專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及把材料氣體進(jìn)行熱分解而在半導(dǎo)體襯底上形成預(yù)定膜的半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是涉及使用CVD裝置進(jìn)行的成膜方法。
背景技術(shù)：
在IC和LSI等半導(dǎo)體器件的制造中，多晶硅膜和W(鎢)等導(dǎo)電膜由減壓CVD法來形成。作為例子，在圖1中表示了形成多晶硅膜的減壓CVD裝置的簡(jiǎn)要情況。50至150個(gè)半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)11被放置在晶片舟12上。石英管13的內(nèi)部設(shè)置石英內(nèi)管113。在石英管13外設(shè)置加熱晶片11的加熱器14，產(chǎn)生輻射熱。輻射熱通過石英管13、石英內(nèi)管113的壁而到達(dá)晶片11，把晶片11加熱到600℃。加熱器14附近的溫度由設(shè)置在石英管13外側(cè)的外部熱電偶111和設(shè)置在石英管13內(nèi)的內(nèi)部熱電偶112進(jìn)行測(cè)定。
石英管內(nèi)通過泵15抽氣而成為減壓狀態(tài)，成膜氣體SiH4從噴嘴16通過質(zhì)量流控制器17和閥18被導(dǎo)入管內(nèi)。所導(dǎo)入的氣體通過石英內(nèi)管113的內(nèi)側(cè)，然后通過石英內(nèi)管113與石英管13的間隙被排氣。石英管13內(nèi)根據(jù)壓力計(jì)19的指示值通過主閥110的開度調(diào)整而保持為0.5torr。晶片11的溫度根據(jù)設(shè)置在石英管13的外側(cè)即加熱器14與石英管13之間的外部熱電偶111和設(shè)置在石英管13內(nèi)的內(nèi)部熱電偶112所測(cè)定的溫度進(jìn)行控制。由此，SiH4在晶片11上進(jìn)行熱分解，在晶片11上淀積多晶硅。在該例中，外部熱電偶111設(shè)置在三個(gè)測(cè)定點(diǎn)上，并且，內(nèi)部熱電偶112設(shè)置在三個(gè)測(cè)定點(diǎn)上。
此時(shí)，石英管13的內(nèi)壁和晶片11的溫度同樣上升，在內(nèi)壁上淀積多晶硅膜。但是，石英管13內(nèi)壁的溫度由于石英相對(duì)于來自加熱器14的輻射熱是半透明的而不能正確測(cè)定。因此，不能明確判斷出多晶硅膜淀積到什么程度。而且，多晶硅膜在1μm以下的情況下是半透明的而能夠透過紅外線。這樣，當(dāng)?shù)矸e在石英管13的內(nèi)壁上的多晶硅的膜厚增加時(shí)，晶片11受到的輻射熱發(fā)生變化，隨之，晶片11的溫度發(fā)生變化。在此狀態(tài)下不能進(jìn)行均勻的成膜。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了避免該現(xiàn)象，用氣體或者藥液來腐蝕去除淀積在石英管13上的多晶硅，然后，在石英管13的內(nèi)壁上預(yù)先淀積0.3μm以上典型地為0.5μm程度的多晶硅膜，進(jìn)行用于確認(rèn)此后的成膜條件是否適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)成膜，然后，開始制造過程。因此，在制造過程之前，需要淀積多晶硅的追加工序，器件的工作效率低下。
如上述那樣，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法，為了確保成膜的穩(wěn)定性，淀積在石英管13內(nèi)的多晶硅膜的厚度必須預(yù)先實(shí)施在石英管13內(nèi)淀積預(yù)定厚度的多晶硅膜的工序以便于在成膜時(shí)成為1μm以上，則器件的工作效率低下。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方案，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，對(duì)反應(yīng)容器進(jìn)行加熱，在反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)置半導(dǎo)體晶片，在反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入成膜氣體，在上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或者上述半導(dǎo)體晶片上形成膜，測(cè)定反應(yīng)容器的外部溫度變化和上述反應(yīng)容器的內(nèi)部溫度變化，從上述溫度變化之比與膜的厚度的關(guān)系來求出上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或上述半導(dǎo)體晶片上的膜的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的第二方案，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，比較容納半導(dǎo)體晶片的反應(yīng)容器的外部溫度變化和響應(yīng)該溫度變化的上述反應(yīng)容器的內(nèi)部溫度變化，來求出上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或上述半導(dǎo)體晶片上的膜的厚度。


圖1是本發(fā)明及現(xiàn)有技術(shù)所使用的減壓CVD裝置的斷面圖；圖2是用于說明本發(fā)明的減壓CVD裝置的放大圖；圖3是多晶硅膜淀積在石英管上時(shí)的紅外線透過特性圖；圖4A是表示沒有多晶硅膜時(shí)的石英管外側(cè)溫度變化的特性圖；圖4B是表示沒有多晶硅膜時(shí)的石英管內(nèi)側(cè)溫度變化的特性圖；圖5A是表示把多晶硅膜淀積1000nm時(shí)的外側(cè)溫度變化的特性圖；圖5B是表示把多晶硅膜淀積1000nm時(shí)的內(nèi)側(cè)溫度變化的特性圖；圖6表示與石英管外側(cè)的溫度變化相對(duì)應(yīng)的內(nèi)側(cè)溫度變化對(duì)多晶硅膜厚依賴性的特性圖；圖7是表示內(nèi)側(cè)溫度變化率對(duì)外側(cè)溫度變化率的比例對(duì)多晶硅膜厚依賴性的特性圖；圖8是說明Ru淀積在石英管上時(shí)的紅外線透過特性的特性圖。
下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。而且，在說明時(shí)，由于把使用作為現(xiàn)有技術(shù)而說明的圖1的減壓CVD裝置的情況作為實(shí)施例，則作為減壓CVD裝置的說明，部分是重復(fù)的。
首先，參照?qǐng)D1至圖7來說明第一實(shí)施例。
如圖1所示的那樣，50至150個(gè)半導(dǎo)體晶片11被放置在晶片舟12上，并導(dǎo)入到石英管即反應(yīng)爐13內(nèi)。石英管13的內(nèi)部設(shè)置石英內(nèi)管113。在石英管13外設(shè)置加熱晶片11的加熱器14，產(chǎn)生輻射熱。輻射熱通過石英管13、石英內(nèi)管113的壁而到達(dá)晶片11，把晶片11加熱到600℃。加熱器14附近的溫度由設(shè)置在石英管即反應(yīng)爐13外側(cè)的外部熱電偶111和設(shè)置在石英管13內(nèi)的內(nèi)部熱電偶112進(jìn)行測(cè)定。
石英管內(nèi)通過泵15抽氣而成為減壓狀態(tài)，成膜氣體SiH4從噴嘴16通過質(zhì)量流控制器17和閥18被導(dǎo)入管內(nèi)。所導(dǎo)入的氣體通過石英內(nèi)管113的內(nèi)側(cè)，然后通過石英內(nèi)管113與石英管13的間隙被排氣。石英管13內(nèi)根據(jù)壓力計(jì)19的指示值通過主閥110的開度調(diào)整而保持為0.5torr。晶片11的溫度根據(jù)設(shè)置在石英管13的外側(cè)即加熱器14與石英管13之間的外部熱電偶111和設(shè)置在石英管13內(nèi)的內(nèi)部熱電偶112所測(cè)定的溫度進(jìn)行控制。由此，SiH4在晶片11上進(jìn)行熱分解，在晶片11上淀積多晶硅。在該例中，外部熱電偶111設(shè)置在三個(gè)測(cè)定點(diǎn)上，并且，內(nèi)部熱電偶112設(shè)置在三個(gè)測(cè)定點(diǎn)上。
石英內(nèi)管113是用于石英管的外側(cè)、內(nèi)側(cè)的溫度考察的減壓CVD裝置的放大圖。為了用簡(jiǎn)單的模型來說明使用圖1的減壓CVD裝置來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例的情況，按圖2那樣僅抽出圖1的加熱器14與晶片11之間的構(gòu)成。而且，為了簡(jiǎn)化引用圖2的說明，在圖2中省略了石英內(nèi)管113。
在圖2中，從加熱器14放出的輻射熱通過淀積在石英管壁13與管壁內(nèi)壁上的多晶硅膜24，來加熱晶片11。
此時(shí)加熱器14附近的溫度由外部熱電偶111所測(cè)定。而且，晶片11附近的溫度由內(nèi)部熱電偶112所測(cè)定。
