專利名稱：一種平面磁控濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于真空濺射鍍膜技術(shù)，涉及一種真空鍍膜用磁控濺射裝置，適用于建筑玻璃、電子、能源等行業(yè)。
背景技術(shù)：
目前，磁控濺射由于其濺射速率高、沉積溫度低等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于電子、建材、汽車等行業(yè)。作為磁控濺射的重要組成部分之一，平面磁控濺射裝置具有加工簡(jiǎn)單，安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，主要用于大面積鍍膜生產(chǎn)?，F(xiàn)有平面磁控濺射裝置存在的缺點(diǎn)有(1)靶面刻蝕溝道呈V型，靶材利用率低，造成靶材的浪費(fèi)；(2)由于靶面中部和端部磁場(chǎng)大小不一致，端部磁場(chǎng)普遍偏小，導(dǎo)致兩處刻蝕速率不一致，影響大面積鍍膜生產(chǎn)中膜厚的均勻性，尤其在實(shí)際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)在端部弧形刻蝕區(qū)域和直刻蝕區(qū)域接合處出現(xiàn)異常嚴(yán)重的刻蝕；(3)隨著靶材表面的剝蝕，磁場(chǎng)逐漸增大，導(dǎo)致沉積膜厚隨時(shí)間不斷變化，需要手動(dòng)調(diào)解濺射電流或功率。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提出一種能有效提高空間水平磁場(chǎng)均勻性、減小磁場(chǎng)垂直分量，從而能提高靶材利用率的平面磁控濺射裝置。
進(jìn)一步地，本發(fā)明的另一目的是提高靶面中部和端部磁場(chǎng)的一致性，使端部和中部濺射速度一致，從而能提高膜厚的均勻性的平面磁控濺射裝置。
實(shí)現(xiàn)上述目的的的技術(shù)方案一種平面磁控濺射裝置，包括外圈磁鐵、中間磁鐵、導(dǎo)磁片、非導(dǎo)磁性固定體和底座，在外圈磁鐵與中間磁鐵之間分別設(shè)置有非導(dǎo)磁性固定體，各個(gè)非導(dǎo)磁性固定體上面分別固定有導(dǎo)磁片，所述外圈磁鐵、中間磁鐵和非導(dǎo)磁性固定體都固定在底座上。
優(yōu)選地，所述非導(dǎo)磁性固定體是PVC塑料固定體，所述外圈磁鐵是U字形，所述中間磁鐵是長(zhǎng)條形。
進(jìn)一步地，所述U字型外圈磁鐵的弧形部分的寬度比其他部位的寬度大。
采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果在于(1)在外圈磁鐵和中間磁鐵之間安裝導(dǎo)磁片，可以有效拉平磁場(chǎng)，減小磁場(chǎng)垂直分量，提高靶材利用率，通過實(shí)驗(yàn)證明，靶材利用率與未加導(dǎo)磁片相比可增加約30％。
(2)導(dǎo)磁片由PVC塑料固定塊固定，可避免磁鐵和導(dǎo)磁片滑動(dòng)對(duì)磁場(chǎng)產(chǎn)生不良影響。
(3)由于外圈磁鐵采用U字形，且U字形磁鐵的端部弧形部分的寬度比其他直線部位的寬度大，增強(qiáng)了端部磁場(chǎng)，從而消除弧形拐角處的異?？涛g，使端部和中部濺射速度一致，從而能提高膜厚的均勻性。
綜上所述，本實(shí)用新型不但結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且可以有效地提高靶材利用率，提高產(chǎn)品膜厚的均勻性。


圖1是一種平面磁控濺射裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1平面磁控濺射裝置的A-A向截面剖視圖。
標(biāo)號(hào)說明1.外圈磁鐵2.固定塊3.導(dǎo)磁片4.中間磁鐵5.底座6.緊固螺絲具體實(shí)施方式
實(shí)施例一種平面磁控濺射裝置，如圖1和圖2所示，包括外圈磁鐵1、固定塊2、，導(dǎo)磁片3、中間磁鐵4、底座5和緊固螺絲6。外圈磁鐵1為U字形，在弧形部位寬度增加，用于增強(qiáng)端部弧形的磁場(chǎng)。在外圈磁鐵1和中間磁鐵4的下方裝底座5，由Q235-A碳鋼制成，因?yàn)槠鋵?dǎo)磁性能良好且價(jià)格低廉。在外圈磁鐵1和中間磁鐵4之間裝有固定塊2，可以防止磁鐵左右滑動(dòng)錯(cuò)位，固定塊2由PVC塑料制成。固定塊2的上方開槽并在槽內(nèi)裝入導(dǎo)磁片3且用螺絲6緊固，導(dǎo)磁片3由高磁導(dǎo)率材料制成，導(dǎo)磁片3上表面與外圈磁鐵1和中間磁鐵4上表面齊平。磁鐵1、4采用釹鐵硼材料。
必須指出，盡管通過上述實(shí)施例對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，但對(duì)于本行業(yè)技術(shù)人員而言，還會(huì)有各種變化和改型，只要這些變化和改性不脫離本實(shí)用新型范圍，它們均包括在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。如根據(jù)實(shí)際需要，可以利用外圈磁鐵1和導(dǎo)磁片3調(diào)整磁場(chǎng)強(qiáng)度，可以增加或者減小弧形外圈磁鐵寬度和導(dǎo)磁片厚度，并調(diào)整導(dǎo)磁片位置，使其上表面高于或低于外圈磁鐵和或中間磁鐵的上表面。
權(quán)利要求1.一種平面磁控濺射裝置，包括外圈磁鐵和中間磁鐵，其特征在于所述外圈磁鐵與中間磁鐵之間分別固定有導(dǎo)磁片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于包括底座，所述外圈磁鐵、中間磁鐵和導(dǎo)磁片固定在底座上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于在外圈磁鐵與中間磁鐵之間設(shè)置有非導(dǎo)磁性固定體，所述導(dǎo)磁片固定在非導(dǎo)磁性固定體上面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于所述非導(dǎo)磁性固定體是PVC塑料固定體。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于包括底座，所述外圈磁鐵、中間磁鐵和非導(dǎo)磁性固定體都固定在底座上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于所述外圈磁鐵是U字形，所述中間磁鐵是長(zhǎng)條形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于所述U字型外圈磁鐵的弧形部分的寬度比其他部位的寬度大。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平面磁控濺射裝置，其特征在于所述導(dǎo)磁片為長(zhǎng)條形。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種平面磁控濺射裝置，包括外圈磁鐵、中間磁鐵、導(dǎo)磁片、非導(dǎo)磁性固定體和底座，在外圈磁鐵與中間磁鐵之間分別設(shè)置有非導(dǎo)磁性固定體，各個(gè)非導(dǎo)磁性固定體上面分別固定有導(dǎo)磁片，所述外圈磁鐵、中間磁鐵和非導(dǎo)磁性固定體都固定在底座上，所述非導(dǎo)磁性固定體是PVC塑料固定體，所述外圈磁鐵是U字形，進(jìn)一步地，所述U字型外圈磁鐵的弧形部分的寬度比其他部位的寬度大。本實(shí)用新型可使靶表面磁場(chǎng)均勻，提高靶材利用率，提高膜厚的均勻性。
文檔編號(hào)C23C14/34GK2818495SQ20052003480
公開日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2005年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月6日
發(fā)明者許生, 許沭華 申請(qǐng)人:深圳市豪威光電子設(shè)備有限公司