專利名稱：蝕刻組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示裝置的柵電極用金屬膜和源/漏電極用金屬膜的蝕刻組合物，更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及下述蝕刻組合物，采用所述組合物，可以以下部膜Al-Nd或Mo不產(chǎn)生底切現(xiàn)象的方式通過(guò)單一工序?qū)?gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT LCD，thin film transistorliquid crystal display)的TFT的柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜或Mo/Al-Nd/Mo三層膜進(jìn)行濕式蝕刻，并可以獲得優(yōu)異的錐度(taper)，同時(shí)源極/漏極配線材料Mo單層膜也可以形成優(yōu)異的輪廓(profile)。
背景技術(shù)：
蝕刻工序是在基板上形成極其微細(xì)的電路的過(guò)程，形成與通過(guò)顯影工序而形成的光致抗蝕劑圖案相同的金屬圖案。
蝕刻工序根據(jù)其方式大致分為濕式蝕刻和干式蝕刻，濕式蝕刻是利用酸(acid)類化學(xué)藥品與金屬等反應(yīng)而對(duì)其進(jìn)行腐蝕，將光致抗蝕劑圖案以外的部分溶掉；干式蝕刻是通過(guò)對(duì)離子(ion)進(jìn)行加速而除去暴露部位的金屬，從而形成圖案。
與濕式蝕刻相比，干式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于具有各向異性輪廓、蝕刻控制力優(yōu)異。但是，其問(wèn)題在于設(shè)備昂貴、難以進(jìn)行大面積化、并由于蝕刻速度慢而使生產(chǎn)性降低。
相反，與干式蝕刻相比，濕式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于可以進(jìn)行大量以及大型處理、由于蝕刻速度快而生產(chǎn)性高、設(shè)備便宜。但是，其問(wèn)題在于蝕刻劑(etchant)和純水的使用量大、廢液量多。
一般在進(jìn)行干式蝕刻時(shí)，為了除去表面的部分固化的光刻膠，會(huì)追加等離子灰化工序，其成為設(shè)備成本、工序時(shí)間損失等生產(chǎn)性降低以及制品競(jìng)爭(zhēng)力減弱的主要原因，因此，在實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)，事實(shí)上主要使用濕式蝕刻。
此外，對(duì)于用于濕式蝕刻的蝕刻劑，由于要求更精密的微細(xì)電路，應(yīng)用蝕刻劑時(shí)蝕刻劑受到欲蝕刻的金屬種類的限定。
作為一個(gè)例子，下述專利文獻(xiàn)1和下述專利文獻(xiàn)2公開(kāi)了對(duì)Al單層膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻劑，該蝕刻劑是由磷酸、硝酸、乙酸、表面活性劑和水構(gòu)成的。
此外，下述專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了用于對(duì)Al-Nd膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物含有磷酸、硝酸、乙酸、水和氟碳類表面活性劑；下述專利文獻(xiàn)3公開(kāi)了用于對(duì)鋁和ITO(氧化銦錫)進(jìn)行蝕刻的蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物含有可將草酸和組合物的pH調(diào)節(jié)為3～4.5的酸，并含有鹽酸、磷酸、硝酸；下述專利文獻(xiàn)4公開(kāi)了用于對(duì)銀或銀合金進(jìn)行蝕刻的配線用蝕刻液，該配線用蝕刻液含有磷酸、硝酸、乙酸和氧硫酸鉀；下述專利文獻(xiàn)5公開(kāi)了用于對(duì)IZO(氧化銦鋅)進(jìn)行蝕刻的蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物含有鹽酸、乙酸、抑制劑和水。
此外，下述專利文獻(xiàn)6公開(kāi)了用于對(duì)源電極和漏電極用Mo或Mo-W(鉬和鎢的合金)進(jìn)行蝕刻的蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物含有磷酸、硝酸、乙酸、酸化調(diào)整劑和水。
但是，上述以往的蝕刻劑適用于僅對(duì)一種金屬膜進(jìn)行蝕刻的用途，因而其在設(shè)備和工序效率性方面較差。鑒于此，有必要對(duì)用于同時(shí)蝕刻各種金屬膜的組合物進(jìn)行研究。
作為一個(gè)例子，下述專利文獻(xiàn)7和下述專利文獻(xiàn)8公開(kāi)了用于對(duì)Al/Mo、Al-Nd/Mo或A1-Nd/Mo-W的雙層膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液，該蝕刻液含有磷酸、硝酸、乙酸和酸化調(diào)整劑；下述專利文獻(xiàn)9公開(kāi)了用于對(duì)Mo/Al(Al-Nd)/Mo膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液，該蝕刻液含有磷酸、硝酸、乙酸和酸化調(diào)整劑。