從加熱器14放出的輻射熱在石英管13的表面上被進(jìn)行若干反射，同時(shí)，被淀積在內(nèi)壁上的多晶硅膜24所吸收，因此，到達(dá)晶片11的輻射熱減少了。在圖3中表示了石英管13的厚度為1cm的情況下，通過多晶硅膜24的厚度來計(jì)算光的透過率為多少的結(jié)果。
在多晶硅膜24的厚度為100nm之前，透過率急劇降低，由此，當(dāng)變熱時(shí)，透過率因干涉而振動(dòng)并減少。在膜厚為1000nm以上的情況下，透過率變?yōu)?.1以下，由多晶硅膜24所反射的部分和所吸收的部分的量變多。實(shí)際上，由于多晶硅膜的溫度逐漸上升，通過來自其的二次輻射熱來使晶片被加熱。因此，在多晶硅膜的溫度上升而由二次輻射來加熱晶片26的過程中，時(shí)間的滯后產(chǎn)生，因此，當(dāng)急劇提高加熱器14的溫度時(shí)，晶片11的溫度不會(huì)跟隨其提高，與加熱器14附近的溫度變化率(升溫速度或降溫速度)相比，晶片26附近的溫度變化率變小，特別是，在溫度變化率較大的情況下，該差變大。在圖4中表示了實(shí)際上用減壓CVD裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。圖4是在圖2的構(gòu)成所示的石英管23的壁上沒有淀積多晶硅膜24的情況，但是，表示了以20秒的程度增大加熱器14的輸入功率，在2秒內(nèi)恢復(fù)原來的輸入功率時(shí)的外側(cè)熱電偶22的指示溫度和內(nèi)側(cè)熱電偶25的指示溫度。內(nèi)側(cè)熱電偶25的溫度變化大致與外側(cè)熱電偶22的溫度變化相同。
下面，在圖5中表示了在石英管23的內(nèi)壁淀積1000nm多晶硅膜24時(shí)的外側(cè)熱電偶22的指示溫度和內(nèi)側(cè)熱電偶25的指示溫度。加熱器的輸入功率同樣是在20秒后在2秒內(nèi)變大。此時(shí)的溫度變化率約為100℃/min。因此，外側(cè)熱電偶22的溫度較大變化，內(nèi)側(cè)熱電偶25的溫度變化較小。這由多晶硅膜24所引起的加熱器的輻射熱的屏蔽效果所產(chǎn)生。在圖6中表示了歸納這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的情況。石英管23的外側(cè)的溫度變化率越大，內(nèi)側(cè)的溫度變化率對(duì)多晶硅膜24的膜厚依賴性越大。在圖7中針對(duì)外側(cè)的溫度變化率為100℃/min的情況表示了外側(cè)的溫度變化率同內(nèi)側(cè)的溫度變化率的比例與多晶硅膜24的厚度的關(guān)系。得到與圖3所示的結(jié)果相同的結(jié)果。若預(yù)先求出該結(jié)果并使用該關(guān)系，在多晶硅膜24的厚度為1000nm以下的情況下，通過測(cè)定短時(shí)間變動(dòng)外部溫度時(shí)內(nèi)部溫度的響應(yīng)，能夠得到多晶硅膜24的厚度。
而且，通過預(yù)先分析淀積在石英管23上的多晶硅膜厚與淀積在晶片上的多晶硅膜厚的關(guān)系，能夠得到淀積在晶片上的多晶硅膜厚。由于知道淀積在晶片上的多晶硅膜厚，可以在制造過程中作為監(jiān)視器而使用，就不需要追加的成膜工序，能夠進(jìn)行制造過程，因此，減壓CVD裝置的工作效率提高。
在該實(shí)施例中，說明了內(nèi)部熱電偶112處于在石英管13內(nèi)露出的形態(tài)下的情況，但是，也可以是其他形態(tài)，例如，不露出，在細(xì)的石英管內(nèi)插入內(nèi)部熱電偶112的形態(tài)。在該形態(tài)的情況下，內(nèi)部熱電偶112由細(xì)的石英管的兩壁層即兩層的石英層圍繞。此時(shí)的透過率通過把各個(gè)石英層的透過率相乘而求出。而且，在具有石英管13和石英內(nèi)管113的圖1所示的兩重管的情況下，與僅由石英管13組成的單層管的情況相比，多晶硅層的厚度變?yōu)榧s3倍。即，在兩重管的情況下，多晶硅層不僅淀積在石英管13的內(nèi)壁上而且淀積在石英內(nèi)管113的內(nèi)壁和外壁上，結(jié)果，與僅由石英管13組成的單層管的情況相比，多晶硅層的厚度為約3倍。
在圖1的構(gòu)造中，在內(nèi)部熱電偶112的響應(yīng)變小的情況下，可以在石英管13和石英內(nèi)管113之間變更內(nèi)部熱電偶112的設(shè)置位置。而且，雖然說明了溫度為600℃的情況，但是，即使在其他的溫度下，其同樣成立，因此，如果預(yù)先把握石英管13的外側(cè)溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)溫度變化率的關(guān)系和石英管13內(nèi)壁上與晶片11上多晶硅膜的膜厚的關(guān)系，在所希望的熱處理溫度下，能夠從溫度變化率導(dǎo)出多晶硅膜的膜厚。而且，在該實(shí)施例中，在成膜中進(jìn)行溫度變化率的測(cè)定，但是，即使在成膜后進(jìn)行同樣的測(cè)定，也能知道淀積的多晶硅膜厚。
