專(zhuān)利名稱(chēng)：用于制造濺射靶的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造濺射靶的方法。
背景技術(shù)：
一濺射靶組件通常包括一濺射靶載體，其例如是一板件或管體，載體上帶有一層濺射靶材料，靶材被敷設(shè)到靶載體的外表面上。
通常采用熱噴涂工藝來(lái)將靶材敷設(shè)到靶載體上。在其它一些情況中，金屬靶材是被澆鑄到靶載體上的。
利用噴涂方法所形成的濺射靶—例如鋅濺射靶的缺點(diǎn)在于所形成結(jié)構(gòu)的孔隙度很高。
利用澆鑄技術(shù)制得的鋅濺射靶的特征在于其密度稍高，但卻具有各晶粒之間結(jié)合性很差的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于制造濺射靶的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種生產(chǎn)靈活性很大的方法，其中的生產(chǎn)靈活性是相對(duì)于被用作靶材的原材料、或用來(lái)敷設(shè)該靶材的工藝而言的。
本發(fā)明的再一個(gè)目的提供一種制造方法，該方法所制造的濺射靶具有密度高的特征。
另外，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種制造方法，該方法所制造的濺射靶具有這樣的特征靶載體與靶材之間具有良好的結(jié)合性，且靶材中各單個(gè)顆粒之間也具有很好的結(jié)合度。
所述方法還可被用來(lái)將靶材精煉或提純到很高的純度上。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種能在較低溫度和/或壓力下將靶材敷設(shè)到靶載體上的方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，本文提供了一種用于制造濺射靶的方法。
所述方法包括步驟-設(shè)置一濺射靶載體；-將一中間層敷設(shè)到所述靶載體上；-在所述中間層的上面敷設(shè)一個(gè)頂層，所述頂層包括一種材料，該材料的熔點(diǎn)顯著高于所述中間層的熔點(diǎn)；-對(duì)外覆有所述中間層和所述頂層的靶載體進(jìn)行加熱。
所述方法還包括步驟-去除所述頂層。
在加熱過(guò)程中，所述頂層將中間層保持在靶載體上，從而可防止中間層從靶載體上流失掉。因而，濺射靶的加熱溫度要低于頂層的熔點(diǎn)。
另外，所述頂層還可作為中間層的保護(hù)層，其例如可防止中間層發(fā)生氧化、或防止中間層被污染。在頂層可起到保護(hù)層作用的情況下，優(yōu)選地是，只有在即將使用濺射靶來(lái)執(zhí)行濺射工作之前，才去除掉所述頂層，例如只有在交付用戶(hù)使用時(shí)才去除所述頂層。
可能的話(huà)，所述方法還包括步驟在敷設(shè)中間層的步驟與敷設(shè)頂層的步驟之間，敷設(shè)一解除層。該解除層的作用在于便于去除頂層和/或防止在中間層與頂層之間發(fā)生擴(kuò)散。
無(wú)論是中間層、還是頂層都可以作為所述靶材。
靶載體的作用在于其可支撐濺射靶，并對(duì)其進(jìn)行冷卻。靶載體可以是板件或管體。
在一優(yōu)選實(shí)施方式中，靶載體是由一不銹鋼管構(gòu)成的。
中間層可包括多種材料例如金屬、金屬合金或金屬氧化物。
中間層例如可包括鋅或鋅合金、氧化鈦、銦或銦的氧化物，其中的鋅合金例如為鋅錫合金，而銦氧化物例如為銦—錫氧化物(ITO)。
所述中間層可作為所述靶材。作為備選方案，中間層在靶載體與頂層之間形成了一個(gè)附著層，該附著層作為所述靶材。
可利用各種不同的工藝來(lái)將中間層敷設(shè)到靶載體上，例如可利用熱噴涂等的噴涂法或浸涂法。
作為備選方案，靶材可被纏繞到靶載體上。可被纏繞的材料例如包括一張或多張金屬箔、一條或多條金屬條帶、或一根或多根金屬絲線(xiàn)。還可纏繞由金屬箔、金屬條帶和/或金屬絲組成的組合體。
另外，成束地對(duì)絲線(xiàn)執(zhí)行盤(pán)繞也是一種敷設(shè)中間層的合適工藝。通過(guò)成束地進(jìn)行盤(pán)繞，可將成分相同或不同的絲線(xiàn)纏繞到靶載體上。優(yōu)選地是，所述絲線(xiàn)的橫斷面是扁平狀的或矩形形狀。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很顯然可將成束盤(pán)繞工藝與對(duì)薄箔、條帶或細(xì)絲等其它材料執(zhí)行纏繞的工藝相結(jié)合、或與粉末涂敷技術(shù)相結(jié)合。
