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      二氧化鈦薄膜材料的超親水驅(qū)油表面制備方法

      文檔序號(hào):3413631閱讀:223來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):二氧化鈦薄膜材料的超親水驅(qū)油表面制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種具有超親水性驅(qū)油特性的薄膜材料制備方法,該薄膜材料適用于水油共存的工作環(huán)境下需要防油附著的固體表面,主要應(yīng)用于石油、化工等領(lǐng)域,屬于功能材料領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      某些固體表面的親水性大于親油性,那么在水油混合共存的環(huán)境中,可以利用水的存在來(lái)驅(qū)趕和防止油類(lèi)物質(zhì)在其表面的附著。使固體表面具有親水且驅(qū)油功能的技術(shù)在許多工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,特別是在石油化工領(lǐng)域。以往,人們的注意力主要集中在有機(jī)材料上,但有機(jī)材料有些很難克服的缺點(diǎn),如硬度低、耐磨性差、高溫穩(wěn)定性低等。近些年來(lái),有研究者開(kāi)始嘗試用無(wú)機(jī)材料提高固體表面的親水性研究。目前人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)二氧化鈦薄膜在無(wú)光照情況則表現(xiàn)出普通的親水狀態(tài),而在光照的條件下表現(xiàn)出超親水狀態(tài),即表面與水的接觸角小于5°[Tatsuo Shibata,Hiroshi Irie,and KazuhitoHashimoto,“Enhancement of Photoinduced Highly Hydrophilic Conversion onTiO2 Thin Films by Introducing Tensile Stress”,J.phys.Chem.B 2003,107,10696-10698.],[Nobuyuki Sakai,Akira Fujishima,Toshiya Watanabe,andKazuhito Hashimoto,“Quantitative Evaluation of the Photoinduced HydrophilicConversion Properties of TiO2 Thin Film Surfaces by the Reciprocal of ContactAngle”,J.Phys.Chem.B 2003,1O7,1028-1035.]這兩篇文獻(xiàn)報(bào)道了二氧化鈦經(jīng)光照產(chǎn)生超親水性能的研究結(jié)果。
      然而,盡管利用光照二氧化鈦薄膜實(shí)現(xiàn)了超親水性,但在許多石油化工儀器設(shè)備中,并不具備光照條件。并且,為了提高其驅(qū)油性能,還需進(jìn)一步降低表面與油的接觸角。因此,為了滿足對(duì)親水驅(qū)油功能表面的應(yīng)用需求,就要使二氧化鈦薄膜無(wú)光照條件下保持超親水狀態(tài)且具有更大的與油接觸角。
      在石油化工設(shè)備中,暴露于水、油共存環(huán)境下的固體表面,尤其是一些傳感器的表面,非常容易被油、石蠟等黏附遮蓋,影響設(shè)備正常工作。表面具有超親水驅(qū)油特性后,將改善和解決這種困擾。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是,提供一種二氧化鈦薄膜表面處理方法,以減小其表面與水的接觸角,同時(shí)增大與油的接觸角,實(shí)現(xiàn)二氧化鈦薄膜在無(wú)光照的條件下具有超親水驅(qū)油性能。
      為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是在固體表面先沉積一層二氧化鈦薄膜,然后采用氣相表面化學(xué)處理法對(duì)二氧化鈦薄膜表面先后進(jìn)行還原和羥基化處理。我們的研究表明,直接對(duì)所沉積的二氧化鈦表面進(jìn)行羥基化處理沒(méi)有效果;而先將表面還原,使表面失去氧原子,從而更容易接受與羥基的結(jié)合。再實(shí)施羥基化處理,會(huì)使二氧化鈦薄膜表面形成一層羥基,從而使表面產(chǎn)生超親水驅(qū)油性。
      二氧化鈦薄膜材料的超親水驅(qū)油表面制備方法,其特征在于,包括以下步驟1)用常規(guī)沉積方法在作為襯底的固體表面上沉積一層二氧化鈦薄膜,厚度在0.1微米到10微米的范圍;2)將襯底再放入氣相化學(xué)表面處理室中,對(duì)處理室抽真空后,充入氫氣作為還原性氣體,氣壓在1~50000Pa的范圍內(nèi),基底溫度在室溫到800℃的范圍,還原處理時(shí)間10~120分鐘;3)在氣壓0.5~2000Pa的范圍,充入醇類(lèi)物質(zhì)使之以氣態(tài)存在;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)使氣體發(fā)生輝光放電,產(chǎn)生低溫等離子體,射頻功率為20~500W,基底溫度為室溫~800℃,羥基化時(shí)間10~120分鐘。
      輝光放電時(shí),氣態(tài)醇分子電離分解出含羥基離子,等離子體中的含羥基離子撞擊并附著到基底上的二氧化鈦薄膜表面、繼而發(fā)生反應(yīng),從而在二氧化鈦薄膜表面形成了一層羥基。
