專利名稱：：蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法以及形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)(micromechanicalstructure)的方法，特別是有關(guān)于一種在微機(jī)電結(jié)構(gòu)(microelectromechanicalstructure，MEMS)制程中，蝕刻犧牲硅層的方法。
背景技術(shù)：
：在制造半導(dǎo)體元件和MEMS的制程中，經(jīng)常使用具有選擇性的蝕刻劑來去除多層結(jié)構(gòu)中的犧牲層或區(qū)域，而留下相鄰的層或區(qū)域。目前的MEMS結(jié)構(gòu)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有相當(dāng)多的應(yīng)用，例如慣性測量(inertialmeasurement)、壓力感測、熱測量、微射流(micro-fluidics)、光學(xué)元件、射頻通訊元件…等等，且其應(yīng)用范圍仍不斷成長中。MEMS結(jié)構(gòu)的一應(yīng)用例是反射式空間光調(diào)制器(spatiallightmodulator，SLM)，其為一種包含有眾多偏向鏡面板(deflectablemirrors)的一平面陣列，每一偏向鏡面板的尺寸相當(dāng)微小。上述空間光調(diào)制器通常用來當(dāng)作高解析度且大螢?zāi)煌渡溲b置的微顯示系統(tǒng)(micro-displaysystem)。犧牲層在上述元件制程中，是被沉積的鏡面材料所覆蓋。一旦鏡面結(jié)構(gòu)完成時(shí)，就會(huì)將該犧牲層除去而形成一間隙(gap)于鏡面板與基板之間，且該鏡面板是通過一微樞紐(microhinge)而與基板結(jié)合。該間隙和該微樞紐使具有自由移動(dòng)特性的鏡面板能夠進(jìn)行偏向。上述空間光調(diào)制器已揭示于許多文獻(xiàn)中，例如美國專利第6356378號(hào)。然而，要成功地完成包含去除犧牲層的結(jié)構(gòu)制程，則必須依賴蝕刻制程的選擇性能力。例如對(duì)于偏向鏡面板結(jié)構(gòu)而言，各層的厚度和橫向尺寸、間隙寬度以及微樞紐的完整度等等因素，是能夠得到均勻微機(jī)械性質(zhì)以及無缺陷產(chǎn)品的制程良率與否的重要關(guān)鍵。而影響這些關(guān)鍵因素的重要原因之一，就是蝕刻制程的品質(zhì)。也就是說，若能增加相對(duì)于相鄰功能層的犧牲層的蝕刻選擇比，則元件性能、一致性與良率都能獲得改善。在MEMS制程中，用來去除多層結(jié)構(gòu)中的犧牲層或區(qū)域的蝕刻劑通常是采用鈍氣氟化物或鹵素氟化物。這些蝕刻劑是以氣態(tài)的方式，相對(duì)于其他材料而選擇蝕刻硅，上述其他材料例如是含硅的化合物、金屬或金屬化合物。而上述蝕刻劑的蝕刻選擇比并非無限大，而可能會(huì)因?yàn)闄C(jī)臺(tái)、制程、材料、反應(yīng)條件等的不同而會(huì)有不同的效果。例如XeF2就能顯現(xiàn)400∶1～500∶1的高蝕刻選擇比。然而，對(duì)于現(xiàn)行的半導(dǎo)體制程來說，XeF2蝕刻設(shè)備(etcher)是一種特殊且高價(jià)的設(shè)備，因而增加了設(shè)備成本與材料成本。除此之外，由于一般的犧牲層相當(dāng)厚(例如2000以上)，這會(huì)使XeF2蝕刻設(shè)備需要相當(dāng)長的時(shí)間來進(jìn)行蝕刻，而降低生產(chǎn)效率。在美國專利公開第20020197761號(hào)中，Patel有揭示一種釋放(release)微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法。該方法的第一蝕刻是使用CH4或C4H8的蝕刻劑來物理性或物理性及化學(xué)性地去除部分犧牲材料。然后進(jìn)行第二蝕刻，即使用XeF2、IF5、IF7或BrF3來化學(xué)性地去除額外的犧牲材料。盡管該方法能有效去除犧牲材料，但是卻還是要需要特殊且高價(jià)的例如是XeF2的干式蝕刻設(shè)備。在美國專利第6290864號(hào)中，Patel有揭示一種MEMS制程中的氣相蝕刻程序。該方法是通過添加非蝕刻性氣體于鈍氣氟化物或鹵素氟化物的蝕刻劑中，用以提升犧牲硅層與其他的微機(jī)械結(jié)構(gòu)之間的蝕刻選擇比。同樣地，該方法仍然還是要需要特殊且高價(jià)的例如是XeF2的干式蝕刻設(shè)備。在美國專利第6396619號(hào)中，Huibers有揭示一種偏向的空間光調(diào)制器。該專利有教導(dǎo)犧牲層的材質(zhì)可以是硅或聚合物。