專利名稱：布線修復(fù)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種布線修復(fù)設(shè)備，用于修復(fù)在襯底上的布線的損壞部分，特別涉及一種布線修復(fù)設(shè)備，用于采用激光化學(xué)氣相淀積(CVD)修復(fù)布線的斷裂。
背景技術(shù)：
液晶顯示器件(LCD)近年來已經(jīng)迅速普及。這種趨勢是被基于半導(dǎo)體薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的LCD驅(qū)動的。有兩種類型的TFT非晶硅(a-Si)TFT和多晶硅(poly-Si)TFT。這兩種類型TFT具有相似的原理和結(jié)構(gòu)。隨著LCD近來變得越來越大，如短路和斷裂的損壞在包括TFT及其周圍部件的集成電路的布線中較頻繁地發(fā)生。
圖1是LCD的等效電路圖。圖2是LCD中的TFT的部分剖面圖。在圖1中，LCD101包括第一玻璃襯底102(見圖2)，與第一玻璃襯底102相對的第二玻璃襯底(附圖中未畫出)，以及布置在第一玻璃襯底102和第二玻璃襯底之間的液晶層(在附圖中未畫出)。公共電極C形成在面對第一玻璃襯底102的第二玻璃襯底的表面上。柵線G1至Gm(m是自然數(shù))和源線S1至Sn(n是自然數(shù))位于面對第二玻璃襯底的第一玻璃襯底102的表面上。柵線G平行于行的方向延伸而源線S平行于列的方向延伸。
在平面圖中，(m×n)像素104布置成矩陣。這些像素104與柵線G和源線S相互交叉的面積相對應(yīng)。每個像素104包括金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)105和電容106。MOSFET 105是TFT。MOSFET 105的源連接到任意源線S。MOSFET 105的柵連接到任意柵線G。MOSFET 105的漏連接到電容106的一個電極上。MOSFET 105的漏和公共電極C將電壓施加到液晶單元103上。電容106的另一個電極連接到電容電極Cs。液晶單元103是與每個像素104相對應(yīng)的液晶層的一部分。換句話說，液晶單元103的集合構(gòu)成了液晶層。
參考圖2，連接到任意柵線G(見圖1)的柵電極107位于第一玻璃襯底102上。覆蓋柵電極107的柵絕緣膜108位于第一玻璃襯底102的整個表面上。由非晶硅(a-Si)組成的功能膜109形成在柵電極107上方的柵絕緣膜108上。此功能膜109構(gòu)成了MOSFET 105的溝道區(qū)并包括由a-Si組成的下層109a和由n型摻雜的非定形硅(n+a-Si)組成的上層109b。功能膜109的一端被連接到任意源線S(見圖1)的源電極110覆蓋，而功能膜109的另一端被連接到電容106(見圖1)的漏電極111覆蓋。保護膜112覆蓋功能膜109、源電極110和漏電極111。
在圖1和圖2中的LCD的制造工藝中，由于在淀積、曝光、腐蝕、和清洗中的破壞性條件或在超凈間內(nèi)空中雜質(zhì)粒子的侵入，如斷裂的損壞可能發(fā)生在源線S、柵線G、柵電極107、源電極110、漏電極111等(此后總稱為布線)。采用任何現(xiàn)有先進技術(shù)也不能完全避免此類損壞。
激光修復(fù)技術(shù)已經(jīng)被希望來改善LCD的產(chǎn)量。特別地，用于在上層和下層之間斷開短路布線或使布線短路的技術(shù)在TFT制造工藝中已經(jīng)變得普遍了。例如，已經(jīng)轉(zhuǎn)讓給本申請人的日本專利申請公開號2000-328247和HEI10-324973已經(jīng)公開了通過激光CVD修復(fù)斷裂的新方法。這種激光CVD技術(shù)已經(jīng)投放市場獲得了國際認可。
