專利名稱：半導(dǎo)體晶片的研磨方法及其研磨墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的研磨方法及研磨墊，特別涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行化學(xué)性和機(jī)械性研磨的裝置所使用的具有多個(gè)槽部的研磨墊，以及使用它的半導(dǎo)體晶片的研磨方法。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體裝置日趨細(xì)微化，為此，在半導(dǎo)體裝置的制造方法上也開發(fā)出各種新技術(shù)。尤其是將金屬布線材料和絕緣材料構(gòu)成的布線層，層疊成若干層的多層布線技術(shù)，在半導(dǎo)體裝置的微小化及高功能化上功不可沒。但與此同時(shí)，它又帶來了諸多的技術(shù)課題。
其課題之一，便是要確保各布線層中的平坦性。假如在各布線層的表面不能確保平坦性，而凹凸不平的話，在微小化的關(guān)鍵工序——光刻蝕法工序中，就會(huì)造成焦點(diǎn)不準(zhǔn)而無法形成布線圖案。為了解決這個(gè)課題，近年來，對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行化學(xué)性機(jī)械性研磨，使之平坦化的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法，得到廣泛采用(參閱專利文獻(xiàn)1)。
下面，參照附圖，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不是轉(zhuǎn)盤方式，而是所謂帶狀研磨方法的CMP裝置，作一介紹。
圖8(a)示出現(xiàn)有技術(shù)的帶狀研磨方法的CMP裝置中，研磨機(jī)構(gòu)的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)。
由圖8(a)可知，由基材為泡沫聚氨脂構(gòu)成的多個(gè)片狀的研磨墊101，粘貼在帶狀平板102上，在用噴嘴103往研磨墊101上供給漿料104的同時(shí)，還使平板102行走，使托架105一面旋轉(zhuǎn)，一面頂住被托架105吸著的半導(dǎo)體晶片106的表面，從而研磨半導(dǎo)體晶片106。另外，為了激活墊101的表面(使毛羽直立)，將安裝在氣缸107下面的整形器108頂住研磨墊101，使之隨時(shí)朝著垂直于平板101行走方向的方向移動(dòng)。
圖8(b)示出1張未往平板102上粘貼的研磨墊101。正如該圖所示，在研磨墊101的表面(研磨面)上，形成有多個(gè)直線狀而且是平行排列的槽部101a。這些槽部101a，是為了在研磨半導(dǎo)體晶片106時(shí)，能有效地往半導(dǎo)體晶片106的表面(被研磨面)上供送漿料104而設(shè)置的，相對(duì)于平板102的行走方向而言，成為平行的直線狀。
將多個(gè)研磨墊101粘貼到平板102的表面上時(shí)，沿平板102行進(jìn)方向相鄰的墊彼此之間要稍微空開一點(diǎn)間隔。
特開平11-58219號(hào)公報(bào)本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)的帶狀研磨方式的CMP裝置中，存在著下述兩個(gè)問題。
第1個(gè)問題的產(chǎn)生是在如圖9(a)所示，將分別具有多個(gè)槽部101a的多個(gè)研磨墊101，粘貼在帶狀平板102的表面上，使沿行進(jìn)方向鄰接的研磨墊101的槽部101a的位置彼此一致的時(shí)候。
在圖8(a)所示的CMP裝置中，研磨半導(dǎo)體晶片106時(shí)，粘貼著研磨墊101的平板102，以所定的速度，朝遠(yuǎn)離噴嘴103的方向行走。即研磨墊101的槽部101a移動(dòng)時(shí)，與半導(dǎo)體晶片106保持著一定的相對(duì)位置。
另一方面，吸住半導(dǎo)體晶片106的托架105，在所定的位置自轉(zhuǎn)，所以當(dāng)半導(dǎo)體晶片106的中央部和研磨墊101的中央部分的槽部101a的位置一致時(shí)，就如圖9(a)所示，在半導(dǎo)體晶片106的被研磨面的中央部，出現(xiàn)與研磨墊101的研磨面不接觸的部分。