此外，下述專利文獻(xiàn)10、11、12公開(kāi)了可以適用于Al-Nd/Mo、Al-Nd/Mo-W、Mo/Al-Nd/Mo、Mo-W/Al-Nd/Mo-W、Mo單層膜和Mo-W單層膜中的全部膜的蝕刻液，該蝕刻液含有磷酸、硝酸、乙酸、鉬蝕刻抑制劑(銨鹽、鉀鹽)和水。
但是，利用上述以往的蝕刻組合物對(duì)構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的源/漏電極用金屬膜的Mo膜進(jìn)行蝕刻時(shí)所存在的問(wèn)題是，其會(huì)引起如7所示的輪廓錐度不良，從而可能在后續(xù)工序中使得所層積的上部膜的階梯覆蓋(step coverage)不良。
此外，如果用上述以往的蝕刻劑或蝕刻液組合物對(duì)構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵電極用金屬膜Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜進(jìn)行蝕刻，則存在的問(wèn)題是，會(huì)產(chǎn)生如圖8所示的上部Mo膜的凸出現(xiàn)象和下部Al-Nd或Mo膜的底切現(xiàn)象，該上部膜的凸出現(xiàn)象必須實(shí)施追加工序來(lái)除去，而下部膜的底切現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致上部膜在傾斜面產(chǎn)生斷線或者上下部金屬在傾斜面被短路的問(wèn)題。
因此，以往將構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵電極用金屬膜和源/漏電極用金屬膜制成多層結(jié)構(gòu)時(shí)，一般通過(guò)同時(shí)應(yīng)用濕式工序和干式工序來(lái)得到理想的輪廓。但是，若如此同時(shí)使用濕式蝕刻和干式蝕刻，則存在由工序麻煩所致的生產(chǎn)性降低和費(fèi)用增加的問(wèn)題，因而是不利的。
大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2000-0047933號(hào)[專利文獻(xiàn)2]美國(guó)專利第4895617號(hào)[專利文獻(xiàn)3]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2001-0030192號(hào)[專利文獻(xiàn)4]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2001-0065327號(hào)[專利文獻(xiàn)5]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2002-0010284號(hào)[專利文獻(xiàn)6]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2001-0018354號(hào)[專利文獻(xiàn)7]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2000-0002886號(hào)[專利文獻(xiàn)8]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2001-0072758號(hào)[專利文獻(xiàn)9]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2000-0013867號(hào)[專利文獻(xiàn)10]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2002-0017093號(hào)[專利文獻(xiàn)11]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2003-0080557號(hào)[專利文獻(xiàn)12]大韓民國(guó)專利申請(qǐng)第10-2004-0010404號(hào)發(fā)明內(nèi)容為了解決上述以往技術(shù)所存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，提供一種蝕刻組合物，采用所述組合物僅通過(guò)濕式工序即可以以下部膜Al-Nd和Mo不產(chǎn)生底切現(xiàn)象的方式使構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜得到優(yōu)異的錐度，同時(shí)源極/漏極配線材料Mo單層膜也可以形成優(yōu)異的輪廓。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種蝕刻組合物，通過(guò)將該蝕刻組合物應(yīng)用于構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜以及源極/漏極配線材料Mo單層膜，會(huì)顯示出優(yōu)異的蝕刻效果，據(jù)此可以增大設(shè)備的效率性和減少成本。
本發(fā)明的又一目的在于，提供一種蝕刻組合物，采用所述蝕刻組合物即使在濕式蝕刻后不實(shí)施追加的干式蝕刻而僅對(duì)柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜以及源極/漏極配線材料Mo單層膜進(jìn)行濕式蝕刻，也可顯示出優(yōu)異的蝕刻效果，從而可簡(jiǎn)化工序，并有效減少成本以及提高生產(chǎn)性。