對(duì)于其中的絲線(xiàn)，還可使用中空的絲線(xiàn)?？捎媒饘俜勰┑绕渌牧蟻?lái)填充這些絲線(xiàn)。所述金屬粉末例如可包括一種或多種摻雜元素。
將中間層敷設(shè)到靶載體上的另一種方法是通過(guò)將瓦狀塊、環(huán)體、連接片或連接表面等的材料片段敷設(shè)到靶載體上而實(shí)現(xiàn)的。優(yōu)選地是，片段具有適當(dāng)?shù)膸缀涡螤睿瑥亩軐⒉煌牟牧掀吻‘?dāng)?shù)匕惭b到靶載體上和/或鄰近的其它片段上。
例如在要敷設(shè)貴重材料的情況下，則敷設(shè)箔、條帶、絲線(xiàn)或片段的方法就將是非常合適的，原因在于采用這樣的工藝可將材料的損失減到最少。
中間層可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
在敷設(shè)多層結(jié)構(gòu)的情況中，依次的各層可以是用相同的材料構(gòu)成的—即相同的金屬、金屬合金或金屬氧化物。作為備選方案，依次的各層也可包括不同的材料?？衫貌煌墓に噥?lái)敷設(shè)依次的各層材料，例如可用噴涂的方法敷設(shè)第一層，并通過(guò)在已敷設(shè)了第一層的靶載體上纏繞箔或絲線(xiàn)的方法來(lái)敷設(shè)第二層。
頂層可包括任何具有較高熔點(diǎn)的材料，例如，可用金屬、金屬合金或金屬氧化物來(lái)構(gòu)成所述頂層。
優(yōu)選地是，頂層的熔點(diǎn)顯著地高于中間層的熔點(diǎn)。更為優(yōu)選地是，中間層熔點(diǎn)與頂層材料熔點(diǎn)之間的差值至少為100℃。更為優(yōu)選地是，中間層熔點(diǎn)與頂層材料熔點(diǎn)之間的差值至少為200℃。
對(duì)頂層的另一項(xiàng)要求是其應(yīng)當(dāng)能形成一密閉層，該密閉層能完全覆蓋住中間層，并將中間層與環(huán)境隔絕地保護(hù)起來(lái)。
在一優(yōu)選實(shí)施方式中，頂層是一層不銹鋼，不銹鋼材料被噴涂到中間層的上面。
其它合適的頂層包括難熔金屬或金屬合金，其例如為鉬、鎢、或它們的合金。
原則上講，可利用現(xiàn)有技術(shù)中公知的任何技術(shù)來(lái)敷設(shè)所述頂層，該頂層構(gòu)成一密閉層。優(yōu)選的敷設(shè)技術(shù)包括熱噴涂等噴涂技術(shù)或浸涂技術(shù)。
對(duì)于其中的加熱步驟，原則上講，任何能將濺射靶組件加熱到所需溫度的加熱技術(shù)都是合適的。所述頂層可防止靶材從靶載體上流失掉、和/或可為靶材形成一保護(hù)層。
優(yōu)選的加熱技術(shù)包括感應(yīng)加熱法。此外，也可考慮采用電阻加熱、傳導(dǎo)加熱、放電加熱、以及輻射加熱等的方法。
優(yōu)選地是，例如采用區(qū)域加熱法只是對(duì)濺射靶的局部部位進(jìn)行加熱。
在這種區(qū)域加熱法中，一感應(yīng)加熱線(xiàn)圈以環(huán)圈的形式環(huán)繞著濺射靶組件，并在濺射靶組件的軸向上相對(duì)其進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。
作為備選方案，濺射靶組件相對(duì)于固定不動(dòng)的加熱線(xiàn)圈進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。
優(yōu)選地是，濺射靶組件在加熱過(guò)程中還伴以轉(zhuǎn)動(dòng)。
在執(zhí)行加熱步驟的過(guò)程中，濺射靶或者可被水平放置、或者可被垂直放置。在大多數(shù)情況下，垂直狀態(tài)是優(yōu)選的。將濺射靶水平放置將有利于在加熱步驟中使中間層均勻地混合起來(lái)、或使中間層內(nèi)的不同組分均勻地混合起來(lái)；而在希望放慢固化進(jìn)程、或應(yīng)用加熱步驟來(lái)提純中間層的情況下，將濺射靶垂直放置將是優(yōu)選的方案，其中，下文將對(duì)利用加熱步驟來(lái)純化中間層的內(nèi)容作詳細(xì)的描述。