另外，半導(dǎo)體晶片106在研磨墊101作用下的研磨速度，越靠近半導(dǎo)體晶片106的被研磨面的中心越慢，所以從圖10(a)所示的晶片位置與膜厚相互關(guān)系的曲線圖上可知在半導(dǎo)體晶片106的被研磨面上出現(xiàn)了中央部膜厚大于周緣部的膜厚這種起因于多個(gè)研磨墊101的槽部101a被連續(xù)配置成直線狀而形成的膜厚不勻。即在研磨后的半導(dǎo)體晶片106的被研磨面上，如圖10(b)所示，出現(xiàn)朝著半導(dǎo)體晶片106的中心，同心圓狀的膜厚比其周圍部分大的現(xiàn)象。所以，半導(dǎo)體晶片106的被研磨面無法獲得期望的平坦性。前已敘及，在半導(dǎo)體裝置微小化的關(guān)鍵工序-光刻蝕法工序中，膜厚的這種不勻會(huì)引起焦點(diǎn)不準(zhǔn)，從而無法形成布線圖案。
下面，對(duì)第2個(gè)問題進(jìn)行闡述。
第2個(gè)問題，如圖8(b)所示，是由研磨墊101的研磨面上設(shè)置的多個(gè)槽部101a，沒有設(shè)置到研磨墊101的端部而造成的。因?yàn)椴鄄?01a沒有設(shè)置到研磨墊101的研磨面的端部，所以正如圖11(a)的剖視圖所示，研磨墊101的內(nèi)側(cè)部分A與整形器108的接觸面積，小于其端部B。這樣，在研磨墊101的內(nèi)側(cè)部分A，整形器108造成的單位面積的壓力，就比端部B大。所以，在整形器108的壓力差的作用下，研磨墊101的內(nèi)側(cè)部分A的研磨面，就比其端部B被較多地磨削掉，研磨墊101的內(nèi)側(cè)部分A的厚度也就比其端部薄。結(jié)果便如圖12(a)所示，每當(dāng)研磨墊101被整形器108激活后，其內(nèi)側(cè)部分A就比端部B薄，垂直于其行進(jìn)方向的斷面形狀就成為凹狀。使用這種斷面形狀的研磨墊101研磨的半導(dǎo)體晶片106，由圖12(b)所示的晶片部位與膜厚關(guān)系的曲線可知，其邊沿部分比中央部分磨削掉較多，無法獲得期望的平坦性。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，本發(fā)明的目的在于，使用帶狀研磨方式的研磨裝置，以獲得希望的平坦性。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用將多個(gè)研磨墊往平板上粘貼時(shí)，使沿行進(jìn)方向鄰接的研磨墊的槽部彼此不一致的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明將半導(dǎo)體晶片研磨墊的多個(gè)槽部，設(shè)置到垂直于其行進(jìn)方向的端部為止。
具體地說，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨方法是，將多個(gè)分別在其表面具有朝著行進(jìn)方向延伸的多個(gè)槽部的研磨墊，粘貼在平板上，使平板連續(xù)行走，從而研磨半導(dǎo)體晶片。包括將多個(gè)研磨墊粘貼在平板表面的工序；使平板行走，同時(shí)使半導(dǎo)體晶片頂住研磨墊的表面研磨的工序。在粘貼研磨墊的工序中，將各研磨墊粘貼成使沿平板的行走方向鄰接的研磨墊的槽部，彼此不一致。
采用本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的研磨方法后，由于在將各研磨墊粘貼到平板表面上時(shí)，將沿該平板行走方向鄰接的研磨墊的槽部粘貼成彼此不一致，所以在研磨中，即使讓半導(dǎo)體晶片自轉(zhuǎn)，與半導(dǎo)體晶片的被研磨面接觸的槽部的位置，也會(huì)每逢由粘貼著的一個(gè)研磨墊移動(dòng)到另一個(gè)研磨墊時(shí)發(fā)生變化。從而可以消除半導(dǎo)體晶片被研磨面上存在的同心圓的膜厚大于其周圍的第1個(gè)問題，獲得期望的平坦性。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的研磨方法中，粘貼研磨墊的工序，最好將沿行進(jìn)方向鄰接的各研磨墊中的槽部，按一定的間隔彼此離開后粘貼。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的研磨方法中，半導(dǎo)體晶片的研磨工序，最好采用使含有研磨料的漿料流向研磨墊表面的方式，研磨半導(dǎo)體晶片。