然而，該專利卻沒有教導(dǎo)如何蝕刻非晶硅的犧牲層。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種釋放微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種在MEMS制程之中蝕刻犧牲硅層的方法。本發(fā)明的又一目的在于提供一種形成微鏡(micromirror)結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，包括下列步驟對(duì)一硅材料提供一含胺蝕刻劑；以及蝕刻該硅材料。上述蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法中，該硅材料優(yōu)選包含非晶硅與結(jié)晶硅的至少其一。相對(duì)于包含金屬的一非硅材料而言，該含胺蝕刻劑優(yōu)先蝕刻該硅材料。上述蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法中，該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺(MEA，monoethanolamine)；該含胺蝕刻劑優(yōu)選還包含二甲亞砜(DMSO，dimethylsulfoxide)；此時(shí)，該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍優(yōu)選是90～120℃。該含胺蝕刻劑優(yōu)選進(jìn)一步包含羥胺(HDA，hydroxylamine)、H2O、二甘醇胺(DGA，2-(2-aminoethoxy)ethanol)以及鄰苯二酚(Catechol)；此時(shí)，該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍優(yōu)選是60～80℃。根據(jù)上述目的，本發(fā)明還提供一種形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，包括下列步驟提供至少一微機(jī)械結(jié)構(gòu)層于一基底上方，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)層是被具有硅材料的一犧牲層所支撐著；以及利用一含胺蝕刻劑蝕刻該硅材料。上述形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法中，該基底優(yōu)選是一玻璃或石英基底。該硅材料優(yōu)選包含非晶硅與結(jié)晶硅的至少其一。相對(duì)于包含金屬的一非硅材料來說，該含胺蝕刻劑優(yōu)先蝕刻該硅材料。上述形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法中，該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺(MEA，monoethanolamine)；該含胺蝕刻劑優(yōu)選還包含二甲亞砜(DMSO，dimethylsulfoxide)；此時(shí)，該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍優(yōu)選是90～120℃。該含胺蝕刻劑優(yōu)選進(jìn)一步包含羥胺(HDA，hydroxylamine)、H2O、二甘醇胺(DGA，2-(2-aminoethoxy)ethanol)以及鄰苯二酚(Catechol)；此時(shí)，該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍優(yōu)選是60～80℃。根據(jù)上述目的，本發(fā)明再提供一種形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，包括下列步驟提供至少一微機(jī)械結(jié)構(gòu)層于一基底上方，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)層是被具有硅材料的一犧牲層所支撐著；以及利用一含胺蝕刻劑同時(shí)地濕式蝕刻該犧牲層以及聚合物殘留物，而不會(huì)實(shí)質(zhì)地破壞非硅材料，其中該聚合物殘留物是在進(jìn)行前述濕式蝕刻步驟前所形成；其中該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺(MEA，monoethanolamine)。