這樣的方案也是優(yōu)選的在首次加熱步驟中，濺射靶被水平布置，而在隨后的一個(gè)或多個(gè)加熱步驟中，濺射靶則被垂直定位。
在加熱步驟之中或之后，例如可借助于循環(huán)流動(dòng)的水來(lái)對(duì)濺射靶組件進(jìn)行冷卻?？蓮臑R射靶組件的內(nèi)側(cè)、外側(cè)或內(nèi)外側(cè)對(duì)其進(jìn)行冷卻。
根據(jù)一第一方面，執(zhí)行加熱步驟的目的使為了使中間層中的至少一種組分發(fā)生熔融。
在此情況下，濺射靶組件被加熱到某一溫度，該溫度等于或高于中間層的熔點(diǎn)，或高于中間層中至少一種組分的熔點(diǎn)。優(yōu)選地是，濺射靶組件被加熱到低于頂層材料熔點(diǎn)的溫度上。
在加熱步驟之后，可對(duì)濺射靶組件進(jìn)行冷卻，以使中間層具有理想的特性。
在這樣的情況下濺射靶被加熱到某一溫度，該溫度等于或高于中間層中某種組分的熔點(diǎn)，但低于中間層中其它一種或多種組分的熔點(diǎn)，則就能用機(jī)械方法將熔融組分嵌埋到其它的一種或多種組分中。例如，如果將包含鋅及鈦氧化物的中間層加熱到一個(gè)高于鋅熔點(diǎn)的溫度上，則就會(huì)出現(xiàn)上述的情況，其中的鈦氧化物例如是二氧化鈦或亞化學(xué)計(jì)量的二氧化鈦。
由于先是加熱、隨后再執(zhí)行冷卻，可實(shí)現(xiàn)對(duì)中間層所用材料的再結(jié)晶。通過(guò)執(zhí)行重結(jié)晶，能使晶?；旧线_(dá)到均勻化。
執(zhí)行加熱的方式、以及進(jìn)行冷卻的方式對(duì)熔融且重結(jié)晶的材料具有直接的影響，例如對(duì)其晶格結(jié)構(gòu)、晶粒屬性具有影響，其中的晶粒屬性是諸如晶粒尺寸、晶粒取向、以及晶粒分布等的指標(biāo)。
執(zhí)行加熱的方式、以及進(jìn)行冷卻的方式對(duì)熔融且重結(jié)晶的材料具有直接的影響，例如對(duì)其晶格結(jié)構(gòu)、晶粒屬性具有影響，其中的晶粒屬性是諸如晶粒尺寸、晶粒取向、以及晶粒分布等指標(biāo)。
晶粒的取向可從垂直或基本垂直于靶載體的縱向軸線(xiàn)變化到平行或基本平行于靶載體縱向軸線(xiàn)的方位。
通過(guò)在縱向上執(zhí)行加熱和/或隨后的冷卻處理，晶粒就被取向?yàn)槠叫谢虼篌w上平行于靶載體的縱向軸線(xiàn)。
如下文所描述的那樣，例如可通過(guò)使加熱線(xiàn)圈不只一次地在濺射靶組件的長(zhǎng)度范圍內(nèi)移過(guò)而重復(fù)地執(zhí)行加熱步驟。在這樣的情況下，可將晶粒取向成垂直或大體上垂直于靶載體的縱向軸線(xiàn)。
在執(zhí)行完加熱和冷卻步驟之后，中間層的密度可得以提高。
優(yōu)選地是，中間層的相對(duì)密度大于92％，更為優(yōu)選地是，相對(duì)密度大于95％，甚至于超過(guò)98％，例如為99％。
相對(duì)密度被定義為下式 其中的體積密度(g/cm3)是實(shí)測(cè)密度，其是從實(shí)際制備的靶材的尺寸和重量計(jì)算出的，而真實(shí)密度則是材料的理論密度。
根據(jù)一第二方面，希望在兩種或多種組分之間、或兩層與多層之間產(chǎn)生擴(kuò)散。在此情況下，無(wú)須使中間層發(fā)生熔融、或不希望其發(fā)生熔融。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，濺射靶被加熱到一個(gè)能出現(xiàn)此擴(kuò)散行為的溫度上。通常，該溫度小于中間層的熔點(diǎn)和/或低于頂層的熔點(diǎn)。
例如可在兩種不同的材料或組分之間、兩個(gè)不同的結(jié)構(gòu)層之間產(chǎn)生擴(kuò)散現(xiàn)象，其中對(duì)于不同的結(jié)構(gòu)層，例如是靶載體與中間層之間和/或中間層與頂層之間。還可實(shí)現(xiàn)靶載體、中間層、以及頂層三者之間的擴(kuò)散。
例如在某一實(shí)施方式中，兩種不同類(lèi)型的絲線(xiàn)、薄箔、或條帶被纏繞到靶載體上，而且濺射靶組件被加熱到能使不同的絲線(xiàn)、薄箔或條帶之間產(chǎn)生擴(kuò)散的溫度，在此條件下，就可在兩種不同的材料之間形成擴(kuò)散。