根據(jù)此激光CVD技術(shù)，鎢(W)或鉻(Cr)被淀積在布線中的斷裂處以修復(fù)斷裂。此激光CVD技術(shù)能夠在短時間內(nèi)非接觸、非加熱地使損壞部分保持干狀態(tài)下得到修復(fù)。目前，每個TFT-LCD制造商依靠此激光CVD技術(shù)作為布線修復(fù)技術(shù)。
但是，上述常規(guī)技術(shù)具有下面的問題。當在布線中的斷裂被激光CVD修復(fù)時，淀積在斷裂上的材料最優(yōu)選地與構(gòu)成布線的材料相同。例如，鋁(A1)膜優(yōu)選地被激光CVD淀積在Al布線中的斷裂上，而鉻(Cr)膜被激光CVD優(yōu)選地淀積在Cr布線中的斷裂上。此修復(fù)為布線提供均勻的電導(dǎo)率。而且，其為布線提供了均勻的熱膨脹性，因此改善了布線的熱載荷抵抗力。
多數(shù)TFT-LCD具有包括兩個或多個不同材料的布線。表1示出了TFT-LCD的各個組成的材料。此表1來源于Nikkan KogyoShimbun，Ltd出版的“Liquid crystal device handbook”(液晶器件手冊)。根據(jù)表1，在TFT-LCD中的布線和電極的典型材料包括如Al、鉬(Mo)和Cr的金屬。目前，多數(shù)TFT-LCD具有包括不同材料的布線；一個實例是布線包括Al柵線和Cr源線。
(表1)

但是，如上所述，常規(guī)激光CVD設(shè)備僅能淀積一種材料(例如，是W或Cr)。例如，如果包括Al柵線和Cr源線的TFT-LCD布線用能淀積Cr的激光CVD設(shè)備修復(fù)，那么Cr源線能夠被成功地修復(fù)而Al柵線不希望地包括了用Cr修復(fù)的部分。此修復(fù)的部分具有非均勻電導(dǎo)率和非均勻熱膨脹性，在施加熱載荷時將引起熱應(yīng)力。因此，修復(fù)的布線具有可靠性上的缺點。
上述問題的解決方法是使用與作為布線的材料相同數(shù)量的激光CVD設(shè)備。在上述實例中，根據(jù)此方法，柵線用能夠淀積Al的第一激光CVD設(shè)備修復(fù)而源線用能夠淀積Cr的第二激光CVD設(shè)備修復(fù)。但是，此方法要求多個激光CVD設(shè)備，這樣具有設(shè)備成本增加和修復(fù)效率降低的問題。
另一個方法是在單一激光CVD設(shè)備中用一個CVD原料代替另一個原料。在上述實例中，根據(jù)此方法，氫化二甲基鋁(dimethylaluminumhydride)(DMAH)作為Al淀積的原料提供給激光CVD設(shè)備以修復(fù)柵線，然后將六羰基鉻(chromium hexacarbonyl)(Cr(CO)6)作為Cr淀積的原料提供給激光CVD設(shè)備以修復(fù)源線。
但是，這種方法遇到的問題是單一激光CVD設(shè)備在處理不同原料時有困難，因為它們要求不同的處理以產(chǎn)生CVD的源氣體。在上述實例中，作為Al的原料的DMAH通常是液態(tài)的，因此它被氣化以產(chǎn)生CVD的源氣體。另一方面，作為Cr原料的Cr(CO)6通常是固態(tài)的，因此它被升華以產(chǎn)生CVD的源氣體。這樣，單一激光CVD設(shè)備在既處理DMAH又處理Cr(CO)6時是困難的，因為它們要求不同的處理以產(chǎn)生源氣體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目標是提供一種布線修復(fù)設(shè)備，用來有效地修復(fù)包括不同材料的布線而不降低其質(zhì)量和可靠性。
