專利名稱：半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法以及所用的層壓保護(hù)片和半導(dǎo)體晶片的 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法以及所用的層壓保護(hù)片和半導(dǎo)體晶片的加工方法。特別涉及半導(dǎo)體晶片研磨至極薄時(shí)，其在保管、搬運(yùn)中所適宜使用的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法及所用的層壓保護(hù)片。另外，本發(fā)明還涉及運(yùn)用了上述半導(dǎo)體晶片保護(hù)方法的半導(dǎo)體晶片的加工方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，人們希望IC卡不斷地普及并更加薄型化。因此，以往350μm左右厚度的半導(dǎo)體芯片有必要加工至厚度為50～100μm，甚至更薄。此外，為了提高生產(chǎn)效率，人們開(kāi)始考慮晶片的大口徑化。
以往都是電路圖形形成后再研磨晶片的內(nèi)側(cè)面。此時(shí)，在電路面貼上保護(hù)片以保護(hù)電路面和固定晶片，然后再在內(nèi)側(cè)面進(jìn)行研磨加工。在內(nèi)側(cè)面研磨時(shí)，為了避免內(nèi)側(cè)面研磨中的保護(hù)片產(chǎn)生震動(dòng)，保護(hù)片被切割成與晶片大致相同的形狀。
本申請(qǐng)人提出了種種有關(guān)此類(lèi)保護(hù)片的提案。例如，在日本專利特愿2001-329146號(hào)、特愿2002-67080號(hào)等中，提出了將剛性薄膜和應(yīng)力緩和性薄膜層壓后得到的層壓保護(hù)片。通過(guò)使用這樣的層壓保護(hù)片，在晶片的內(nèi)側(cè)面研磨中所負(fù)載的力被應(yīng)力緩和性薄膜消減。并且，通過(guò)剛性薄膜補(bǔ)充了強(qiáng)度，所以在搬運(yùn)晶片時(shí)破損減少。
但是，如果把晶片研磨至極薄，那么晶片的強(qiáng)度將顯著降低。即使是微弱的沖擊也能使晶片破損。例如，當(dāng)內(nèi)側(cè)面研磨結(jié)束后，要將晶片裝入晶片盒運(yùn)送至下道工序，而工序間的搬運(yùn)大多數(shù)是在裝入晶片盒中的狀態(tài)下由人工搬運(yùn)的。搬運(yùn)時(shí)，晶片的邊緣接觸到晶片盒的內(nèi)側(cè)壁就會(huì)產(chǎn)生晶片的破損和龜裂。
另外，在日本專利特開(kāi)2000-353682號(hào)公報(bào)及特開(kāi)2002-57208號(hào)公報(bào)中，揭示了在半導(dǎo)體晶片上貼上保護(hù)片后，將保護(hù)片切割得比晶片的最大直徑稍稍小一些，然后提供給內(nèi)側(cè)面研磨等下道工序的技術(shù)。由此得到的保護(hù)片的“游隙”較小，所以能降低內(nèi)側(cè)面研磨時(shí)保護(hù)片的震動(dòng)。但是，上述技術(shù)不能防止在搬運(yùn)時(shí)晶片的邊緣部分與晶片盒側(cè)壁的接觸。并且，在晶片內(nèi)側(cè)面研磨結(jié)束后，存在種種以在晶片研磨面上設(shè)置粘合用粘合劑層等為目的而粘貼粘合薄膜的情況。貼上粘合薄膜后，通過(guò)剝離保護(hù)片，晶片就復(fù)制到粘合薄膜上了。此時(shí)，粘合薄膜貼于晶片上后被切割成與晶片的直徑大致相同的形狀，在切割粘合薄膜時(shí)，應(yīng)使刀具慢慢靠攏至晶片的外周，然后切下。這樣就能將粘合薄膜切割得與晶片的直徑大致相同。但是，此時(shí)，由于刀刃與晶片外周的接觸，即使是在如此的工藝中，也能招致晶片的破損。
發(fā)明的揭示鑒于如上所述的現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于，當(dāng)晶片研磨至極薄后，在搬運(yùn)等情況下，提供能防止在研磨中乃至搬運(yùn)中發(fā)生的晶片破損現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法及所用的層壓保護(hù)片。此外，本發(fā)明的目的還在于，提供在進(jìn)行粘合薄膜的粘合、切除時(shí)能減少晶片破損的半導(dǎo)體晶片加工方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第1保護(hù)結(jié)構(gòu)通過(guò)將外徑大于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)片層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而形成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第2保護(hù)結(jié)構(gòu)通過(guò)將與半導(dǎo)體晶片的外徑尺寸大致相同的第1保護(hù)層和在上述第1保護(hù)層的上面、外徑與第1保護(hù)層相同或比第1保護(hù)層大的第2保護(hù)層所組成的層壓保護(hù)片以第1保護(hù)層側(cè)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而形成。
在上述保護(hù)結(jié)構(gòu)中，保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片的最大徑最好為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～10mm。
另外，在使用層壓保護(hù)片時(shí)，第1保護(hù)片的外徑最好為上述半導(dǎo)體晶片外徑的-2.0～0mm；第2保護(hù)層的外徑最好為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～+2.0mm。
