專利名稱：氮化硅層的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜的形成方法，特別是涉及一種利用具有多孔式氣體注入器的沉積爐管以形成氮化硅層的氮化硅層的形成方法。
背景技術：
在晶圓上形成薄膜有許多可采取的方式，其中一種方法是為化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)?；瘜W氣相沉積是將反應氣體輸送至高溫爐內，并且使反應氣體與置于爐內的晶圓產生化學反應，以在晶圓表面沉積一層薄膜。化學氣相沉積制程所使用的沉積爐管包括有水平式沉積爐管與直立式沉積爐管。其中直立式沉積爐管的反應器是以直立的方式配置，且由于其所需的整體體積較小，因此在使用上有逐漸取代水平式沉積爐管的趨勢。
以氮化硅層的沉積來說，當利用直立式沉積爐管來進行時，二氯硅烷(Dichlorosilane，SiH2Cl2)、氨氣(NH3)等反應氣體會藉由氣體注入管從沉積爐管的底部分別進入沉積爐管內，并且共同與放置在晶舟(Boat)上的各個晶圓產生化學反應，以在晶圓表面形成氮化硅層。然而，由于這些反應氣體是僅能從沉積爐管的底部進入沉積爐管，因此反應氣體，特別是反應所需比例較低的反應氣體，無法充分到達沉積爐管的頂部，而導致一個晶舟上的各個晶圓之間的沉積均勻性不佳。以微機電系統(MEMS)中的氮化硅層來說，沉積此氮化硅層所需的反應氣體一般是為二氯硅烷與氨氣，而且由于微機電系統(MEMS)對于氮化硅層有低應力的需求，因此所使用的二氯硅烷的流量一般會大于氨氣的流量，以形成多硅氮化硅層。不過，在沉積氮化硅層的過程中，由于流量較小的氨氣無法充分到達沉積爐管的頂部，因此會使得一個晶舟上的各個晶圓之間其上的氮化硅層，沉積均勻性不佳。換言之，即使晶舟上的各個位置皆放置有晶圓，仍只有位于晶舟部分區(qū)域的晶圓才可形成低應力的氮化硅層，因此一次沉積制程的晶圓的產量會受到影響。
另一方面，在微機電系統(MEMS)中，由于所需形成的氮化硅層的厚度一般都介于7000埃至10000埃之間，較一般元件中的氮化硅層為厚。因此在微機電系統元件中，若無法形成低應力的氮化硅層，相較于一般元件中的氮化硅層，將更易剝離，進而造成元件失效的問題。舉例來說，一個位于噴墨頭上的微集成電路元件，其是藉由虹吸現象來吸取墨水匣中的墨水。然而，若此以氮化硅層為腔壁的集成電路元件，其氮化硅層因應力過大而剝離時，會使得集成電路元件無法再吸取墨水，而造成噴墨頭無法再使用的問題。因此，對于微機電系統元件來說，其對于低應力的要求更甚于一般元件。但是如此一來，一個晶舟內能達到微機電系統的低應力標準的晶圓數將更為減少，從而量產微機電系統元件將更加困難。
由此可見，上述現有的氮化硅層的形成方法在形成方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決氮化硅層的形成方法存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但是長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的形成方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現有的氮化硅層的形成方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及其專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新的氮化硅層的形成方法，能夠改進一般現有的氮化硅層的形成方法，使其更具有實用性。經過不斷研究、設計，并經反復試作及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，克服現有的氮化硅層的形成方法存在的缺陷，而提供一種新的氮化硅層的形成方法，所要解決的技術問題是使其可以解決在微機電系統元件的制程中，晶圓量產不易的問題，從而更加適于實用，且具有產業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種氮化硅層的形成方法，所要解決的技術問題是使其可以解決現有習知方法在一個晶舟上，各個晶圓之間的沉積均勻性不佳的問題，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發(fā)明提出的一種氮化硅層的形成方法，適用于微機電系統(MEMS)元件的制程，包括以下步驟提供一沉積爐管，該沉積爐管包括一外管；一晶舟，配置在該外管的內部，用以承載多數個晶圓；一氣體注入器，位于該外管與該晶舟之間；以及一氣體均勻注入裝置，位于該外管與該晶舟之間，而且由該氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于該沉積爐管內；以及將一含硅氣體源藉由該氣體注入器輸送至該沉積爐管內，并且將混合有一載氣的一含氮氣體源藉由該氣體均勻注入裝置輸送至沉積爐管內，以在該些晶圓表面沉積一氮化硅層，其中該含硅氣體源的流量是大于含氮氣體源的流量。