專利名稱：：化學(xué)機(jī)械研磨裝置及其研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)與調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing，簡稱CMP)制作工藝與裝置，且特別是有關(guān)于一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置及其研磨墊(polishingpad)輪廓(profile)的控制系統(tǒng)與調(diào)節(jié)方法(conditioningmethod)。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體制作工藝中，隨著組件尺寸持續(xù)縮減，微影曝光分辨率也相對增加，且伴隨著曝光景深的縮減，對于晶圓表面的高低起伏程度的要求更為嚴(yán)格。因此，目前晶圓的平坦化制作工藝(planarization)都是依賴化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝來完成，它獨特的非等向性磨除性質(zhì)除了用于晶圓表面輪廓的平坦化之外，亦可應(yīng)用于垂直及水平金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)(interconnects)的鑲嵌結(jié)構(gòu)的制作、前段制作工藝中組件淺溝渠隔離制作及先進(jìn)組件的制作、微機(jī)電系統(tǒng)平坦化和平面顯示器制作等。通常化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝包括在線(in-line)進(jìn)行的研磨拋光步驟，以及在經(jīng)過一段時間的研磨拋光步驟后所執(zhí)行的研磨墊調(diào)節(jié)(padconditioning)步驟，其中的調(diào)節(jié)步驟系用以調(diào)節(jié)研磨墊的輪廓，并利用一個配置于研磨墊上方的調(diào)節(jié)器(conditioner)來施行，而且一般進(jìn)行此調(diào)節(jié)步驟的調(diào)節(jié)器處理程序(recipe)都是固定不變的。目前在生產(chǎn)在線如果有晶圓內(nèi)不均勻度(withinwafernon-uniformity，縮寫為WIWNU)不佳時，通常不會考慮把研磨墊輪廓當(dāng)作第一檢查項目(checkitem)。然而，實際上在化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝中，研磨墊的輪廓卻對于晶圓(wafer)的平整性與研磨裝置整體的器具性能(toolperformance)都具有重要的影響力。此外，假使無法適當(dāng)控制研磨墊輪廓，則容易減少其使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的之一是提供一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，能在線控制研磨墊輪廓，以降低關(guān)于晶圓內(nèi)不均勻度的變量。本發(fā)明的再一目的是提供一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，可降低關(guān)于晶圓內(nèi)不均勻度的變量，以及在化學(xué)機(jī)械研磨之后易于擁有具任何可獲致優(yōu)異平坦性的研磨墊輪廓。本發(fā)明的又一目的是提供一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，適于同時研磨數(shù)個晶圓，并在線控制研磨墊輪廓。本發(fā)明的另一目的是提供一種在線控制研磨墊輪廓的方法，適于借由調(diào)整一調(diào)節(jié)器的處理程序，來控制一研磨墊的輪廓。根據(jù)上述與其它目的，本發(fā)明提出一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，適于包括研磨墊、研磨臺(table)、研磨頭(head)以及調(diào)節(jié)器的一化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中研磨墊包含一透光區(qū)。而這種控制系統(tǒng)包括至少一光源、一檢測器(detector)以及一處理器。而光源設(shè)置于研磨臺中，且對應(yīng)于研磨墊的透光區(qū)。檢測器則位于研磨墊上方，以檢測通過研磨墊的透光區(qū)的光源所發(fā)出的光。處理器根據(jù)檢測器所檢測的結(jié)果，來估算研磨墊的厚度，以判定研磨墊的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號至調(diào)節(jié)器，借以調(diào)整調(diào)節(jié)器的處理程序，使得研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。本發(fā)明另外提出一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，適于研磨一晶圓，此種化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括一研磨臺、一研磨墊、一檢測器、一處理器、一調(diào)節(jié)器以及一研磨頭，其中研磨臺具有至少一光源。