并且，在使用層壓保護(hù)片時(shí)，較好的是第1保護(hù)層包含拉長(zhǎng)10％時(shí)的1分鐘后的應(yīng)力緩和率為40％以上的薄膜；第2保護(hù)層包含拉伸彈性模量×厚度為5.0×104N/m以上的薄膜。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第1保護(hù)方法的特征是，將外徑大于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)片層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第2保護(hù)方法的特征是，將與半導(dǎo)體晶片的外徑尺寸大致相同的第1保護(hù)層和在上述第1保護(hù)層的上面、外徑與第1保護(hù)層相同或比第1保護(hù)層大的第2保護(hù)層所組成的層壓保護(hù)片以第1保護(hù)層側(cè)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上。
在上述第1及第2保護(hù)方法中，作為保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片，最好使用其最大徑為上述半導(dǎo)體晶片的外徑的+0.1～10mm的保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片。
另外，使用層壓保護(hù)片時(shí)的較好形態(tài)與上述相同。
本發(fā)明中的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片的特征是，由第1保護(hù)層與第2保護(hù)層層壓而得，第2保護(hù)層的外徑比第1保護(hù)層大。
半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片的較好形態(tài)與上述相同。
本發(fā)明提供了在晶片研磨至極薄后，在搬運(yùn)等情況下，可防止在研磨中乃至搬運(yùn)中發(fā)生的晶片破損現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法及所用的層壓保護(hù)片。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法的特征是，包含通過(guò)上述半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，一面保護(hù)半導(dǎo)體晶片一面研磨該半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面、在研磨面上粘貼粘合薄膜的工序；通常在貼上粘合薄膜后，還包含將粘合薄膜的外周部分切除的工序，此時(shí)，沿著保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片的外周端面進(jìn)行切割操作。
通過(guò)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法，不會(huì)在粘貼粘合薄膜時(shí)對(duì)半導(dǎo)體晶片造成破損，并由于在切除粘合薄膜的外周部時(shí)刀刃與晶片邊緣不接觸，所以在粘貼、切除粘合薄膜時(shí)能減少晶片的破損。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明
圖1表示本發(fā)明中的第1保護(hù)結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
圖2表示本發(fā)明中的第2保護(hù)結(jié)構(gòu)的一例的截面示意圖。
圖3表示本發(fā)明中的第2保護(hù)結(jié)構(gòu)的另一例子的截面示意圖。
圖4表示本發(fā)明中的半導(dǎo)體晶片的加工方法的一個(gè)工序。
1…第1保護(hù)層2…第2保護(hù)層(或基材)3…粘合劑層4…粘接劑層
5…半導(dǎo)體晶片6…粘合薄膜7…刀具11…保護(hù)片12，13…層壓保護(hù)片A，B，C…半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)施發(fā)明的最佳方式下面，在參考附圖的同時(shí)具體地對(duì)本發(fā)明加以說(shuō)明。
如圖1所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第1保護(hù)結(jié)構(gòu)A通過(guò)將外徑大于半導(dǎo)體晶片5的保護(hù)片11層壓在該半導(dǎo)體晶片5的電路面上而得到。
通常，保護(hù)片11由基材2與在其上面形成的粘合劑層3組成，基材2可以是具有多層結(jié)構(gòu)層的材料。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的第2保護(hù)結(jié)構(gòu)B、C如圖2或圖3所示，通過(guò)將與半導(dǎo)體晶片的外徑尺寸大致相同的第1保護(hù)層1和在上述第1保護(hù)層1的上面、外徑與第1保護(hù)層1相同(圖2)或比第1保護(hù)層1大(圖3)的第2保護(hù)層2所組成的層壓保護(hù)片12，13以第1保護(hù)層1側(cè)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而得到。
通過(guò)采取這樣的構(gòu)造，即使是在晶片被裝入半導(dǎo)體晶片盒時(shí)，晶片5的端部也不直接與盒壁接觸，半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)能防止晶片的破損。即，保護(hù)片的端部起到了襯墊的作用，保護(hù)了晶片5。另外，如果保護(hù)片層具有剛性的話，那么從剝離膠帶上剝離就變得困難。然而，在本發(fā)明中，因?yàn)槭菑耐怀鲇诰?外側(cè)的保護(hù)片的端部開(kāi)始剝離，所以，即使保護(hù)片含有剛性的薄膜，也能使保護(hù)片的剝離變得容易。
并且，在此必要的工序后，由于晶片切切實(shí)實(shí)被保護(hù)起來(lái)了，所以即使在半導(dǎo)體晶片的研磨面?zhèn)日迟N粘合薄膜時(shí)，半導(dǎo)體晶片也不會(huì)破損。并且，如圖4所示，在切除粘合薄膜6的外周部時(shí)能沿著保護(hù)片的外周端面進(jìn)行切除操作。這樣，由于刀刃7不與晶片端面接觸，所以，在粘貼、切除粘合薄膜時(shí)能減少晶片的破損。
以下，對(duì)本發(fā)明的理想形態(tài)作具體的說(shuō)明。但是，這些并不限于對(duì)本發(fā)明的解釋。
首先，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的第1保護(hù)結(jié)構(gòu)A(圖1)。
第1保護(hù)結(jié)構(gòu)A是將外徑大于半導(dǎo)體晶片5的保護(hù)片11層壓在該半導(dǎo)體晶片5的電路面上而得到的。
