專利名稱：室部件的清潔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從襯底處理室部件清潔處理沉積物。
背景技術(shù)：
在諸如半導(dǎo)體晶片和顯示器之類的襯底的處理中，襯底放在處理室中，并暴露至激發(fā)的氣體以在襯底上沉積或蝕刻材料。在這樣的處理過程中，產(chǎn)生處理殘余物并沉積在室中的內(nèi)表面上。例如，在濺射沉積處理中，從靶濺射用于沉積在襯底上的材料也沉積在室中的部件表面上，例如在沉積環(huán)、遮蔽環(huán)、壁襯里和聚焦環(huán)上。在后續(xù)的處理循環(huán)中，沉積的處理殘余物可能從室表面“剝落”以落在襯底上并污染襯底。因此，必須從室表面定期清理沉積的處理殘余物。
但是，很難從部件清理處理沉積物而不過度腐蝕部件的表面。當(dāng)從由含金屬的材料制成的部件清潔含金屬的處理殘余物時(shí)，這變得尤其明顯。含金屬的處理沉積物很難被去除，因?yàn)檫m合于它們?nèi)コ那鍧嵢芤和ǔＲ才c用于形成室部件的其它金屬反應(yīng)。例如，適于去除含鉭處理殘余物的清潔溶液也與含鈦或鋁的室表面反應(yīng)并腐蝕這些表面。因此，從這些表面清潔含金屬沉積物可能腐蝕部件并需要經(jīng)常更換它們。
當(dāng)清潔有紋理的表面(例如通過“LavacoatTM”工藝形成的表面)時(shí)，部件表面的腐蝕也可能成為問題。這種有紋理的表面是有必要的，因?yàn)樗鼈兲峁┝藥в辛严兜摹罢承浴北砻?，處理沉積物粘附到凹陷和突起以減少室中產(chǎn)生的顆粒。但是，因?yàn)樘幚沓练e物可以容納在表面的孔和裂隙中，所以很難用傳統(tǒng)的清潔處理去除這些沉積物。例如，用傳統(tǒng)的噴丸處理來(lái)清理沉積物通常導(dǎo)致對(duì)有紋理表面的突起的腐蝕，由此需要經(jīng)常更換和/或重新表面化部件。
因此，需要一種從部件的表面清潔處理沉積物而不過度腐蝕表面的方法。還需要一種從室部件的金屬表面選擇性地清潔含金屬處理沉積物的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在清潔襯底處理室部件的表面以從其去除處理沉積物的方法中，所述部件表面被冷卻至低于大約-40℃的溫度，由此使所述表面上的處理沉積物破裂。例如，所述表面可以通過將所述表面浸入諸如液氮的低溫流體中來(lái)冷卻。
在另一種清潔方法中，所述表面被加熱至至少大約150℃的溫度，由此使所述處理沉積物松弛。然后可以從所述表面去除所述處理沉積物。
在另一種清潔方法中，所述表面被浸入包含液氮的浴槽中以在所述處理沉積物中形成裂縫。然后所述表面被加熱至至少大約150℃的溫度，以使所述裂縫擴(kuò)張。所述加熱的表面通過在所述表面上流過流體來(lái)冷卻，以進(jìn)一步形成裂縫。所述破裂的沉積物通過(i)噴丸處理所述表面和(ii)用清潔溶液清潔所述表面中的至少一種從所述表面去除。


根據(jù)以下的描述、所附權(quán)利要求和圖示本發(fā)明示例的附圖，可以更好地理解本發(fā)明的這些特征、方面和優(yōu)點(diǎn)。但是，應(yīng)當(dāng)理解每個(gè)特征可以通用于本發(fā)明中，而不僅僅限于具體附圖的內(nèi)容，并且本發(fā)明包括這些特征的任意組合，其中圖1是襯底處理室部件的實(shí)施例的示意性側(cè)視圖，該室部件具有其上有處理沉積物的表面；圖2是示出從襯底處理室部件的表面清理處理沉積物的方法實(shí)施例的流程圖；圖3是具有可以在清潔處理中清潔的一個(gè)或多個(gè)部件的襯底處理室的
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，具有表面20的處理室部件22被清潔以去除在襯底104的處理過程中產(chǎn)生的處理沉積物24。進(jìn)行清潔處理來(lái)去除沉積物24可以減少在室106中形成污染顆粒，并提高襯底出產(chǎn)率。處理沉積物24可以包括含金屬沉積物，例如包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鋁、銅、鎢以及氮化鎢中的至少一種的沉積物。在處理中被清潔的室部件22包括積累了處理沉積物24的那些，例如在室106中提供處理氣體的氣體輸送系統(tǒng)112的一部分、在室106中支撐襯底104的襯底支撐114、激發(fā)處理氣體的氣體激發(fā)器116、室外殼壁118和屏蔽120、或從室106排放氣體的排氣裝置122。