本發(fā)明涉及的第1半導(dǎo)體晶片的研磨墊，以粘貼在帶狀平板的表面上的半導(dǎo)體晶片的研磨墊為對(duì)象，在研磨墊的表面，使多個(gè)向研磨墊的行進(jìn)方向延伸的槽部，一直到達(dá)垂直于其行進(jìn)方向的方向側(cè)的端部。
采用第1半導(dǎo)體晶片的研磨墊后，由于在研磨墊的表面，使多個(gè)向研磨墊行進(jìn)方向延伸的槽部，一直到達(dá)垂直于其行進(jìn)方向那一側(cè)的端部。所以在研磨中，即使利用整形器對(duì)研磨墊進(jìn)行激活，在研磨墊的端部和內(nèi)側(cè)部分，整形器與研磨墊的接觸面積也不會(huì)不同，由整形器造成的單位面積的壓力，在端部和內(nèi)側(cè)部分也都相等，即使繼續(xù)進(jìn)行激活，垂直于研磨墊行進(jìn)方向的斷面形狀也不會(huì)成為凹狀。其結(jié)果就能消除僅將半導(dǎo)體晶片被研磨面的端部磨削得較多的第2個(gè)問題，獲得期望的平坦性。
本發(fā)明涉及的第2半導(dǎo)體晶片的研磨墊，以粘貼在帶狀平板表面的半導(dǎo)體晶片的研磨墊為對(duì)象，在研磨墊的表面，使多個(gè)向研磨墊行進(jìn)方向延伸的槽部，與其行進(jìn)方向形成斜向。
采用第2半導(dǎo)體晶片的研磨墊后，由于在研磨墊的表面，多個(gè)向研磨墊行進(jìn)方向延伸的槽部，與其行進(jìn)方向形成斜向，所以在研磨中，即使讓半導(dǎo)體晶片自轉(zhuǎn)，研磨墊的槽部與半導(dǎo)體晶片被研磨面的接觸位置，盡管在一個(gè)研磨墊中也要伴隨著行進(jìn)而移動(dòng)、變化。因此，可以解決在半導(dǎo)體晶片的研磨面上出現(xiàn)同心圓狀的、膜厚大于其周圍的第1個(gè)問題，獲得期望的平坦性。
在本發(fā)明的第1或第2半導(dǎo)體晶片的研磨墊中，最好使多個(gè)槽部形成相互均等的間隔。這樣，可以在研磨時(shí)，使半導(dǎo)體晶片的被研磨面和研磨墊的研磨面的接觸時(shí)間均一，從而使研磨后的半導(dǎo)體晶片的被研磨面更加平坦。
另外，在本發(fā)明的第1或第2半導(dǎo)體晶片的研磨墊中，研磨墊最好由泡沫聚氨脂構(gòu)成。


圖1(a)及(b)表示實(shí)現(xiàn)本發(fā)明第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片研磨方法的帶狀研磨方式的CMP裝置，(a)是表示研磨機(jī)構(gòu)部位的簡(jiǎn)要立體圖，(b)是表示研磨墊粘貼在平板上的狀態(tài)的局部俯視圖。
圖2(a)是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨方式中，研磨墊與半導(dǎo)體晶片接觸狀況的剖視圖。
(b)是表示采用本發(fā)明第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片研磨方法時(shí)晶片的部位與膜厚的關(guān)系的曲線圖。
圖3是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的帶狀研磨方式的CMP裝置使用的研磨墊的立體圖。
圖4(a)是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨墊與整形器接觸狀況的剖視圖。
(b)是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨墊的局部俯視圖。
圖5(a)是表示本發(fā)明第3實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨墊粘貼在平板上的狀況的局部立體圖。
(b)是表示本發(fā)明第3實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨墊粘貼在平板上的狀況的局部俯視圖。