而研磨墊覆蓋研磨臺，并具有至少一透光區(qū)，對應(yīng)于研磨臺的光源。檢測器則位于研磨墊上方，以檢測通過研磨墊的透光區(qū)的研磨臺的光源所發(fā)出的光。處理器則是與檢測器相連，且借由檢測器檢測的結(jié)果，來估算研磨墊的厚度，以判定研磨墊的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號。調(diào)節(jié)器配置于研磨墊上方，且與處理器相連，其中調(diào)節(jié)器用以調(diào)節(jié)研磨墊并根據(jù)處理器發(fā)出的處理訊號調(diào)整處理程序，使得研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。而研磨頭則配置于研磨墊上方的調(diào)節(jié)器旁，用以抓住晶圓。本發(fā)明再提出一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，適于同時研磨數(shù)個晶圓，此種化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括數(shù)個研磨臺、數(shù)個研磨墊、數(shù)個檢測器、一處理器、數(shù)個調(diào)節(jié)器以及數(shù)個研磨頭，其中各研磨臺具有一光源，而研磨墊覆蓋每個研磨臺，其中各研磨墊具有至少一透光區(qū)，對應(yīng)于研磨臺的光源。檢測器則位于各研磨墊上方，以檢測通過每個研磨墊的透光區(qū)的各個研磨臺的光源所發(fā)出的光。而處理器與各檢測器相連，且借由每個檢測器檢測的結(jié)果，來估算每個研磨墊的厚度，以個別判定研磨墊的輪廓狀況，而發(fā)出數(shù)個處理訊號。調(diào)節(jié)器則配置于各研磨墊上方，且與處理器相連，其中調(diào)節(jié)器用以調(diào)節(jié)每一個研磨墊，并根據(jù)處理器發(fā)出的各個處理訊號分別調(diào)整每個調(diào)節(jié)器的處理程序，使得研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。而研磨頭都配置于各研磨墊上方的調(diào)節(jié)器旁，以分別抓住各個晶圓。本發(fā)明又提出一種在線控制研磨墊輪廓的方法，適于借由調(diào)整一調(diào)節(jié)器的處理程序，來控制一研磨墊的輪廓。而此種在線控制研磨墊輪廓的方法是先利用一檢測器檢測由研磨墊下的一研磨臺發(fā)出的光。之后，利用與檢測器相連的一處理器依照檢測器檢測的結(jié)果進(jìn)行分析，以估算研磨墊的厚度，并從處理器發(fā)出一處理訊號。接著，根據(jù)處理器發(fā)出的處理訊號，調(diào)整調(diào)節(jié)器的處理程序，使得研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。本發(fā)明因為在一化學(xué)機(jī)械研磨裝置中設(shè)有一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，并配合研磨墊的透光區(qū)與研磨臺中的光源，所以能在線控制研磨墊輪廓，以降低關(guān)于晶圓內(nèi)不均勻度的變量，并且在化學(xué)機(jī)械研磨之后易于擁有具任何可獲致優(yōu)異平坦性的研磨墊輪廓。因此，當(dāng)研磨墊輪廓超出控制的范圍時，系統(tǒng)將被動態(tài)實時執(zhí)行研磨墊調(diào)節(jié)步驟，直到研磨墊輪廓達(dá)到使用者的要求才停止。而且，本發(fā)明可應(yīng)用于就地(in-situ)制作工藝或另處(ex-situ)制作工藝中，其中就地制作工藝系連續(xù)地調(diào)節(jié)再根據(jù)回饋信息去增加或減少某些區(qū)域上的修整量(dressingamount)；而另處(ex-situ)制作工藝系借由以前地回饋信息或于回饋信息的某數(shù)量之后來決定調(diào)節(jié)處理程序。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。圖1是依照本發(fā)明的第一實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。圖2是圖1中的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨臺上視圖。圖3是依照圖2的III-III剖面的研磨臺與其上的研磨墊剖面示意圖。圖4是依照圖3的化學(xué)機(jī)械研磨裝置在線控制研磨墊輪廓的動作統(tǒng)程圖。圖5是依照本發(fā)明的第二實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的上視示意圖。圖6是依照本發(fā)明的第三實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的上視示意圖。圖7是傳統(tǒng)無研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨墊輪廓曲線圖。圖8是依照本發(fā)明具有研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨墊輪廓曲線圖。