本發(fā)明提供一種布線修復(fù)設(shè)備，用于采用激光CVD修復(fù)形成在襯底上的布線的損壞部分。此布線修復(fù)設(shè)備包括激光源單元，用于用激光束照射布線的損壞部分；CVD氣體單元，用于產(chǎn)生CVD的不同源氣體；以及氣體窗口單元，從CVD氣體單元為其提供源氣體并且其將源氣體提供到布線的被照射部分。
根據(jù)本發(fā)明，此布線修復(fù)設(shè)備具有產(chǎn)生CVD的不同源氣體的CVD氣體單元，能夠在襯底上淀積不同材料形成的多種膜。因此，如果包括不同材料的布線具有由不同材料組成的損壞部分，那么此布線能夠通過在損壞部分上淀積與損壞部分相同材料的膜而得以修復(fù)。因此，修復(fù)的布線具有較高的質(zhì)量和可靠性。在本說明書中，術(shù)語“布線”是導(dǎo)電部件；例如，此術(shù)語也包括源電極，漏電極和柵電極。
優(yōu)選地，氣體窗口單元具有與CVD氣體單元相同數(shù)量的氣體窗口，并且由CVD氣體單元產(chǎn)生的不同的源氣體被提供到不同的氣體窗口。此設(shè)備不需要為使用的源氣體的每次替換進行氣體窗口凈化，因為每個氣體窗口只被提供一種源氣體。因此，此設(shè)備具有較高的修復(fù)效率。
源氣體之一可以是氫化二甲基鋁(DMAH)氣體，用于采用激光CVD在損壞部分上淀積Al。
源氣體之一可以是六羥基鉻(Cr(CO)6)氣體，用于采用激光CVD在損壞部分上淀積Cr。
根據(jù)本發(fā)明，此布線修復(fù)設(shè)備，具有CVD氣體單元并提供不同的源氣體，允許包括不同材料的布線的有效率的修復(fù)而不降低其質(zhì)量和可靠性。


圖1是LCD的等效電路圖；圖2是LCD中的TFT的部分剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備的示意圖；
圖4是圖3所示的布線修復(fù)設(shè)備中的激光源單元及其外圍設(shè)備的示意圖；圖5是圖3所示的氣體窗口的剖面透視圖；圖6是根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備的操作流程圖；具體實施方式
下面參考附圖具體說明本發(fā)明的具體實施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明的具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備的示意圖。圖4是圖3所示的布線修復(fù)設(shè)備中的激光源單元及其外圍設(shè)備的示意圖；圖5是圖3所示的氣體窗口的剖面透視圖。根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備是激光CVD設(shè)備。
如圖3所示，根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備31包括放置被修復(fù)的襯底2的XY臺17。例如，此襯底2是如圖1和2所示的LCD的玻璃襯底，并且在其表面上具有TFT、Al柵線和Cr源線。XY臺17在水平方向，即X和Y方向自由地移動襯底2。
在XY臺17的上方具有激光源單元32，二者之間布置兩個氣體窗口1a和1b(此后也總稱為氣體窗口1)。氣體窗口1a和1b組成氣體窗口單元。激光源單元32發(fā)出激光束經(jīng)過任意一個氣體窗口1a或1b到達要修復(fù)的一部分襯底2。XY臺17的移動允許激光束照射到襯底2的任何位置上。
布線修復(fù)設(shè)備31還包括為氣體窗口1a提供CVD源氣體的CVD氣體單元33a和為氣體窗口1b提供CVD源氣體的CVD氣體單元33b。例如，CVD氣體單元33a氣化供給的DMAH以為氣體窗口1a提供Al源氣體(DMAH氣)而CVD氣體單元33b升華供給的Cr(CO)6以為氣體窗口1b提供Cr源氣體(Cr(CO)6氣)。除了上述源氣體，CVD氣體單元33a和33b為氣體窗口1a和1b分別提供抑制氣體(例如，氬(Ar)氣)，防止空氣被吸入到氣體窗口1a和1b與襯底2之間的空隙，以及窗口凈化氣體(例如，Ar氣)，防止氣體窗口1a和1b的窗口部件霧化。
