專利名稱：：濺射靶及其制造方法、以及光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于沉積構(gòu)成光學(xué)記錄介質(zhì)的氧化物記錄層的'減射耙及其制造方法。本發(fā)明還涉及一種使用該濺射靶制造的光學(xué)記錄介質(zhì)，特別是即使在藍色激光波長范圍內(nèi)也能夠進行高密度記錄的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：已經(jīng)迅速開發(fā)了能夠進行超高密度記錄的藍色激光，以供能夠在等于或短于藍色激光波長處進行記錄和復(fù)制的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)之需。相應(yīng)地，還已經(jīng)開發(fā)了支持這種藍色激光的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。本申請的發(fā)明人在日本專利申請公開文本(JP-A)No.2005-108396中公開了利用含Bi、Fe和0的膜的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)顯示出優(yōu)異的特性，和使用濺射方法形成這種膜。本發(fā)明人還在JP-ANo.2006-097126中公開了含有Bi、Fe和0的賊射耙。濺射方法作為一種沉積薄膜的汽相生長方法已廣泛知曉，并已經(jīng)應(yīng)用到薄膜的工業(yè)制造中。在濺射方法中，制備含有與待沉積膜成分相同的靶材，并將由輝光放電(growdischarge)產(chǎn)生的氬離子轟擊入靶材中以反沖出其組分離子，使得它們沉積到基底上以形成膜。不優(yōu)選汽相沉積方法，因為氧化物一般具有高熔點；因此通常使用涉及到應(yīng)用高頻波的射頻'踐射。作為已知的技術(shù)，例如JP-ANo.11-92922公開了用于沉積介電薄膜的Bi氧化物類濺射靶，但該專利文獻沒有描述含F(xiàn)e的濺射靶。由于這個原因，專利文獻的公開沒有提供實現(xiàn)本發(fā)明的基礎(chǔ)。此外，日本專利申請公告(JP-B)No.02-42899公開了用于形成由Bi3Fe50,2制得的薄膜的濺射靶，但該專利文獻公開的發(fā)明與本發(fā)明不同，因為前者旨在制造具有賦予高磁光效應(yīng)的所謂的石榴石型結(jié)構(gòu)的膜。而且，該專利文獻沒有描述堆積密度(packingdensity)與介質(zhì)特性之間的關(guān)系。日本專利(JP-B)No.2769153公開了用于記錄介質(zhì)用薄膜的濺射靶，該賊射靶至少由Te、Ge和Sb組成并具有80%或更大的堆積密度。該文獻還描述了這一事實，如果達到80%或更大的堆積密度，則在濺射靶1小時后組成沒有變化，也就是說，濺射1小時后有可能在長時間內(nèi)得到相同的組成，該文獻同時提出70%、80%和90%堆積密度的對比數(shù)據(jù)。然而該賊射革巴的組成不同于本發(fā)明賊射耙的組成并且沒有提供高于90%的堆積密度的詳細對比數(shù)據(jù)。因此，該專利文獻沒有提供確定如下事實的基礎(chǔ)堆積密度存在一個使介質(zhì)特性發(fā)生改變的閾值——而本發(fā)明人確定了這一閾值存在于96%處，一個幾乎接近于100%的百分比。與用于濺射方法中的氧化物靶相關(guān)的問題是它們的膜沉積速率比其它物質(zhì)如金屬等低，并且它們易于斷裂。為了解決這個問題，本發(fā)明人在JP-ANo.2006-097126中證實通過將堆積密度設(shè)定在65%至96%的范圍內(nèi)可實現(xiàn)膜沉積時間縮短、高的草巴強度和理想的膜組成。他們的廣泛研究揭示了使用JP-ANo.2006-097126公開的氧化物靶連續(xù)制造光學(xué)記錄介質(zhì)造成介質(zhì)特性的再現(xiàn)性方面的問題。例如，最初制造的光學(xué)記錄介質(zhì)和第1000個記錄介質(zhì)之間的最佳記錄功率不同。此外，由于難以采用直流電'踐射高電阻材料(如氧化物)以進行膜沉積，因而使用射頻賊射。射頻濺射需要昂貴的控制高頻功率的裝置，并且射頻濺射裝置通常很大。另一方面，直流電濺射可用廉價的裝置實現(xiàn)膜沉積。此外，與直流電濺射相比，射頻賊射提供低的膜沉積速率和低效率。因此，直流電濺射對于濺射Bi氧化物類材料是理想的，但是目前，它們固有的高電阻性能使得應(yīng)用直流電賊射很困難。常規(guī)地，已經(jīng)有兩種用直流電濺射代替射頻濺射的嘗試(l)使靶材導(dǎo)電以使直流電濺射可應(yīng)用的嘗試；(2)最優(yōu)化直流電波形的嘗試。而且，已經(jīng)應(yīng)用了這些嘗試(1)和(2)的組合。關(guān)于通過使其導(dǎo)電來降低靶材電阻的方法有幾種已知的策略(1)用電阻低于主材料(Si)的物質(zhì)(以Cr為代表)摻雜主材料(Si)的策略(參見JP-ANo.02-265052);(2)用降低電阻的物質(zhì)(PB)大量摻雜主材料(Si)的策略(參見JP-ANo.05-36142);從主材料(PLZTPZT類材料)中除去一部分(氧成分)以降低其電阻的策略(參見JP-ANo.06-330297)等。