本發(fā)明的其他目的在于，提供一種蝕刻組合物，該蝕刻組合物的表面張力得到降低，因而該蝕刻組合物可以更好地?cái)U(kuò)散，據(jù)此可以提高所述蝕刻組合物在大型基板上的蝕刻均一性。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其含有a)40重量％～80重量％的磷酸、b)2重量％～15重量％的硝酸、c)3重量％～20重量％的乙酸、d)0.01重量％～5重量％的磷酸鹽、e)0.001重量％～1重量％的陰離子表面活性劑、以及f)剩余量的水。
此外，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造方法，所述方法包括用上述蝕刻組合物來(lái)進(jìn)行蝕刻的工序。
基于本發(fā)明的蝕刻組合物的優(yōu)點(diǎn)在于，即使在濕式蝕刻后不實(shí)施追加的干式蝕刻，采用所述組合物僅通過(guò)濕式工序既可以以Al-Nd或Mo不產(chǎn)生底切現(xiàn)象的方式使構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜得到優(yōu)異的錐度，同時(shí)源極/漏極配線材料Mo單層膜也可以形成優(yōu)異的輪廓。此外，通過(guò)將所述蝕刻組合物應(yīng)用于柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜以及源極/漏極配線材料Mo單層膜，不僅可以簡(jiǎn)化工序，增大設(shè)備的效率性以及減少成本，而且該蝕刻組合物的表面張力得到降低從而使蝕刻組合物更好地?cái)U(kuò)散，據(jù)此可以提高所述蝕刻組合物在大型基板上的蝕刻均一性。


圖1說(shuō)明將基于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的蝕刻組合物用于Mo單層膜而形成的輪廓的照片。
圖2說(shuō)明將基于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的蝕刻組合物用于Al-Nd/Mo雙層膜的結(jié)果的照片。
圖3說(shuō)明將基于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的蝕刻組合物用于Mo/Al-Nd/Mo三層膜的結(jié)果的照片。
圖4說(shuō)明將基于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的蝕刻組合物用于Mo單層膜、Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜的結(jié)果的照片。
圖5說(shuō)明將不使用磷酸鹽而制造的蝕刻組合物用于Mo單層膜、Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜的結(jié)果的照片。
圖6說(shuō)明將使用較少含量的硝酸來(lái)制造的蝕刻組合物用于Mo單層膜、Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜的結(jié)果的照片。
圖7的照片說(shuō)明將以往的蝕刻組合物用于Mo單層膜，結(jié)果引起錐度不良。
圖8的照片說(shuō)明將以往的蝕刻組合物用于Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜，結(jié)果產(chǎn)生上部膜Mo膜的凸出現(xiàn)象、以及下部膜Al-Nd或Mo膜的底切現(xiàn)象。
具體實(shí)施例方式
下文，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其特征在于，其含有a)40重量％～80重量％的磷酸、b)2重量％～15重量％的硝酸、c)3重量％～20重量％的乙酸、d)0.01重量％～5重量％的磷酸鹽、e)0.001重量％～1重量％的陰離子表面活性劑、以及f)剩余量的水。
對(duì)于本發(fā)明中所使用的磷酸、硝酸、乙酸、磷酸鹽和水，可以使用能夠用于半導(dǎo)體工藝的純度的物質(zhì)，也可以使用市售的物質(zhì)，或者將工業(yè)用等級(jí)的物質(zhì)通過(guò)所述技術(shù)領(lǐng)域通常公知的方法進(jìn)行精制后而使用。
本發(fā)明中所使用的上述a)磷酸發(fā)揮著將氧化鋁分解的作用。
上述磷酸在蝕刻組合物中優(yōu)選含有40重量％～80重量％，進(jìn)一步優(yōu)選含有50重量％～75重量％。磷酸的含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，硝酸和鋁反應(yīng)而形成的氧化鋁可以被適當(dāng)?shù)胤纸?，蝕刻速度加快，具有提高生產(chǎn)性的效果。
本發(fā)明中所使用的上述b)硝酸與鋁反應(yīng)，從而形成氧化鋁。
上述硝酸在蝕刻組合物中優(yōu)選含有2重量％～15重量％，進(jìn)一步優(yōu)選含有3重量％～10重量％。其含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，具有可以有效地調(diào)節(jié)柵極金屬膜與其他層之間的選擇比的效果，所述柵極金屬膜由上部膜Mo膜和下部膜Al-Nd和Mo膜構(gòu)成。特別地，上述硝酸小于2重量％時(shí)，存在的問(wèn)題是在Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜會(huì)產(chǎn)生上部膜和下部Mo膜凸出的現(xiàn)象。
本發(fā)明中所使用的上述c)乙酸發(fā)揮著調(diào)節(jié)反應(yīng)速度的緩沖劑的作用。