上述形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法中，該含胺蝕刻劑優(yōu)選還包含二甲亞砜(DMSO，dimethylsulfoxide)，該含胺蝕刻劑優(yōu)選進(jìn)一步包含羥胺(HDA，hydroxylamine)、H2O、二甘醇胺(DGA，2-(2-amineoethoxy)ethanol)以及鄰苯二酚(Catechol)。本發(fā)明方法通過現(xiàn)行的濕式蝕刻設(shè)備，利用含胺蝕刻劑而同時(shí)蝕刻犧牲硅層以及聚合物殘留物。因此，本發(fā)明不需增加特別或額外的蝕刻制程(例如XeF2蝕刻制程)來去除犧牲硅層，就能釋放微機(jī)械結(jié)構(gòu)，因而能夠降低設(shè)備與材料成本。以下配合附圖以及較佳實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。圖1A～圖1H是顯示根據(jù)本發(fā)明方法的MEMS制程剖面圖；以及圖2A～圖2H是顯示根據(jù)本發(fā)明另一方法的MEMS制程的立體示意圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出一蝕刻制程，例如用在MEMS制程中同時(shí)蝕刻聚合物殘留物(polymerresidue，其由干蝕刻光阻時(shí)所造成)以及含硅材料的物質(zhì)，其特征在于采用一含胺蝕刻劑(amine-basedetchant)對(duì)該含硅材料進(jìn)行蝕刻，其中該含胺蝕刻劑可以包含單乙醇胺(MEA，monoethanolamine)。該含胺蝕刻劑可進(jìn)一步包含二甲亞砜(DMSO，dimethylsulfoxide)與抑制劑(inhibitor)，或進(jìn)一步包含羥胺(HDA，hydroxylamine)、H2O、二甘醇胺(DGA，2-(2-aminoethoxy)ethanol)以及鄰苯二酚(Catechol)。上述硅材料可以是非晶硅(amorphoussilicon)或結(jié)晶硅(crystallinesilicon)。在一實(shí)施例中，該含胺蝕刻劑包含MEA(約70vol％)、DMSO(約25vol％)以及抑制劑(約5vol％)，而其使用時(shí)的操作溫度范圍是90～120℃，最好是115℃。在另一實(shí)施例中，該含胺蝕刻劑包含MEA、HDA、H2O、DGA以及Catechol，而其使用時(shí)的操作溫度范圍是60～80℃，最好是70℃。發(fā)明人等提供如下表1、2及3的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，用以顯示當(dāng)使用本發(fā)明的含胺蝕刻劑時(shí)，相對(duì)于包含金屬的一非硅材料而言，該含胺蝕刻劑優(yōu)先蝕刻該硅材料。上述非硅材料例如是非硅金屬、非硅金屬的化合物、以及硅被鍵結(jié)于非硅元素的含硅化合物。使用于表1的蝕刻劑是含有MEA(70vol％)、DMSO(25vol％)及抑制劑如鄰苯二酚(Catechol)(5vol％)的含胺蝕刻劑，其例如是ACT(AdvancedChemicalTechnology)公司生產(chǎn)的型號(hào)ACT-690的光阻脫除劑(stripper)，還有其操作溫度設(shè)在約115℃。使用于表2的蝕刻劑是含有MEA、HDA、H2O、DGA以及Catechol的含胺蝕刻劑，其例如是EKC科技公司生產(chǎn)的型號(hào)EKC-270T的光阻脫除劑，還有其操作溫度設(shè)在約70℃。為了要與表1、表2做比較，使用于表3的蝕刻劑是含有HDA、H2O以及Catechol的非含胺蝕刻劑，其例如是EKC科技公司生產(chǎn)的型號(hào)EKC-265的光阻脫除劑，還有其操作溫度設(shè)在約65℃。表1使用ACT-690C當(dāng)作是本發(fā)明的含胺蝕刻劑表2使用EKC-270T當(dāng)作是本發(fā)明的含胺蝕刻劑表3使用EKC-265當(dāng)作是比較例的非含胺蝕刻劑根據(jù)上述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可證明含胺蝕刻劑可以同時(shí)地蝕刻硅(非晶硅或多晶硅)以及聚合物殘留物(其由干蝕刻光阻時(shí)所造成)，而不會(huì)實(shí)質(zhì)破壞非硅材料。要注意的是，ACT-690的蝕刻選擇特性優(yōu)于EKC-270T。除此之外，本發(fā)明的蝕刻方法可以在時(shí)間模式下，去除部分的硅材料。本發(fā)明方法非常適合應(yīng)用于MEMS制程。根據(jù)本發(fā)明方法，可以應(yīng)用于許多MEMS元件的制造，例如微感測器(microsensors)、微閥(microvalves)、光學(xué)掃描器的微鏡(micromirrors)、顯微鏡、光譜儀、投影顯示器以及光學(xué)開關(guān)…等等。以下本發(fā)明雖以微鏡結(jié)構(gòu)的MEMS制程來舉例說明本發(fā)明方法與應(yīng)用，但并非限定本發(fā)明的應(yīng)用范圍。