專利名稱：濺射裝置和濺射方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射裝置和濺射方法。
背景技術(shù)：
在膜形成中，根據(jù)成膜速度快等的優(yōu)點(diǎn)，廣泛地利用了磁控濺射方式。在磁控濺射方式中，在靶的后方設(shè)置了由交替地改變了極性的多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵組裝體，通過(guò)利用該磁鐵組裝體在靶的前方形成磁通以俘獲電子，提高在靶的前方的電子密度，提高這些電子與真空室內(nèi)導(dǎo)入了的氣體的碰撞概率，提高等離子體密度來(lái)進(jìn)行濺射。
但是，近年來(lái)，隨著基板變大，磁控濺射裝置也越來(lái)越趨于大型化。作為這樣的裝置，已知有通過(guò)并列地設(shè)置多個(gè)靶可對(duì)大面積的基板成膜的濺射裝置(例如，專利文獻(xiàn)1)。
在這樣的濺射裝置中，因?yàn)樵诎邢嗷ラg設(shè)置了用于俘獲從靶飛出的2次電子的陽(yáng)極或屏蔽罩等的構(gòu)成部件，故不能接近地設(shè)置各靶，靶相互間的間隔變寬。因?yàn)椴粡倪@些靶的相互間放出濺射粒子，故在基板表面中與靶間對(duì)置的部分中成膜速度極慢，膜厚的面內(nèi)均勻性變差。
為了解決這樣的問(wèn)題，考慮了圖1中示出的那樣的濺射裝置。濺射裝置1具有在該真空室11內(nèi)部隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置的多個(gè)靶12a～12d和連接互相相鄰的靶(12a和12b，12c和12d)的2個(gè)交流電源E。由于該濺射裝置1將連接了1個(gè)交流電源的靶的一方定為陰極、另一方定為陽(yáng)極，交替地進(jìn)行濺射，故在靶相互間沒(méi)有必要設(shè)置陽(yáng)極等的構(gòu)成部件，可接近地配置靶。
專利文獻(xiàn)1特表2002-508447號(hào)公報(bào)(例如，權(quán)利要求的范圍的記載)。
但是，如果互相接近地并列地設(shè)置靶，則由于因在相鄰的靶端部的上部空間121中從靶放出的電子流入陽(yáng)極而不發(fā)生等離子體P，故不濺射靶的端部，該端部作為非侵蝕區(qū)域而留下。在該情況下，即使將磁通平行地移動(dòng)到非侵蝕區(qū)域的前方，也不能侵蝕靶端部，由于不能侵蝕靶的整個(gè)面，故靶的利用效率差。此外，因留下非侵蝕區(qū)域，也成為濺射中的異常發(fā)電或粒子的原因。
此外，由于在連接了1個(gè)交流電源的互相相鄰的靶間發(fā)生等離子體P，故產(chǎn)生等離子體密度比其它的空間低的空間122。在該情況下，如果在濺射裝置1中導(dǎo)入反應(yīng)氣體以進(jìn)行反應(yīng)性濺射，則在等離子體密度低的部分中不促進(jìn)反應(yīng)，在基板S面內(nèi)的膜質(zhì)變得不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，打算提供在靶上不留下非侵蝕區(qū)域而且在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下能形成均勻的膜質(zhì)的膜的濺射裝置。
本發(fā)明的濺射裝置的特征在于具備在真空室內(nèi)隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置的至少大于等于4片的靶和對(duì)并列地設(shè)置的靶中的2片靶交替地施加負(fù)電位和正電位或接地電位的交流電源，將各交流電源連接到互不相鄰的2片靶上。
