專利名稱：一種減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性影響的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅刻蝕工藝，具體地涉及一種減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性影響的方法。
背景技術(shù)：
在多晶硅刻蝕工藝中，為了保證每一片硅片的刻蝕工藝環(huán)境一致，通常會在每一片硅片刻蝕前或刻蝕后進行干法清洗處理，以清除腔壁的聚合物。傳統(tǒng)的干法清洗的具體工藝如下傳統(tǒng)干法清洗工藝

但是，僅通過干法清洗處理難以將聚合物去除干凈，殘留的聚合物在干法清洗工藝中會被等離子轟擊而變得松散，從而導(dǎo)致在刻蝕過程中側(cè)壁的松散聚合物吸附反應(yīng)氣體，使得反應(yīng)氣體的濃度分布發(fā)生變化，影響刻蝕的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性影響的方法。
(二)技術(shù)方案為減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性的影響，本發(fā)明在傳統(tǒng)的干法清洗工藝后增加一步氣體等離子處理過程，補充腔體側(cè)壁聚合物的氯、溴含量，從而有效減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性的影響。
本發(fā)明所述的等離子處理過程中的工藝氣體工藝氣體包括HBr、Cl2中的一種或多種，其中，HBr/Cl2混合氣體中HBr與Cl2的比例沒有特殊要求。
本發(fā)明所述的等離子處理過程中的工藝氣體還包括O2。
本發(fā)明所述的等離子處理過程中的氣體還包括載氣，其中，所述的載氣選自Ar、He、N2中的一種，載氣與工藝氣體之間的比例沒有特殊要求。
本發(fā)明所述的等離子處理過程的工藝如下表所示

優(yōu)選地，本發(fā)明所述的等離子處理過程的工藝如下表所示

更優(yōu)選地，本發(fā)明所述的等離子處理過程的工藝如下表所示

(三)有益效果本發(fā)明所述的等離子處理過程能有效減少刻蝕中氯、溴的損失，提高刻蝕均勻性。


圖1傳統(tǒng)的干法清洗工藝處理后的刻蝕均勻性；圖2增加本發(fā)明所述的氯、溴等離子處理過程后的刻蝕均勻性。
具體實施例方式
以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
實施例1氣體等離子處理工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機中進行。具體工藝參數(shù)為上RF功率1000W，下RF功率100W，腔室壓力為500mT，O2流量為200sccm，Cl2流量為200sccm，HBr流量為500sccm，Ar流量為500sccm，處理時間為100s。
采用此工藝能有效提高刻蝕均勻性。
實施例2氣體等離子處理工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機中進行。具體工藝參數(shù)為上RF功率50W，下RF功率100W，腔室壓力為7mT，HBr流量為500sccm，He流量為300sccm，處理時間為2s。
采用此工藝能有效提高刻蝕均勻性。
實施例3氣體等離子處理工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機中進行。具體工藝參數(shù)為上RF功率為100W，下RF功率80W，腔室壓力為80mT，O2流量為50sccm，Cl2流量為10sccm，處理時間為20s。
采用此工藝能有效提高刻蝕均勻性。
實施例4氣體等離子處理工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機中進行。具體工藝參數(shù)為上RF功率為500W，腔室壓力為10mT，O2流量為5sccm，Cl2流量為5sccm，HBr流量為120sccm，N2流量為20sccm，處理時間為5s。
采用此工藝能有效提高刻蝕均勻性。
實施例5氣體等離子處理工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機中進行。具體工藝參數(shù)為上RF功率為200W，腔室壓力為80mT，O2流量為5sccm，Cl2流量為10sccm，HBr流量為150sccm，Ar流量為50sccm，處理時間為10s。
采用此工藝能有效提高刻蝕均勻性。
權(quán)利要求
1.一種減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性影響的方法，其特征在于在傳統(tǒng)的干法清洗工藝后增加一步氣體等離子處理過程。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于等離子處理過程中的工藝氣體包括HBr、Cl2中的一種或多種。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于等離子處理過程中的工藝氣體還包括O2。
4.如權(quán)利要求1-3之任一所述的方法，其特征在于等離子處理過程中的氣體還包括載氣，其中，所述的載氣選自Ar、He、N2中的一種。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于等離子處理過程的工藝參數(shù)設(shè)置為上RF功率為50-1000W，下RF功率為0-100W，腔室壓力為7-500mT，O2流量為0-200sccm，Cl2流量為0-200sccm，HBr流量為0-500sccm，載氣流量為0-500sccm，處理時間為2-100s。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于等離子處理過程的工藝參數(shù)設(shè)置為上RF功率為100-500W，下RF功率為0-80W，腔室壓力為10-80mT，O2流量為0-50sccm，Cl2流量為5-100sccm，HBr流量為50-300sccm，載氣流量為20-300sccm，處理時間為2-20s。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于等離子處理過程的工藝參數(shù)設(shè)置為上RF功率為200W，腔室壓力為80mT，O2流量為5sccm，Cl2流量為10sccm，HBr流量為150sccm，載氣流量為50sccm，處理時間為10s。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種減少干法清洗工藝對刻蝕均勻性影響的方法，它在傳統(tǒng)的干法清洗工藝后增加一步氣體等離子處理過程。本發(fā)明所述的氣體等離子處理過程能有效減少刻蝕中氯、溴的損失，提高刻蝕均勻性。
文檔編號C23F1/10GK1851870SQ20051012628
公開日2006年10月25日 申請日期2005年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月2日
發(fā)明者孫靜 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司