一優(yōu)選的實(shí)施方式包括一種鋅—錫濺射靶，其是通過(guò)使鋅絲線(xiàn)和錫絲線(xiàn)發(fā)生擴(kuò)散、或使鋅瓦狀塊和錫瓦狀塊發(fā)生擴(kuò)散而制成的。按照這種方式，添加到靶材中的錫可達(dá)到一定數(shù)量，而利用以鋅—錫為靶材的其它敷設(shè)方法是無(wú)法達(dá)到該添加量的。而且能實(shí)現(xiàn)通常用其它方法無(wú)法獲得的鋅/錫分布形式—例如鋅顆粒嵌在錫中的形式。
根據(jù)本發(fā)明的、制造金屬濺射靶的方法的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)在于其所涉及的制造過(guò)程具有很大的靈活性，該生產(chǎn)靈活性例如是針對(duì)于被用作中間層(噴涂材料、粉末、絲線(xiàn)、箔、片段等)的原材料而言的，或者是針對(duì)于被用來(lái)敷設(shè)中間層的工藝(噴涂法、浸涂法、纏繞法等)而言的。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)在于該方法的靈活性能對(duì)靶材屬性產(chǎn)生影響，例如，通過(guò)改變加熱步驟和冷卻步驟、和/或改變中間層和/或頂層的敷設(shè)技術(shù)，可對(duì)靶材屬性產(chǎn)生影響。很顯然晶格結(jié)構(gòu)、晶粒屬性(例如晶粒尺寸、晶粒的分布、以及晶粒的取向度)、以及靶材密度等這些指標(biāo)是由加熱步驟和/或冷卻步驟、和/或中間層和/或頂層的敷設(shè)工藝決定的?？稍跍囟?、時(shí)間、位置、和/或執(zhí)行形式方面對(duì)加熱步驟進(jìn)行調(diào)整，以便于能獲得理想的特性。
根據(jù)本發(fā)明的濺射靶制造方法的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可在很低的溫度和/或壓力下將靶材敷設(shè)到靶載體上。
此外，利用根據(jù)本發(fā)明的方法所制得的濺射靶具有這樣的特征各晶粒之間具有很好的結(jié)合性。
由于進(jìn)行了加熱，所以可在靶載體與中間層之間形成一擴(kuò)散層。
還可利用加熱的方法來(lái)對(duì)中間層的材料進(jìn)行精煉和提純。在執(zhí)行加熱的過(guò)程中，通過(guò)使一加熱線(xiàn)圈從濺射靶組件的底部移動(dòng)到其頂部，使該加熱線(xiàn)圈經(jīng)過(guò)濺射靶組件的整個(gè)長(zhǎng)度范圍，由此可形成一熔融區(qū)。
氣體和雜質(zhì)被溶入到熔融區(qū)內(nèi)，并隨著熔融區(qū)的移動(dòng)而向上移動(dòng)。
通過(guò)在加熱和/或冷卻步驟中對(duì)濺射靶組件進(jìn)行振動(dòng)、或向?yàn)R射靶組件發(fā)送超聲波，可進(jìn)一步提高靶材的純度。
如果希望的話(huà)，可通過(guò)使感應(yīng)加熱線(xiàn)圈多次移動(dòng)經(jīng)過(guò)濺射靶組件的全長(zhǎng)來(lái)重復(fù)地執(zhí)行加熱步驟。
優(yōu)選的設(shè)計(jì)是在執(zhí)行完加熱步驟之后，例如通過(guò)機(jī)械操作將頂層去除，其中的機(jī)械操作例如是機(jī)加工。優(yōu)選地是，在將頂層去除之后，對(duì)靶材的表面進(jìn)行拋光處理。
為了便于頂層的去除，優(yōu)選地是，在中間層與頂層之間敷設(shè)一解除層。解除層例如包括一種涂料、金屬氧化物、或它們的組合物。氧化鋯或氧化鋁可作為合適的金屬氧化物。
設(shè)置解除層例如就避免了要在靶材與頂層之間形成一擴(kuò)散層的問(wèn)題，或者便于在即將執(zhí)行濺射工作之前去除掉頂層，其中，濺射工作例如是在用戶(hù)的場(chǎng)所處進(jìn)行的。
利用本發(fā)明所公開(kāi)方法制得的濺射靶適于用在任何濺射工藝中，其中的濺射工藝?yán)鐬榻饘贋R射法或反應(yīng)濺射法。從濺射靶飛濺出的金屬原子與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，從而例如形成一種金屬氧化物，該金屬氧化物被沉積在特定的襯底上，其中的反應(yīng)氣體例如是氧氣以及氧氣與氮?dú)?、氬氣或氦氣等其它氣體的混合氣。
根據(jù)本發(fā)明的濺射靶可被容易地翻新和/或重新使用。
為此目的，對(duì)用過(guò)的濺射靶的型廓進(jìn)行測(cè)量，然后，在下一步驟中，在濺射靶上敷設(shè)新的靶材，以便于能補(bǔ)償各局部部位的損耗。