通過(guò)將各交流電源與互不相鄰的2片靶連接在一起，使陽(yáng)極與陰極之間的距離變寬，不使電子不流陽(yáng)極中。由此，在靶的前方發(fā)生等離子體，可侵蝕靶的整個(gè)面。
此外，通過(guò)將至少隔開(kāi)1片靶的2片靶連接在一起，使各等離子體互相重疊地發(fā)生，不發(fā)生等離子體密度低的空間，故在基板前方的等離子體密度變得大致均勻，在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下，可形成膜質(zhì)均勻的膜。
本發(fā)明的濺射裝置最好具備由在各靶的后方配置成在各靶的前方形成磁通的多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵組裝體和驅(qū)動(dòng)這些磁鐵組裝體以使磁通對(duì)于靶平行移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)單元。通過(guò)在左右平行地移動(dòng)磁鐵組裝體，可大致均勻地侵蝕靶的整個(gè)面。
此外，如果在各靶的后方分別配置該磁鐵組裝體，則可認(rèn)為各磁鐵相互干涉，破壞磁場(chǎng)平衡。在這樣的情況下，最好具備使由各磁鐵組裝體形成的磁通密度大致均勻的磁通密度修正單元。
此外，本發(fā)明的濺射方法的特征在于將基板依次運(yùn)送到與在真空室內(nèi)隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置的至少大于等于4片的靶對(duì)置的位置上，對(duì)并列地設(shè)置的靶中的互不相鄰的2片靶交替地施加負(fù)電位和正電位或接地電位，在靶上使等離子體發(fā)生，在基板上形成膜。
按照本發(fā)明的濺射裝置，可起到在靶上不留下非侵蝕區(qū)域而且在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下所形成的膜的膜質(zhì)是均勻的那樣的優(yōu)良的效果。


圖1是以前的裝置的示意圖。
圖2是本發(fā)明的濺射裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖3是本發(fā)明的濺射裝置中的真空室的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖4是示出交流電源的另一連接例的圖。
圖5是示出了對(duì)于累計(jì)功率的異常發(fā)電的發(fā)生次數(shù)的曲線圖。
圖6(a)是表示使用以前的裝置成膜的情況的O2氣體的流量與電阻率的關(guān)系的曲線圖。(b)是表示使用本發(fā)明的濺射裝置成膜的情況的O2氣體的流量與電阻率的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
按照?qǐng)D2，本發(fā)明的濺射裝置2是葉片式的裝置，具備從大氣氣氛的晶片盒(未圖示)運(yùn)送、儲(chǔ)存基板S的負(fù)載鎖定室20；進(jìn)行濺射的真空室21；以及在負(fù)載鎖定室20與真空室21之間設(shè)置的傳遞室22。分別經(jīng)間壁閥連接了負(fù)載鎖定室20、傳遞室22和真空室21。雖未圖示，但將真空泵連接到負(fù)載鎖定室20、真空室21和傳遞室22上，同時(shí)配置了監(jiān)視其真空度的真空計(jì)。
在負(fù)載鎖定室20中設(shè)置了運(yùn)送安裝了基板S的基板托的運(yùn)送臂。利用該運(yùn)送臂從外部(晶片盒)將在基板托上安裝了的基板S安放在負(fù)載鎖定室20中。
在傳遞室22中設(shè)置了運(yùn)送機(jī)械手(未圖示)，在對(duì)負(fù)載鎖定室20進(jìn)行了真空排氣直到規(guī)定的真空度后，打開(kāi)間壁閥，將基板S運(yùn)送到以相同的真空度進(jìn)行了真空排氣的傳遞室22中。其后，打開(kāi)傳遞室22與真空室21之間的間壁閥，利用運(yùn)送機(jī)械手將基板S運(yùn)送到真空室21中。