下面參照?qǐng)D1、圖2及圖7來說明第二實(shí)施例。
在上述的第一實(shí)施例中，說明了這樣的方法在圖2中，預(yù)先求出石英管13的外側(cè)溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)溫度變化率的比例與多晶硅膜24的膜厚的關(guān)系。接著，求出該石英管13上的多晶硅膜24的膜厚與晶片上的多晶硅膜的厚度的關(guān)系。說明從這些關(guān)系來求出在晶片上成膜的多晶硅膜的膜厚的方法。在該實(shí)施例中，對(duì)于從多晶硅膜24沒有淀積在石英管23上的狀態(tài)開始成膜的情況進(jìn)行說明。
石英管23的外側(cè)溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)溫度變化率的比例按圖7所示的那樣振動(dòng)，在某個(gè)比例下多晶硅膜的膜厚不是被唯一地決定。但是，從多晶硅膜24沒有淀積的狀態(tài)開始成膜，定期地測(cè)定外側(cè)溫度變化率相對(duì)內(nèi)側(cè)溫度的變化率，由此，能夠把握膜厚在哪種程度下變化。具體地說，多晶硅膜24的成膜速度在一分鐘內(nèi)從約5nm到10nm，因此，在每隔一分鐘測(cè)定外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率，由此，如果把握預(yù)先求出的石英管13的外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率的關(guān)系和石英管13的內(nèi)壁上與晶片11上的多晶硅膜的膜厚的關(guān)系，就能知道約10nm節(jié)距下的膜厚的變化。
把該信息取入工廠的信息系統(tǒng)中，由系統(tǒng)來把握多晶硅膜24的膜厚。由此，膜厚能夠唯一地決定，因此，能夠由系統(tǒng)來判定到達(dá)該工序下的所希望的膜厚。
而且，能夠從系統(tǒng)側(cè)來發(fā)生使成膜停止的信號(hào)，來停止在成膜裝置中的成膜。
使用圖1來說明程序。首先，為了初始化減壓CVD裝置，取出以前成膜處理的晶片，把沒有放置晶片的晶片舟12導(dǎo)入石英管13內(nèi)。在石英管13內(nèi)，在600℃、1Torr的條件下2SLM導(dǎo)入ClF3氣體，用氣體來腐蝕淀積在石英管13內(nèi)壁上和晶片舟12上的多晶硅膜。在多晶硅膜消失之后，清潔石英管13內(nèi)，引入N2并返回到大氣壓下，取出晶片舟12。然后，把產(chǎn)品晶片放置在晶片舟12上，導(dǎo)入石英管13內(nèi)，抽氣減壓，然后進(jìn)行成膜。從成膜的初始開始，以一分鐘的間隔測(cè)定外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率的比例，從減壓CVD裝置以在線方式把信息導(dǎo)入工廠的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中并存儲(chǔ)。
在系統(tǒng)中，具有預(yù)先求出外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率的比例和石英管13內(nèi)壁上與晶片11上的多晶硅膜的膜厚的關(guān)系的數(shù)據(jù)庫(kù)，根據(jù)該數(shù)據(jù)庫(kù)來計(jì)算晶片上的膜厚，系統(tǒng)把握淀積膜厚。在接近于目標(biāo)膜厚后，系統(tǒng)以幾秒的間隔計(jì)算是否成為目標(biāo)膜厚，來決定停止成膜的時(shí)刻，在成為預(yù)定的時(shí)刻后，從系統(tǒng)向裝置輸出成膜停止信號(hào)，裝置停止成膜。接著，用ClF3來腐蝕淀積的多晶硅膜，通過重復(fù)進(jìn)行該成膜和清潔的循環(huán)，能夠始終管理晶片上的多晶硅膜厚來成膜。
下面參照?qǐng)D7來說明第三實(shí)施例。
在以前的實(shí)施例中，主要對(duì)多晶硅膜24的成膜進(jìn)行了說明。在該實(shí)施例中，對(duì)在第二實(shí)施例所述的多晶硅膜24的腐蝕的應(yīng)用進(jìn)行說明。