參考圖3，其圖示了物理氣相沉積室106的示例性視圖，可以被清潔的部件22包括室外殼壁118、室屏蔽120、靶124、封蓋環(huán)126、沉積環(huán)128、支撐環(huán)130、絕緣環(huán)132、線圈135、線圈支撐137、遮蔽盤133、夾具屏蔽141、以及襯底支撐114的表面134。例如，可以被清潔的部件可以包括Applied Material的部件號(hào)0020-50007、0020-50008、0020-50010、0020-50012、0020-50013、0020-48908、0021-23852、0020-48998、0020-52149、0020-51483、0020-49977、0020-52151、0020-48999、0020-48042和0190-14818(這些可以從Applied Materials，Santa Clara，California得到)。部件的列表僅是示例性的，清潔處理可以用在其它部件上或者其它類型的室的部件上，因此，本清潔方法不應(yīng)當(dāng)限于用在這里所列的或所描述的部件。通常，在處理中清潔的部件22具有金屬表面20，例如包含鈦、不銹鋼、銅、鉭和鋁中的至少一種的表面20；還可以清潔具有其它類型表面的其它部件，例如陶瓷表面20，包括氧化鋁、氮化鋁和石英。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可以通過將部件22的表面20冷卻到低溫來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)處理沉積物24的改進(jìn)的清理。在冷卻到低溫時(shí)，表面20和處理沉積物24的熱膨脹系數(shù)之間的差異導(dǎo)致表面20和沉積物24不同的收縮率，以在處理沉積物24中形成裂縫和破裂25。破裂的處理沉積物24不能強(qiáng)有力地粘附到表面20，因此能夠被容易地去除以清潔表面20。適當(dāng)?shù)椭潦固幚沓练e物24破裂的溫度是小于大約-40℃的溫度，甚至是小于大約-196℃的溫度，例如從大約-65℃到大約-196℃的溫度。低溫去除方法對(duì)熱膨脹系數(shù)是處理沉積物24的熱膨脹系數(shù)的至少兩倍的表面20特別有用。
在去除處理沉積物24的一種方法中，用低溫流體冷卻部件22的表而20。流體可以包括液化的氣體，例如液氮。其它合適的流體可以包括例如乙醇和被加入的干冰(固體CO2)冷卻的其它液體。
可以通過將表面20的一部分或者甚至基本整個(gè)部分浸入低溫流體中來(lái)冷卻表面20。將表面20浸入流體中可以更快地降低表面的溫度，同時(shí)在表面20中建立更多的熱沖擊。當(dāng)積累的沉積物很難清潔時(shí)，這是必要的，例如在它們具有較小的熱膨脹差異或在它們較好地粘附到部件22的表面20時(shí)。
也可以通過將流體噴在表面20上或者另外使流體流過部件表面20來(lái)冷卻表面20。盡管在表面20上噴射和流動(dòng)流體較慢冷卻表面20，但是當(dāng)流體需要被引導(dǎo)至部件表面20上的特定區(qū)域和部分時(shí)，這是有益的。例如，當(dāng)部件22具有在其上形成沉積物的表面區(qū)域而其它區(qū)域沒有沉積物或者對(duì)熱沖擊敏感并且將由于過度的熱沖擊而退化時(shí)，可以通過在局部區(qū)域使用噴射或流動(dòng)方法來(lái)冷卻這些部件22。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過將表面20浸入在包含液氮的低溫流體槽中來(lái)冷卻表面20。液氮具有適當(dāng)?shù)椭疗屏巡⑹固幚沓练e物24裂開的溫度，液氮的溫度通常是大約-196℃。液氮的低溫槽也是有利的，因?yàn)橐旱c用于制造室部件22的材料基本不反應(yīng)。表面20可以浸入在液氮中直到液氮槽停止發(fā)泡，液氮槽停止發(fā)泡表示表面20已經(jīng)達(dá)到基本接近液氮溫度的溫度。合適的浸入持續(xù)時(shí)間可以是從大約1分鐘到大約5分鐘。
