部分的部件即可，由于不需要更換整個襯套部件，能降低成本。而由于施有絕緣被覆膜，就能夠抑制由等離子體造成的表面刻蝕。因此，由于使用了高熔點、與氧的化學結(jié)合力強的稀土類氧化物，即使曝露在等離子體中也能夠維持穩(wěn)定的狀態(tài)。這就是說，由于使用了稀土類氧化物噴鍍被覆膜，提高了耐等離子體腐蝕的性能，難以發(fā)生損傷，就可以減低金屬污染和產(chǎn)生粉塵。從而可以減少裝置的維修頻度，提高產(chǎn)出率。


圖1是表示可適用本發(fā)明的刻蝕裝置的概略截面圖。
圖2是搬送口附近的放大截面圖。
圖3是本發(fā)明實施方式的閘門襯套的立體圖。
圖4(a)是本發(fā)明的另一個實施方式的閘門襯套組裝時的截面圖；(b)是分解圖。
圖1是適合在等離子體刻蝕處理裝置中使用的本發(fā)明的真空處理裝置的總體結(jié)構(gòu)圖。處理室2是一個具有氣密結(jié)構(gòu)的真空室，該處理室接地。預真空室3為的是使處理室2的內(nèi)部不直接曝露在大氣中，具有負載鎖定功能。處理室2和預真空室3由在室壁上形成的搬送口20連接在一起，通過此搬送口20來運送晶片W。
載置晶片W而且也是下部電極的基座21，由絕緣性的基座支持體22支持在處理室2內(nèi)?；С煮w22可以由升降部23進行升降。升降部23所在的空間通過波紋管體24與處理室2內(nèi)的氣氛氣密地隔離開。
在處理室2內(nèi)的上部，與基座21相對地配置有供給處理氣體用的氣體噴射部6，使之。與未圖示的真空泵連接的排氣管25連接在處理室2的側(cè)面。利用絕緣部件a而支持在處理室2的上部的氣體噴射部6，兼用作上部電極，具有由筒狀體構(gòu)成的通氣室61和連接在通氣室61的上面的氣體供給管62。在通氣室61的中段以及底面，設置有穿透設置了多個孔的氣體擴散板63、64。由氣體供給管62供給的處理氣體經(jīng)這些氣體擴散板63、64進行擴散混合，供給到處理室2內(nèi)。
作為下部電極的基座21連接著高頻電源E。具有氣體噴射部6的上部電極連接著高頻電源E’。從而在這些上部、下部電極之間施加高頻電壓。
在預真空室3的處理室2一側(cè)的搬送口20和大氣一側(cè)的搬送口30處，設置有作為用于密閉預真空室3的閥門的自由開閉的閘閥4和31。在預真空室3的內(nèi)部，具有載置傳送作為被處理體的晶片W的搬送臂32。
圖2表示的是搬送口20附近的放大截面圖。如圖所示，在搬送口20的內(nèi)壁處，設置有閘門襯套100。此閘門襯套100能夠自由地裝卸，在維修時從處理室2的一側(cè)脫離，可以進行洗凈等操作。在本實施方式中，閘門襯套100的材質(zhì)由鋁構(gòu)成，在其表面施有絕緣被覆膜200。此絕緣被覆膜200的結(jié)構(gòu)為由稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成，其厚度為30～200μm，優(yōu)選為50μm以上100μm以下。在本實施例中，形成50μm的Y2O3薄膜。在此認為，被覆膜的厚度在200μm以下，優(yōu)選在100μm以下，在此以上的厚的被覆膜，其效果達到飽和，從經(jīng)濟的角度看不是優(yōu)選的。
圖3中表示的是閘門襯套100的一個示例的立體圖。在此例子中，閘門襯套100的截面形狀是略呈長方形的筒狀體，由同樣形狀的3個部件連接而構(gòu)成一個閘門襯套100。其結(jié)構(gòu)為這些部件很容易連接或脫離。
圖4中表示的是閘門襯套100的另外一個示例。圖4(a)是組裝時的截面圖，與紙面垂直的方向是晶片的搬送方向。圖4(b)是其分解圖。在此例子中，閘門襯套100由上部110，側(cè)部112和下部114組成，比如由螺釘116連接組裝。
如此，因為在搬送口20的內(nèi)壁處設置了能夠自由裝卸的閘門襯套100，即使搬送口20的內(nèi)壁出現(xiàn)損傷或者反應生成物的堆積，也可以只把閘門襯套100取出進行洗凈或者更換等。這與不設置閘門襯套100、而洗凈搬送口20的情況相比，操作格外容易，所需的時間也短。
此外，在閘門襯套100受到損傷而必須更換的情況下，由于此閘門襯套100由多個部件構(gòu)成，只更換受到損傷部分的部件就可以了。因為無須更換整個的閘門襯套100，所以降低了成本。
在閘門襯套100的表面施有由稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成的絕緣被覆膜200。稀土類氧化物的熔點很高，和氧的化學結(jié)合力強，所以即使在曝露于等離子體時也能夠維持穩(wěn)定的狀態(tài)。因此，搬送口20的內(nèi)壁就形成高的耐等離子體腐蝕的性能。而由于被覆膜表面的起伏很大，也就得到堆積的反應生成物難以脫落的效果，即得到所謂的沉積陷阱效應，成為難以產(chǎn)生顆粒的結(jié)構(gòu)。因此與現(xiàn)有相比，就能夠減少維修的頻度，提高了裝置的產(chǎn)出率。絕緣被覆膜可以只在曝露于等離子體的內(nèi)面?zhèn)?，也可以在整個表面上形成。
如圖2所示，在閘閥4的覆蓋搬送口20的部分的表面施有由稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成的絕緣被覆膜300。此絕緣被覆膜300的結(jié)構(gòu)為由稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成，其厚度為30～200μm，優(yōu)選為50μm以上和100μm以下。