標(biāo)號說明10晶圓100化學(xué)機(jī)械研磨裝置110研磨臺112、112a、112b光源114發(fā)光區(qū)域116圓心120研磨墊122透光區(qū)124光126、128頂面130檢測器140處理器150調(diào)節(jié)器160研磨頭400～430步驟500、600、610機(jī)械手臂具體實施方式本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，簡稱CMP)裝置及其研磨墊(polishingpad)輪廓(profile)調(diào)節(jié)方法(conditioningmethod)，其可根據(jù)各種情況而使用于其它不同結(jié)構(gòu)的平坦化制作工藝，凡符合本發(fā)明的精神，皆適用于本發(fā)明的范疇。而且，以下各實施例為本發(fā)明的范例之一，然而其僅為舉例之用而非用以限定本發(fā)明。第一實施例圖1是依照本發(fā)明的第一實施例的化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，簡稱CMP)裝置的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。請參照圖1，本實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置100適于研磨一晶圓10，此裝置100包括一研磨臺(polishingtable)110、一研磨墊(pad)120、一檢測器(detector)130、一處理器140、一調(diào)節(jié)器(conditioner)150以及一研磨頭(head)160，其中研磨臺110具有至少一光源112。而研磨墊120系覆蓋研磨臺110，并具有至少一透光區(qū)122，對應(yīng)于研磨臺110的光源112。檢測器130則位于研磨墊120上方，以檢測通過研磨墊120的透光區(qū)122的光源112所發(fā)出的光124。處理器140則是與檢測器130相連，且借由檢測器130檢測的結(jié)果，來估算研磨墊120的厚度，以判定研磨墊120的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號。而如何依照通過透光區(qū)122的光124來估算研磨墊120厚度的方式將詳述于后。再者，調(diào)節(jié)器150配置于研磨墊120上方，且與處理器140相連，其中調(diào)節(jié)器150用以調(diào)節(jié)研磨墊120并根據(jù)處理器140發(fā)出的處理訊號調(diào)整調(diào)節(jié)器150調(diào)節(jié)研磨墊120的處理程序，使得研磨墊120的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器150處理后為一優(yōu)選的狀況。而研磨頭160是配置于研磨墊120上方的調(diào)節(jié)器150旁用以抓住晶圓10，來進(jìn)行晶圓10的研磨。另外，研磨臺110的光源112可有各種變形，如圖2所示。圖2是圖1中的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨臺上視圖。請參照圖2，光源112配置于研磨臺110的徑向方向的一線型發(fā)光區(qū)域114中，其中光源例如條狀光源112b或是數(shù)個點狀光源112a。此外，光源112的配置也可以如本圖是貫通整個于研磨臺110的徑向；抑或，只有從研磨臺110的圓心116延伸至研磨臺110的邊緣。再者，光源112例如是冷光光源。而前述圖1的描述中曾提及依照通過透光區(qū)122的光124來估算研磨墊120厚度的方式，可參考圖3。圖3是依照圖2的III-III剖面的研磨臺與其上的研磨墊剖面示意圖。請參照圖3，研磨墊120的透光區(qū)122如本圖可作成梯形，且于研磨墊120未經(jīng)磨耗之初，研磨墊120的頂面128的透光區(qū)122寬度可設(shè)為2a，而在研磨墊120經(jīng)過一段時間的磨耗之后，其頂面126的透光區(qū)122寬度2b也會逐漸變大，且其寬度2b可經(jīng)由檢測器130檢測通過透光區(qū)122的光源112所發(fā)出的光來獲得。所以當(dāng)透光區(qū)122側(cè)面與研磨臺110的夾角θ為已知時，可利用下面公式一計算出研磨墊120消耗的厚度hh＝L×tanθ＝(b-a)×tanθ公式一因此，處理器140可對照原始的研磨墊120厚度估算出目前研磨墊120的實際厚度。以上為利用研磨墊120的透光區(qū)122面積，來測得研磨墊120厚度的一種范例，而非用以限定本發(fā)明的厚度量測機(jī)制。另外，為說明如何應(yīng)用本發(fā)明的裝置在線控制研磨墊輪廓，請參考圖4，其系依照圖1的化學(xué)機(jī)械研磨裝置在線控制研磨墊輪廓的動作流程圖。請參照圖4，本發(fā)明所提供的在線控制研磨墊輪廓的方法包括先進(jìn)行步驟400，利用檢測器進(jìn)行檢測，其系檢測由研磨墊120下的研磨臺110發(fā)出的光124(請見圖1)。之后，進(jìn)行步驟410，利用與檢測器相連的處理器進(jìn)行結(jié)果分析，以依照檢測器檢測的結(jié)果來估算研磨墊的厚度，并從處理器發(fā)出一處理訊號，再接續(xù)步驟420，根據(jù)處理器發(fā)出的處理訊號調(diào)整調(diào)節(jié)器的處理程序，其中處理訊號包括實時回饋的信息、以前的回饋信息或于回饋信息的某數(shù)量之后來決定調(diào)節(jié)處理程序。