在Al膜的淀積中，氣體窗口1a以離開襯底2預(yù)定的距離位于欲修復(fù)的一部分襯底2的上方。在從激光源單元32發(fā)出的激光束照射氣體窗口1a時，從CVD氣體單元33a為其提供源氣體。在為被照射的部分提供源氣體時，氣體窗口1a允許激光束照射到欲修復(fù)的一部分襯底2上。結(jié)果，在欲修復(fù)的一部分襯底2上形成Al膜。在Cr膜的淀積中，相似地，氣體窗口1b以離開襯底2預(yù)定的距離位于欲修復(fù)的一部分襯底2上方。在從激光源單元32發(fā)出的激光束照射氣體窗口1b時，從CVD氣體單元33b為其提供源氣體。結(jié)果，在欲修復(fù)的一部分襯底2上形成Cr膜。
參考圖4，激光源單元32包括在襯底2上方的微激光光學(xué)單元8和激光源11。從激光源11發(fā)射的激光束30經(jīng)過微激光光學(xué)單元8和任一氣窗1而照射到襯底2上。例如，從激光源11發(fā)射的激光束30是在波長349nm的Nd:YAG激光的三次諧波。
第一半鏡13、第二半鏡15和第三半鏡16布置在微激光光學(xué)單元8中，從而從激光源11發(fā)射的激光束30依次被第一半鏡13、第二半鏡15和第三半鏡16，以形成光路。
狹縫發(fā)光單元10布置在第一半鏡13的后面。從狹縫發(fā)光單元10中發(fā)射的光經(jīng)過第一半鏡13與第一半鏡13反射的激光束30結(jié)合。然后，激光束30通過布置在第一半鏡13和第二半鏡15之間的狹縫14。此狹縫14將激光束30的截面形狀修整為欲修復(fù)的一部分布線的形狀。發(fā)光單元18設(shè)置在第二半鏡15的后面。從發(fā)光部件18發(fā)出的光通過第二半鏡15與被第二半鏡15反射的激光束30結(jié)合。
然后，被第三半鏡16反射的激光束30依次通過中繼透鏡21和旋轉(zhuǎn)器5。旋轉(zhuǎn)器5具有高倍數(shù)第一物鏡3和低倍數(shù)第二物鏡4。旋轉(zhuǎn)器5的旋轉(zhuǎn)允許激光束30通過第一物鏡3或第二物鏡4。通過第一物鏡3或第二物鏡4的激光束30進入任一氣體窗口1。
旋轉(zhuǎn)器5和氣體窗口1被具有螺紋孔(在附圖中未示出)的支撐架22支撐，螺紋孔中擰有螺釘6。此螺釘6被連接到電機7的驅(qū)動軸上。驅(qū)動電機7使螺釘6旋轉(zhuǎn)以改變支撐架22、氣體窗口1、旋轉(zhuǎn)器5、第一物鏡3和第二物鏡4的高度。
被襯底2反射的光從中繼透鏡21進入設(shè)置在第三半透鏡16另一側(cè)的AF光學(xué)單元20和相機12。然后，AF光學(xué)單元20輸出信號到AF控制器9，AF控制器9檢測照射到襯底2上的光的焦點以根據(jù)檢測結(jié)果輸出控制信號到電機7。AF光學(xué)單元20和AF控制器9采用激光自動聚焦檢測系統(tǒng)，即使襯底2的表面上沒有圖形也能檢測到焦點。相機12被連接到TV監(jiān)視器19以顯示襯底2上的圖形。
下面說明每個氣體窗口1的結(jié)構(gòu)。參考圖5，氣體窗口1包括兩個結(jié)合的盤52和53。上盤52與激光源單元32(見圖3)相鄰而下盤53與襯底2相鄰。如玻璃的透明材料組成的圓形窗口部件49位于上盤52的中心。在下盤53中形成的向上發(fā)散的圓錐開口46位于窗口部件49的下面。從激光源單元32發(fā)射的激光束30(見圖4)通過窗口部件49和開口46照射到欲修復(fù)的一部分襯底2上。