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的氣體注入器包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的氣體均勻注入裝置包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的多孔式氣體注入器具有5個以上的氣體輸出孔。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的含硅氣體源與該含氮氣體源的流量比是至少大于3∶1。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的含硅氣體源包括二氯硅烷(Dichlorosilane，SiH2Cl2)。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的含氮氣體源包括氨氣(NH3)。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的載氣與該含氮氣體源的混合比例是介于1∶1至10∶1之間。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的載氣包括氮氣。
前述的氮化硅層的形成方法，其中在形成該氮化硅層的過程中，該沉積爐管內的壓力是介于0.1torr至1torr之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現。依據本發(fā)明提出的一種氮化硅層的形成方法，其包括以下步驟提供一沉積爐管，該沉積爐管包括一外管；一晶舟，配置在該外管的內部，用以承載多數個晶圓；一氣體注入器，位于該外管與該晶舟之間；以及一氣體均勻注入裝置，位于該外管與該晶舟之間，而且由該氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于該沉積爐管內；以及將一第一反應氣體源藉由該氣體注入器輸送至該沉積爐管內，并且將一第二反應氣體源藉由該氣體均勻注入裝置輸送至該沉積爐管內，以在該些晶圓表面沉積一氮化硅層，其中該第一反應氣體源的流量是大于該第二反應氣體源的流量。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的氣體注入器包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的氣體均勻注入裝置包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的多孔式氣體注入器具有5個以上的氣體輸出孔。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的第一反應氣體源是為一含硅氣體源與一含氮氣體源其中之一，且該第二反應氣體源是為其中之另一。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的含硅氣體源包括二氯硅烷。
前述的氮化硅層的形成方法，其中所述的含氮氣體源包括氨氣。
本發(fā)明與現有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術內容如下本發(fā)明提出一種氮化硅層的形成方法，此形成方法適用于微機電系統元件的制程，此形成方法是先提供一沉積爐管(Deposition Furnace)，此沉積爐管包括一外管(Outer Tube)、一晶舟(Boat)、一氣體注入器(GasInjector)與一氣體均勻注入裝置(Gas Uniform Injection Apparatus)。其中晶舟配置在外管內部，用以承載多數個晶圓。此外，氣體注入器位于外管與晶舟之間。另外，氣體均勻注入裝置位于外管與晶舟之間，而且由此氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布在沉積爐管內。其中此氣體均勻注入裝置例如是多孔式氣體注入器(Multi-Apertures Gas Injector)沿著晶舟的延伸方向延伸。接著，將含硅氣體源藉由氣體注入器輸送至沉積爐管內，并且將混合有載氣的含氮氣體源藉由氣體均勻注入裝置輸送至沉積爐管內，以在晶圓表面沉積氮化硅層，其中上述的含硅氣體源的流量是大于含氮氣體源的流量。