而在調(diào)整調(diào)節(jié)器的處理程序后，將利用調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)研磨墊，以增加或減少修整量(dressingamount)，使得研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。最后，進(jìn)行步驟430，繼續(xù)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。而本發(fā)明的在線控制研磨墊輪廓的方法可以應(yīng)用于就地(in-situ)或另處(ex-situ)的化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝中。此外，本發(fā)明的概念可應(yīng)用于各種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，以下舉兩種實施例。第二實施例圖5是依照本發(fā)明的第二實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的上視示意圖，為區(qū)別本實施例與第一實施例，于圖5中將省略部分構(gòu)件，并且使用與圖1相同的圖示標(biāo)號來代表具有相同功用的構(gòu)件。請參照圖5，本實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置與第一實施例最大的不同在于這種裝置可同時進(jìn)行研磨拋光步驟以及研磨墊調(diào)節(jié)(padconditioning)步驟。這種裝置的研磨頭160與調(diào)節(jié)器150系分別借由一機(jī)械手臂500抓住，并可同時放置于一個研磨臺110上。因此，當(dāng)研磨頭160進(jìn)行研磨拋光時，調(diào)節(jié)器150可同時進(jìn)行調(diào)節(jié)。再者，檢測器(未示出)可配置于機(jī)械手臂500上，直接進(jìn)行檢測。第三實施例圖6則是依照本發(fā)明的第三實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的上視示意圖，為區(qū)別本實施例與第一實施例，于圖6中將省略部分構(gòu)件，并且使用與圖1相同的圖示標(biāo)號來代表具有相同功用的構(gòu)件。請參照圖6，本實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置與第一實施例最大的不同在于這種裝置可同時進(jìn)行數(shù)片晶圓的研磨拋光步驟。這種裝置具有數(shù)個研磨臺110、研磨頭160與調(diào)節(jié)器150，且各研磨頭160可借由一個機(jī)械手臂600來進(jìn)行移動。而每個調(diào)節(jié)器150也可借由另一些機(jī)械手臂610來進(jìn)行移動，其中研磨頭160的移動軌跡例如圖中的箭號所示。再者，檢測器(未示出)同樣可配置于機(jī)械手臂600上，以直接進(jìn)行檢測。此外，為凸顯本發(fā)明的功效，請參考以下的實驗曲線圖。圖7是傳統(tǒng)無研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨墊輪廓曲線圖；以及圖8是依照本發(fā)明具有研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的研磨墊輪廓曲線圖。請參考圖7與圖8，從這兩個圖即可知本發(fā)明(圖8)的研磨墊輪廓明顯較傳統(tǒng)(圖7)的研磨墊輪廓平坦，尤其是傳統(tǒng)的研磨墊中央?yún)^(qū)域的厚度明顯低于兩側(cè)的厚度，因此傳統(tǒng)方式易造成晶圓內(nèi)不均勻度(withinwafernon-uniformity，縮寫為WIWNU)不佳。綜上所述，本發(fā)明的特點之一是在一化學(xué)機(jī)械研磨裝置中設(shè)有一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，并配合研磨墊的透光區(qū)與研磨臺中的光源，故能在線控制研磨墊輪廓，以降低關(guān)于晶圓內(nèi)不均勻度的變量，并于研磨后易于擁有具可獲致優(yōu)異平坦性的研磨墊輪廓。因此，當(dāng)研磨墊輪廓超出控制的范圍時，系統(tǒng)將被動態(tài)實時執(zhí)行研磨墊調(diào)節(jié)步驟，直到研磨墊輪廓達(dá)到使用者的要求才停止。而且，本發(fā)明可連續(xù)地調(diào)節(jié)再根據(jù)回饋信息去增加或減少某些區(qū)域上的修整量；或是借由以前地回饋信息或于回饋信息的某數(shù)量之后來決定調(diào)節(jié)處理程序。