保護(hù)片11的外徑與上述半導(dǎo)體晶片5的外徑之差[(保護(hù)片11的外徑)—(半導(dǎo)體晶片5的外徑)]以0.1～10mm為好，更好的是0.1～5mm，最好是0.1～2mm。
半導(dǎo)體晶片5被固定在保護(hù)片11上。當(dāng)基材2自身具有粘合性時(shí)，半導(dǎo)體晶片5也可不用粘合劑等而被固定在基材2上。此外，半導(dǎo)體晶片5也可通過(guò)粘合劑層3固定。
因?yàn)榛?必須具有充分的保護(hù)性能，所以以使用含有剛性薄膜的基材為好。
作為剛性薄膜，可以采用各種薄層制品，從耐水性、耐熱性、剛性等觀點(diǎn)出發(fā)，以使用合成樹(shù)脂薄膜為好。剛性薄膜的拉伸彈性模量×厚度以5.0×104N/m以上為好，更好的是1×105～1×106N/m。這里，剛性薄膜的厚度通常是10μm～5mm，較好的是50～500μm。
此類(lèi)剛性薄膜具體可以使用下列各種聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜等聚烯烴類(lèi)薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、聚醚醚酮薄膜、聚醚砜薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯薄膜、聚氨酯薄膜、聚酰胺薄膜等。剛性薄膜既可以是上述各種薄膜的單層品，也可以是層壓品。
其中，作為剛性薄膜還是以對(duì)晶片沒(méi)有離子污染等不良影響的材料為好。具體地說(shuō)，尤其以聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚酰胺薄膜等為好。
在基材2的上面設(shè)置了粘合劑層3，為了提高與粘合劑層3的粘合性，基材2的上面可以作一些電暈處理，或者也可以進(jìn)行底涂處理等而設(shè)置其它的層。
粘合劑層3的面積可以與基材2相同，也可以與被粘貼的晶片大致相同。
為了在半導(dǎo)體晶片的搬運(yùn)和加工時(shí)固定晶片5，粘合劑層3被設(shè)置在基材2上。此粘合劑層3既可以由能量線硬化型粘合劑形成，也可以由橡膠類(lèi)、丙烯酸類(lèi)、硅類(lèi)、聚氨酯類(lèi)、聚乙烯醚類(lèi)等得到的再剝離型通用粘合劑形成。
一般說(shuō)來(lái)，能量線硬化型粘合劑是以丙烯酸系粘合劑和能量線硬化型化合物為主要成分而形成的。
如日本專利特開(kāi)昭60-196956號(hào)公報(bào)及日本專利特開(kāi)昭60-223139號(hào)公報(bào)所揭示的那樣，作為能量線硬化型粘合劑中被廣泛使用的能量線硬化型化合物是通過(guò)光照射能形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的分子內(nèi)至少有2個(gè)以上的光聚合性碳—碳雙鍵的低分子量的化合物。具體可采用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二丙烯酸1，4-丁二酯、二丙烯酸1，6-己二酯、聚二丙烯酸乙二酯或低聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯等低聚物。
能量線硬化型粘合劑中的丙烯酸系粘合劑和能量線聚合性化合物的配比是，對(duì)應(yīng)于丙烯酸系粘合劑100重量份，能量線聚合性化合物以50～200重量份的量為好。此時(shí)，得到的粘合薄膜的初期粘合力較大，但是，當(dāng)能量線照射后，粘合力大大降低。因此，晶片5與丙烯酸系能量線硬化型粘合劑層的界面的剝離變得容易。
此外，能量線硬化型粘合劑層也可以由側(cè)鏈上具有能量線聚合性基團(tuán)的能量線硬化型共聚物構(gòu)成。這種能量線硬化型共聚物有著粘合性和能量線硬化性兼?zhèn)涞男再|(zhì)。側(cè)鏈上有能量線聚合性基團(tuán)的能量線硬化型共聚物在日本專利特開(kāi)平5-32946號(hào)公報(bào)、日本專利特開(kāi)平8-27239號(hào)公報(bào)中有詳細(xì)記載。
粘合劑層3的厚度根據(jù)其材質(zhì)的不同，通常為3～100μm左右，較好的是10～50μm左右。
上述粘合劑用一般公知的涂布機(jī)，如滾涂機(jī)、刮涂機(jī)、滾刮涂機(jī)、逆涂機(jī)、模涂機(jī)等，在基材2的上面涂布至適當(dāng)?shù)暮穸龋稍锖笮纬烧澈蟿?；或是在剝離膠帶上形成粘合劑層3，再?gòu)?fù)制到基材2上，從而形成保護(hù)片11。
接著，說(shuō)明本發(fā)明中的第2保護(hù)結(jié)構(gòu)。第2保護(hù)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在上述第1保護(hù)結(jié)構(gòu)中基材2具有多層結(jié)構(gòu)層的情況。以下，把構(gòu)成基材2的兩層稱作“第1保護(hù)層1”和“第2保護(hù)層2”。
這種情況下，第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2既可以由同種或異種的剛性薄膜構(gòu)成，也可以由剛性薄膜與其它薄膜形成基材。特別是以用后述的應(yīng)力緩和性薄膜形成面向晶片側(cè)的第1保護(hù)層1，而以剛性薄膜形成位于與晶片相反位置的第2保護(hù)層2為好。
作為第2保護(hù)結(jié)構(gòu)的例子之一的保護(hù)結(jié)構(gòu)B如圖2所示，將由外徑大于半導(dǎo)體晶片的第1保護(hù)層1和在上述第1保護(hù)層1的上面、外徑與第1保護(hù)層1相同的第2保護(hù)層2所組成的層壓保護(hù)片12以第1保護(hù)層1側(cè)層壓在半導(dǎo)體晶片5的電路面上而獲得。
作為第2保護(hù)層結(jié)構(gòu)的另一例的保護(hù)結(jié)構(gòu)C如圖3所示，將由外徑與半導(dǎo)體晶片大致相同的第1保護(hù)層1和在上述第1保護(hù)層1的上面、外徑大于第1保護(hù)層1的第2保護(hù)層2所組成的層壓保護(hù)片1 3以第1保護(hù)層1側(cè)層壓在半導(dǎo)體晶片5的電路面上而獲得。
在第2保護(hù)層2的上面，為了與第1保護(hù)層1層壓，設(shè)置了粘接劑層4。第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2既可以不剝離地緊密粘合，也可以可剝離地層壓。