關(guān)于前述的嘗試(2),通過間歇地施加直流電壓而不是連續(xù)地施加的方法(參見JP-BNo.2578815)和/或間歇地施加負電壓的方法(參見JP-ANo.08-67980)已經(jīng)進行了一種嘗試以阻止例如電弧放電(arching)的異常放電。通過同時使用降低耙材電阻的方法或通過施加反偏壓電壓(參見JP-ANo.07-90573)來實施這種策略，因為當想要靶材保持絕緣時靶材表面處的電荷需要消除。然而，即使當通過前述的策略(1)降低電阻來使得濺射靶一開始就導(dǎo)電時，也會有一個問題因為用在膜沉積上的反應(yīng)性氣體如氧氣和氮氣的存在，靶表面的導(dǎo)電性隨著反應(yīng)的進行而改變；或者會有一個問題當大氣被引入真空室中時，賊射靶與空氣中的氧氣反應(yīng)引起靶表面的導(dǎo)電性的改變。為了解決這個問題JP-ANo.07-180045公開了一種基于無定形碳和濺射草巴的總量含有至少35體積％的氧化釔的賊射靶作為直流電磁控濺射的導(dǎo)電后，在除去除碳之外的成分后所得的孔中形成碳膜，由此使得濺射靶導(dǎo)電。另外，該專利文獻描述了濺射靶的密度為理論值的約45-70%。當碳用于這種導(dǎo)電賊射靶中作為使耙導(dǎo)電的物質(zhì)時，似乎靶表面的導(dǎo)電性變化小因為沒有以固體材料形式存在的碳氧化物或碳氮化物。然而，在本專利文獻的發(fā)明中，由于除去除碳之外的成分之后生成孔，因而存在可能發(fā)生異常放電的顧慮。此外，因為不能阻止這種孔的產(chǎn)生，所以濺射靶的密度和強度無法提高。因此，例如，存在燒結(jié)體在結(jié)合到支承板(backingplate)時由于降低的機械強度而裂開的顧慮，以及由于高產(chǎn)量濺射在濺射靶中產(chǎn)生裂縫因而不能得到高速度的膜沉積的顧慮。其中濺射涉及到在預(yù)定間隔內(nèi)間歇施加直流電壓和/或間歇施加反偏壓電壓的上述策略(2)不能避免使用復(fù)雜裝置，這使得裝置很昂貴。因此在采用直流電濺射時沒有優(yōu)勢。JP-ANo.2000-264731描述了另外一種通過添加無金剛石結(jié)構(gòu)的碳或者除金屬之外的導(dǎo)電無機化合物來獲得低電阻的嘗試。雖然利用上述任意的常規(guī)方法通過直流電濺射進行含有Bi、Fe和O的膜的沉積是顯而易見的，但在該發(fā)明中所得膜是否可維持作為記錄層的特性仍是未知的。另夕卜，JP-ANo.11-92922公開了Bi氧化物類靶作為沉積介電膜的賊射靶，但該專利文獻并沒有描述任何含F(xiàn)e的靶。如果待沉積的膜的構(gòu)成元素改變，那么這種膜的濺射靶的組成需要相應(yīng)地改變。這是因為濺射靶的組成或構(gòu)成化合物與被沉積的膜不同。該專利文獻公開的發(fā)現(xiàn)沒有為本發(fā)明提供基礎(chǔ)。JP-BNo.02-42899公開了用于薄膜沉積的Bi3Fe5012濺射靶，但該專利文獻中的這種賊射靶旨在用于形成具有賦予高磁光效應(yīng)的所謂的石榴石型結(jié)構(gòu)的薄膜的離子束濺射，并且沒有描述可應(yīng)用直流電濺射的濺射靶。為了獲得能夠進行高密度記錄的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，使這種介質(zhì)包括含Bi、Fe和O并具有穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和組成的膜是必要的。為得到這樣的膜需要制備適當?shù)臑R射靶。構(gòu)成濺射靶的化合物的形式和結(jié)構(gòu)、其中含有的雜質(zhì)等，均會影響待沉積的膜的組成、結(jié)晶性能等。由于這種原因，需要選擇這樣的適于所需膜的特性的、構(gòu)成靶的化合物。此外，需要通過直流電濺射來實施膜沉積，因為需要便宜地制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。然而，在該發(fā)明中是否能增加靶的強度和膜沉積的速度仍是未知的。為了增加膜沉積速度，通常同時使用磁控濺射，其中在濺射靶下面放置磁場產(chǎn)生裝置。磁控濺射以如下方式增加膜的沉積速度借助于由置于靶下面的磁場產(chǎn)生裝置所產(chǎn)生的磁場，使Ar等離子體聚集在濺射靶附近，由此轟擊入靶表面的離子的數(shù)目增加，待濺射的原子的數(shù)目也增加。射頻磁控濺射和直流電》茲控'踐射都可j吏用。在磁控賊射中，需要由磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的磁通量泄漏到靶表面?zhèn)?。因此，如?減射把的磁導(dǎo)率高，則導(dǎo)致增加數(shù)量的磁力線穿過靶，因此，由于漏磁通量的磁場強度不足，膜沉積速度降低。因而，對于更高水平的磁漏而言，需要薄化具有高磁導(dǎo)率的濺射靶和/或使其具有利于磁漏的結(jié)構(gòu)從而保證漏磁通量。另外，如果薄化濺射靶，一片濺射靶可花費的濺射時間將減少，導(dǎo)致高頻率地更換賊射靶，這需要打開濺射室并抽真空。由于這個原因，制造成本會由于低的生產(chǎn)率而增加。此外，當由燒結(jié)方法制備賊射靶時，所得濺射靶在投放市場之前需要打磨以除去表面附近的氧化區(qū)。