      與已有技術(shù)相比,本發(fā)明的特征在于它不是簡(jiǎn)單的二氧化鈦薄膜材料,而是首先用常規(guī)的沉積方法制備一層二氧化鈦薄膜,然后用氣相化學(xué)處理法對(duì)此二氧化鈦薄膜表面進(jìn)行還原處理,最后再用低溫等離子體化學(xué)法進(jìn)行表面羥基化處理,從而在表面形成了一層羥基,產(chǎn)生超親水驅(qū)油性能。
      將該超親水驅(qū)油薄膜鍍于測(cè)量原油流速的傳感器探頭表面,明顯改善了表面附著石蠟的情況
      具體實(shí)施例方式
      以下用三個(gè)實(shí)施例子來(lái)進(jìn)一步介紹本發(fā)明。
      實(shí)施例一1.先用“磁控濺射法”在玻璃基底上制備一層二氧化鈦薄膜,薄膜厚度為0.1微米;2.然后將基底放入氣相化學(xué)表面處理室中,對(duì)表面處理室抽真空,將襯底保持在室溫,充入氫氣,用氫氣還原二氧化鈦薄膜表面,氣壓保持50000Pa,處理時(shí)間為120分鐘;3.抽出氫氣,通入甲醇,氣壓為2000Pa,基底溫度350℃;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)產(chǎn)生輝光放電,射頻功率20W,羥基化時(shí)間10分鐘。
      對(duì)該例處理的表面進(jìn)行親水性和親油性測(cè)量,與蒸餾水靜接觸角為4.1°,與高速泵油的靜接觸角為28.4°。
      實(shí)施例二1.用“磁控濺射法”在單晶硅基底上制備一層二氧化鈦薄膜,薄膜厚度為3微米;2.然后將基底放入氣相化學(xué)表面處理室中,對(duì)表面處理室抽真空,將襯底加熱至400℃,充入氫氣,氣壓保持1000Pa,處理時(shí)間為40分鐘;3.抽出氫氣,通入甲醇,氣壓為10Pa,基底保持室溫;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)產(chǎn)生輝光放電,射頻功率200W,羥基化時(shí)間120分鐘。
      對(duì)該實(shí)施例的表面進(jìn)行親水性和親油性測(cè)量,與蒸餾水靜接觸角為3.0°,與高速泵油的靜接觸角為31.5°。
      實(shí)施例三1.用“溶膠-凝膠法”在石英基底上制備一層二氧化鈦薄膜,薄膜厚度為10微米;2.然后將基底放入氣相化學(xué)表面處理室中,對(duì)表面處理室抽真空,將襯底加熱至800℃,充入氫氣,氣壓保持1Pa,處理時(shí)間為10分鐘;3.抽出氫氣,通入乙醇,氣壓為0.5Pa,基底溫度800℃;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)產(chǎn)生輝光放電,射頻功率500W,羥基化時(shí)間60分鐘。
      對(duì)該實(shí)施例的表面進(jìn)行親水性和親油性測(cè)量,與蒸餾水靜接觸角為4.5°,與高速泵油的靜接觸角為25.2°。
      權(quán)利要求
      1.一種二氧化鈦薄膜材料的超親水驅(qū)油表面制備方法,其特征在于,包括以下步驟1)用常規(guī)沉積方法在作為襯底的固體表面上沉積一層二氧化鈦薄膜,厚度在0.1微米到10微米的范圍;2)將襯底再放入氣相化學(xué)表面處理室中,對(duì)處理室抽真空后,充入氫氣作為還原性氣體,氣壓在1~50000Pa的范圍內(nèi),基底溫度在室溫到800℃的范圍,還原處理時(shí)間10~120分鐘;3)在氣壓0.5~2000Pa的范圍,充入醇類(lèi)物質(zhì)使之以氣態(tài)存在;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)使氣體發(fā)生輝光放電,產(chǎn)生低溫等離子體,射頻功率為20~500W,基底溫度為室溫~800℃,羥基化時(shí)間10~120分鐘。
      全文摘要
      二氧化鈦薄膜材料的超親水驅(qū)油表面制備方法屬于功能材料領(lǐng)域?,F(xiàn)有技術(shù)用光照二氧化鈦薄膜實(shí)現(xiàn)了超親水性,但許多石油化工儀器設(shè)備中并不具備光照條件,且需進(jìn)一步降低表面與油的接觸角。本發(fā)明步驟襯底上沉積一層0.1-10微米二氧化鈦薄膜;再放入氣相化學(xué)表面處理室中,抽真空后充入氫氣,氣壓在1~50000Pa;溫度在室溫到800℃的范圍,還原處理10~120分鐘。在氣壓0.5~2000Pa的范圍,充入醇類(lèi)物質(zhì)使之以氣態(tài)存在;在基底附近施加射頻電磁場(chǎng)使氣體發(fā)生輝光放電,產(chǎn)生低溫等離子體,射頻功率為20~500W,基底溫度為室溫~800℃,羥基化時(shí)間10~120分鐘。該薄膜與蒸餾水靜接觸角為4.1°,與高速泵油的靜接觸角為28.4°,鍍于測(cè)量原油流速的傳感器探頭表面,明顯改善了表面附著石蠟的情況。
      文檔編號(hào)C23C8/36GK1952214SQ20061011466
      公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月21日
      發(fā)明者王波, 黃躍, 宋雪梅, 嚴(yán)輝, 汪浩, 朱滿康, 王如志, 候育冬, 張銘 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)
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