作為堅(jiān)固粘合第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2的粘接劑，可以使用橡膠類(lèi)、丙烯酸類(lèi)等永久粘合性粘接劑或聚酯類(lèi)及聚酰胺類(lèi)層壓干燥用粘接劑。另外，作為第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2之間可剝離的層壓粘接劑，可以從與上述粘合劑層3相同的粘合劑中選擇。粘接劑層4的厚度可根據(jù)材質(zhì)的不同而不同，通常以1～100μm左右為好，較好的是3～50μm左右。
粘接劑層4的尺寸以與第2保護(hù)層2相同為好(面一)，而保護(hù)結(jié)構(gòu)C的粘接劑層4的尺寸也可以與第1保護(hù)層1的尺寸相同。
在保護(hù)結(jié)構(gòu)B中，第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2的大小大致相同，層壓保護(hù)片12的外徑與上述半導(dǎo)體晶片5外徑之差[(層壓保護(hù)片12的外徑)—(半導(dǎo)體晶片5的外徑)]以0.1～10mm為好，更好的是0.1～5mm，最好是0.1～2mm。
在上述保護(hù)結(jié)構(gòu)C中，第1保護(hù)層1具有能覆蓋上述半導(dǎo)體晶片的電路面的面積。為了防止破損，半導(dǎo)體晶片的邊緣輪廓被斜削，由于在其內(nèi)側(cè)形成了電路面，所以第1保護(hù)層1的外徑以與半導(dǎo)體晶片5的外徑相同或略小為好。具體地說(shuō)，第1保護(hù)層1與上述半導(dǎo)體晶片5外徑之差[(第1保護(hù)層1的外徑)—(半導(dǎo)體晶片5的外徑)]以-2～0mm為好，更好的是-1.5～0mm，最好是-1.0～0mm。
另一方面，第2保護(hù)層2的外徑以比上述半導(dǎo)體晶片5的外徑略大為好。具體地說(shuō)，第2保護(hù)層2與上述半導(dǎo)體晶片5外徑之差[(第2保護(hù)層2的外徑)—(半導(dǎo)體晶片5的外徑)]以-0.1～+10mm為好，較好的是+0.1～+5mm，更好是+0.1～+2mm，特好的是+0.1～+1.5mm，最好的是+0.1～+1mm。
因此，第2保護(hù)層2的外徑與上述第1保護(hù)層1的外徑之差[(第2保護(hù)層2的外徑)—(第1保護(hù)層1的外徑)]以+0.1～+12mm為好，較好的是+0.1～+6mm，更好是+0.1～+4mm，特好的是+0.1～+3mm，最好的是+0.1～-2mm。
特別好的是第1保護(hù)層1中包含后述的應(yīng)力緩和性薄膜，第2保護(hù)層2中包含前述剛性薄膜。
半導(dǎo)體晶片5被固定在第1保護(hù)層1。當(dāng)?shù)?保護(hù)層1具有自我粘合性時(shí)，第1保護(hù)層1也可以不使用粘合劑等而固定半導(dǎo)體晶片5。此外，也可以通過(guò)上述粘合劑層3固定半導(dǎo)體晶片5。
第1保護(hù)層1中最好含有應(yīng)力緩和性薄膜。
應(yīng)力緩和性薄膜具有優(yōu)異的應(yīng)力緩和性，具體地說(shuō)，在拉伸實(shí)驗(yàn)時(shí)，拉長(zhǎng)10％時(shí)的應(yīng)力緩和率在1分鐘后為40％以上，較好的是50％以上，更好的是60％以上。應(yīng)力緩和性越高越好，其上限理論上是100％，根據(jù)情況不同，可以是99.9％、99％或95％。
由于應(yīng)力緩和性薄膜具有優(yōu)異的應(yīng)力緩和性，所以粘貼到晶片5上后，殘留應(yīng)力迅速衰減。因此，貼附層壓保護(hù)片12、13后，即使是研磨至極薄發(fā)脆的晶片，由于層壓保護(hù)片全部的殘留應(yīng)力極小，所以也能保持不使其彎曲。
另外，應(yīng)力緩和性薄膜的厚度以30～1000μm為好，更好的是50～800μm，最好是80～500μm。
應(yīng)力緩和性薄膜由樹(shù)脂制薄膜而得，只要滿足以上性能，無(wú)特別限定。既可以是本身顯示以上性能的樹(shù)脂，也可以是通過(guò)添加其它的添加物成為具有上述性能的樹(shù)脂。并且，應(yīng)力緩和性薄膜既可以是由固化性樹(shù)脂制膜硬化而得到的，也可以是由熱塑性樹(shù)脂制膜而得到的。
固化性樹(shù)脂可以使用光固化性樹(shù)脂、熱固化性樹(shù)脂等，以光固化性樹(shù)脂為好。
光固化性樹(shù)脂以用諸如光聚合性的聚氨酯丙烯酸酯系低聚物為主劑的樹(shù)脂組合物為好。本發(fā)明所使用的較好的聚氨酯丙烯酸酯系低聚物的分子量以1000～50000為好，較好的是2000～30000。上述聚氨酯丙烯酸酯系低聚物可以單獨(dú)或兩種以上組合使用。
由于大多數(shù)情況下僅用上述聚氨酯丙烯酸酯系低聚物難以成膜，所以，通常用光聚合性單體稀釋后再成膜，然后固化得到薄膜。光聚合性單體在分子內(nèi)具有光聚合性雙鍵，特別是在本發(fā)明中，以使用(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊烯酯、丙烯酸苯基羥丙酯等具有較大基團(tuán)的丙烯酸酯系化合物為好。
上述光聚合性單體相對(duì)于100重量份的聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，以5～900重量份的比例使用為好，更好的是10～500重量份，特好的是30～200重量份。
由上述光固化性樹(shù)脂形成的應(yīng)力緩和性薄膜的情況下，由于該樹(shù)脂中混入了光聚合引發(fā)劑，所以能減少光照射的聚合硬化時(shí)間及光照射量。
光聚合引發(fā)劑的使用量相對(duì)于樹(shù)脂的合計(jì)量100重量份，以0.05～15重量份為好，較好的是0.1～10重量份，特好的是0.5～5重量份。
上述固化性樹(shù)脂可以從低聚物或單體組成的各種符合上述性能值的組合中選擇。
上述樹(shù)脂中也可以加入碳酸鈣、二氧化硅、云母等無(wú)機(jī)填充劑；鐵、鉛等金屬填充劑；顏料、染料等著色劑等添加劑。
應(yīng)力緩和性薄膜的成膜方法如下所述。即，將液態(tài)的樹(shù)脂(硬化前的樹(shù)脂、樹(shù)脂的溶液等)在工程薄膜上澆注成薄膜狀后，通過(guò)規(guī)定的方法使其薄膜化(硬化、干燥)，然后除去工程薄膜，制得應(yīng)力緩和性薄膜。通過(guò)這樣的方法成膜時(shí)，樹(shù)脂所承受的應(yīng)力小，形成的小孔少。此外，膜厚的均勻性高，厚度精度通常在2％以內(nèi)。