上述乙酸在上述蝕刻組合物中優(yōu)選含有3重量％～20重量％，進(jìn)一步優(yōu)選含有8重量％～15重量％。其含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)反應(yīng)速度，提高蝕刻速度，據(jù)此具有能夠提高生產(chǎn)性的效果。
本發(fā)明中所使用的上述d)磷酸鹽發(fā)揮著在Mo單層膜上形成優(yōu)異的輪廓的作用。特別地，通過(guò)將上述磷酸鹽用于蝕刻組合物，不僅使所述蝕刻組合物發(fā)揮出對(duì)源極/漏極Mo單層膜顯示出優(yōu)異蝕刻效果的作用，而且也發(fā)揮出對(duì)Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜顯示出優(yōu)異蝕刻效果的作用。
上述磷酸鹽可以使用NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4或Ca3PO4等，優(yōu)選使用K3PO4或(NH4)3PO4。
上述磷酸鹽在蝕刻組合物中優(yōu)選含有0.01重量％～5重量％，進(jìn)一步優(yōu)選含有0.1重量％～3重量％。其含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，不僅在Al-Nd/Mo雙層膜或Mo/Al-Nd/Mo三層膜上不會(huì)產(chǎn)生下部膜Al-Nd或Mo的底切現(xiàn)象，而且Mo單層膜也可形成優(yōu)異的輪廓。
本發(fā)明中所使用的上述e)陰離子表面活性劑可以用于酸，通過(guò)降低蝕刻組合物對(duì)Al-Nd膜的接觸角，發(fā)揮著改善蝕刻組合物的潤(rùn)濕性、降低蝕刻組合物的粘度、提高蝕刻均一性的作用。
上述陰離子表面活性劑優(yōu)選使用磺酰亞胺氟代烷基銨(ammoniumfluoroalkyl sulfonimide)或全氟辛烷-1-磺酸銨(C8F17SO3NH4)。
上述陰離子表面活性劑在蝕刻組合物中優(yōu)選含有0.001重量％～1重量％，其含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，對(duì)Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜的底切現(xiàn)象以及對(duì)Mo單層膜的輪廓形成無(wú)影響，在此狀態(tài)下可使蝕刻組合物的表面張力得到降低從而使蝕刻組合物更好地?cái)U(kuò)散，據(jù)此可以提高其在大型基板上的蝕刻均一性。
本發(fā)明中所使用的上述f)水為蝕刻組合物中的剩余量，水發(fā)揮著分解硝酸與鋁反應(yīng)而產(chǎn)生的氧化鋁、以及稀釋蝕刻組合物的作用。
上述剩余量的水優(yōu)選使用通過(guò)離子交換樹(shù)脂過(guò)濾過(guò)得到的純水，進(jìn)一步特別優(yōu)選使用比電阻大于等于18兆歐姆(MΩ)的超純水。
此外，本發(fā)明提供薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造方法，所述方法包括用含有上述成分的蝕刻組合物進(jìn)行蝕刻的工序。不言而喻，在利用了上述蝕刻組合物進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序之前和之后當(dāng)然可以應(yīng)用通常被用于薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法的工序。
本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造方法所具有的優(yōu)點(diǎn)在于在使用含有上述成分的本發(fā)明的蝕刻組合物進(jìn)行濕式蝕刻后，即使不實(shí)施追加的干式蝕刻，采用所述組合物僅通過(guò)濕式工序即可以以Al-Nd或Mo不產(chǎn)生底切現(xiàn)象的方式使構(gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜得到優(yōu)異的錐度，據(jù)此可以在后續(xù)工序時(shí)防止在傾斜面產(chǎn)生斷線的不良情況，同時(shí)可以防止源極/漏極配線材料Mo單層膜產(chǎn)生反錐度現(xiàn)象，防止上/下層產(chǎn)生短路的不良情況，可以形成如圖1所示的角度為50度～70度的優(yōu)異的輪廓(profile)。此外，由于是將所述蝕刻組合物應(yīng)用于柵極配線材料Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜以及源極/漏極配線材料Mo單層膜，因此可以簡(jiǎn)化工序，增大設(shè)備的效率性以及減少成本，不僅如此，由于該蝕刻組合物的表面張力得到降低而使蝕刻組合物更好地?cái)U(kuò)散，據(jù)此可以提高所述蝕刻組合物在大型基板上的蝕刻均一性。
下文為了理解本發(fā)明而舉出優(yōu)選的實(shí)施例，但是下述實(shí)施例不過(guò)是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行示例，本發(fā)明的范圍并不限于下述實(shí)施例。
實(shí)施例1將63重量％的磷酸、4重量％的硝酸、17重量％的乙酸、1重量％的K3PO4(作為磷酸鹽)、0.005重量％的磺酰亞胺氟代烷基銨(作為陰離子表面活性劑)、以及剩余量的水均一地混合，制造蝕刻組合物。
將上述蝕刻組合物應(yīng)用于Mo單層膜，結(jié)果如圖1所示，可以確認(rèn)輪廓優(yōu)異，輪廓角度為50度～70度。