在上述制程中，由于此氣體均勻注入裝置可以使流量較小的含氮氣體源均勻分布于沉積爐管內。因此在沉積氮化硅層時，沉積爐管內的各個區(qū)域的含硅氣體源與含氮氣體源的混合比例是具有一致性。于是，可在晶舟內的各個晶圓表面形成厚度較厚，且應力較低的氮化硅層，以符合微機電系統元件的需求。
本發(fā)明提出另一種氮化硅層的形成方法，此形成方法是先提供一沉積爐管，此沉積爐管包括一外管、一晶舟、一氣體注入器與一氣體均勻注入裝置。其中晶舟配置在外管內部，用以承載多數個晶圓。此外，氣體注入器位于外管與晶舟之間。另外，氣體均勻注入裝置位于外管與晶舟之間，而且由此氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布在沉積爐管內。其中此氣體均勻注入裝置例如是多孔式氣體注入器，沿著晶舟的延伸方向延伸。接著，將第一反應氣體源藉由氣體注入器輸送至沉積爐管內，并且將第二反應氣體源藉由氣體均勻注入裝置輸送至沉積爐管內，以在晶圓表面沉積氮化硅層，其中上述的第一反應氣體源的流量是大于第二反應氣體源的流量。
在上述制程中，由于此氣體均勻注入裝置可以使流量較小的第二反應氣體源均勻分布于沉積爐管內。因此在沉積氮化硅層時，沉積爐管內的各個區(qū)域的第一反應氣體源與第二反應氣體源的混合比例具有一致性。于是，可以使得晶舟內的各個晶圓之間具有良好的沉積均勻性。
經由上述可知，本發(fā)明氮化硅層的形成方法，是先提供沉積爐管，且此沉積爐管包括外管、晶舟、氣體注入器與氣體均勻注入裝置。其中晶舟配置在外管內部，用以承載多數個晶圓。此外，氣體注入器位于外管與晶舟之間。另外，氣體均勻注入裝置位于外管與晶舟之間，而且由此氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于沉積爐管內。接著，將含硅氣體源藉由氣體注入器輸送至沉積爐管內，并且將混合有載氣的含氮氣體源藉由氣體均勻注入裝置輸送至沉積爐管內，以在晶圓表面沉積氮化硅層。
借由上述技術方案，本發(fā)明氮化硅層的形成方法至少具有下列優(yōu)點1、由于本發(fā)明的氣體均勻注入裝置可以使得流量相對較小的第二反應氣體源均勻分布于沉積爐管內，因此在沉積氮化硅層時，沉積爐管內的各個區(qū)域的第一反應氣體源與第二反應氣體源的混合比例是具有一致性。于是，可以使得晶舟內的各個晶圓之間具有良好的沉積均勻性。
2、由于利用本發(fā)明的方法可以使得晶舟底部至頂部的晶圓其上所形成的氮化硅層，其膜厚具有一致性，因此可以提高一次沉積制程的晶圓產量。
3、對于微機電系統元件來說，由于本發(fā)明的氣體均勻注入裝置可以使流量較小的含氮氣體源均勻分布于沉積爐管內。因此在沉積氮化硅層時，沉積爐管內的各個區(qū)域的含硅氣體源與含氮氣體源的混合比例是具有一致性。于是，可在晶舟內的各個晶圓表面形成厚度較厚，且應力較低的氮化硅層，以符合微機電系統元件的需求。
綜上所述，本發(fā)明氮化硅層的形成方法，可解決在微機電系統元件的制程中晶圓量產不易的問題，還可解決習知方法在一個晶舟上各個晶圓之間的沉積均勻性不佳的問題。其具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，并在同類方法中未見有類似設計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上或功能上皆有較大改進，在技術上有較大進步，并產生了好用及實用的效果，從而更加適于實用，具有產業(yè)廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種直立式沉積爐管的剖面示意圖。
100沉積爐管 102外管104內管 106晶舟108氣體注入器110多孔式氣體注入器112氣體出口端114晶舟基座116晶圓 118、122氣體輸入部120氣體輸出部124延伸部126氣體輸出孔130底部基座具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發(fā)明提出的氮化硅層的形成方法其具體實施方式
、形成方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖1所示，是本發(fā)明一較佳實施例的一種直立式沉積爐管的剖面示意圖。
本發(fā)明的氮化硅層的形成方法，是首先提供如圖1所示的直立式沉積爐管100。此沉積爐管100包括有外管102、內管104、晶舟106、氣體注入器108與氣體均勻注入裝置。其中氣體均勻注入裝置例如是多孔式氣體注入器110或是可以使得所輸出的氣體均勻分布于沉積爐管100內的其他合適的氣體注入裝置。
上述外管102的內壁是定義出一個沉積反應室，其材質例如是石英。而且，外管102上更包括具有氣體出口端112，此氣體出口端112是與泵(圖中未示)連接，用以將沉積反應所產生的副產物或未反應的反應氣體抽出反應室。另外，內管104是配置于與外管102內，其材質例如是石英。此外，晶舟106是配置內管104的內部，且位于晶舟基座114之上，用以承載多數個晶圓116。