因而，根據(jù)本發(fā)明的濺射靶在經(jīng)濟(jì)性方面是有利的。


下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明作更為詳細(xì)的描述，在附圖中-圖1表示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法；以及-圖2表示了濺射靶的橫截面構(gòu)造。
具體實(shí)施例方式
下面將參照?qǐng)D1介紹根據(jù)本發(fā)明的、制造濺射靶的方法。圖2表示了根據(jù)本發(fā)明的濺射靶的橫截面構(gòu)造。
在一第一步驟中，按照如下的過(guò)程制出一濺射靶組件10在一不銹鋼管體12上噴涂一含鋅的中間層14。噴涂形成鋅層的密度約為91％。該鋅層將作為濺射靶的靶材。
可能的話(huà)，鋅層中包含一種或多種摻雜元素，這些元素例如是Al、Bi、Ce、Gd、Nb、Si、Ti、V、Y、Zr、Sn、以及Sb。
可很容易地將這一種或多種摻雜元素加入到靶材中，例如可通過(guò)添加粉末的方法來(lái)加入。
在鋅層的上方，利用噴涂方法敷設(shè)了一不銹鋼材質(zhì)的頂層16。
頂層16完全包覆住了中間層14。
一感應(yīng)加熱線(xiàn)圈18被布置成套在濺射靶組件上，從而可形成一熔融區(qū)B。
優(yōu)選地是，在加熱過(guò)程中，濺射靶組件繞其軸線(xiàn)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，以便于使加熱效果更為均勻。
在區(qū)域加熱階段，濺射靶組件上具有三個(gè)截然區(qū)別開(kāi)的區(qū)域即區(qū)域A、B和C。
區(qū)域A代表熔融后的區(qū)域，區(qū)域B代表正在被熔融的區(qū)域，區(qū)域C代表尚未被熔融、但即將被熔融的區(qū)域。優(yōu)選地是，濺射靶組件被垂直放置著，環(huán)繞著濺射靶組件的感應(yīng)加熱線(xiàn)圈相對(duì)于濺射靶組件、在其軸向上向上移動(dòng)。
隨著感應(yīng)線(xiàn)圈移過(guò)整個(gè)濺射靶組件，區(qū)域C被熔融，進(jìn)而被轉(zhuǎn)化為區(qū)域B。隨著感應(yīng)線(xiàn)圈在濺射靶組件上進(jìn)一步地移動(dòng)，區(qū)域B固化，從而變成區(qū)域A。隨著區(qū)域B逐漸地向上移動(dòng)，區(qū)域A的尺寸不斷增大，而區(qū)域C的尺寸則在不斷減小，直到整個(gè)濺射靶組件都變?yōu)橛蓞^(qū)域A組成為止。
在執(zhí)行區(qū)域加熱的過(guò)程中，濺射靶組件中—更為具體地講是中間層中會(huì)發(fā)生各種變化。
由于執(zhí)行了加熱、并在隨后進(jìn)行了冷卻，中間層被重結(jié)晶。重結(jié)晶后中間層結(jié)構(gòu)中所包含的晶?；旧鲜蔷鶆虻?。
中間層中的雜質(zhì)隨著感應(yīng)線(xiàn)圈一道向上移動(dòng)，從而造成區(qū)域A的純度明顯高于區(qū)域C的純度。
此外，還能消除空洞和表面缺陷。
區(qū)域A中經(jīng)過(guò)加熱和冷卻后的中間層的密度高于92％，例如高于98％。
相比于現(xiàn)有技術(shù)中的濺射靶，用根據(jù)本發(fā)明方法制得的鋅濺射靶具有很高的密度，且各金屬晶粒之間的結(jié)合性很好，這是很重要的兩方面優(yōu)點(diǎn)。例如，用噴涂或鑄造技術(shù)制得的鋅濺射靶的特征就是密度低、和/或各晶粒之間結(jié)合性差。
低密度和/或弱結(jié)合會(huì)對(duì)濺射過(guò)程產(chǎn)生不利影響。由于在鋅晶粒之間存在很高的孔隙度，而且結(jié)合性很差，所以經(jīng)過(guò)很短的一段濺射時(shí)間，各晶粒之間就會(huì)形成大的空腔。因而，鋅粉顆粒就會(huì)從濺射靶上脫落下去，從而會(huì)影響濺射工作，且例如會(huì)污染要被鍍敷的表面。
相比于現(xiàn)有技術(shù)中的濺射靶—例如通過(guò)鑄造方法制得的濺射靶，利用根據(jù)本發(fā)明方法制得的濺射靶的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)在于靶材能很好地附著在靶載體上。
權(quán)利要求