多晶硅膜24通過腐蝕而變薄，如從圖7所看到的那樣，在10nm以下的厚度下，從外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率的比例(縱軸)唯一地知道石英管上的多晶硅膜24的厚度(橫軸)。這樣，通過ClF3氣體來腐蝕石英管壁上的多晶硅膜，在膜厚變薄的過程中，能夠把握石英管壁上的多晶硅膜厚。最終能夠判定腐蝕是否結(jié)束。而且，如第二實(shí)施例所示的那樣，在工廠系統(tǒng)中，能夠把握多晶硅膜24在該裝置中膜的淀積到達(dá)什么程度，從腐蝕開始時(shí)的膜厚，能夠唯一地決定腐蝕時(shí)的膜厚。在系統(tǒng)中，從判定為腐蝕結(jié)束的時(shí)刻來取得過腐蝕的時(shí)間，然后，向裝置發(fā)出腐蝕的停止指令。
下面參照?qǐng)D8來說明第四實(shí)施例。
在以前的實(shí)施例中，作為成膜來處理多晶硅膜，但是，并不僅限于多晶硅膜，如果是半透明膜也可以使用該方法。在該實(shí)施例中，考慮Ru的減壓CVD。Ru是金屬，將其作為DRAM的電容器的電極的討論正熱烈進(jìn)行。在圖8中表示了Ru淀積在石英管內(nèi)壁上的情況下的紅外線透過特性。圖8中縱軸表示透過率，橫軸表示Ru的淀積厚度。由于Ru是金屬，當(dāng)膜厚為150nm以上時(shí)，幾乎不會(huì)使光通過。這樣，在150nm之前，能夠從外側(cè)的溫度變化率對(duì)內(nèi)側(cè)的溫度變化率的比例來知道淀積在石英管上的Ru的膜厚。而且，在Ru的氣體腐蝕時(shí)，與多晶硅膜相同，由于知道腐蝕的結(jié)束時(shí)刻，能夠作為結(jié)束點(diǎn)的監(jiān)視器來使用而沒有問題。
如以上那樣，本發(fā)明的制造方法具有這樣的工序測(cè)定石英管外部的加熱器溫度的過度變化和石英管內(nèi)部的溫度變化的對(duì)應(yīng)，原位監(jiān)視淀積在石英管內(nèi)的膜的厚度，因此，能夠省略預(yù)先在石英管內(nèi)淀積多晶硅膜的工序，同時(shí)，成膜的穩(wěn)定性提高。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，對(duì)反應(yīng)容器進(jìn)行加熱，在反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)置半導(dǎo)體晶片，在反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入成膜氣體，在上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或者上述半導(dǎo)體晶片上形成膜，測(cè)定反應(yīng)容器的外部溫度變化和上述反應(yīng)容器的內(nèi)部溫度變化，從上述溫度變化之比與膜的厚度的關(guān)系來求出上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或上述半導(dǎo)體晶片上的膜的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述反應(yīng)容器的外部的溫度變化為100℃/分以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在上述反應(yīng)容器內(nèi)放置半導(dǎo)體晶片是通過把配置半導(dǎo)體晶片的晶片舟導(dǎo)入到上述反應(yīng)容器內(nèi)來實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是半導(dǎo)體膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是由化學(xué)汽相淀積所形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述成膜氣體是SiH4。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有根據(jù)上述膜的厚度來停止成膜氣體向上述反應(yīng)容器的導(dǎo)入的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在上述反應(yīng)容器內(nèi)放置半導(dǎo)體晶片是通過把配置半導(dǎo)體晶片的晶片舟導(dǎo)入到上述反應(yīng)容器內(nèi)來實(shí)現(xiàn)的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是半導(dǎo)體膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是由化學(xué)汽相淀積所形成的。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述成膜氣體是SiH4。