另外，該氣體注入器108是由氣體輸入部118與氣體輸出部120所構成。其中氣體輸入部118經由底部基座130與氣體輸出部120連接。而氣體輸出部120位于內管104與晶舟106之間，以將反應氣體輸出至沉積爐管100內。
此外，多孔式氣體注入器110是由氣體輸入部122與延伸部124所構成，且延伸部124上是具有多數個氣體輸出孔126。其中氣體輸入部122經由底部基座130與延伸部124連接。而延伸部124位于內管104與晶舟106之間，并且沿著晶舟106的延伸方向延伸，其例如是朝上延伸。此外，延伸部124上的氣體輸出孔126，可使反應氣體均勻分布于沉積爐管100內。特別是，延伸部124的長度以及其上的氣體輸出孔126的數目并無特別的限制，亦即只要能使所輸入的反應氣體均勻分布于沉積爐管100內即可。在一較佳實施例中，氣體輸出孔126的數目是大于5個以上。
接著，將第一反應氣體源藉由該氣體注入器108輸送至沉積爐管100內，并且將第二反應氣體源藉由多孔式氣體注入器110輸送至沉積爐管100內，以在晶圓116表面形成氮化硅層。其中，上述的第一反應氣體源的流量是大于第二反應氣體源的流量。在一較佳實施例中，第一反應氣體源例如是含氮氣體源，且第二反應氣體源例如是含硅氣體源，因此所形成的氮化硅層是為多氮(Nitrogen-Rich)氮化硅層。在另一較佳實施例中，第一反應氣體源例如是含硅氣體源，且第二反應氣體源例如是含氮氣體源，所形成的氮化硅層是為多硅(Silicon-Rich)氮化硅層。其中上述的含硅氣體源例如是二氯硅烷或是其他合適的含硅的氣體，而上述的含氮氣體源例如是氨氣或是其他合適的含氮的氣體。
此外，在另一實施例中，氣體注入器108也可以是類似圖1所示的多孔式氣體注入器110，其是由氣體輸入部與延伸部所構成，且延伸部上是具有多數個氣體輸出孔。
由于上述的多孔式氣體注入器110上具有多數個氣體輸出孔126，因此流量較小的第二反應氣體源能均勻分布于沉積爐管100內，進而使得第一反應氣體源與第二反應氣體源的混合比例于沉積爐管100內的各個區(qū)域具有一致性。如此一來，自晶舟106底部至頂部的晶圓116表面都可形成膜厚度一致的氮化硅層。
此外，以微機電系統(MEMS)元件的制程來說，為了符合其對氮化硅層的低應力的要求，是以形成多硅氮化硅層為佳。在一較佳實施例中，上述的含硅氣體源例如是二氯硅烷，且含氮氣體源例如是氨氣，而且此二氯硅烷與氨氣的流量比例如是至少大于3∶1，其中二氯硅烷單位時間的流量例如是450ml，且氨氣單位時間的流量例如是90ml。由于在氮化硅層的形成過程中，多孔式氣體注入器110上具有多數個氣體輸出孔126，因此流量較小的含氮氣體源能均勻分布于沉積爐管100內，進而使得含硅氣體源與含氮氣體源的混合比例于沉積爐管100內的各個區(qū)域具有一致性。如此一來，自晶舟106底部至頂部的晶圓116表面都可形成膜厚一致且具有低應力的氮化硅層。此外，流量較低的含氮氣體源是混合有載氣，用以攜帶并稀釋此含氮氣體源。在一較佳實施例中，載氣與含氮氣體源的混合比例例如是介于1∶1至10∶1之間，其中此載氣例如是氮氣或是其他合適的氣體，而含氮氣體源例如是氨氣或是其他合適的含氮的氣體。
特別值得一提的是，若用以稀釋含氮氣體源的載氣與含氮氣體源的混合比例是介于1∶1至10∶1之間，且在形成氮化硅層的過程中，沉積爐管100內的壓力是介于0.1torr至1torr之間，則利用上述這些制程條件可以使得晶舟106上的100片以上的晶圓其上的氮化硅層皆具有低應力，而且各個晶圓之間亦具有良好的沉積均勻性。除此之外，利用上述的方法更可形成厚度大于3000埃以上的氮化硅層，以符合微機電系統元件的需求。因此，本發(fā)明的氮化硅層的形成方法亦適用于量產微機電系統元件。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種氮化硅層的形成方法，適用于微機電系統(MEMS)元件的制程，特征在于該形成方法包括以下步驟提供一沉積爐管，該沉積爐管包括一外管；一晶舟，配置在該外管的內部，用以承載多數個晶圓；一氣體注入器，位于該外管與該晶舟之間；及一氣體均勻注入裝置，位于該外管與該晶舟之間，而且由該氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于該沉積爐管內；以及將一含硅氣體源藉由該氣體注入器輸送至該沉積爐管內，并且將混合有一載氣的一含氮氣體源藉由該氣體均勻注入裝置輸送至該沉積爐管內，以在該些晶圓表面沉積一氮化硅層，其中該含硅氣體源的流量是大于該含氮氣體源的流量。