不論其厚度為多少，打磨的程度均為距離表面約lmm;因此，濺射靶越薄，沒有被濺射而丟棄的部分的比例越大，這也增加了制造成本。作為另一種已知的技術(shù)，JP-BNo.3098204等公開了通過制備含有Fe和其它元素的化合物來成功P爭低其磁導(dǎo)率的濺射靶。JP-ANo.06-184740等公開了由合金粒子制得的濺射靶，該合金粒子由含有Fe族元素和其它元素的化合物制備，通過將該合金粒子的平均顆粒直徑設(shè)定在200Mm或更少的范圍內(nèi)來獲得降低的濺射磁導(dǎo)率。雖然將這些已知的技術(shù)應(yīng)用于含Bi、Fe和O的濺射靶使得能夠采用磁控濺射是顯而易見的，但利用以該方式沉積的膜是否能制造提供優(yōu)異特性的光學(xué)記錄介質(zhì)仍然是未知的。因此，這些常規(guī)技術(shù)沒有為本發(fā)明提供基礎(chǔ)。如果待沉積的膜的構(gòu)成元素改變，這種膜的濺射耙的組成也需要相應(yīng)地改變。這是因為濺射靶的組成或構(gòu)成化合物與待沉積的膜不同。以上專利文獻中公開的發(fā)現(xiàn)沒有為本發(fā)明提供基礎(chǔ)。JP-BNo.02-42899提出了關(guān)于用于薄膜沉積的Bi3Fe5012濺射靶的描述，其中將Bi203和a-Fe2CV混合在一起并燒結(jié)以制備靶。然而該專利文獻中公開的發(fā)明旨在制造具有賦予高磁光效應(yīng)的所謂的石榴石型結(jié)構(gòu)的膜，而沒有描述磁控濺射，因此與本發(fā)明是不同的。為了獲得能夠進行高密度記錄的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，制造含有Bi、Fe和O(氧)并具有穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和組成的膜是必要的。鑒于生產(chǎn)率和制造成本，需要考慮膜沉積速度和濺射靶的可用性。為實現(xiàn)這一點，需要利用適當?shù)臑R射靶來制備適當?shù)哪?。?gòu)成濺射靶的化合物的形式和結(jié)構(gòu)、其中含有的雜質(zhì)等，均影響待沉積的膜的組成、結(jié)晶性能等。由于這種原因，需要選擇這樣的適于所需膜特性的、構(gòu)成靶的化合物。此外，需要利用高的膜沉積速度的方法來實施膜沉積，因為需要便宜地制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是解決前述的常規(guī)問題并實現(xiàn)下述目的。即，本發(fā)明的目的是提供一種適于大規(guī)模制造光學(xué)記錄介質(zhì)同時獲得高再現(xiàn)性的濺射靶，及其制造方法，利用該賊射耙制造的、即使在藍色激光波長范圍內(nèi)仍能夠進行高密度記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)，及其制造方法。本發(fā)明的濺射靶包括Bi和Fe，其中濺射靶的堆積密度高于96%,并且其中濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。本發(fā)明的濺射靶包括Bi和Fe,其中濺射靶的電阻率是10Qcm或更少，且其中濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。本發(fā)明的制造濺射靶的方法是一種利用燒結(jié)方法的方法，其中賊射把用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層并包括Bi和Fe,且賊射耙的堆積密度高于96%。本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)是一種包括含Bi和Fe的記錄層的介質(zhì)，其中利用濺射靶沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi和Fe,且濺射靶的堆積密度高于96%。本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)是一種包括含Bi、Fe和O的記錄層的介質(zhì)，其中利用濺射靶沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi、Fe和O,且賊射靶的堆積密度高于96%。本發(fā)明的制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法是一種包括利用濺射靶來沉積含Bi和Fe的記錄層的方法，其中濺射靶包括Bi和Fe，且濺射草巴的堆積密度高于96%。本發(fā)明的制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法是一種包括利用賊射靶來沉積含Bi、Fe和O的記錄層的方法，其中賊射靶包括Bi、Fe和O，且賊射耙的堆積密度高于96%。圖1示出了本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)。圖2是實施例28中各濺射靶中Bi的比例(原子。/。)對跳動值(jittervalue)的曲線圖。圖3是濺射靶1的X射線衍射光i普。圖4示出了在其表面上具有溝槽的濺射耙。具體實施例方式下文中，會詳細描述本發(fā)明。