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有根據(jù)上述膜的厚度來停止上述反應(yīng)容器的加熱的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在上述反應(yīng)容器內(nèi)放置半導(dǎo)體晶片是通過把配置半導(dǎo)體晶片的晶片舟導(dǎo)入到上述反應(yīng)容器內(nèi)來實(shí)現(xiàn)的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是半導(dǎo)體膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是由化學(xué)汽相淀積所形成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述成膜氣體是SiH4。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，求出上述膜的厚度是這樣實(shí)現(xiàn)的通過在線向系統(tǒng)發(fā)送上述溫度變化，上述系統(tǒng)使用上述溫度變化之比與上述膜的厚度的關(guān)系來進(jìn)行運(yùn)算。
18.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，比較容納半導(dǎo)體晶片的反應(yīng)容器的外部溫度變化和響應(yīng)該溫度變化的上述反應(yīng)容器的內(nèi)部溫度變化，來求出上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或上述半導(dǎo)體晶片上的膜的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述反應(yīng)容器的外部溫度變化為100℃/分以上。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，具有根據(jù)上述膜的厚度來停止成膜氣體向上述反應(yīng)容器的導(dǎo)入的工序。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，具有根據(jù)上述膜的厚度來停止上述反應(yīng)容器的加熱的工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，具有根據(jù)上述膜的厚度來除去淀積在上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁上的膜的工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，求出上述膜的厚度是這樣實(shí)現(xiàn)的通過在線向系統(tǒng)發(fā)送上述溫度變化，上述系統(tǒng)使用上述溫度變化與上述膜的厚度的關(guān)系來進(jìn)行運(yùn)算。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是半導(dǎo)體膜。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述膜是由化學(xué)汽相淀積所形成的。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述成膜氣體是SiH4。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法,對(duì)反應(yīng)容器進(jìn)行加熱,在反應(yīng)容器內(nèi)設(shè)置半導(dǎo)體晶片,在反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入成膜氣體,在上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或者上述半導(dǎo)體晶片上形成膜,測(cè)定反應(yīng)容器的外部溫度變化和上述反應(yīng)容器的內(nèi)部溫度變化,從上述溫度變化之比與膜的厚度的關(guān)系來求出上述反應(yīng)容器的內(nèi)壁或上述半導(dǎo)體晶片上的膜的厚度。
文檔編號(hào)C23C16/44GK1378240SQ02120180
公開日2002年11月6日 申請(qǐng)日期2002年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月28日
發(fā)明者見方裕一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