在該真空室21中設(shè)置了氣體導(dǎo)入單元23(參照?qǐng)D3)。經(jīng)中途設(shè)置了質(zhì)量流控制器231a、231b的氣體導(dǎo)入管232將氣體導(dǎo)入單元23分別連接到氣體源233a、233b。在氣體源233a、233b中封入了氬等的濺射氣體或H2O、O2、N2等的反應(yīng)氣體，利用質(zhì)量流控制器231a、231b可按一定的流量將這些氣體導(dǎo)入到真空室21中。
在與運(yùn)送到真空室21內(nèi)部的基板S對(duì)置的位置上配置靶組裝體24。靶組裝體24具有形成為大致長(zhǎng)方體的6片靶241a～241f。這些靶241a～241f是根據(jù)ITO、Al合金、Mo等在基板上成膜的膜的組成用眾所周知的方法制造的，接合了冷卻用的后板(未圖示)。
此外，隔開(kāi)間隔D1并列地設(shè)置了靶241a～241f，使其位于與基板S平行的同一平面上。將間隔D1設(shè)定為在靶241a～241f的側(cè)面相互之間的空間中發(fā)生等離子體而不濺射靶241a～241f的側(cè)面那樣的距離。該間隔D1是1～10mm，較為理想的是2～3mm。通過(guò)接近地配置靶241a～241f，使濺射粒子到達(dá)在與靶241a～241f對(duì)置的位置上配置的基板S的整個(gè)面，可使膜厚分布變得均勻。
在靶241a～241f的背面上依次安裝了電極242a～242f和絕緣板243，在靶組裝體24的規(guī)定的位置上分別安裝了這些電極242a～242f和絕緣板243。將在真空室21外部配置的3個(gè)交流電源E1～E3分別連接到該電極242a～242f上。
將交流電源E1～E3連接成對(duì)互不相鄰的2片靶交替地施加電壓。例如，將交流電源E1的一個(gè)端子連接到靶241a后方的電極242a上，將另一個(gè)端子連接到靶241d后方的電極242d上。再有，交流電源所施加的電壓可以是正弦波，也可以是矩形波。
通過(guò)以這種方式連接交流電源E1～E3，如果從交流電源E1～E3對(duì)一方的靶(241a、241b、241c)施加負(fù)的電壓，則這些靶241a、241b、241c起到作為陰極的作用，另一方的靶241d、241e、241f起到作為陽(yáng)極的作用。于是，在作為陰極的靶241a、241b、241c的前方形成等離子體，濺射靶241a、241b、241c。按照交流電源E1～E3的頻率，對(duì)各靶241a～241f交替地施加電壓，分別對(duì)其濺射，濺射粒子到達(dá)基板S的整個(gè)面，均勻地形成膜厚。
在靶組裝體24中，設(shè)置了分別位于各靶241a～241f的后方的6個(gè)磁鐵組裝體244，將各磁鐵組裝體244形成為相同的結(jié)構(gòu)，具有與靶241a～241f平行地設(shè)置的支撐部245，在支撐部245上以交替地改變極性的方式設(shè)置了沿靶的長(zhǎng)邊方向的棒狀的中央磁鐵246和包圍中央磁鐵246的周邊的由多個(gè)磁鐵構(gòu)成的周邊磁鐵247。將各磁鐵設(shè)計(jì)成使換算為中央磁鐵246的相同的磁化時(shí)的體積與換算為周邊磁鐵247的相同的磁化時(shí)的體積的和相等。由此，在靶241a～241f的前方形成勻稱的閉環(huán)的隧道狀磁通，可俘獲在靶的前方電離了的電子和因?yàn)R射產(chǎn)生的2次電子，從而提高在作為陰極的靶的前方形成了的等離子體的密度。