抑制氣體入口41和源氣體入口42形成在上盤52的窗口部件49的周邊中。抑制氣體入口41通過形成在下盤53中的氣體通道與形成在下盤53的下表面的噴嘴47連通，而源氣體入口42通過形成在下盤53中的另一個氣體通道與形成在下盤53的下表面的噴嘴48連通。CVD氣體單元33a或33b為抑制氣體入口41提供抑制氣體，為源氣體入口42提供源氣體。噴嘴48是傾斜的從而向開口46正下方的區(qū)域注入源氣體。噴嘴47形成為使噴嘴48位于噴嘴47和開口46之間。此噴嘴47使傾斜的，從而沿與源氣體的注入方向相反的方向，也就是沿背離開口46正下方的區(qū)域，注入抑制氣體。
此外，窗口凈化氣體入口43形成在上盤52的窗口部件49的周邊。此窗口凈化氣體入口43與形成在下盤53的開口46的側(cè)表面中的窗口凈化氣體出口51連通。CVD氣體單元33a或33b提供窗口凈化氣體到窗口凈化氣體入口43。窗口凈化氣體經(jīng)過窗口凈化氣體入口43和窗口凈化氣體出口51被傳輸而被向窗口部件49注入。圓形吸氣入口45形成在下盤53的下表面中，從而包圍開口46以及噴嘴47和48，而吸氣出口44形成在上盤52中，從而包圍窗口部件49。氣體入口45與吸氣出口44連通，以便從氣體窗口1的中心吸入的反應(yīng)的源氣體、抑制氣體、窗口凈化氣體和從氣體窗口1的周邊吸入的空氣通過吸氣出口44釋放到氣體窗口1的外面。
現(xiàn)在參考附圖3-6說明根據(jù)本具體實施例的上述布線修復(fù)設(shè)備的操作，假設(shè)具有斷裂的Al柵線和Cr源線形成在欲修復(fù)的襯底2上。圖6是根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備的操作流程圖。
首先，液態(tài)DMAH被提供給布線修復(fù)設(shè)備31的CVD氣體單元33a，而固態(tài)Cr(CO)6被提供給CVD氣體單元33b。CVD氣體單元33a氣化DMAH以產(chǎn)生Al源氣體(DMAH氣體)而CVD氣體單元33b升華Cr(CO)6以產(chǎn)生Cr源氣體(Cr(CO)6氣體)。CVD氣體單元33a和33b也被提供用作抑制氣體和窗口凈化氣體的Ar氣。
在圖6中的步驟S1中，開始修復(fù)處理。低倍數(shù)的第二物鏡4被移到激光束30的光路中。然后，根據(jù)AF控制器9的指示驅(qū)動電機7以移動支撐架22到達其移動范圍的最高點。在欲修復(fù)的襯底2被放在XY臺17上之后，驅(qū)動電機7使支撐架22降低到AF光學(xué)單元20的自動聚焦范圍內(nèi)。
發(fā)光單元18發(fā)射光，其通過第二半鏡15，被第三半鏡16反射，并通過中繼透鏡21、第二物鏡4、以及任一氣體窗口1的窗口部件49和開口46，照射襯底2。此光被襯底2反射并通過氣體窗口1、第二物鏡4、中繼透鏡21和第三半鏡16進入AF光學(xué)單元20和相機12。然后，AF光學(xué)單元20輸出聚焦誤差信號到AF控制器9。根據(jù)此信號，AF控制器9利用其自動聚焦功能驅(qū)動電機7以調(diào)整支撐架22高度，從而使激光束30的焦點定位在襯底2上。那么，在襯底2和氣體窗口1之間的空隙是例如1mm。TV監(jiān)視器19顯示相機12拍攝的襯底2的圖像。
在圖6的步驟S2中，選擇欲修復(fù)的損壞部分。如果損壞部分包括在Al柵線中，修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S3以允許激光束30通過氣體窗口1a。另一方面，如果損壞部分包括在Cr源線中，修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S6以允許激光束30通過氣體窗口1b。