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何業(yè)內(nèi)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，用于一化學(xué)機(jī)械研磨裝置，該化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括一研磨墊、一研磨臺、一研磨頭以及一調(diào)節(jié)器，其中該研磨墊包含一透光區(qū)，該研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)包括至少一光源，設(shè)置于該研磨臺中，其中該光源對應(yīng)于該研磨墊的該透光區(qū)；一檢測器，位于該研磨墊上方，以檢測通過該研磨墊的該透光區(qū)的該光源所發(fā)出的光；以及一處理器，根據(jù)該檢測器所檢測的結(jié)果，來估算該研磨墊的厚度，以判定該研磨墊的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號至該調(diào)節(jié)器，借以調(diào)整該調(diào)節(jié)器的處理程序，使得該研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過該調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。2.如權(quán)利要求1所述的研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，其中該光源配置于該研磨臺的徑向方向的一線型發(fā)光區(qū)域中。3.如權(quán)利要求2所述的研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，其中該光源包括條狀光源與多個點狀光源其中之一。4.如權(quán)利要求1所述的研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，其中該處理器估算該研磨墊的厚度是借由該檢測器檢測該透光區(qū)的面積，來判斷該研磨墊的局部磨耗狀況。5.如權(quán)利要求1所述的研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，其中該光源包括冷光光源。6.如權(quán)利要求1所述的研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，其中該檢測器配置于一機(jī)械手臂上，其中該機(jī)械手臂用來移動該研磨頭。7.一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，適于研磨一晶圓，該化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括一研磨臺，具有至少一光源；一研磨墊，覆蓋該研磨臺，其中該研磨墊具有至少一透光區(qū)，對應(yīng)于該研磨臺的該光源；一檢測器，位于該研磨墊上方，以檢測通過該研磨墊的該透光區(qū)的該研磨臺的該光源所發(fā)出的光；一處理器，與該檢測器相連，且借由該檢測器檢測的結(jié)果，來估算該研磨墊的厚度，以判定該研磨墊的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號；一調(diào)節(jié)器，配置于該研磨墊上方，且與該處理器相連，其中該調(diào)節(jié)器用以調(diào)節(jié)該研磨墊并根據(jù)該處理器發(fā)出的該處理訊號調(diào)整處理程序，使得該研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過該調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況；以及一研磨頭，配置于該研磨墊上方的該調(diào)節(jié)器旁，用以抓住該晶圓。8.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該研磨臺的該光源配置于該研磨臺的徑向方向的一線型發(fā)光區(qū)域中。9.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該研磨臺的該光源包括條狀光源與多個點狀光源其中之一。10.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該處理器估算該研磨墊的厚度是借由該檢測器檢測該透光區(qū)的面積，來判斷該研磨墊的局部磨耗狀況。11.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該研磨臺的該光源包括冷光光源。12.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，還包括一機(jī)械手臂，位于該研磨墊上方并與該研磨頭相連，用以移動該研磨頭。13.如權(quán)利要求12所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該檢測器配置于該機(jī)械手臂上。14.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，還包括一機(jī)械手臂，位于該研磨墊上方并與該調(diào)節(jié)器相連，用以移動該調(diào)節(jié)器。15.