圖6是表示采用本發(fā)明第3實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨方法時(shí)晶片部位與膜厚關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的一種變形例涉及的將半導(dǎo)體晶片的研磨墊粘貼在平板上的狀況的局部俯視圖。
圖8(a)及(b)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置，(a)是表示研磨機(jī)構(gòu)部位的簡(jiǎn)要立體圖，(b)是表示研磨墊的立體圖。
圖9(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中將研磨墊粘貼在平板上的狀況的局部俯視圖。
(b)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中使用研磨墊時(shí)半導(dǎo)體晶片的被研磨面的俯視圖。
圖10(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中使用研磨墊時(shí)晶片部位與膜厚關(guān)系的曲線圖。
(b)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中使用研磨墊時(shí)半導(dǎo)體晶片的被研磨面的俯視圖。
圖11(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中研磨墊和整形器圖接觸狀況的剖視圖，(b)是表示采用整形器繼續(xù)進(jìn)行激活處理時(shí)的剖視圖。
圖12(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中，采用整形器對(duì)研磨墊繼續(xù)進(jìn)行激活時(shí)，研磨墊和半導(dǎo)體晶片的剖視圖。
(b)是表示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀方式的CMP裝置中，采用整形器對(duì)研磨墊繼續(xù)進(jìn)行激活時(shí)，晶片部位和膜厚關(guān)系的曲線圖。
圖中10-滾軸(傳動(dòng)輪)；11-平板；12-研磨墊；12a-槽部；12b-槽部；13-托架；14-噴嘴；15-漿料；16-氣缸；17-整形器；20-半導(dǎo)體晶片。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施方式)下面，參閱附圖，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式作一闡述。
圖1(a)示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的帶狀研磨方法的CMP裝置中的研磨機(jī)構(gòu)的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)。
由該圖(a)可知，在懸掛在旋轉(zhuǎn)軸相互平行配置的2個(gè)滾軸(傳動(dòng)輪)10上的帶狀平板11的表面上，粘貼著例如基材由聚氨脂構(gòu)成的4張片狀的研磨墊12。在這里，作為研磨墊12的基材使用的聚氨脂，最好是獨(dú)立泡沫聚氨脂。
為了研磨被托架13吸住的半導(dǎo)體晶片20，使平板11向所定的方向行走，由噴嘴14將含有研磨料的漿料15供給研磨墊12的表面(研磨面)，使半導(dǎo)體晶片20的表面(被研磨面)一面旋轉(zhuǎn)，一面壓住研磨墊12的表面。另外，為了激活研磨墊12的表面，將安裝在氣缸16之下的整形器18，壓住研磨墊12，使其隨時(shí)朝著垂直于平板11的行走方向的方向移動(dòng)。
正如圖1(b)的放大俯視圖所示，第1實(shí)施方式涉及的研磨墊12，都粘貼成將槽部12a的延伸方向?qū)?zhǔn)平板11的行走方向，同時(shí)還將沿該平板11的行走方向鄰接的研磨墊，彼此互有間隔，而且槽部12a互不一致。此外，該槽部12a，是為了將漿料有效地供給到半導(dǎo)體晶片20的表面上才設(shè)置的。