如果繼續(xù)到步驟S3，那么修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S4以通過移動XY臺17調(diào)整襯底2的位置從而使激光束30照射到損壞部分。用第二物鏡4粗略地調(diào)節(jié)襯底2的位置使氣體窗口1a的開口46與襯底2的損壞部分對準，旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)器5以移動高倍數(shù)的第一物鏡3到激光束30的光路中，并用第一物鏡3精確地調(diào)節(jié)襯底2的位置。然后，使狹縫發(fā)光單元10發(fā)光以調(diào)節(jié)狹縫14的大小和形狀到欲修復(fù)布線的部分的大小和形狀。
在圖6的步驟S5中，通過激光CVD在損壞部分上淀積Al膜。首先，CVD氣體單元33a提供Al源氣體(DMAH氣體)到氣體窗口1a的源氣體入口42，抑制氣體(Ar氣)到抑制氣體入口41，以及窗口凈化氣體(Ar氣)到窗口凈化氣體入口43。通過噴嘴48向欲修復(fù)的一部分襯底2注入源氣體。通過噴嘴47沿欲修復(fù)的部分相反的方向注入抑制氣體。這樣，抑制氣體沿與源氣體注入方向相反的方向被注入，由此避免了外部空氣被源氣體的注入而吸入。此外，從窗口凈化氣體出口51向窗口部件49注入窗口凈化氣體，以避免源氣體粘附并由此霧化窗口部件49。
激光源11發(fā)射激光束30，其被第一半鏡13反射而經(jīng)過狹縫14。然后，狹縫14將激光束30的截面形狀修整為欲修復(fù)的部分的形狀。接著，激光束30被第二半鏡15和第三半鏡16反射，通過中繼透鏡21和第一物鏡3，并進入氣體窗口1a的窗口部件49。然后，激光束30通過窗口部件49和開口46照射到欲修復(fù)的一部分襯底2上。
在被激光束30照射的時候，欲修復(fù)的一部分襯底2，也就是在Al柵線中的斷裂，被提供源氣體，由此淀積Al以在柵線中的斷裂上形成Al膜。此Al膜連接斷裂，結(jié)果使損壞部分得以修復(fù)。修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S9并返回到步驟S2。
另一方面，如果損壞部分包括在Cr源線中，那么修復(fù)處理從步驟S2繼續(xù)到步驟S6，然后到步驟S7。在步驟S7中，氣體窗口1b的開口46和欲修復(fù)的一部分襯底2以與步驟S4中相同的方式對齊。
然后修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S8。在此步驟中，以與步驟S5中相同的方式，通過用CVD氣體單元33b和氣體窗口1b在損壞部分上淀積Cr膜使源線的損壞部分得以修復(fù)。CVD氣體單元33b向氣體窗口1b提供Cr(CO)6氣體作為源氣體。接著，修復(fù)處理繼續(xù)到步驟S9并返回到步驟S2。重復(fù)從步驟S2到步驟S9的上述步驟直到欲修復(fù)的襯底2的所有部分得以修復(fù)。結(jié)果，完成了在襯底2上的斷裂的修復(fù)。
如上所述，根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備具有兩個CVD氣體單元，用來為欲修復(fù)的部分提供DMAH氣體和Cr(CO)6氣體作為CVD的源氣體。使用此設(shè)備，由Al組成的柵線中的斷裂通過在這些斷裂上形成Al膜能夠得以修復(fù)，而由Cr組成的源線中的斷裂通過在這些斷裂上形成Cr膜能夠得以修復(fù)。這樣，包括不同材料的布線通過在斷裂上覆蓋與斷裂部分相同的材料能夠得以修復(fù)。因此，被修復(fù)的布線獲得了包括電特性的均勻物理特性。此布線也能獲得均勻的熱膨脹特性，從而當施加熱載荷時不會發(fā)生熱應(yīng)力。因此，此布線具有較高的熱載荷抵抗性并且隨時間退化少，從而提供了較高的質(zhì)量和可靠性。