在一種方法中，通過在表面20浸入液氮槽中時(shí)超聲振動(dòng)表面20米增強(qiáng)處理沉積物的去除，例如通過將聲波引入到表面20以稍微地震動(dòng)表面20。超聲波例如可以通過在部件22上安裝超聲換能器或在低溫流體槽容器的部分上安裝換能器來(lái)產(chǎn)生。超聲振動(dòng)還使已經(jīng)部分松弛或分離的殘余物進(jìn)一步松弛，并還能夠破裂已經(jīng)部分分層但仍然粘附到表面20的殘余在一種方法中，可以進(jìn)行預(yù)冷步驟，以在將表面浸入到液氮中之前預(yù)冷表面20。預(yù)冷步驟使得表面20的溫度更接近液氮的溫度，這減少了冷卻表面20所需的液氮量，并且能夠降低整體的冷卻成本。預(yù)冷步驟需要將表面20冷卻到從大約-40℃到大約-65℃的溫度。在一種方法中，通過將部件22放在致冷室(例如能夠?qū)⒈砻?0冷卻到需要的預(yù)冷溫度的工業(yè)致冷機(jī))中來(lái)進(jìn)行預(yù)冷。可替換地，在致冷室中冷卻表面20的步驟可以充分地破裂處理沉積物24，使得可以進(jìn)行致冷步驟以替換液氮浸入步驟。
一旦已經(jīng)通過冷卻部件表面20使處理沉積物24破裂，可以進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)接下來(lái)的處理沉積物去除步驟，以去除破裂的沉積物。在一種方法中，破裂的處理沉積物24是通過噴砂和/或噴丸處理表面20來(lái)部分去除的。在噴砂處理中，硬砂顆粒流通過氣體被朝向表面20推動(dòng)，其中該氣體被加壓至足夠高以能夠從表面20去除破裂的處理沉積物的壓力。例如，合適的壓力可以是從大約103KPa(15PSI)至大約552KPa(80PSI)。砂顆?？梢园瑥拇蠹s16至大約150的目數(shù)尺寸(meshsize)，對(duì)應(yīng)于從大約1092微米至大約89微米的顆粒尺寸。在另一利方法中，加壓氣體流(例如加壓的CO2流)對(duì)著表面20引導(dǎo)，以去除處理沉積物24。
在一種方法中，破裂的處理沉積物24是通過用化學(xué)清潔溶液清潔表面20來(lái)去除的。清潔溶液可以滲入形成在處理沉積物24中的裂縫25，以使沉積物24松弛并從表面20清理沉積物24。清潔溶液可以包含化學(xué)蝕刻處理沉積物24的酸性或堿性溶液。例如，合適的清潔溶液可以包含質(zhì)量濃度為從大約2.5％至大約17％的HF和質(zhì)量濃度為從大約23％至大約67％的HNO3，并用水來(lái)調(diào)和?？梢酝ㄟ^將表面20浸入清潔溶液中以及使用清潔溶液噴射或清洗表面20來(lái)清潔表面20。在用清潔溶液進(jìn)行清潔的過程中，還可以超聲振動(dòng)表面20。還可以進(jìn)行其它的清潔步驟以去除破裂的處理沉積物(例如去離子水沖洗)和進(jìn)一步的超聲清潔步驟。
已經(jīng)進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)殘余物去除結(jié)果可以通過將部件22的表面20加熱至合適的高溫來(lái)改進(jìn)。例如，可以在初始的處理殘余物破裂步驟之后加熱表面20。相信表面20的加熱也采用了表面20和沉積物24的熱膨脹系數(shù)差異的優(yōu)點(diǎn)，以使在處理沉積物24中形成的裂縫25膨脹。進(jìn)一步破裂的沉積物24從表面20進(jìn)一步分離并分層，因此更容易去除。合適的高溫可以是至少大約150℃并且甚至至少大約300℃，例如從大約300℃至大約350℃，并且甚至可以高達(dá)大約400℃。