也可以用其它的成膜方法，例如通過(guò)T鑄膜、壓印法壓出成型及壓延法制得應(yīng)力緩和性薄膜備用。
為了提高與粘合劑層3的粘合緊密性，也可以在第1保護(hù)層上進(jìn)行電暈處理或涂布底涂料設(shè)置其它的層。粘合劑層3可以使用與上述第1保護(hù)結(jié)構(gòu)A中所述的相同的材料。
本發(fā)明中的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)可被用于極薄的半導(dǎo)體晶片的保管、搬運(yùn)及加工等過(guò)程中。特別是在晶片內(nèi)側(cè)研磨至極薄后，在保管、搬運(yùn)時(shí)，對(duì)于電路面的保護(hù)有用。
在采用了保護(hù)結(jié)構(gòu)A的半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)研磨工序中，將上述保護(hù)片11貼在半導(dǎo)體晶片5的電路面后，通過(guò)常規(guī)方法進(jìn)行內(nèi)側(cè)研磨。
在采用了本發(fā)明的保護(hù)結(jié)構(gòu)B、C的半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)研磨工序中，首先，將層壓保護(hù)片12、13的粘合劑層粘貼在晶片5的表面。在晶片5的表面形成了電路圖形，盡管此粘貼工序是使用了晶片專用的層壓裝置，盡可能不施加太大的張力，但是完全不施加張力進(jìn)行粘貼也是不可能的。常用的粘貼薄膜有時(shí)在粘貼過(guò)程中產(chǎn)生的張力會(huì)作為殘留應(yīng)力積累其中，本發(fā)明中作為第1保護(hù)層1如果使用應(yīng)力緩和性薄膜，則可通過(guò)應(yīng)力緩和衰減內(nèi)部應(yīng)力。另外，剛性薄膜不易受粘貼時(shí)張力的影響，內(nèi)部應(yīng)力的殘留少。
使用層壓保護(hù)片時(shí)，既可以是將第1保護(hù)層1在晶片5的電路面粘貼后，再在該第1保護(hù)層1的露出面粘貼第2保護(hù)層2，也可以將第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2預(yù)先層壓為層壓保護(hù)片，再以第1保護(hù)層1側(cè)粘貼于晶片5的電路面。
在后一種情況下，第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2既可以以各自規(guī)定的尺寸切割后以片狀被使用，也可先以不切割的狀態(tài)使用，在粘貼于晶片5后，再以規(guī)定的尺寸切割。保護(hù)結(jié)構(gòu)C的較好的情況是，第1保護(hù)層1以不切割的狀態(tài)被使用，在粘貼于晶片5后，再沿著晶片5的邊緣用切刀切割，接著第2保護(hù)層2以規(guī)定尺寸切割后被使用，在晶片5與第2保護(hù)層2的中心保持一致的情況下將其粘貼于第1保護(hù)層1。如果以上述方法進(jìn)行加工，就能得到精度良好的本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)C。
通過(guò)上述保護(hù)結(jié)構(gòu)，在保護(hù)半導(dǎo)體晶片的同時(shí)可以進(jìn)行研磨。研磨通常是用研磨機(jī)等機(jī)械將晶片的內(nèi)側(cè)面研磨至規(guī)定厚度，必要時(shí)用腐蝕等化學(xué)方法研磨。
例如，通過(guò)上述研削將晶片的厚度研磨至30μm～100μm。如上所述，常用的粘貼薄膜有時(shí)在粘貼過(guò)程中產(chǎn)生的張力會(huì)作為殘留應(yīng)力積累在其中，導(dǎo)致極薄的晶片變得彎曲。使用應(yīng)力緩和性薄膜的話，由于應(yīng)力緩和的作用衰減了內(nèi)部應(yīng)力，所以即使將晶片研磨至極薄，也不會(huì)使晶片發(fā)生彎曲。
在研磨工序結(jié)束后，將晶片5裝入晶片盒等容器中運(yùn)至下道工序。在搬運(yùn)作業(yè)中，由于保護(hù)片11或?qū)訅罕Ｗo(hù)片12、13的最大徑比晶片5略大，所以半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)能防止晶片的破損。例如，即使是在裝入晶片盒時(shí)，晶片5的端部也不直接與盒壁接觸，即保護(hù)片的端部起到了襯墊的作用，保護(hù)了晶片5。
接著，半導(dǎo)體晶片在搬運(yùn)、保管等之后被送至切塊工序。在切塊工序之前，有時(shí)會(huì)將粘合薄膜6粘貼到晶片的研磨面上(電路形成面的反面)，其目的是設(shè)置小片接合用粘合劑層等。貼上粘合薄膜6后，剝離保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片，晶片就被復(fù)制到粘合薄膜6上了。對(duì)于粘合薄膜，除小片接合用以外，在半導(dǎo)體加工中所用的具有各種性能的粘合薄膜都可無(wú)特別限制地被使用。
當(dāng)粘合薄膜6沒(méi)有切塊帶的性能(晶片、芯片的固定性能及抽出性能)時(shí)，將粘合薄膜6以與晶片大致相同的尺寸粘貼在晶片上，再在其背后貼上切塊帶后送至切塊工序。在將粘合薄膜6做成與晶片大致相同的尺寸時(shí)，有時(shí)是在粘合薄膜粘貼在晶片上之前預(yù)先將其切割成晶片的形狀，但多數(shù)情況是將未切割的帶狀粘合薄膜6粘貼到晶片上后，再沿晶片的外周進(jìn)行切割。
如果通過(guò)本發(fā)明的保護(hù)結(jié)構(gòu)保護(hù)半導(dǎo)體晶片，則即使是在半導(dǎo)體晶片5的研磨面上粘貼粘合薄膜6時(shí)，由于晶片切切實(shí)實(shí)地被保護(hù)了，所以半導(dǎo)體晶片也不會(huì)出現(xiàn)破損。并且，如圖4所示，在切除粘合薄膜6的外周部時(shí)，可沿著保護(hù)片的外周端面進(jìn)行切割操作。這樣，因?yàn)榈度?不與晶片端面接觸，所以在粘貼、切除粘合薄膜時(shí)能減少半導(dǎo)體晶片的破損。
接著，通過(guò)剝離保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片，將晶片復(fù)制到粘合薄膜6，然后經(jīng)過(guò)切塊等通常的工序制成半導(dǎo)體裝置。