以下利用圖1A～圖1H，來說明根據(jù)本發(fā)明而制作MEMS元件的一方法。請(qǐng)參見圖1A，提供一基底100，該基底100具有互相對(duì)向的第一表面102與第二表面104，且一金屬氮化層110形成于該基底100的第一表面102上。該基底100是一可以穿透光的玻璃或石英基板。該金屬氮化層110一般是TiN層，其用來當(dāng)做是保護(hù)層與遮光層。也就是說，本實(shí)施例是采用背面具有金屬氮化層的透明玻璃基板當(dāng)作范例，其為商業(yè)化的產(chǎn)品。然后將具有硅材料的一犧牲層120形成在該基底100的第二表面104上。該硅材料是通過PECVD(等離子體加強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積)或?yàn)R鍍(sputtering或物理氣相沉積，PVD)所形成的非晶硅或結(jié)晶硅層，其厚度例如是5000～20000。當(dāng)使用非晶硅層時(shí)，則可以額外再進(jìn)行一退火制程(annealing)而增進(jìn)穩(wěn)定性。請(qǐng)參見圖1B，使用微影制程以及本發(fā)明的含胺蝕刻劑，部分蝕刻該犧牲層120而形成露出部分基底100的第二表面104的至少一孔洞130。然后，將導(dǎo)體材料沉積至該孔洞130內(nèi)而形成當(dāng)作是鏡面板支撐結(jié)構(gòu)(mirrorsupportstructure)的一插塞135，而附著于該基底100。其中該導(dǎo)體材料例如是鎢、鉬、鈦、鉭或?qū)w金屬化合物。對(duì)于一些的插塞材料，有時(shí)會(huì)先沉積一底襯層(liner，未圖示)用以避免剝離，例如在形成鎢插塞時(shí)，會(huì)先將TiN，TiW或TiWN底襯層沉積于這些犧牲硅層中的孔洞130中而環(huán)繞鎢插塞。在上述金屬沉積步驟之后，可通過CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)而使該插塞135和該犧牲層120具有一平坦表面。請(qǐng)參見圖1C，將一鏡面板140形成在部分該犧牲層120上，并且連接該插塞135。該鏡面板140可以是通過濺鍍與圖案化制程所形成的Al、AlCu或AlSiCu層。在本例子中，當(dāng)完成后續(xù)的釋放制程(releasingprocess)時(shí)，該鏡面板140會(huì)通過該插塞135(支撐結(jié)構(gòu))而當(dāng)作是偏向耦合于該基底100的一反射元件。請(qǐng)參見圖1D，形成一光阻層150而全面覆蓋于該基底100的第二表面104上方。請(qǐng)參見圖1E，以該光阻層150為罩幕，而蝕刻去除該金屬氮化層110。例如利用含氟的蝕刻氣體來去除例如是TiN層的該金屬氮化層110。請(qǐng)參見圖1F，利用氧灰化制程(O2ashing)而去除該光阻層150。然而，在此步驟中會(huì)產(chǎn)生聚合物殘留物(未圖示)。請(qǐng)參見圖1G，進(jìn)行具有含胺蝕刻劑的后段清潔程序(post-cleaningprocedure)160，而同時(shí)地蝕刻該聚合物殘留物(未圖示)以及具有硅材料的該犧牲層120。這里要提醒的是，上述具有含胺蝕刻劑的后段清潔程序160可以通過現(xiàn)行的濕式蝕刻機(jī)臺(tái)來進(jìn)行。完成后段清潔程序160之后，則如圖1H所示，該插塞135和該鏡面板140(也即微機(jī)械結(jié)構(gòu))就被釋放了，而不需要像已知般地額外需要例如是XeF2蝕刻制程。在此提供上述后段清潔程序160的例子，但并非限定本發(fā)明。在除去光阻層150之后，該后段清潔程序160是先將該微機(jī)械結(jié)構(gòu)浸入ACT-690C中30分鐘，用以同時(shí)去除聚合物殘留物以及硅材料，然后再浸入當(dāng)作是中和劑的N-甲基吡咯烷酮(N-Methyl-2-Pyrrolidinone，NMP)中5分鐘。最后，利用去離子水沖洗該微機(jī)械結(jié)構(gòu)使其干凈后，再利用旋干機(jī)(spindryer)予以旋干。以下利用圖2A～2H，來說明根據(jù)本發(fā)明而制作MEMS元件的另一方法。請(qǐng)參見圖2A，提供一基底200，該基底200具有互相對(duì)向的第一表面202與第二表面204，且一金屬氮化層210形成于該基底200的第一表面202上。該基底200是一可以穿透光的玻璃或石英基板。該金屬氮化層210一般是TiN層，其用來當(dāng)作是保護(hù)層與遮光層。也就是說，本實(shí)施例是采用背面具有金屬氮化層的透明玻璃基板當(dāng)作范例，其為商業(yè)化的產(chǎn)品。然后將具有硅材料的一第一犧牲層220形成在該基底200的第二表面204上。