例如，對(duì)于包含銅、鈦、不銹鋼和鉭中的至少一種的表面20，合適的高溫可以是至少大約500℃，并且可以是至少高至大約600℃。加熱表面20希望在沉積的材料中引起應(yīng)力而基本不損壞部件22。因此，在一種方法中，溫度不可以超過部件20的熔化溫度的75％，以保持部件表面的完整性。例如，對(duì)于包含鋁的表面20，合適的高溫可以是至少大約200℃，例如至少大約300℃，并且小于大約500℃，例如小于大約480℃。例如可以通過將部件22放在加熱爐中、用加熱燈輻射加熱表面、用石英加熱管輻射加熱表面來(lái)加熱表面20。在一種方法中，在進(jìn)行低溫冷卻步驟之前，將表面20加熱到足夠高的溫度。在另一種方法中，加熱步驟可以提供對(duì)處理沉積物的充分破裂，使得不需要諸如低溫冷卻步驟之類的其它溫度處理步驟。
在一種方法中，加熱的表面20可以通過進(jìn)行“驟冷”步驟以快速地冷卻表面20被進(jìn)一步處理以去除處理沉積物24。在驟冷步驟中，通過將表面20暴露至冷卻流體(例如水)來(lái)快速冷卻加熱的表面20。驟冷步驟以每秒至少大約50℃快速地冷卻加熱的表面20，由此進(jìn)一步使沉積物20從表面20破裂并松弛。例如，驟冷步驟可以將表面20從至少大約150℃的溫度冷卻至小于大約40℃的溫度，甚至小于大約20℃，例如從大約350℃的溫度至大約20℃的溫度?？梢酝ㄟ^使流體在表面20上流動(dòng)(例如通過將表面20浸入流體中)來(lái)將表面20暴露至冷卻流體。還可以需要的是在將部件20的其余部分保持在相對(duì)溫暖的溫度時(shí)冷卻處理沉積物24，以增大處理沉積物24和部件表面20的熱收縮率的差異。例如，可以通過用流體噴射或沖洗表面20上的沉積物24來(lái)冷卻處理沉積物24，同時(shí)部件22的大部分保持在相對(duì)溫暖的溫度。適于驟冷步驟的冷卻流體可以是具有從大約10℃至大約25℃溫度的水。
噴砂處理和化學(xué)溶液清潔步驟(如上所述的那些)中的一個(gè)或多個(gè)可以在驟冷表面20之前或之后進(jìn)行以進(jìn)一步去除處理沉積物。在優(yōu)選的方法中，在驟冷表面20之后并在用清潔溶液清潔表面20之前進(jìn)行噴砂步驟。
圖2是圖示從處理室部件22的表面清潔處理沉積物24的方法實(shí)施例的流程圖。在此實(shí)施例的第一步驟中，表面20浸入在液氮中以使處理沉積物破裂。然后表面20被加熱至至少大約150℃的溫度以使裂縫膨脹。加熱的表面通過使流體在表面20上流動(dòng)來(lái)冷卻。然后通過(i)噴砂處理表面20和(ii)用清潔溶液清潔表面中的至少一個(gè)從表面20去除殘余的處理沉積物24。清潔處理能夠清潔處理部件22，以提供基本沒有處理沉積物的部件表面20。
所述的清潔方法特別適合于清潔有紋理的部件表面20，如圖1所示。具有有紋理表面的部件22通過提供處理沉積物24能夠粘附的“粘性”表面減少了處理室中的顆粒產(chǎn)生。在一種方法中，處理室部件22包含通過“LavacoatTM”工藝處理的有紋理表面，例如下面的文獻(xiàn)中描述的部件West等于2003年9月2日提交的名為“Fabricating and Cleaning ChamberComponents Having Textured Surfaces”的美國(guó)專利申請(qǐng)No.10/653,713，Popiolkowski等于2002年3月13日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No.10/099,307，以及Popiolkowski等于2003年7月17日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No.10/622,178，所有這些都轉(zhuǎn)讓給Applied Materials，Inc.，通過引用將它們都包含在這里。