在使用了可剝離的粘合劑作為粘接劑層4時(shí)，粘合薄膜6粘貼在晶片的研磨面上，切除外周部后，最好先剝離第2保護(hù)層2，然后在切塊之前再剝離晶片表面上殘存的第1保護(hù)層1。由于剝離第2保護(hù)層2和剝離第1保護(hù)層1的工序分開(kāi)進(jìn)行，因而與一次性剝離第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2的工序相比較，能減少施加在晶片上的彎曲應(yīng)力。
這樣，被完全剝離了第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2、并被復(fù)制到切塊帶上的晶片，通過(guò)常用方法的切塊后，制得半導(dǎo)體芯片，并通過(guò)常用方法制成半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片是上述保護(hù)結(jié)構(gòu)C中所用的層壓保護(hù)片13。
即，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片13的特征是，由第1保護(hù)層1和第2保護(hù)層2層壓得到，該第2保護(hù)層2的外徑比第1保護(hù)層1的外徑大。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片的較好狀態(tài)與上述半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)所述相同。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明提供了當(dāng)晶片被研磨至極薄后、在進(jìn)行搬運(yùn)等工序時(shí)能防止在研磨中乃至搬運(yùn)中發(fā)生的晶片破損現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法及所用的層壓保護(hù)片。
另外，通過(guò)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法，不會(huì)在粘貼粘合薄膜時(shí)造成半導(dǎo)體晶片的破損，并由于在切除粘合薄膜的外周部時(shí)刀刃與晶片端面不接觸，所以，在粘貼、切除粘合薄膜時(shí)能減少晶片的破損。
實(shí)施例以下通過(guò)實(shí)施例具體說(shuō)明本發(fā)明，但是，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
晶片的搬運(yùn)性、粘合薄膜的粘合性用以下的方法評(píng)價(jià)。
在實(shí)施例及比較例制成半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，使用晶片研磨裝置(株式會(huì)社ディスコ公司制グラィンダ-DFG系列)，將硅晶片的厚度研磨至50μm，通過(guò)晶片裝載交換裝置(リンテック公司制Adwill RAD-CXV)收入晶片盒。接著，用人工將晶片盒搬運(yùn)至切塊帶裝置(リンテック公司制Adwill RAD-2500系列)的盒收容部。
處理實(shí)施例及比較例各10片8英寸的晶片，對(duì)晶片端部的裂縫和破損的發(fā)生數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)評(píng)價(jià)。
在實(shí)施例及比較例制作半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，用晶片研磨裝置(株式會(huì)社ディスコ公司制グラインダ-DFG系列)將硅晶片的厚度研磨至50μm，在貼有保護(hù)片的狀態(tài)下往晶片的研磨面上粘貼粘合薄膜(リンテック公司制Adwill LP系列)。粘貼裝置使用リンテック公司制Adwill RAD-3500系列。此時(shí)為了提高晶片研磨面與粘合薄膜的粘合緊密性，邊進(jìn)行150℃左右的加熱邊粘貼粘合薄膜。然后，沿著晶片的形狀用刀具按規(guī)定的尺寸切割粘合薄膜。
處理實(shí)施例及比較例各10片8英寸的晶片，對(duì)在粘貼粘合薄膜時(shí)晶片端部的裂縫和破損的發(fā)生數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)評(píng)價(jià)。
實(shí)施例1(1)應(yīng)力緩和性薄膜將重均分子量為5000的聚氨酯丙烯酸酯系低聚物(荒川化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制)50重量份和丙烯酸異冰片酯25重量份、丙烯酸苯基羥丙酯25重量份、光聚合引發(fā)劑(チバ·スペシャルティケミカルズ公司制，イルがキュア 184)2.0重量份及酞菁類(lèi)顏料0.2重量份混合，得到應(yīng)力緩和性薄膜成膜用的具有光聚合性的樹(shù)脂組合物。
將得到的樹(shù)脂組合物通過(guò)噴涂的方式，在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東レ株式會(huì)社制厚度38μm)上噴涂至厚度達(dá)到110μm，形成樹(shù)脂組合物層。涂布結(jié)束后馬上在該樹(shù)脂組合物層上層壓同樣的PET薄膜，然后用高壓水銀燈(160W/cm、高度10cm)，在光通量250mJ/cm2的條件下進(jìn)行紫外線照射，使樹(shù)脂組合物層交聯(lián)、硬化。然后，剝離兩面的PET薄膜，得到厚度為110μm、應(yīng)力緩和率為87％、拉伸彈性模量為1.8×108Pa的應(yīng)力緩和性薄膜。
(2)用于晶片電路面的粘貼的粘合劑在使由丙烯酸正丁酯85重量份、丙烯酸2-羥乙酯15重量份組成的重均分子量約65萬(wàn)的共聚體100重量份與異氰酸甲基丙烯酰氧乙酯16重量份反應(yīng)而得到的側(cè)鏈上有能量線聚合性基團(tuán)的能量線硬化型共聚體中加入硬化劑(甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物)5重量份、光聚合引發(fā)劑(チバ·スペシャルディケミカル公司制，イルがキュア 184)5重量份，調(diào)制出粘合劑備用。用滾刀涂布機(jī)在PET制剝離帶(リンテック公司制、SP-PET3801、厚度38μm)上涂布該粘合劑，干燥后膜厚達(dá)到15μm，將其復(fù)制至上述(1)制成的應(yīng)力緩和性薄膜，制成第1保護(hù)層。