1.一種用于制造濺射靶的方法，所述方法包括步驟-設(shè)置一濺射靶載體；-將一中間層敷設(shè)到所述靶載體上；-在所述中間層的上面敷設(shè)一個(gè)頂層，所述頂層包括熔點(diǎn)顯著高于所述中間層熔點(diǎn)的材料；-對(duì)覆有所述中間層和所述頂層的靶載體進(jìn)行加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述方法還包括步驟-在所述中間層與所述頂層之間敷設(shè)一解除層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述方法還包括步驟-去除所述頂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一所述的方法，其特征在于所述靶載體是一板件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一所述的方法，其特征在于所述靶載體是一管體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述靶載體是一不銹鋼管。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述中間層包括金屬、金屬合金或金屬氧化物。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述中間層是利用噴涂或浸涂的方法進(jìn)行敷設(shè)的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到7之一所述的方法，其特征在于通過(guò)將至少一條絲線(xiàn)、條帶或薄箔纏繞到所述靶載體上，或者通過(guò)將材料片段敷設(shè)到所述靶載體上，以此來(lái)敷設(shè)所述中間層。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述中間層包括噴涂的鋅或噴涂的鋅合金。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述頂層的材料包括金屬、金屬合金或金屬氧化物。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述頂層是利用噴涂或浸涂的方法進(jìn)行敷設(shè)的。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述頂層是一不銹鋼層，其被噴涂到中間層的上面。
14.根據(jù)權(quán)利要求2到13之一所述的方法，其特征在于所述解除層包括金屬氧化物。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述加熱步驟包括加熱到某一溫度的操作，該溫度大于或等于中間層中至少一種組分的熔點(diǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1到14之一所述的方法，其特征在于所述加熱步驟包括加熱到某一溫度的操作，該溫度能使中間層的兩種或多種組分之間產(chǎn)生擴(kuò)散。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于所述加熱步驟包括執(zhí)行感應(yīng)加熱的操作。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造濺射靶的方法。所述方法包括步驟－設(shè)置一濺射靶載體(12)；－將一中間層(14)敷設(shè)到所述靶載體上；－在所述中間層的上面敷設(shè)一個(gè)頂層(16)，所述頂層包括一種材料，該材料的熔點(diǎn)顯著高于所述中間層的熔點(diǎn)；－對(duì)外覆有所述中間層和所述頂層的靶載體進(jìn)行加熱。
文檔編號(hào)C23C4/18GK1541283SQ02815906
公開(kāi)日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2002年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月13日
發(fā)明者維爾莫特·德博謝爾, 維爾莫特 德博謝爾, 德?tīng)枀? 伊爾德·德?tīng)枀? 王德施特雷騰, 若昂·王德施特雷騰 申請(qǐng)人:貝克特股份有限公司