一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，適于同時研磨多個晶圓，該化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括多個研磨臺，每一研磨臺具有至少一光源；多個研磨墊，覆蓋每一研磨臺，其中每一研磨墊具有至少一透光區(qū)，對應(yīng)于每一研磨臺的該光源；多個檢測器，位于所述研磨墊上方，以檢測通過每一研磨墊的該透光區(qū)的每一研磨臺的該光源所發(fā)出的光；一處理器，與所述檢測器相連，且借由所述檢測器檢測的結(jié)果，來估算每一研磨墊的厚度，以個別判定所述研磨墊的輪廓狀況，而發(fā)出多個處理訊號；多個調(diào)節(jié)器，配置于所述研磨墊上方，且與該處理器相連，其中所述調(diào)節(jié)器用以調(diào)節(jié)每一研磨墊，并根據(jù)該處理器發(fā)出的所述處理訊號分別調(diào)整所述調(diào)節(jié)器的處理程序，使得所述研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過所述調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況；以及多個研磨頭，配置于所述研磨墊上方的所述調(diào)節(jié)器旁，以分別抓住所述晶圓。16.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中每一研磨臺的該光源配置于經(jīng)過每一研磨臺的徑向方向的一線型發(fā)光區(qū)域中。17.如權(quán)利要求16所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該光源包括條狀光源與多個點狀光源其中之一。18.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該處理器估算每一研磨墊的厚度是借由所述檢測器檢測每一研磨墊的該透光區(qū)的面積，來判斷所述研磨墊的局部磨耗狀況。19.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中該光源包括冷光光源。20.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，還包括一機(jī)械手臂，位于所述研磨墊上方并與所述研磨頭相連，用以移動所述研磨頭。21.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中所述檢測器配置于該機(jī)械手臂上。22.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，還包括多個機(jī)械手臂，位于該研磨墊上方并分別與所述調(diào)節(jié)器相連，用以移動所述調(diào)節(jié)器。23.一種在線控制研磨墊輪廓的方法，適于借由調(diào)整一調(diào)節(jié)器的處理程序，來控制一研磨墊的輪廓，其步驟包括利用一檢測器檢測由該研磨墊下的一研磨臺發(fā)出的光；利用與該檢測器相連的一處理器依照該檢測器檢測的結(jié)果進(jìn)行分析，以估算該研磨墊的厚度，并從該處理器發(fā)出一處理訊號；以及根據(jù)該處理器發(fā)出的該處理訊號，調(diào)整該調(diào)節(jié)器的處理程序，使得該研磨墊的輪廓狀況在經(jīng)過該調(diào)節(jié)器處理后為一優(yōu)選的狀況。24.如權(quán)利要求23所述的在線控制研磨墊輪廓的方法，其中調(diào)整該調(diào)節(jié)器的處理程序后，還包括利用該調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)該研磨墊，以增加修整量。25.如權(quán)利要求23所述的在線控制研磨墊輪廓的方法，其中調(diào)整該調(diào)節(jié)器的處理程序后，還包括利用該調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)該研磨墊，以減少修整量。26.如權(quán)利要求23所述的在線控制研磨墊輪廓的方法，其中該處理器估算所述研磨墊的厚度利用該檢測器檢測由該研磨臺發(fā)出的光透過該研磨墊的透光區(qū)面積，來判斷該研磨墊的局部磨耗狀況。27.如權(quán)利要求23所述的在線控制研磨墊輪廓的方法，包括應(yīng)用于就地的化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝中。28.如權(quán)利要求23所述的在線控制研磨墊輪廓的方法，包括應(yīng)用于另處的化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝中。全文摘要一種研磨墊輪廓的控制系統(tǒng)，適于包括研磨墊、研磨臺、研磨頭以及調(diào)節(jié)器的一化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其中研磨墊包含一透光區(qū)。而這種控制系統(tǒng)包括至少一光源、一檢測器以及一處理器。而光源設(shè)置于研磨臺中，且對應(yīng)于研磨墊的透光區(qū)。檢測器則位于研磨墊上方，以檢測通過研磨墊的透光區(qū)的光源所發(fā)出的光。處理器根據(jù)檢測器所檢測的結(jié)果，來估算研磨墊的厚度，以判定研磨墊的輪廓狀況，進(jìn)而發(fā)出一處理訊號至調(diào)節(jié)器，借以調(diào)整調(diào)節(jié)器的處理程序。由于本發(fā)明能在線控制研磨墊輪廓，所以可降低關(guān)于晶圓內(nèi)不均勻度的變量而獲致平坦的研磨墊輪廓。文檔編號B24B49/12GK1618570SQ20031011643公開日2005年5月25日申請日期2003年11月21日優(yōu)先權(quán)日2003年11月21日發(fā)明者林青彥,董人杰,黃國維,謝嘉擎申請人:茂德科技股份有限公司