此外，具有兩個CVD氣體單元的此布線修復(fù)設(shè)備，能同時提供具有不同特性的兩種源氣體，也就是DMAH氣體和Cr(CO)6氣體。因此，此設(shè)備比只具有一個CVD氣體單元并因此要求用另一個源氣體替換使用的源氣體的設(shè)備具有顯著提高的修復(fù)效率。
而且，根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)裝置具有專用于單一氣體的兩個氣體窗口。如果單一氣體窗口被不同的源氣體共用，那么氣體窗口的內(nèi)部為了使用的源氣體被另一源氣體替代就必須完全凈化以提供均勻的源氣體濃度。此凈化花費時間長，如4-5小時，因此顯著地降低了修復(fù)效率。另一方面，根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備具有與CVD氣體單元相同數(shù)量的氣體窗口。因此，此設(shè)備不需要為使用的源氣體的替換而進行凈化，不降低修復(fù)效率。
根據(jù)本具體實施例的布線修復(fù)設(shè)備具有兩個CVD氣體單元和兩個氣體窗口，并提供兩種源氣體，也就是DMAH氣體和Cr(CO)6氣體；但是，本發(fā)明并不限于本具體實施例。例如，可以使用其它的源氣體。此外，可以使用多于兩種的源氣體以及多于兩個的CVD氣體單元和氣體窗口。盡管上述具體實施例應(yīng)用于LCD中的柵線和源線的修復(fù)，但本發(fā)明也可以應(yīng)用到其它集成電路的修復(fù)中。
權(quán)利要求
1.一種布線修復(fù)設(shè)備，用于采用激光CVD修復(fù)形成在襯底上的布線的損壞部分，此設(shè)備包含激光源單元，用于用激光束照射所述布線的損壞部分；CVD氣體單元，用于產(chǎn)生CVD的不同源氣體；以及氣體窗口單元，從所述CVD氣體單元為其提供所述源氣體并且其將所述源氣體提供到所述布線的被照射部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的布線修復(fù)設(shè)備，其中所述氣體窗口單元包含與所述CVD氣體單元相同數(shù)量的氣體窗口；并且由所述CVD氣體單元產(chǎn)生的不同源氣體被提供給所述不同氣體窗口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的布線修復(fù)設(shè)備，其中所述源氣體之一為氫化二甲基鋁氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的布線修復(fù)設(shè)備，其中所述源氣體之一為六羥基鉻氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的布線修復(fù)設(shè)備，其中所述激光束是在波長349nm處Nd:YAG激光的三次諧波。
全文摘要
一種布線修復(fù)設(shè)備包括放置襯底的XY臺，布置在XY臺上方的激光源單元，布置在激光源單元和XY臺之間的第一和第二氣體窗口，以及第一和第二CVD氣體單元。激光源單元發(fā)射激光束到欲修復(fù)的一部分襯底。此激光束通過第一或第二氣體窗口。第一CVD氣體單元為第一氣體窗口提供Al源氣體，即DMAH氣體而第二CVD氣體單元為第二氣體窗口提供Cr氣體，即Cr(CO)
文檔編號C23C16/04GK1614085SQ20041007989
公開日2005年5月11日 申請日期2004年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者若林浩次 申請人:激光先進技術(shù)股份公司