這樣，沿行進(jìn)方向互相鄰接的各研磨墊12，因被粘貼成槽部12a彼此不一致的狀態(tài)，所以如圖2(a)所示，剛開始研磨時(shí)，即使半導(dǎo)體晶片20的中心，處于某個(gè)研磨墊12所形成的用實(shí)線表示的槽部12a的位置，未被研磨。但由于繼該研磨墊12之后的其它研磨墊12所形成的用虛線表示的槽部12a的位置，與那個(gè)研磨墊12的槽部12a錯(cuò)開，所以即使半導(dǎo)體晶片自轉(zhuǎn)，研磨墊12的研磨面也能可靠地與半導(dǎo)體晶片20被研磨面接觸，因而可以消除半導(dǎo)體晶片20的被研磨面的中央部位出現(xiàn)未被研磨的部分。
此外，粘貼在帶狀平板11上的研磨墊12的數(shù)量沒有限制。但在第1實(shí)施方式中，4塊研磨墊12的兩兩之間，以其槽部12a寬度二分之一的間距錯(cuò)開粘貼著。這樣，還能使半導(dǎo)體晶片20中不被研磨墊12的槽部12a研磨的時(shí)間均等。所以可以如圖2(b)所示，消除半導(dǎo)體芯片20中央部的未被研磨的部分，使半導(dǎo)體晶片20的被研磨面都能得到均勻研磨。
(第2實(shí)施方式)下面，參閱附圖，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式作一闡述。
圖3示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的帶狀研磨方式的CMP裝置使用的研磨墊。
如圖3所示，在第2實(shí)施方式涉及的研磨墊12的研磨面上設(shè)置的、沿行進(jìn)方向互相平行延伸的多個(gè)槽部12a，一直達(dá)到垂直于研磨墊12行進(jìn)方向的端部。
這樣，在研磨半導(dǎo)體晶片時(shí)，如圖4(a)的剖視圖所示，在研磨墊12的研磨面中，內(nèi)側(cè)部分A和端部B與整形器17的接觸面積，都是均勻的，所以可以采用整形器17對(duì)研磨墊12的研磨面行進(jìn)全面而均勻的激活。其結(jié)果，消除了在激活時(shí)研磨墊12的內(nèi)側(cè)部分A被整形器17削掉較多的現(xiàn)象，所以不會(huì)出現(xiàn)圖2(b)所示的，半導(dǎo)體晶片周緣部分的膜厚比中央部薄的現(xiàn)象，能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片的被研磨面進(jìn)行全面而均勻的研磨。
此外，如圖4(b)所示，將沿其行進(jìn)方向鄰接的研磨墊12a，粘貼成使其槽部12a互不一致后，與第1實(shí)施方式一樣，還能防止半導(dǎo)體晶片中央部的膜厚比其周圍厚的不良現(xiàn)象。
(第3實(shí)施方式)下面，參閱附圖，對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式作一闡述。
圖5(a)示出本分明第3實(shí)施方式涉及的帶狀研磨方式的CMP裝置使用的研磨墊。
正如圖5(a)所示，第3實(shí)施方式涉及的研磨墊12沿其行進(jìn)方向互相平行延伸的多個(gè)槽部12b，與研磨墊12的行進(jìn)方向具有所定的夾角θ。該所定的夾角θ，以不影響槽部應(yīng)有的功能——將從噴嘴向研磨墊12上噴出的漿料，有效地供給到半導(dǎo)體晶片上——為宜，例如1°～15°左右。在研磨墊12中形成多個(gè)槽部12b的范圍，是直到垂直于研磨墊12的行進(jìn)方向的端部為止。另外，將多個(gè)研磨墊12往平板11的表面粘貼時(shí)，如圖5(b)的放大平面圖所示，在沿行進(jìn)方向相互鄰接的研磨墊12之間，設(shè)置著間隙。
這樣，使用第3實(shí)施方式涉及的研磨墊12研磨半導(dǎo)體晶片后，由圖6所示的晶片中央部的位置與膜厚的關(guān)系的曲線圖上可知，半導(dǎo)體晶片中央部末被研磨的部分不復(fù)存在，而且半導(dǎo)體晶片邊沿部分也不會(huì)變薄。所以可以使半導(dǎo)體晶片的被研磨面都得到均勻的膜厚。
(第3實(shí)施方式的一個(gè)變形示例)如圖7所示，將多個(gè)研磨墊12往平板11的表面粘貼時(shí)，使一個(gè)研磨墊12中的槽部12b與行進(jìn)方向錯(cuò)位的方向，同相鄰的其他研磨墊12中的槽部12b與行進(jìn)方向錯(cuò)位的方向，交替變換，將槽部12b配置成交錯(cuò)狀后，就能進(jìn)一步提高半導(dǎo)體晶片被研磨面的平坦性。