但是，因?yàn)榇盆F組裝體244也互相接近，故磁場(chǎng)相互干涉，有時(shí)由位于兩端的靶241a、241f的后方的磁鐵組裝體244產(chǎn)生的磁場(chǎng)與由位于中央的靶241c、241d的后方的磁鐵組裝體244產(chǎn)生的磁場(chǎng)的平衡受到破壞。在該情況下，不能使基板S面內(nèi)的膜厚分布大致均勻。因此，為了修正磁場(chǎng)平衡，在靶組裝體24中設(shè)置了輔助磁鐵248。該輔助磁鐵248與相鄰的磁鐵組裝體244的周邊磁鐵247的極性是相同的。而且，使該輔助磁鐵248與周邊磁鐵247的間隔與各磁鐵組裝體244的間隔D2相同。通過(guò)在位于兩端的靶241a、241f的外側(cè)配置的防護(hù)板249的下方設(shè)置這樣的輔助磁鐵248以改善磁場(chǎng)平衡。
由于利用磁鐵組裝體244在靶241a～241f的前方形成隧道狀磁通，故位于中央磁鐵246和周邊磁鐵247的前方的等離子體的密度降低，于是，靶241a～241f的處于該等離子體的密度低的中央磁鐵246的上方的部分作為非侵蝕區(qū)域留下。因此，有必要使隧道狀的磁通的位置變化、均勻地侵蝕靶241a～241f以提高利用效率。
為了使隧道狀磁通的位置變化，在驅(qū)動(dòng)軸250的規(guī)定的位置上設(shè)置磁鐵組裝體244和輔助磁鐵248，在該驅(qū)動(dòng)軸250上設(shè)置滾珠絲杠251作為驅(qū)動(dòng)單元可使各磁鐵組裝體244的位置能夠在左右方向平行地移動(dòng)。再有，作為驅(qū)動(dòng)單元，不限定于滾珠絲杠251那樣的機(jī)械的驅(qū)動(dòng)單元，也可使用汽缸，但在使用了滾珠絲杠251的情況下，可更準(zhǔn)確地控制磁鐵組裝體244的位置。只要能均勻地侵蝕靶241a～241f，該磁鐵組裝體244的移動(dòng)距離不作特別限定。例如，可使磁鐵組裝體244分別以點(diǎn)A～點(diǎn)B的間隔平行地移動(dòng)。再有，不僅可使磁鐵組裝體244在左右方向上平行地移動(dòng)，而且可使磁鐵組裝體244在長(zhǎng)邊方向上平行地移動(dòng)。通過(guò)這樣以二維方式使磁鐵組裝體244平行地移動(dòng)，可更均勻地侵蝕靶241a～241f。
可在成膜中進(jìn)行磁鐵組裝體244的移動(dòng)，也可在成膜后進(jìn)行磁鐵組裝體244的移動(dòng)。為了抑制伴隨成膜中的磁通的移動(dòng)的異常發(fā)電的發(fā)生，成膜后的移動(dòng)是較為理想的。
在成膜中移動(dòng)的情況下，在濺射中驅(qū)動(dòng)滾珠絲杠251，以大于等于2.5mm/sec、較為理想的是4～15mm/sec的周期使磁鐵組裝體244、即磁通平行地移動(dòng)，以便從點(diǎn)A到點(diǎn)B均勻地侵蝕靶241a～241f。
在成膜后移動(dòng)的情況下，成膜結(jié)束后停止交流電源E1～E3，在放電一旦停止了后，在與靶241a～241f對(duì)置的位置上設(shè)置作為下一個(gè)成膜對(duì)象的基板S時(shí)，驅(qū)動(dòng)滾珠絲杠251，使磁通分別從點(diǎn)A平行地移動(dòng)到點(diǎn)B并加以保持。在該情況下，至少在開(kāi)始下一次的成膜之前平行地移動(dòng)磁鐵組裝體244即可。然后，在該被運(yùn)送的基板S的成膜結(jié)束后，再次按照同一順序，再次使磁通平行地移動(dòng)。通過(guò)依次重復(fù)該操作，在基板上依次成膜，同時(shí)可均勻地侵蝕靶241a～241f。
在本實(shí)施形態(tài)中，敘述了利用輔助磁鐵248可修正磁場(chǎng)平衡，但只要是能修正磁場(chǎng)平衡的方法，就不限定于上述方法。例如，通過(guò)只增大周邊磁鐵的尺寸或?qū)⒅苓叴盆F247變更為從磁鐵發(fā)生的磁通密度變大的材料，也可修正磁場(chǎng)平衡。