在上述的在先申請中，堆積密度限于65%至96%,因為如果落在該范圍之外，濺射靶易于在膜沉積時斷裂。然而，隨后的研究揭示了即使堆積密度落在該范圍之內(nèi)在大規(guī)模生產(chǎn)過程中仍有關(guān)于介質(zhì)特性再現(xiàn)性方面的問題。由此，本發(fā)明人堅持不懈地進行實驗以克服這個問題。結(jié)果，他們推測在BiFe賊射靶中表面與內(nèi)部區(qū)域之間的氧化程度的差異或者BiFeO賊射粑的表面與內(nèi)部區(qū)域之間含氧量的差異反映了沉積膜中膜質(zhì)量的變化。本發(fā)明人集中在將堆積密度作為有待最優(yōu)化的參數(shù)以解決前述問題。具有低堆積密度的濺射靶，或者松散堆積的濺射靶，具有大比例的孔，使得其結(jié)構(gòu)多孔。此外，似乎易于得到不均勻的堆積密度分布。因而，即使在構(gòu)成濺射靶的元素被燒結(jié)之后氧化程度仍可容易地改變。由于氧化程度隨著接近耙表面而增加，這導(dǎo)致產(chǎn)生由內(nèi)到外的氧濃度的遞增梯度的可能性增加。并且，濺射靶中不均勻的孔密度分布引起氧原子擴散入靶中的距離上的差異。因而可能會有含氧量的變化。為解決這些問題，本發(fā)明人已經(jīng)進行了研究以盡可能地增加堆積密度，并已確定適于大規(guī)模生產(chǎn)具有高再現(xiàn)性的光學(xué)記錄介質(zhì)的濺射靶可通過增加堆積密度到高于96%來得到。關(guān)于堆積密度沒有上限——它可以是100%,然而優(yōu)選的堆積密度范圍是97.5%到99.5%。如本文所用的，短語"堆積密度"是指實際制造的濺射靶的重量與計算出的由100%的所研究物質(zhì)組成的濺射靶的重量的比值。堆積密度可利用下面的等式來計算堆積密度=(制造的濺射靶的重量/計算出的重量)xioo(%)如上所述，如果相當于所需靶的組成的化合物是可得到的，則可基于化合物的密度確定堆積密度。然而，如果不能得到這樣的化合物，則利用簡單分子如Bi203和Fe203的密度來計算堆積密度。假定有一種由1:1組合的Bi203和Fe203形成的組合物。在該組合物中，穩(wěn)定的化合物BiFe03是可得到的，并且假設(shè)這樣的化合物存在于該組合物中，通過比較該化合物的密度的測量值與文獻中的值來計算堆積密度。在其中不存在這樣化合物的組合物中，組合物中存在的物質(zhì)通過X射線衍射來判斷并確定這些物質(zhì)的相對比例。隨后，假設(shè)由這些物質(zhì)組成的化合物存在于該組合物中來計算該組合物的堆積密度。例如，假設(shè)有一種由2:1組合的Bi203和Fe203形成的組合物。在該組合物中，假設(shè)Bi203和BiFe03以1:2的比率存在來計算其堆積密度。此外，在其中存在多晶系的復(fù)雜組合物中，假設(shè)Biz03和Fe2Cb以與Bi和Fe相同的比率存在，可計算堆積密度。根據(jù)本發(fā)明第一和第二方面的濺射靶可通過混合并燒結(jié)原材料的金屬粉末或氧化物粉末來制備。濺射靶可通過稱重一組Bi粉末和Fe粉末或者一組Bi氧化物粉末和Fe氧化物粉末，隨后混合、分散、注塑、燒結(jié)并處理這些粉末來制得。對于燒成法(firingmethod),可使用涉及到加壓和加熱的燒成法，如熱壓法或HIP法。燒成溫度優(yōu)選很高以通過促進粉末粒子的粘合來增加堆積密度。然而，需要控制燒成溫度使得它決不超過混合物的熔點。例如，當燒結(jié)Bi氧化物和Fe氧化物時，需要在低于約800。C——Bi氧化物的熔點，它是兩種物質(zhì)中熔點最低的——的溫度實施燒結(jié)。如前述在先申請中提出的、在膜沉積過程中濺射靶斷裂的問題可通過進一步降低原材料粉末的粒子直徑或加入形成玻璃的氧化物、中間體氧化物、形成網(wǎng)絡(luò)的氧化物和/或燒結(jié)助劑來克服。例如，加入B、i、Ge或P的氧化物，或者Sc、La、Y、Sn、Ba、Ca、Sr、Mg、Li、Na、K、Rb或Cs的氧化物是有效的。以單質(zhì)而不是氧化物的形式加入這些元素也是有效的。下面粗略地描述濺射靶的制造方法。例如，當使用Bi氧化物和Fe氧化物時，Bi203(通常存在的Bi氧化物的形式)的粉末和Fe203(通常存在的Fe氧化物的形式)的粉末通過干或濕粉碎被分別磨碎，并分級以制造具有相似粒子直徑的粉末粒子。隨后，將所得粉末混合在一起，借助于熱和壓力注塑成想得到的形狀并燒成。通過將其置于75(TC的空氣中來實施燒成過程。通過重復(fù)再次粉碎燒成的材料然后在施加熱和壓力的同時進行注塑的工藝，也可能增加所得濺射靶的強度。然后通過金屬粘合或者樹脂粘合將所得的燒成的材料粘合到由無氧的銅制得的支承板上，從而提供濺射靶。通過前述方法制造的、根據(jù)本發(fā)明第一和第二方面的每個賊射靶，必然主要由Bi和Fe，或Bi、Fe和O組成。如本文所用的，短語"主要由......組成"及其衍生的短語一般是指該材料僅由上述的元素組成，原材料固有包含的雜質(zhì)除外。然而，注意必要時可添加微量的額外的元素以便例如改善介質(zhì)特性。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面，可能提供適于大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)同時獲得優(yōu)異再現(xiàn)性的濺射靶。