2.根據權利要求1所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的氣體注入器包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
3.根據權利要求1所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的氣體均勻注入裝置包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
4.根據權利要求3所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的多孔式氣體注入器具有5個以上的氣體輸出孔。
5.根據權利要求1所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的含硅氣體源與該含氮氣體源的流量比是至少大于3∶1。
6.根據權利要求5所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的含硅氣體源包括二氯硅烷(Dichlorosilane，SiH2Cl2)。
7.根據權利要求5所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的含氮氣體源包括氨氣(NH3)。
8.根據權利要求1所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的載氣與該含氮氣體源的混合比例是介于1∶1至10∶1之間。
9.根據權利要求8所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的載氣包括氮氣。
10.根據權利要求8所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中在形成該氮化硅層的過程中，該沉積爐管內的壓力是介于0.1torr至1torr之間。
11.一種氮化硅層的形成方法，其特征在于該形成方法包括以下步驟提供一沉積爐管，該沉積爐管包括一外管；一晶舟，配置在該外管的內部，用以承載多數個晶圓；一氣體注入器，位于該外管與該晶舟之間；及一氣體均勻注入裝置，位于該外管與該晶舟之間，而且由該氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于該沉積爐管內；以及將一第一反應氣體源藉由該氣體注入器輸送至該沉積爐管內，并且將一第二反應氣體源藉由該氣體均勻注入裝置輸送至該沉積爐管內，以在該些晶圓表面沉積一氮化硅層，其中該第一反應氣體源的流量是大于該第二反應氣體源的流量。
12.根據權利要求11所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的氣體注入器包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
13.根據權利要求11所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的氣體均勻注入裝置包括一多孔式氣體注入器，且該多孔式氣體注入器沿著該晶舟的延伸方向延伸。
14.根據權利要求13所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的多孔式氣體注入器具有5個以上的氣體輸出孔。
15.根據權利要求11所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的第一反應氣體源是為一含硅氣體源與一含氮氣體源其中之一，且該第二反應氣體源是為其中之另一。
16.根據權利要求15所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的含硅氣體源包括二氯硅烷。
17.根據權利要求15所述的氮化硅層的形成方法，其特征在于其中所述的含氮氣體源包括氨氣。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種氮化硅層的形成方法，該形成方法是先提供沉積爐管，且此沉積爐管包括外管、晶舟、氣體注入器與氣體均勻注入裝置。其中晶舟配置在外管內部，用以承載多數個晶圓。此外，氣體注入器位于外管與晶舟之間。另外，氣體均勻注入裝置位于外管與晶舟之間，而且由此氣體均勻注入裝置所輸出的氣體會均勻分布于沉積爐管內。接著，將含硅氣體源藉由氣體注入器輸送至沉積爐管內，并且將混合有載氣的含氮氣體源藉由氣體均勻注入裝置輸送至沉積爐管內，以在晶圓表面沉積氮化硅層。
文檔編號C23C16/34GK1706984SQ20041004296
公開日2005年12月14日 申請日期2004年6月4日 優(yōu)先權日2004年6月4日
發(fā)明者王慶堂, 廖晉熥, 蘇耿暉, 邱煌昇, 王明信 申請人:旺宏電子股份有限公司