采用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨方法后，即使在研磨中讓半導(dǎo)體晶片自轉(zhuǎn)，也能由粘貼著的一個(gè)研磨墊移動(dòng)到另一個(gè)研磨墊上時(shí)，都使槽部與半導(dǎo)體晶片被研磨面接觸的位置發(fā)生變化，從而消除了在半導(dǎo)體晶片的被研磨面上出現(xiàn)同心圓狀的膜厚比其周圍大的這種膜厚不勻的問題，可以獲得期望的平坦性。
采用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體晶片的研磨墊后，即使在研磨中使用整形器激活研磨墊，整形器和研磨墊的接觸面積，也不會(huì)在研磨墊的端部和內(nèi)側(cè)出現(xiàn)差異，所以研磨墊垂直于行進(jìn)方向的斷面形狀不會(huì)成為凹狀。其結(jié)果就能消除只有半導(dǎo)體晶片被研磨面的端部被較大磨削這一膜厚不勻的現(xiàn)象，得到期望的平坦性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片的研磨方法，是使粘貼著多個(gè)在表面分別具有沿行進(jìn)方向延伸的多個(gè)槽部的研磨墊的平板連續(xù)行走，從而研磨半導(dǎo)體晶片的研磨方法，包括將所述多個(gè)研磨墊粘貼在所述平板表面的工序；和使所述平板行走的同時(shí)，將所述半導(dǎo)體晶片壓到所述研磨墊的表面進(jìn)行研磨的工序，其特征在于在所述研磨墊的粘貼工序中，將所述各研磨墊粘貼成使沿所述平板行進(jìn)方向相鄰的研磨墊的槽部彼此不一致。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的研磨方法，其特征在于在所述研磨墊的粘貼工序中，將沿所述行進(jìn)方向相鄰的各研磨墊中的所述槽部，彼此按照一定的間隔錯(cuò)開后粘貼。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片的研磨方法，其特征在于在所述半導(dǎo)體晶片的研磨工序中，一邊使含有研磨料的漿料流向所述研磨墊的表面，一邊研磨所述半導(dǎo)體晶片。
4.一種半導(dǎo)體晶片的研磨墊，是粘貼在帶狀平板表面的半導(dǎo)體晶片的研磨墊，其特征在于在所述研磨墊的表面，沿所述研磨墊的行進(jìn)方向延伸的多個(gè)槽部，一直到達(dá)垂直于所述行進(jìn)方向的方向側(cè)的端部。
5.一種半導(dǎo)體晶片的研磨墊，是粘貼在帶狀平板表面的半導(dǎo)體晶片的研磨墊，其特征在于在所述研磨墊的表面，沿所述研磨墊的行進(jìn)方向延伸的多個(gè)槽部，與所述行進(jìn)方向形成斜交。
6.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體晶片的研磨墊，其特征在于所述多個(gè)槽部，相互的間隔均等。
7.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體晶片的研磨墊，其特征在于所述研磨墊，由泡沫聚氨脂構(gòu)成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體晶片的研磨方法，在懸掛在旋轉(zhuǎn)軸相互平行配置的2個(gè)滾軸(10)上的帶狀平板(11)的表面上，粘貼例如4塊由聚氨脂構(gòu)成的片狀研磨墊(12)。粘貼時(shí)，使該研磨墊(12)的槽部(12a)的延伸方向都與平板(11)的行走方向一致，而且將沿該平板(11)的行走方向鄰接的研磨墊(12)之間互留一定的間隔，并使槽部(12a)互不一致。從而可獲得期望的平坦性。
文檔編號(hào)B24B37/24GK1503332SQ20031011618
公開日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月19日
發(fā)明者白 衛(wèi)吾, 白樫衛(wèi)吾, 司, 濱中雅司, 伊藤史隆, 隆 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社