本發(fā)明的第三個方面涉及一種含有Bi和Fe且電阻率是10Qcm或更少的濺射靶。當電阻率是IOClcm或更少時，可能進行直流電賊射。此外，優(yōu)選lQcm或更少因為賊射耙較不可能隨著時間而改變。而且，更優(yōu)選0.1Qcm或更少因為較不可能產(chǎn)生異常放電且由此可增加電源電壓(直流電)，從而可進一步增加膜沉積速度。為了得到低至如IOQcm或更低的電阻率，例如可用能夠賦予導(dǎo)電性的物質(zhì)摻雜臧射靶和/或去除賊射耙中的氧原子以降低其電阻。電阻率越低，越適于進行直流電濺射；然而，如果電阻率低于IOM。cm，則包括由該賊射靶得到的膜的光學(xué)記錄介質(zhì)將不理想地提供差的特性。由于這個原因，將電阻率的下P艮設(shè)定在10nQcm。關(guān)于Bi和Fe的比例，從隨后描述的沉積的記錄層的特性(或跳動值)來判斷，由于當Bi以至少28原子％的比例存在時，可得到優(yōu)異的記錄特性，因而即使當Bi和Fe以幾乎100原子％的比例存在時也預(yù)期維持相同的記錄特性水平。另外，考慮到記錄靈敏度，Bi的比例就總量幾乎是100原子。/。而言優(yōu)選約50原子％。氧原子可以以確保能進行直流電濺射的電阻率范圍的量包含。必要時可加入額外的元素同時考慮Bi的比例。綜合考慮到記錄特性、膜沉積效率、濺射靶密度、膜沉積速度等,最優(yōu)選Bi與Fe.的比率為約2:1,當該比率在6:5至3:1范圍內(nèi)時可達到較好的效果。如果Bi與Fe的比率更高，則不理想地，記錄標記易于被擦掉。根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，可以提供適于任意地形成具有穩(wěn)定組成和結(jié)構(gòu)的膜且可向其施加直流電濺射的濺射靶。本發(fā)明的第四個方面涉及一種含有Bi、Fe和0且進一步含有賦予導(dǎo)電性物質(zhì)的濺射靶。具有含Bi、Fe和O的膜作為記錄層的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)提供了優(yōu)異的記錄特性。然而這種膜的濺射靶由氧化物組成且具有直流電賊射難以用于膜沉積的問題。為了克服這個困難，將賦予導(dǎo)電性的物質(zhì)加入到濺射耙中以使得可應(yīng)用直流電賊射膜沉積。賦予導(dǎo)電性的這種物質(zhì)的例子包括(1)Bi和Fe中的任一個或兩個——兩者都是金屬狀態(tài)，(2)碳，(3)Sn、In和Zn中至少一種的氧化物，(4)除了Bi和Fe之外的金屬元素，(5)稀土元素，和(6)半導(dǎo)體和半金屬中的Ge、Sb和Te。這些物質(zhì)(1)和(6)可組合使用。由于Bi和Fe最初作為構(gòu)成元素而存在，因而它們很少影響所得膜的特性。在膜沉積過程中通過使用Ar和氧的混合氣體作為濺射氣體，因此控制氧的量并由此可以控制膜特性。對于(l)而言，Bi和Fe的優(yōu)選比例與本發(fā)明第三個方面中的相同。對于(2)而言，以摩爾計當碳含量是20%或更多時濺射靶的電阻率降低，當碳含量是40%或更少時，并不損壞所得沉積膜的記錄特性；因此優(yōu)選的碳含量范周是20摩爾％至40摩爾％。這種情況下，Bi和Fe的優(yōu)選比例與本發(fā)明第三個方面中的相同。對于(3)而言，Bi與Fe加額外元素的比例(Bi:(Fe+額外元素))優(yōu)選在6:5至3:1范圍內(nèi)。Fe與額外元素的比例優(yōu)選在約1:6因為需要將電阻率降低到使得可以進行直流電濺射的水平。對于(4)而言，考慮到例如記錄特性，(Bi:(Fe+額外元素))優(yōu)選在6:5至3:1。另夕卜，當Bi比Fe比額外元素的比率為約10:5:1時，額外元素的比率優(yōu)選比這更高以使得可以進行直流電濺射。同樣對于(5)和(6)而言，額外元素的比率優(yōu)選與(4)中的相同。根據(jù)本發(fā)明第四個方面的濺射靶是通過混合并燒成原材料的氧化物粉末而制得的?？赏ㄟ^稱重Bi粉末、Fe粉末和賦予導(dǎo)電性物質(zhì)的粉末，隨后混合、分散、注塑、燒結(jié)并處理這些粉末來制造濺射靶。或者，可通過制備這些粉末來制造濺射靶。對于燒成方法，可^f吏用涉及到加壓和加熱的燒成方法，如熱壓法或HIP法。燒成溫度優(yōu)選很高以通過促進^^分末粒子的粘合來增加堆積密度。然而，需要控制燒成溫度使得它決不超過混合物的熔點。例如，當混合并燒結(jié)Bi氧化物、Fe氧化物和碳時，需要在低于約800。C—一Bi氧化物的熔點，它是三者熔點中最低的——的溫度實施燒結(jié)。本發(fā)明的第五個方面涉及含有Bi和Fe、或者Bi、Fe和O并含有一種化合物的賊射靶，該化合物與化學(xué)計量組成相比氧減少。通過降低氧原子的量，由于Bi和Fe原子相對于氧原子增加，出現(xiàn)金屬性，由此降低了電阻并使得可以進行直流電濺射膜沉積。更具體地，將Bi、Fe、Bi氧化物和Fe氧化物混合在一起并燒結(jié)以制備濺射靶。由于金屬的粉末包括在原材料粉末中，因而在燒結(jié)時所形成的靶中金屬容易氧化。這點上，雖然金屬周圍的氧化物易于還原，但來自外部的氧原子并不到達靶的內(nèi)部，引起靶內(nèi)部均勻地存在少量氧(oxygenpaucity)。