在本實(shí)施形態(tài)中，將濺射裝置2作成了葉片式的裝置，但也可以是一列式的裝置。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，說(shuō)明了并列地設(shè)置的靶的片數(shù)是6片的情況，但靶的片數(shù)不限定于6片，可根據(jù)基板的大小適當(dāng)?shù)剡x擇。但是，靶的片數(shù)必須是至少4片。這是因?yàn)椋诓坏?片的情況下，不能連接互不相鄰的靶。此外，因?yàn)榻涣麟娫碋1～E3連接2片靶，故靶的片數(shù)必須是偶數(shù)。不論在哪一種情況下，只要是連接互不相鄰的2片靶即可，各交流電源的連接方法不作特別限定。
在圖4中示出變更了靶片數(shù)的情況的靶與交流電源的連接例。再有，在圖4中，對(duì)于與圖3相同的構(gòu)成要素，附以相同的符號(hào)。
在靶241的數(shù)目是4的倍數(shù)、例如靶數(shù)是4的情況下，如圖4(a)中所示，如果用各交流電源連接隔開(kāi)一片靶241并列地設(shè)置的2片靶241，則可連接成使全部的靶中相鄰的靶都不連接在一起。在該情況下，如果如圖3那樣隔開(kāi)2片來(lái)連接靶，則必須連接相互相鄰的靶，不能起到本發(fā)明的效果。
在并列地設(shè)置10片靶241的情況下，如圖4(b)中所示，也可連接兩端的靶，并且對(duì)剩下的靶則用交流電源E分別以隔開(kāi)1片靶的方式將每2片靶連接在一起。
另一方面，如圖4(c)中所示，也可分別以隔開(kāi)1片靶的方式連接兩端的靶、并且分別以隔開(kāi)2片靶的方式連接剩下的靶。這樣，即使并排10片靶，通過(guò)連接互不相鄰的靶，也可在靶的前方發(fā)生等離子體，可侵蝕靶的整個(gè)面。
以下，說(shuō)明使用本發(fā)明的濺射裝置2在基板S表面上成膜的方法。
首先，將基板S從晶片盒經(jīng)負(fù)載鎖定室20和傳遞室22運(yùn)送到與并列地設(shè)置了的靶241a～241f對(duì)置的位置上，利用真空排氣單元對(duì)真空室21內(nèi)部進(jìn)行真空排氣。其次，經(jīng)氣體導(dǎo)入單元23將Ar等的濺射氣體導(dǎo)入到真空室21內(nèi)，在真空室21內(nèi)部形成規(guī)定的成膜氣氛。再有，在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下，在導(dǎo)入濺射氣體的的同時(shí)，作為反應(yīng)氣體，導(dǎo)入從H2O氣體、O2氣體、N2氣體中選出的至少1種氣體。
其后，一邊維持成膜氣氛，一邊利用交流電源E1～E3以幾kHz～幾百kHz對(duì)靶241a～241f分別施加正或負(fù)的電壓。在作為陰極的靶上形成電場(chǎng)，在靶前方發(fā)生等離子體，濺射靶并放出濺射粒子。按照交流電源的頻率交替地進(jìn)行該工作，大致均勻地濺射各靶。其后，停止交流電源，成膜結(jié)束。
再有，可在成膜中驅(qū)動(dòng)滾珠絲杠251以驅(qū)動(dòng)磁鐵組裝體244，此外，也可在成膜結(jié)束停止交流電源E1～E3、一旦停止了放電后，在將作為下一個(gè)成膜對(duì)象的基板S運(yùn)送到與靶241a～241f對(duì)置的位置上時(shí)，驅(qū)動(dòng)滾珠絲杠251，使磁鐵組裝體244平行地移動(dòng)、即，使磁通平行地移動(dòng)并予以保持。
實(shí)施例1在實(shí)施例1中，使用圖2和圖3中示出的濺射裝置成膜，研究了成膜中的電弧放電的發(fā)生次數(shù)。