LavacoatTM有紋理表面20可以通過產(chǎn)生電磁能量束并將束引導(dǎo)至部件22的表面20上來(lái)產(chǎn)生。電磁能量束優(yōu)選的是電子束，但是也包含質(zhì)子、中子和X射線等。電子束通常在表面20的區(qū)域上聚焦一段時(shí)間，在這段時(shí)間里束與表面20作用以在表面上形成特征?？梢韵嘈?，束通過在一些情況下將表面20的區(qū)域快速加熱至表面材料的熔化溫度來(lái)形成特征?？焖偌訜嵋鹨恍┍砻娌牧舷蛲鈬娚洌@在材料從其噴射出的區(qū)域小形成凹陷23，而在噴射的材料重新沉積的區(qū)域中形成突起26。在區(qū)域中形成需要的特征之后，束掃描到部件表面20的不同區(qū)域以在新的區(qū)域中形成特征。最終的表面20可以包含在表面20中形成的凹陷23和突起26的蜂窩狀結(jié)構(gòu)。通過此方法形成的特征通常是宏觀尺寸的，凹陷可以在從大約0.1mm到大約3.5mm的直徑范圍內(nèi)，例如直徑從大約0.8至大約1.0mm。LavacoatTM有紋理表面20具有從大約63.5微米(2500微英寸)至大約101.6微米(4000微英寸)的整體平均表面粗糙度，表面20的平均粗糙度被定義為從特征的平均線沿著表面20移位的絕對(duì)值的平均值。
圖3中示出合適的處理室106的示例，處理室106具有需要被清潔以去除處理沉積物24的部件22。室106可以是多室平臺(tái)(未示出)的一部分，該多室平臺(tái)具有通過在室106之間傳遞襯底104的自動(dòng)機(jī)械臂連接的多個(gè)互連的室。在所示的示例中，處理室106包括濺射沉積室，也稱作物理氣相沉積室或PVD室，其能夠在襯底104上濺射諸如鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銅、鎢、氮化鎢和鍋中的一種或多種的材料。室106包括外殼壁118，外殼壁118包圍處理區(qū)109并且包括側(cè)壁164、底壁166和頂部168。支撐環(huán)130可以布置在側(cè)壁164和頂168之間以支撐頂部168。其它的室壁可以包括一個(gè)或多個(gè)使外殼壁118從濺射環(huán)境屏蔽的屏蔽120。
室106包含襯底支撐114以支撐濺射沉積室106中的襯底。襯底支撐114可以電漂或可以包含通過功率供應(yīng)裝置172(例如RF功率供應(yīng)裝置)偏壓的電極170。襯底支撐130還可以包含可移動(dòng)的遮蔽盤133，遮蔽盤133能夠在沒有襯底104時(shí)保護(hù)支撐130的上表面134。在操作中，襯底104通過室106的側(cè)壁164中的襯底裝載入口(未示出)引入到室106中，并放在支撐114上。支撐114可以由支撐升降波紋管升高或降低，并且升降指狀組件(未示出)可以用于在將襯底104運(yùn)輸進(jìn)出室106的過程中將襯底升高和降低到支撐114上。
支撐114還可以包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)，例如封蓋環(huán)126和沉積環(huán)128，它們覆蓋支撐114的上表面134的至少一部分以抑制支撐130的腐蝕。在一個(gè)例子中，沉積環(huán)128至少部分圍繞襯底104以保護(hù)支撐114的未被襯底104覆蓋的部分。封蓋環(huán)126環(huán)繞并覆蓋沉積環(huán)128的至少一部分，并減少顆粒沉積到沉積環(huán)128和下面的支撐114上。
諸如濺射氣體之類的處理氣體通過氣體輸送系統(tǒng)112引入到室106中，氣體輸送系統(tǒng)112包括處理氣體供應(yīng)裝置，處理氣體供應(yīng)裝置包括一個(gè)或多個(gè)氣源174，每個(gè)供給至具有諸如質(zhì)量流量控制器之類的氣流控制閥178的管道176，使氣體以設(shè)定的流速穿過。管道176可以供給氣體至混和歧管(未示出)，其中氣體被混和以形成需要的處理氣體組分?；旌推绻茌斎胫猎谑?06中具有一個(gè)或多個(gè)氣體出口182的氣體分配器180。處理氣體可以包括非反應(yīng)性氣體，例如氬或氙，其能夠高能碰撞靶并從靶濺射材料。處理氣體還可以包含反應(yīng)性氣體，例如含氧氣體和含氮?dú)怏w中的一種或多種，它們能夠與濺射的材料反應(yīng)以在襯底104上形成層。用過的處理氣體和副產(chǎn)品通過排氣裝置122從室106排出，排氣裝置122包括一個(gè)或多個(gè)排氣口184，排氣口184接收用過的處理氣體并將用過的處理氣體輸送到排氣管186，排氣管186中有節(jié)流閥188以控制室106中的氣體壓力。排氣管186供給至一個(gè)或多個(gè)排氣泵190。典型地，室106中濺射氣體的壓力被設(shè)置成亞大氣壓的水平。