這樣，從除其最外表面之外的耙均勻地除去一定量的氧原子。在處理后通過刮去靶表面，可以提供含有Bi、Fe和O,含有與化學(xué)計量組成相比氧減少的化合物，并且隨著時間推移4艮穩(wěn)定的賊射靶。通過在無氧氣氛下(如在真空或者惰性氣體中)燒成靶，可得到即使在近表面區(qū)域仍存在少量氧的濺射靶。通過由直流電濺射該濺射靶形成記錄層可得到優(yōu)異的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。在利用直流電濺射沉積膜時使用Ar和氧的混合氣體作為濺射氣體，可得到高穩(wěn)定性的記錄層。本發(fā)明的第六個方面涉及到其中除了O之外的元素，即Bi的比例為28原子％或更多的濺射靶。其中其記錄層由利用這種濺射靶沉積的BiFeO膜形成的光學(xué)記錄介質(zhì)提供了優(yōu)異的性能。元素Bi自身呈現(xiàn)出高的濺射率(sputteringyield)并由此能夠高速度地進行膜沉積，但其熔點很低使得在燒結(jié)之前含有該元素時，需要在如約低至27(TC的溫度下進行燒結(jié)。由于這種原因，難于增加所得'減射萆巴的堆積密度，并因此難于增加其強度。如果Bi的比例是44原子％或更多，可以確保堆積密度是80%或更高并可以制造具有足夠強度的濺射靶，這允許制造提供優(yōu)異記錄特性的富含Bi的記錄層。在Ar和氧的混合氣體中進行記錄層的沉積。因此可以制造含有Bi、Fe和O的優(yōu)異的記錄層。如本文所用的，短語"堆積密度"是指實際制造的濺射靶的重量與計算出的由100%的有價值的物質(zhì)組成的賊射靶的重量的比值。堆積密度可利用下面的等式來計算堆積密度-(制造的濺射靶的重量/計算出的重量)x100(%)本發(fā)明的第七個方面涉及到含有Bi和Fe中至少一種的濺射靶，其中Bi和Fe都是金屬狀態(tài)的。當通過直流電濺射制備含有Bi、Fe和O的記錄層時，都以金屬狀態(tài)存在的Bi和Fe中至少一種被包含在濺射靶中，由此靶的電阻降低且因而可以進行直流電濺射。雖然Bi不是以低電阻為特征的金屬，但其電阻低到足以允許直流電濺射。由于Bi和Fe最初作為氧化物存在于記錄層中，因而它們對記錄特性的影響能最小化。其中BiFeO膜用作記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)提供了優(yōu)異的特性，所述BiFeO膜是通過利用任意這些濺射靶同時引入氧氣的膜沉積而制得的。本發(fā)明的第八個方面涉及到含有碳的濺射靶。碳不僅具有導(dǎo)電性，而且是化學(xué)穩(wěn)定且難以施加影響的。另外，該濺射靶具有低的濺射率且不太可能被混入所制備的膜中。短語"濺射率"是指在相同濺射條件下被濺射的容易度。濺射率低意味著原子難以移出靶且被釋放的原子難以混入所制備的膜中。在幾種碳中，考慮到它們的低電阻優(yōu)選石墨和無定形碳。此外，通過利用Ar和氧的混合氣體作為濺射氣體，所制備的記錄膜可接收足量的氧以提供優(yōu)異的記錄特性，且碳原子較不可能保留在膜中因為碳被氧化形成排出到外界的C02氣體。本發(fā)明的第九個方面涉及含有In、Zn和Sn中至少一種的氧化物的濺射靶。加入具有相對較低的電阻的氧化物如氧化錫、氧化銦或氧化鋅也是非常有效的。如果濺射靶僅僅使用氧化物來制備，則它消除了加入氣態(tài)氧的需要。雖然這導(dǎo)致了在所得記錄膜中混入錫、銦或鋅，但任何這些元素都不會不利地影響所得記錄層的特性，而是會增加其穩(wěn)定性。同樣在這種情況下，有這樣一種效果，即涉及到加入氧氣的膜沉積可進一步增強記錄特性。本發(fā)明的第十個方面涉及含有除了Bi和Fe之外的至少一種元素的濺射靶。因此這可以賦予該靶導(dǎo)電性。金屬具有足以使直流電賊射可應(yīng)用的低電阻，且當其適量加入時具有例如提高靶強度、記錄特性和存儲穩(wěn)定性的效果。特別高效的金屬根據(jù)它們的效果可以是不同的四組In、Zn和Sn(第一組)；Pd、Cu、Ni、Zn、Co和Li(第二組)；V、Mo、W、Sn、Ti、Al、Cr、Na、Mg和Ca(第三組)；以及Sb和Te(第四組)。屬于第一組的任意金屬當作為金屬加入時可賦予導(dǎo)電性；即使當被氧化時，所得氧化物也具有低電阻使得可以采用直流電濺射。另外，通過加入這些元素會提供改善記錄特性和存儲穩(wěn)定性的效果。加入第二組中至少一種金屬的賊射把特別顯示出增加的強度，且即使當在膜沉積過程中施加較強的直流電時也變得難以斷裂，由此實現(xiàn)了增加的膜沉積速度。利用這種濺射靶制造的光學(xué)記錄介質(zhì)提供了優(yōu)異的記錄特性。含有第三組中至少一種元素的濺射靶在增強光學(xué)記錄介質(zhì)的特性方面是非常有效的，所述光學(xué)記錄介質(zhì)中提供有利用這種濺射形成的記錄層。當將第四組中的至少一種元素加入到濺射靶時，利用這種耙沉積的膜變得穩(wěn)定；特別是其無定形狀態(tài)的穩(wěn)定性增加，因此預(yù)期存儲穩(wěn)定性可增加。此外，即使當將這些元素混入被制造的記錄層中，它也決不會不利地影響記錄特性而是會增強記錄特性和存儲穩(wěn)定性。通過在Ar和氧的混合氣體中進行膜沉積，被沉積的膜呈氧化物的形式且由此提供優(yōu)異的特性。本發(fā)明的第十一個方面涉及含有B、Si、Ge、稀土元素、及其氧化物中的至少一種的濺射靶。