將由寬度200mm、長(zhǎng)度1700mm、厚度10mm的In2O3-10wt％SnO2(ITO)構(gòu)成的靶設(shè)置成在離基板150mm的位置上與基板平行。靶寬分別是2mm。在各靶的后方設(shè)置了寬度170mm、長(zhǎng)度1570mm、厚度40mm的磁鐵組裝體，使其與各靶的距離為47mm，利用滾珠絲杠251使驅(qū)動(dòng)距離為50mm。作為基板S，準(zhǔn)備了寬度1000mm、長(zhǎng)度1200mm、厚度0.7mm的玻璃基板。
在基板運(yùn)送后，進(jìn)行真空排氣，其后從氣體導(dǎo)入單元以240sccm導(dǎo)入氬氣作為濺射氣體，形成了0.67Pa的成膜氣氛。此外，以2.0sccm導(dǎo)入了H2O氣體、以1.5sccm導(dǎo)入了O2氣體作為反應(yīng)氣體。各交流電源的頻率是25kHz，功率從0kW逐次提高，每次提高5kW(各投入時(shí)間為120秒)，最終上升到15kW，在投入120秒后一度停止交流電源，在運(yùn)送下一個(gè)基板時(shí)，使磁鐵組裝體移動(dòng)。一邊以這種方式依次成膜，一邊監(jiān)視電壓值和電流值，對(duì)每1分的異常發(fā)電(電弧放電)的發(fā)生次數(shù)進(jìn)行了計(jì)數(shù)。在從濺射裝置取出靶并用目視確認(rèn)了其表面時(shí)，看到了侵蝕了各靶的整個(gè)面。
(比較例1)在比較例1中，使用將交流電源連接到并列地設(shè)置的6片靶中相互相鄰的2片靶上的裝置，一邊用相同的條件成膜，一邊監(jiān)視電壓值和電流值，對(duì)異常發(fā)電的發(fā)生次數(shù)進(jìn)行了計(jì)數(shù)。
在圖5中示出結(jié)果。圖5的橫軸表示累計(jì)功率(kWh)，縱軸表示異常發(fā)電的次數(shù)(次/分)。在比較例1中，隨著累計(jì)功率變大，異常發(fā)電的次數(shù)也增加了。與此不同，在實(shí)施例1中，即使累計(jì)功率變大，異常發(fā)電的次數(shù)也沒(méi)有增加。
實(shí)施例2在實(shí)施例2中，使用圖2和圖3中示出的濺射裝置，評(píng)價(jià)了進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況的膜質(zhì)的面內(nèi)均勻性。
改變成膜時(shí)的反應(yīng)氣體的流量，調(diào)查在膜上的各點(diǎn)中電阻率下降最多的流量，用該流量的差進(jìn)行了膜質(zhì)的面內(nèi)均勻性的評(píng)價(jià)。
使用與實(shí)施例1中使用的濺射裝置相同的裝置，改變實(shí)施例1的反應(yīng)氣體的流量，形成了多個(gè)膜。作為反應(yīng)氣體，將H2O氣體的流量定為2.0sccm，以0.5sccm的刻度使流量從0.0sccm變化為4.0sccm而導(dǎo)入了O2氣體。各交流電源E的頻率是25kHz，從0kW起逐漸地提高了功率，最終上升到15kW來(lái)投入，在投入了25秒后停止交流電源，結(jié)束了成膜。所得到的各膜的膜厚是1000埃。其后，將各基板運(yùn)送到退火爐，用200度進(jìn)行了60分鐘的大氣退火。測(cè)定了所形成的各膜上的處于靶241c的上部的點(diǎn)X和處于靶241b與241c之間的上部的點(diǎn)Y的電阻率。
(比較例2)使用將交流電源連接到并列地設(shè)置的6片靶中相互相鄰的2片靶上的裝置，用與實(shí)施例2相同的條件分別進(jìn)行成膜和退火，在基板S上分別形成了膜。對(duì)于所形成的膜，在點(diǎn)X和點(diǎn)Y這2點(diǎn)上分別測(cè)定了電阻率。
圖6的橫軸表示O2氣體的流量(sccm)，縱軸表示各點(diǎn)中的電阻率(μΩcm)。