濺射室106還包括面對(duì)襯底104的表面105的濺射靶124，濺射靶124還包含將濺射到襯底104上的材料，例如鉭和氮化鉭中的至少一種。靶124通過環(huán)形的絕緣環(huán)132與室106電隔離，并連接至功率供應(yīng)裝置192。濺射室106還具有屏蔽120以保護(hù)室106的壁118上免于濺射材料。屏蔽120可以包括壁狀圓筒形狀，其具有上屏蔽部分120a和下屏蔽部分120b，它們零蔽室106的上部區(qū)域和下部區(qū)域。在圖3所示的方法中，屏蔽120具有安裝到支撐環(huán)130的上部120a和安裝到封蓋環(huán)126的下部120b。還可以設(shè)置包含夾具環(huán)的夾具屏蔽141，以將上部和下部屏蔽部分120a、120b夾在一起。也可以設(shè)置諸如內(nèi)屏蔽和外屏蔽之類的可替換屏蔽構(gòu)造。在一種方法中，功率供應(yīng)裝置192、靶124和屏蔽120中的一個(gè)或多個(gè)操作作為氣體激發(fā)器116，其能夠激發(fā)濺射氣體以從靶124濺射材料。功率供應(yīng)裝置192相對(duì)于屏蔽120施加偏壓至靶124。由施加的電壓在室106中產(chǎn)生的電場(chǎng)激發(fā)濺射氣體以形成等離子體，等離子體高能碰撞并轟擊靶124使得材料從靶124濺落并濺射到襯底104上。具有電極170的支撐114和支撐電極的功率供應(yīng)裝置172也可以通過朝向襯底104激發(fā)并加速?gòu)陌?24濺射的電離材料來(lái)操作作為氣體激發(fā)器116的一部分。此外，可以設(shè)置氣體激發(fā)線圈135，其由功率供應(yīng)裝置192供應(yīng)能量并定位在室106中以提供增強(qiáng)的激發(fā)氣體特性，例如提高的激發(fā)氣體密度。氣體激發(fā)線圈135可以由線圈支撐137支撐，線圈支撐137附裝到室106中的屏蔽120或其它壁。
室106由控制器194控制，控制器194包括具有指令組的程序代碼來(lái)操作室106的部件，以在室106中處理襯底104。例如，控制器194可以包括襯底定位指令組，來(lái)操作襯底支撐114和襯底運(yùn)輸裝置中的一個(gè)或多個(gè)以將襯底104定位在室106中；氣流控制指令組，來(lái)操作流量控制閥178以設(shè)定濺射氣體至室106的流量；氣壓控制指令組，來(lái)操作排氣節(jié)流閥188，用于保持室106中一定的壓力；氣體激發(fā)控制指令組，來(lái)操作氣體激發(fā)器116，用于設(shè)定氣體激發(fā)功率電平；溫度控制指令組，來(lái)控制室106中的溫度；以及處理監(jiān)控指令組，來(lái)監(jiān)控室106中的處理。
盡管圖示并描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)包含本發(fā)明并且還在本發(fā)明范圍內(nèi)的其它實(shí)施例。例如，還可以清潔除這里所描述的示例性部件之外的其它室部件。也可以進(jìn)行除描述的這些之外的附加清潔和回收步驟。此外，對(duì)于示例性實(shí)施例的關(guān)系術(shù)語(yǔ)或者位置術(shù)語(yǔ)是可互換的。因此，所附權(quán)利要求不應(yīng)當(dāng)被限制為這里描述的用于說明本發(fā)明的優(yōu)選方法、材料或控制布置的描述。
權(quán)利要求