當賊射靶含有這樣的元素或者其氧化物時，所得光學(xué)記錄介質(zhì)提供優(yōu)異的特性。這些元素根據(jù)當作為單質(zhì)而不是作為氧化物含有時它們所帶來的效果可分為三組Ge和稀土金屬(第一組)；B和Si(第二組)；以及B、Ge、Y、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb和Dy(第三組)。關(guān)于第一組，當作為單一元素而不是作為化合物如氧化物存在時，Ge和稀土金屬都具有低電阻使得直流電濺射可應(yīng)用。這些元素的加入賦予導(dǎo)電性且由此使得直流電濺射可應(yīng)用。另一方面，第二組的元素——B和Si——自身是不導(dǎo)電的。然而，含有Bi、Fe、B和O的記錄層和含有Bi、Fe、Si和O的記錄層都提供了優(yōu)異的特性。第三組的元素具有增加靶強度的效果，但當以氧化物的形式加入時，通過使均用于除去氧原子的Bi和/或Fe以金屬的形式存在以賦予導(dǎo)電性變得很必要。當B和Ge作為氧化物加入時，不僅記錄特性和存儲穩(wěn)定性增強，而且靶的強度也增加，由此導(dǎo)致了增加的膜沉積速度。這是非常有效的。在任何這些情況下，都需要進行膜沉積同時適度地引入氧氣。B、Si和Ge的加入量優(yōu)選約0.1質(zhì)量。/。至5質(zhì)量。/。。對于B，例如，當Bi:Fe:B的比率在約10:4:1至10:1:4范圍內(nèi)時可帶來更強的效果。相同的關(guān)系也適用于Si和Ge。本發(fā)明的第十二個方面涉及其中堆積密度高于96%的濺射靶。低堆積密度的賊射靶提供低強度，且膜沉積速度不能增加。當堆積密度高于96%時，耙的強度顯著地增加且由此所得膜的強度也增加。即使當堆積密度為約70-80%時，有時候利用這種濺射靶制造的光學(xué)記錄介質(zhì)也提供優(yōu)異的記錄特性。然而，在這種低堆積密度范圍內(nèi)，賊射靶是易碎的且其強度仍很低。因而，在膜沉積過程中不能增加電源電壓且因此，不能增加膜沉積速度。如果堆積密度是80%或更大，則靶的強度稍微增加，但當超過96%時，靶的強度進一步增加。另外，有時膜沉積速度加倍，這是非常有效的。本發(fā)明的第十三個方面涉及旨在形成光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的濺射靶，其中濺射靶含有Bi和Fe并具有允許從靶表面?zhèn)刃孤┐磐康男螤?、結(jié)構(gòu)和組成中的至少一種，且其中可應(yīng)用^f茲控賊射。其中利用含Bi、Fe和0的膜作為記錄層的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)提供優(yōu)異的記錄特性。這種濺射方法最適于形成該記錄層。作為用于增加膜沉積速度的濺射方法，通常使用磁控濺射，在磁控濺射中將磁場產(chǎn)生裝置置于濺射耙下面以便通過允許從靶表面?zhèn)刃孤┐磐縼碓黾影冶砻娓浇拇磐棵芏纫栽黾影冶砻娓浇碾x子的密度，其中該離子被轟擊入靶以反沖出原子。然而，當濺射靶含有鐵磁性元素(如Fe)或鐵磁性化合物時，靶的磁導(dǎo)率增加且因此磁通量穿過靶的內(nèi)部，導(dǎo)致磁通量較不可能從靶表面泄漏從而導(dǎo)致降低的膜沉積速度。為了避免這個問題，本發(fā)明的第十三個方面旨在提供一種具有至少一種下述形狀、結(jié)構(gòu)和組成的濺射靶，所有這些形狀、結(jié)構(gòu)和組成被設(shè)計為增加乂人靶表面?zhèn)刃孤┑腲茲通量，由此可佳J茲控賊射應(yīng)用到即4更是含有Bi和Fe的濺射耙中。利用這種濺射靶時，可以同時實現(xiàn)含有Bi、Fe和O且提供優(yōu)異特性的記錄層的沉積，以及改善的膜沉積效率。為了允許從靶表面?zhèn)刃孤┍M可能多的^F茲通量，優(yōu)選Fe不以單質(zhì)形式存在于濺射靶中。包括獲得這種化合物的方法在內(nèi)的允許從耙表面泄漏f茲通量的方法包括下述方法(1)至(5),它們可組合使用。方法(1):制備僅由非鐵磁性物質(zhì)組成的或主要由非鐵磁性物質(zhì)組成的濺射靶，使得磁導(dǎo)率總體上降低。方法(2):制備具有促進磁漏的形狀或結(jié)構(gòu)的、減射耙。方法(3):制備具有類似于聚集顆粒的結(jié)構(gòu)的濺射靶，其中破壞粒子之間的磁性結(jié)合并因此總體上降低磁導(dǎo)率。方法(4):例如，即使是具有高飽和磁通量密度和高磁導(dǎo)率的鐵磁性元素，如Fe,當配制成化合物時也可以是具有低飽和》茲通量密度和低-茲導(dǎo)率的物質(zhì)；由此制備由這種化合物聚集形成的賊射草巴。方法(5):制備薄的濺射靶。鐵磁性物質(zhì)是指由于磁場而在特定方向上被磁化并且即使在移去磁場之后憑借殘留的剩磁作用仍保留磁滯的物質(zhì)。本發(fā)明中，除了提供該鐵磁性的物質(zhì)之外的物質(zhì)統(tǒng)稱為非鐵磁性物質(zhì)。作為方法(1)的例子，制備了下面的化合物由Bi203和a-Fe203的混合物組成的化合物；由Bi和a-Fe203組成的化合物；和由BiFe03、Bi203和Fe203組成的化合物。所有的這些化合物都是非鐵磁性物質(zhì)，但可加入微量的鐵磁性物質(zhì)Fe和/或，F(xiàn)e203。