圖6(a)示出了比較例2的測(cè)定結(jié)果。用實(shí)線示出的點(diǎn)X中的電阻率值在O2氣體的流量為0.5sccm時(shí)最低，是255μΩcm。在用虛線示出的點(diǎn)Y中，在O2氣體的流量為2.0sccm時(shí)電阻率最低，是253μΩcm。在點(diǎn)X、點(diǎn)Y中，電阻率最低的O2氣體的流量的差為1.5sccm，有較大的差別，可知在比較例2中在基板面內(nèi)膜質(zhì)是不均勻的。
與此不同，在圖6(b)中示出的實(shí)施例2中，用實(shí)線示出的點(diǎn)X中電阻率為最低的250μΩcm是O2氣體的流量為1.0sccm的情況，用虛線示出的點(diǎn)Y中電阻率為最低的248μΩcm是O2氣體的流量為1.5sccm的情況。在實(shí)施例2中，點(diǎn)X、點(diǎn)Y中電阻率最低的O2氣體的流量的差為0.5sccm，小于等于以前的裝置的流量的差的一半，可知改善了反應(yīng)性濺射中的膜質(zhì)的面內(nèi)均勻性。
本發(fā)明的濺射裝置通過(guò)變更交流電源的連接方法，在靶上不留下非侵蝕區(qū)域，進(jìn)而改善了所形成的膜的膜質(zhì)的均勻性。因而，本發(fā)明可利用于大畫(huà)面的平板顯示器的制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種濺射裝置，具備至少4片的靶，在真空室內(nèi)隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置；和交流電源，對(duì)并列地設(shè)置的靶中的2片靶交替地施加負(fù)電位和正電位或接地電位，其特征在于將各交流電源連接到互不相鄰的2片靶上。
2.如權(quán)利要求1中所述的濺射裝置，其特征在于，具備由多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵組裝體，配置在各靶的后方，在各靶的前方形成磁通；和驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)上述磁鐵組裝體，以使磁通對(duì)于靶平行移動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1或2中所述的濺射裝置，其特征在于，具備磁通密度修正單元，在各靶的后方分別配置了上述磁鐵組裝體的情況下使由各磁鐵組裝體形成的磁通密度大致均勻。
4.一種濺射方法，其特征在于將基板運(yùn)送到與在真空室內(nèi)隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置的至少4片的靶對(duì)置的位置上，對(duì)并列地設(shè)置的靶中的互不相鄰的2片靶交替地施加負(fù)電位和正電位或接地電位，使靶上發(fā)生等離子體，在基板上形成膜。
全文摘要
本發(fā)明的課題是提供在靶上不留下非侵蝕區(qū)域而且在進(jìn)行反應(yīng)性濺射的情況下能形成均勻的膜質(zhì)的膜的濺射裝置。本發(fā)明的濺射裝置(2)的特征在于具備在真空室(21)內(nèi)隔開(kāi)一定的間隔并列地設(shè)置的至少4片的靶(241)和逐一地連接以便對(duì)并列地設(shè)置的靶中的2片靶交替地施加負(fù)電位和正電位或接地電位的交流電源(E)，將各交流電源(E)連接到互不相鄰的2片靶(241)上。
文檔編號(hào)C23C14/34GK1904132SQ20061010762
公開(kāi)日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者小林大士, 谷典明, 小松孝, 清田淳也, 中村肇, 新井真 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)發(fā)科