實(shí)施例2和比較例1～2除了在上述實(shí)施例1中使用下述表1所示的組成比之外，實(shí)施與上述實(shí)施例1相同的方法來(lái)制造蝕刻組合物。此時(shí)，下述表1的單位為重量％。


通過(guò)下述的常規(guī)方法對(duì)由上述實(shí)施例1或2以及比較例1或2制造的蝕刻組合物的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)，該結(jié)果如下述表2和圖2～圖6所示。
首先在玻璃基板上通過(guò)濺射來(lái)分別形成Mo/Al-Nd雙層膜、Mo/Al-Nd/Mo三層膜和Mo單層膜，然后涂布光致抗蝕劑，將由實(shí)施例1或2以及比較例1或2制造的蝕刻組合物噴灑于通過(guò)顯影形成了圖案的試驗(yàn)片來(lái)進(jìn)行蝕刻處理。接著，進(jìn)行蝕刻后，用掃描電子顯微鏡(SEM、S-4100，日立社)觀察截面，根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)蝕刻組合物的性能。


由上述表2可以確認(rèn)，與比較例1或2相比，利用本發(fā)明實(shí)施例1或2制造的蝕刻組合物時(shí)，在Al-Nd/Mo雙層膜(圖2、圖4)、Mo/Al-Nd/Mo三層膜(圖3、圖4)和Mo單層膜(圖1、圖4)均顯示出優(yōu)異的蝕刻效果。
相反地，對(duì)于不使用磷酸鹽的比較例1和硝酸含量不足4重量％的比較例2，如圖5和圖6所示，在Al-Nd/Mo雙層膜產(chǎn)生底切現(xiàn)象，在Mo/Al-Nd/Mo三層膜產(chǎn)生上部和下部Mo的凸出現(xiàn)象。不僅如此，即使在Mo單層膜中也形成了不良的輪廓。
如圖5所示，在比較例1中，在Al-Nd/Mo雙層膜和Mo/Al-Nd/Mo三層膜中產(chǎn)生上部膜Mo膜的凸出現(xiàn)象和下部膜Al-Nd或Mo膜的底切現(xiàn)象，而與該比較例相比，利用上述實(shí)施例2的蝕刻組合物時(shí)，如圖4所示，可以確認(rèn)，其未產(chǎn)生下部膜Al-Nd的底切現(xiàn)象，可以得到優(yōu)異的錐度；此外，如圖5所示，在比較例1中，即使在Mo單層膜中也產(chǎn)生錐度不良、在后續(xù)工序中層積的上部膜在階梯覆蓋上產(chǎn)生問(wèn)題，而與之相比，如圖4所示，實(shí)施例2中可以得到優(yōu)異的錐度。
由該結(jié)果可知，與以往的蝕刻組合物相比，本發(fā)明的蝕刻組合物能夠形成更優(yōu)異的階梯覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其含有a)40重量％～80重量％的磷酸、b)2重量％～15重量％的硝酸、c)3重量％～20重量％的乙酸、d)0.01重量％～5重量％的磷酸鹽、e)0.001重量％～1重量％的陰離子表面活性劑、以及f)剩余量的水。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其特征在于，所述薄膜晶體管液晶顯示裝置是TFT LCD的柵極膜，即Al-Nd/Mo雙層膜或Mo/Al-Nd/Mo三層膜。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其特征在于，所述薄膜晶體管液晶顯示裝置是TFT LCD的源極/漏極膜，即Mo單層膜。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其特征在于，所述d)磷酸鹽可以使用NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4等，優(yōu)選使用選自由K3PO4或(NH4)3PO4組成的組中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物，其特征在于，所述e)陰離子表面活性劑為磺酰亞胺氟代烷基銨或全氟辛烷-1-磺酸銨，所述全氟辛烷-1-磺酸銨的分子式為C8F17SO3NH4。
6.一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造方法，其包括采用權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的蝕刻組合物進(jìn)行蝕刻的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供蝕刻組合物，采用所述組合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不產(chǎn)生底切現(xiàn)象的方式通過(guò)單一工序?qū)?gòu)成薄膜晶體管液晶顯示裝置的TFT的柵極配線材料Al－Nd/Mo雙層膜或Mo/Al－Nd/Mo三層膜進(jìn)行濕式蝕刻，并可以獲得優(yōu)異的錐度，同時(shí)源極/漏極配線材料Mo單層膜也可以形成優(yōu)異的輪廓。本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示裝置的蝕刻組合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸鹽陰離子表面活性劑和水。
文檔編號(hào)C23F1/10GK1873054SQ20061008469
公開(kāi)日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月30日
發(fā)明者李騏范, 曺三永, 申賢哲, 金南緒 申請(qǐng)人:東進(jìn)世美肯株式會(huì)社