1.一種清潔襯底處理室部件的表面以從其去除處理沉積物的方法，所述方法包括(a)冷卻包含所述處理沉積物的表面至低于約-40℃的溫度，由此使所述表面上的所述處理沉積物破裂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面具有第一熱膨脹系數(shù)，而所述處理沉積物具有第二熱膨脹系數(shù)，并且其中所述第一熱膨脹系數(shù)是所述第二熱膨脹系數(shù)的至少兩倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述(a)包括將所述表面浸入包含液氮的低溫流體中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括超聲振動(dòng)所述表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟中的至少一個(gè)(b)噴砂處理所述表面；或(c)用包含HF和HNO3的清潔溶液清潔所述表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面是包含鈦、不銹鋼、銅、鉭和鋁中的至少一種的有紋理的表面，并且所述處理沉積物包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銅、鋁、鎢和氮化鎢中的至少一種。
7.一種清潔襯底處理室部件的表面以從其去除處理沉積物的方法，所述方法包括(a)加熱包含所述處理沉積物的表面至至少約150℃的溫度，由此使所述處理沉積物松弛；并且(b)去除所述處理沉積物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述(a)包括將所述表面加熱至至少約300℃的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述(a)包括將所述表面加熱至至少約500℃的溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述表面具有第一熱膨脹系數(shù)，而所述處理沉積物具有第二熱膨脹系數(shù)，并且其中所述第一熱膨脹系數(shù)是所述第二熱膨脹系數(shù)的至少兩倍。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述(b)包括用以下方法中的至少一種冷卻所述表面(i)將所述表面浸入流體中，和(ii)用流體噴射所述表面。
12.一種清潔襯底處理室部件的表面以從其去除處理沉積物的方法，所述方法包括(a)將包含所述處理沉積物的所述表面浸入包含液氮的浴槽中，以在所述處理沉積物中形成裂縫；(b)加熱所述表面至至少約150℃的溫度，由此使所述裂縫擴(kuò)張；(c)通過在所述表面上流過流體冷卻所述表面，由此進(jìn)一步形成裂縫；和(d)通過噴砂處理所述表面或用清潔溶液清潔所述表面中的至少一種來(lái)去除破裂的所述處理沉積物。
全文摘要
在清潔襯底處理室部件的表面以去除處理沉積物的方法中，所述部件表面被冷卻至低于大約－40℃的溫度，由此使所述表面上的處理沉積物破裂。所述表面可以通過將所述表面浸入諸如液氮的低溫流體中來(lái)冷卻。在另一種方法中，所述部件表面被加熱以使所述沉積物破裂并分層，并且可選地，接下來(lái)被快速冷卻以形成更多裂縫。所述部件表面清潔還可以通過噴丸處理并且之后進(jìn)行化學(xué)清潔步驟來(lái)進(jìn)行。
文檔編號(hào)C23C14/56GK1914352SQ200480041492
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2004年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月11日
發(fā)明者馬克·歐′杜奈爾·施維克特, 詹尼弗·瓦茨亞·蒂勒, 布里恩·T·韋斯特, 卡爾·布魯克奈爾 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司