如上所述，在覆蓋曝露在等離子體的搬送口20的部分施有由稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成的絕緣被覆膜300。由于稀土類氧化物的熔點高，與氧的化學結(jié)合能力強，所以即使曝露在等離子體中也能夠維持穩(wěn)定的狀態(tài)。因此，這部分就形成了高的耐等離子體腐蝕的性能。由此難以被等離子體所損傷，可以減少金屬的污染和產(chǎn)生粉塵。其結(jié)果，就能夠減少閘閥4的維修頻度，提高裝置的產(chǎn)出率。
以上參照

了適合于本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限于這些例子。只要是本領域的專業(yè)人員，都可以理解，在權利要求的范圍內(nèi)所述的技術范圍的范疇內(nèi)，可以得到各種變更例或者修正例，這些當然屬于本發(fā)明的技術范圍之內(nèi)。
在上述實施方式中，本發(fā)明以閘門襯套的材質(zhì)是鋁，稀土類氧化被覆膜是Y2O3為例進行了說明，但并不限于這些。閘門襯套的材質(zhì)，除了鋁以外，鋁合金或者在其表面形成陽極氧化膜(防蝕鋁)的鋁合金、Al2O3等陶瓷或燒結(jié)體、或者無定形碳等碳素材料等都是適合的。而閘門襯套的形狀、構(gòu)成部件的數(shù)量也都不限于上述的例子，可以考慮各種變形例，它們?nèi)匀粚儆诒景l(fā)明的范圍。
在上述實施方式中，說明了將處理室和預真空室連接的單體型真空處理裝置，但本發(fā)明也不限于這樣的裝置。即使是將處理室與搬送室連接的多室型真空處理裝置，在處理室和搬送室連接的搬送口的內(nèi)壁上設置與上述相同的閘門襯套，也能夠適用于本發(fā)明。
如上所述，按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，搬送口的內(nèi)壁和閘閥都容易維修，同時延長了維修的周期，能夠提高裝置的產(chǎn)出率。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明能夠用于對半導體晶片或液晶顯示器用基板等被處理體進行刻蝕或成膜等處理時使用的真空處理裝置。更具體說，可利用在力圖使搬送口內(nèi)壁以及閘閥的維修更加容易、延長維修周期、提高裝置的產(chǎn)出率的情況下。
權利要求
1.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件。
2.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，所述襯套部件由多個部件構(gòu)成。
3.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，所述襯套部件由多個部件構(gòu)成，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜。
4.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，所述襯套部件由多個部件構(gòu)成，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜，所述絕緣被覆膜是稀土類氧化物噴鍍被覆膜。
5.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，所述襯套部件由多個部件構(gòu)成，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜，所述絕緣被覆膜是Y2O3。
6.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜。
7.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜，所述絕緣被覆膜是稀土類氧化物噴鍍被覆膜。
8.一種真空處理裝置，其特征在于，在真空處理室的壁上形成的被處理體的搬送口的內(nèi)壁處，設置自由裝卸地構(gòu)成的襯套部件，在所述襯套部件的表面施有絕緣被覆膜，所述絕緣被覆膜是Y2O3。
9.如權利要求1～8任一項所述的真空處理裝置，其特征在于，所述絕緣被覆膜的厚度在50μm以上和100μm以下。
10.一種真空處理裝置，具有開閉形成于真空處理室的壁上的被處理體搬送口的閘閥，其特征在于，在所述閘閥的至少覆蓋所述搬送口的部分表面處形成稀土類氧化物噴鍍被覆膜。
11.一種真空處理裝置，具有開閉形成于真空處理室的壁上的被處理體搬送口的閘閥，其特征在于，在所述閘閥的至少覆蓋所述搬送口的部分表面處形成稀土類氧化物噴鍍被覆膜，所述稀土類氧化物噴鍍被覆膜是Y2O3。
12.如權利要求10或11中所述的真空處理裝置，其特征在于，所述稀土類氧化物噴鍍被覆膜的厚度在50μm以上和100μm以下。
全文摘要
使裝置的維修更加容易，能夠延長維修周期，提高產(chǎn)出率。處理室(2)和預真空室(3)由在壁上形成的搬送口(20)連接。在搬送口(20)的內(nèi)壁，設置有由多個部件構(gòu)成的、自由裝卸的閘門襯套(100)。在進行搬送口內(nèi)壁的維修時，能夠只把閘門襯套(100)取出而容易進行洗凈、更換。在閘門襯套(100)的表面和閘閥(4)的覆蓋搬送口(20)的部分表面上施有由耐等離子體腐蝕性高的稀土類氧化物噴鍍被覆膜形成的絕緣被覆膜(200、300)。因此，這些表面難以被等離子體損傷，可以降低金屬的污染和粉塵的產(chǎn)生。
文檔編號C23C16/44GK1468444SQ01816762
公開日2004年1月14日 申請日期2001年10月1日 優(yōu)先權日2000年10月2日
發(fā)明者今福光祐, 肥田剛, 今福光 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社