(3)第2保護(hù)層將強(qiáng)粘合性的丙烯酸系粘合劑(リンテック公司制、PK)在PET制剝離帶(リンテック公司制、SP-PET3801、厚度38μm)上涂布成干燥后膜厚能達(dá)到20μm的薄膜，干燥后將其復(fù)制至作為剛性薄膜的PET薄膜(東レ株式會(huì)社制厚度125μm、拉伸彈性模量4.9×109Pa、厚度×拉伸彈性模量6.1×105N/m)，制成第2保護(hù)層。
(4)層壓保護(hù)片的形狀第2保護(hù)層預(yù)先被切割成直徑為201mm的圓形。剝?nèi)サ?保護(hù)層上的剝離帶，借助露出的粘合劑用膠帶層壓裝置(リンテック公司制Adwill RAD 3500/m12)貼于硅晶片(直徑200mm、厚度750μm)的鏡面上，并沿著硅晶片的輪廓切割第1保護(hù)層。但是，切割時(shí)由于刀具相對(duì)于第1保護(hù)層的垂直面成約15度的角傾斜切割，所以第1保護(hù)層的表面的直徑變?yōu)?99.9mm。
接著，將第2保護(hù)層的粘合劑層面的中心與第1保護(hù)層的露出面的中心對(duì)齊，將該粘合劑層面貼付于露出面，獲得半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例2將實(shí)施例1的(1)～(3)中制成的第1保護(hù)層及第2保護(hù)層各自切割成直徑為199.5mm、201mm的圓形。然后，借助于第2保護(hù)層剝?nèi)冸x帶后露出的粘合劑，將該第2保護(hù)層中心一致地粘貼在第1保護(hù)層的應(yīng)力緩和性薄膜上，制成層壓保護(hù)片。接著，借助于第1保護(hù)層側(cè)的粘合劑層面，將該層壓保護(hù)片中心一致地粘貼在硅晶片的鏡面上，形成半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例3～實(shí)施例5借助于第2保護(hù)層上的剝離帶剝?nèi)ズ舐冻龅恼澈蟿瑢⒌?保護(hù)層粘貼在實(shí)施例1的(1)～(3)中制成的第1保護(hù)層的應(yīng)力緩和性薄膜上，制成層壓保護(hù)片。然后，將該層壓保護(hù)片切割成預(yù)定的直徑201mm的圓形。接著，借助于第1保護(hù)層側(cè)的粘合劑層面，將層壓保護(hù)片中心一致地粘貼在硅晶片的鏡面上，該半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)作為實(shí)施例3，將切割成直徑205mm、208mm的膜片分別作為實(shí)施例4及實(shí)施例5。
實(shí)施例6～實(shí)施例7借助于第2保護(hù)層上的剝離帶剝?nèi)ズ舐冻龅恼澈蟿?，將?保護(hù)層粘貼在實(shí)施例1的(1)～(3)中制成的第1保護(hù)層的應(yīng)力緩和性薄膜上，制成層壓保護(hù)片。接著，借助于第1保護(hù)層側(cè)的粘合劑層面，將層壓保護(hù)片中心一致地粘貼在硅晶片的鏡面上。然后，切割該層壓保護(hù)片，達(dá)到從晶片的中心出發(fā)外徑為201mm的尺寸。將得到的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)作為實(shí)施例6，并將按直徑208mm切割的層壓保護(hù)片作為實(shí)施例7。
實(shí)施例8將實(shí)施例(2)中所使用的粘合劑在PET制剝離膠帶(リンテック公司制、SP-PET3801、厚度38μm)上涂布成干燥后膜厚能達(dá)到20μm的薄膜，干燥后將其復(fù)制到作為剛性薄膜的PET薄膜(東レ株式會(huì)社制厚度125μm、拉伸彈性模量4.9×109Pa、厚度×拉伸彈性模量6.1×105N/m)上，制成保護(hù)片。然后，將該保護(hù)片按預(yù)定直徑205mm切割成圓形。接著，將該保護(hù)片中心一致地粘貼在硅晶片的鏡面上，作為半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例9將實(shí)施例(2)中所使用的粘合劑在PET制剝離膠帶(リンテック公司制、SP-PET3801、厚度38μm)上涂布成干燥后膜厚能達(dá)到20μm的薄膜，干燥后將其復(fù)制到作為剛性薄膜的PET薄膜(東レ株式會(huì)社制厚度125μm、拉伸彈性模量4.9×109Pa、厚度×拉伸彈性模量6.1×105N/m)上，制成保護(hù)片。然后將該保護(hù)片中心一致地粘貼在硅晶片的鏡面上，并切割該保護(hù)片，達(dá)到從晶片的中心出發(fā)外徑為205mm的尺寸，作為半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
比較例1借助于實(shí)施例1的(3)制得的第2保護(hù)層上的剝離帶剝?nèi)ズ舐冻龅恼澈蟿用妫瑢⒌?保護(hù)層粘貼到實(shí)施例1的(1)～(2)中制成的第1保護(hù)層的應(yīng)力緩和性薄膜上，層壓后制成保護(hù)片。接著，利用膠帶層壓機(jī)將層壓保護(hù)片粘貼到硅晶片鏡面上，并沿著硅晶片的輪廓切割層壓保護(hù)片，作為半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。保護(hù)片基材的最上面的直徑為199.8mm。
比較例2將實(shí)施例1的(1)～(2)中制成的第1保護(hù)層借助于其粘合劑層中心一致地粘貼在硅晶片鏡面上，并沿著硅晶片的輪廓切割，形成半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)。保護(hù)片基材的最上面的直徑為199.8mm。
表1所示的是上述實(shí)施例及比較例的構(gòu)成，表2所示的是各評(píng)價(jià)結(jié)果。
表1
*1)PK(強(qiáng)粘合劑)、UV型(紫外線硬化型粘合劑)*2)2次貼合(在晶片上粘貼第1保護(hù)層后，在第1保護(hù)層上粘貼第2保護(hù)層)，1次貼合(在第1保護(hù)層粘貼第2保護(hù)層后，將第1保護(hù)層側(cè)粘貼于晶片。實(shí)施例8、9和比較例1、2中粘貼單層薄膜)*3)先切割(粘貼前切割成規(guī)定尺寸)，后切割(粘貼后切割成規(guī)定尺寸)，第1＝第1保護(hù)層，第2＝第2保護(hù)層表2
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，將外徑大于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)片層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而形成。