該硅材料是通過PECVD或?yàn)R鍍所形成的非晶硅或結(jié)晶硅層，其厚度例如是5000～20000。當(dāng)使用非晶硅層時(shí)，則可以額外再進(jìn)行一退火制程而增進(jìn)穩(wěn)定性。將一鏡面板230形成在部分該第一犧牲層220上。該鏡面板230可以是通過濺鍍與圖案化制程所形成的含有Al、AlCu或AlSiCu的金屬層。在本例子中，該鏡面板230當(dāng)作是偏向耦合于該基底200的一反射元件。這里要注意的是，在根據(jù)本發(fā)明的典型SLM(空間光調(diào)制裝置)中，整體的微鏡陣列是在同一時(shí)間形成。為了簡化圖示與說明，該基底200上的其他鏡面板的形成說明在此予以省略。請(qǐng)參見圖2B，將一第二犧牲硅層240沉積在該第一犧牲硅層220與該鏡面板230上。然后，使用微影制程以及本發(fā)明的含胺蝕刻劑，部分蝕刻上述犧牲層220與240而形成露出部分鏡面板230的開口250以及露出部分基底200的第二表面204的至少一孔洞252。請(qǐng)參見圖2C，將導(dǎo)體材料沉積至該開口250與該孔洞252內(nèi)而定義出鏡面板230的一支撐結(jié)構(gòu)254，而附著于該基底200。其中該導(dǎo)體材料例如是鎢、鉬、鈦、鉭或?qū)w金屬化合物。在此例子中，該支撐結(jié)構(gòu)254包含有附著于該鏡面板230的一電極部分254′，以及附著于該基底200的一樞紐支撐結(jié)構(gòu)254″(hingesupportstructure，如圖2H所示)。請(qǐng)參見圖2D，形成一光阻層260而全面覆蓋于該基底200的第二表面204上方。請(qǐng)參見圖2E，以該光阻層260為罩幕，而蝕刻去除該金屬氮化層210。例如利用含氟的蝕刻氣體來去除例如是TiN層的該金屬氮化層210。請(qǐng)參見圖2F，利用氧灰化制程而去除該光阻層260。然而，在此步驟中會(huì)產(chǎn)生聚合物殘留物(未圖示)。請(qǐng)參見圖2G，進(jìn)行具有含胺蝕刻劑的后段清潔程序270，而同時(shí)地蝕刻該聚合物殘留物(未圖示)以及具有硅材料的上述犧牲層220與240。這里要提醒的是，上述具有含胺蝕刻劑的后段清潔程序270可以通過現(xiàn)行的濕式蝕刻機(jī)臺(tái)來進(jìn)行。完成后段清潔程序270之后，則如圖2H所示，該支撐結(jié)構(gòu)254和該鏡面板230(也即微機(jī)械結(jié)構(gòu))就被釋放了，而不需要像已知般地額外需要例如是XeF2蝕刻制程。在此提供上述后段清潔程序270的例子，但并非限定本發(fā)明。在除去光阻層260之后，該后段清潔程序270是先將該微機(jī)械結(jié)構(gòu)浸入ACT-690C中30分鐘，用以同時(shí)去除聚合物殘留物以及硅材料，然后再浸入當(dāng)作是中和劑的N-甲基吡咯烷酮(NMP)中5分鐘。最后，利用去離子水沖洗該微機(jī)械結(jié)構(gòu)使其干凈后，再利用旋干機(jī)予以旋干。上述所得的微鏡結(jié)構(gòu)能夠被夾于該基底200與具有電極與回路的一半導(dǎo)體基底(未圖示)之間，而形成類似三明治結(jié)構(gòu)的光閥元件(lightvalvedevice)。用以驅(qū)動(dòng)微鏡結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基底的制程已揭示于美國專利第5835256號(hào)及相關(guān)專利中，在此為了不混淆本發(fā)明的特征，故不予討論。本發(fā)明在后段清潔程序中，以現(xiàn)行的濕式蝕刻設(shè)備而利用含胺蝕刻劑而同時(shí)蝕刻犧牲硅層以及聚合物殘留物。因此，本發(fā)明不需增加特別或額外的蝕刻制程(例如XeF2蝕刻制程)來去除犧牲硅層，就能釋放微機(jī)械結(jié)構(gòu)，因而能夠降低設(shè)備與材料成本。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。附圖中符號(hào)的簡單說明如下100、200基底102、202第一表面104、204第二表面110、210金屬氮化層120、220、240犧牲層130、252孔洞135插塞(支撐結(jié)構(gòu))140、230鏡面板160、270后段清潔程序250開口150、260光阻層254支撐結(jié)構(gòu)254′電極部分254″樞紐支撐結(jié)構(gòu)權(quán)利要求1.一種蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，包括下列步驟對(duì)一硅材料提供一含胺蝕刻劑；以及蝕刻該硅材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該硅材料包含非晶硅與結(jié)晶硅的至少其一。