2.半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，將與半導(dǎo)體晶片的外徑尺寸大致相同的第1保護(hù)層和在上述第1保護(hù)層的上面、外徑與第1保護(hù)層相同或比第1保護(hù)層大的第2保護(hù)層所組成的層壓保護(hù)片以第1保護(hù)層側(cè)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而形成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征還在于，保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片的最大徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～10mm。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征還在于，第1保護(hù)層的外徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的-2.0～0mm，第2保護(hù)層的外徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～+2.0mm。
5.如權(quán)利要求2或4所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征還在于，第1保護(hù)層包含拉長(zhǎng)10％時(shí)的1分鐘后的應(yīng)力緩和率為40％以上的薄膜，第2保護(hù)層包含拉伸彈性模量×厚度為5.0×104N/m以上的薄膜。
6.半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其特征在于，將外徑大于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)片層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上。
7.半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其特征在于，將與半導(dǎo)體晶片的外徑尺寸大致相同的第1保護(hù)層和在上述第1保護(hù)層的上面、外徑與第1保護(hù)層相同或比第1保護(hù)層大的第2保護(hù)層所組成的層壓保護(hù)片以第1保護(hù)層側(cè)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其特征還在于，作為保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片，使用其最大徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～10mm的保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其特征還在于，所用的第1保護(hù)層的外徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的-2.0～0mm；所用的第2保護(hù)層的外徑為上述半導(dǎo)體晶片外徑的+0.1～+2.0mm。
10.如權(quán)利要求7或9所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，其特征還在于，第1保護(hù)層包含拉長(zhǎng)10％時(shí)的1分鐘后的應(yīng)力緩和率為40％以上的薄膜，第2保護(hù)層包含拉伸彈性模量×厚度為5.0×104N/m以上的薄膜。
11.半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片，其特征在于，由第1保護(hù)層與第2保護(hù)層層壓形成，第2保護(hù)層的外徑比第1保護(hù)層大。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片，其特征還在于，第2保護(hù)層的外徑為第1保護(hù)層的外徑的+0.1～+4.0mm。
13.如權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體晶片用層壓保護(hù)片，其特征還在于，第1保護(hù)層包含拉長(zhǎng)10％時(shí)的1分鐘后的應(yīng)力緩和率為40％以上的薄膜，第2保護(hù)層包含拉伸彈性模量×厚度為5.0×104N/m以上的薄膜。
14.半導(dǎo)體晶片的加工方法，其特征在于，包含通過(guò)權(quán)利要求6～10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法，一面保護(hù)半導(dǎo)體晶片一面研磨該半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面，在研磨面上粘貼粘合薄膜的工序。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體晶片的加工方法，其特征還在于，還包含用刀具將粘合薄膜的外周部切除的工序，此時(shí)，沿著保護(hù)片或?qū)訅罕Ｗo(hù)片的外周端面進(jìn)行切割操作。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)通過(guò)將外徑大于半導(dǎo)體晶片(5)的保護(hù)片(13)層壓在該半導(dǎo)體晶片的電路面上而制得。本發(fā)明提供了當(dāng)晶片研磨至極薄后，在搬運(yùn)等情況下，能防止在研磨中乃至搬運(yùn)中出現(xiàn)的晶片破損現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶片的保護(hù)方法及所用的層壓保護(hù)片。此外，本發(fā)明還提供了在進(jìn)行粘合薄膜的粘貼、切除時(shí)能減少晶片破損的半導(dǎo)體晶片的加工方法。
文檔編號(hào)B24B37/30GK1679157SQ03820410
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2003年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月28日
發(fā)明者妹尾秀男, 永元公市, 堀米克彥, 大橋仁 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社