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中相對(duì)于包含金屬的一非硅材料而言，該含胺蝕刻劑優(yōu)先蝕刻該硅材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該含胺蝕刻劑還包含二甲亞砜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍是90～120℃。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該含胺蝕刻劑進(jìn)一步包含羥胺、H2O、二甘醇胺以及鄰苯二酚。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，其中該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍是60～80℃。9.一種形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，包括下列步驟提供至少一微機(jī)械結(jié)構(gòu)層于一基底上方，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)層是被具有硅材料的一犧牲層所支撐著；以及利用一含胺蝕刻劑蝕刻該硅材料。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該基底是一玻璃或石英基底。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該硅材料包含非晶硅與結(jié)晶硅的至少其一。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中相對(duì)于包含金屬的一非硅材料來說，該含胺蝕刻劑優(yōu)先蝕刻該硅材料。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑還包含二甲亞砜。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍是90～120℃。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑進(jìn)一步包含羥胺、H2O、二甘醇胺以及鄰苯二酚。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑的操作溫度范圍是60～80℃。18.一種形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，包括下列步驟提供至少一微機(jī)械結(jié)構(gòu)層于一基底上方，該微機(jī)械結(jié)構(gòu)層是被具有硅材料的一犧牲層所支撐著；以及利用一含胺蝕刻劑同時(shí)地濕式蝕刻該犧牲層以及聚合物殘留物，而不會(huì)實(shí)質(zhì)地破壞非硅材料，其中該聚合物殘留物是在進(jìn)行前述濕式蝕刻步驟前所形成；其中該含胺蝕刻劑包含單乙醇胺。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑還包含二甲亞砜。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，其中該含胺蝕刻劑進(jìn)一步包含羥胺、H2O、二甘醇胺以及鄰苯二酚。全文摘要本發(fā)明提供一種蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法以及形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的蝕刻含硅材料的物質(zhì)的方法，包括對(duì)一硅材料提供一含胺蝕刻劑；以及蝕刻該硅材料。本發(fā)明的形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法包括提供至少一微機(jī)械結(jié)構(gòu)層于一基底上方，微機(jī)械結(jié)構(gòu)層是被一犧牲硅層所支撐著；利用一含胺蝕刻劑同時(shí)地蝕刻犧牲硅層以及前段步驟所造成的聚合物殘留物。也就是說，本發(fā)明在使用含胺蝕刻劑的后段清潔程序中，一并去除犧牲層以及聚合物殘留物，而不需增加額外的蝕刻制程。文檔編號(hào)C23F1/24GK1834292SQ20061006486公開日2006年9月20日申請(qǐng)日期2006年3月16日優(yōu)先權(quán)日2005年3月17日發(fā)明者陳斐筠,吳子揚(yáng),陳世雄申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司