作為方法(2)的例子，在賊射靶的表面形成溝槽等以制備與其它部分相比具有小橫截面面積的部分。在這些部分中磁通量容易集中，且磁通量易于穿過這些部分泄漏。作為方法(3)的例子，如下所述制備順磁性的賊射耙。當其粒徑在幾納米到幾十納米的范圍內(nèi)變化時，即使是鐵磁性物質(zhì)也變成超順磁性的——一種表現(xiàn)出順磁性的狀態(tài)。使粒子超順磁的粒徑根據(jù)物質(zhì)的類型而不同，然而通常在幾十納米的范圍內(nèi)。因此，通過形成這種粒子的聚集體同時阻止它們通過磁性結(jié)合在一起可以制備順磁性濺射耙。這樣可以促進磁漏。例如，設(shè)計其中這種粒子被另一種非磁性物質(zhì)包圍的結(jié)構(gòu)。更具體地，通過設(shè)計其中由Bi、Bi化合物或者非鐵》茲性物質(zhì)形成的材料包圍Fe或Fe化合物的超順磁性微粒的結(jié)構(gòu)，可制備具有低^f茲通量密度和低磁導(dǎo)率的賊射輩巴。結(jié)果，》茲通量更容易從耙表面?zhèn)刃孤乙虼丝梢詰?yīng)用f茲控'踐射。另外，顯示超順磁性能的微晶的存在影響附近的粒子以降低磁導(dǎo)率。如果具有足以顯示超順磁性的、低至10nm或更小的直徑的粒子的體積(％)等于平均粒子直徑一半的三次冪，則磁導(dǎo)率有望降低到使磁控濺射可應(yīng)用的水平。此外，如果晶體粒子直徑有大的變化，則更可能發(fā)生組成的改變。磁導(dǎo)率p優(yōu)選約10或更小。采用提供補償溫度(compensationtemperature)——在該溫度磁化明顯為0——等于室溫或更低的化合物也是有效的。作為方法(4)的例子，制備一種賊射耙，其由Fe和其它元素的化合物、以及Bi或Bi化合物組成的混合化合物形成；這種混合化合物的例子包括由Fe-Si合金和Bi組成的化合物、由Bi-Li和Fe-Ge組成的化合物以及由Mg3Bi2和Fe^n2組成的化合物。這樣可以降低飽和磁通密度和磁導(dǎo)率。通過使用由這種混合化合物形成的臧射乾，允許大量^i通量從耙表面?zhèn)刃孤?，使得可以?yīng)用/f茲控濺射。作為方法(5)的例子，可舉出減小賊射靶厚度的方法。即使當Fe作為單質(zhì)而不是化合物存在時，通過將濺射靶的厚度減小到約lmm,磁漏水平也能增加到能夠使磁控濺射可應(yīng)用的水平。最佳厚度根據(jù)構(gòu)成靶的化合物種類和/或靶的組成而不同。無論如何，本發(fā)明的效果能借助于將濺射靶厚度減小到使》茲控賊射可應(yīng)用的程度的方法來提供。另外，雖然在某些情況下不采用前述方法(1)到(5)，但也可以通過將補償溫度設(shè)定到室溫附近或者通過使用居里溫度在在膜沉積過程中由于等離子體放電而升高的溫度附近的材料，來降低飽和磁通量密度和磁導(dǎo)率。通過單獨或組合使用上述方法，可增加在耙表面?zhèn)鹊摹菲澛┧?，由此使得磁控賊射可應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明第十三個方面的濺射靶可通過混合并燒成原材料的氧化物粉末來制備；可燒成Bi氧化物粉末與Fe氧化物粉末的混合物以制備賊射靶?；蛘?，可以通過制備主要含Bi、Fe和O的化合物的粉末并燒成這種粉末來制備濺射靶。對于燒成方法，可使用涉及到加壓和加熱的燒成法，如熱壓法或HIP法。燒成溫度優(yōu)選很高以增加靶強度。對于由Bi、Fe和O組成的化合物，當燒成溫度是約800。C或更高時發(fā)生相分離和熔融，這使得難以實現(xiàn)均勻的燒成。為了避免這個問題，有必要將燒成溫度控制在約75(TC之內(nèi)。例如，當將Bi氧化物和Fe氧化物混合在一起進行燒結(jié)時，需要在低于約800°C——Bi氧化物的熔點，它是兩熔點中最低的——的溫度實施燒結(jié)。另外，可將Bi粉末和oc-Fe203粉末混合在一起進行燒結(jié)。由于利用這些粉末制備的賊射靶具有比僅由氧化物組成的濺射耙更高的熱導(dǎo)率，因而在膜沉積過程中能取得耐斷裂性。根據(jù)本發(fā)明第十三方面，可以提供一種濺射靶，其適于任意地形成具有穩(wěn)定組成和結(jié)構(gòu)并且可對其使用^茲控濺射的膜。本發(fā)明的第十四個方面涉及含有非鐵^磁性化合物的濺射靶。為了允許盡可能多的磁通量從靶表面?zhèn)刃孤?，?yōu)選濺射靶僅由非鐵磁性化合物組成，但即使當含有鐵磁性化合物時，如果非鐵磁性化合物的含量高于約50體積％,磁漏也會增加。而且，如果鐵磁性化合物是一種磁通量密度像Y-Fe203那么高的化合物，則即使當非鐵磁性化合物的含量為約30體積%，也能發(fā)生使得磁控濺射可進行程度的磁漏。本發(fā)明的第十五個方面涉及一種含有三元化合物BiFeO形式的Fe的濺射靶。為使得磁控濺射可應(yīng)用，需要制備具有更少量鐵磁性成分的濺射靶，但是當Fe作為非鐵磁性化合物被包含時，濺射靶不再是鐵磁性的，因而可使用磁控'減射。例如，具有4丐鈦礦結(jié)構(gòu)的BiFe03是反鐵磁性的，因而提供低的磁導(dǎo)率，因此使得磁控賊射可應(yīng)用。另外，具有低Fe含量的化合物，如Bi25Fe04o和Bi36Fe2057——雖然它們是否是鐵磁性的仍然令人困惑——但即使它們顯示出鐵磁性時仍提供了低飽和磁通量密度和低磁導(dǎo)率。包含這種三元化合物，BiFeO，是非常有效的。含有這種化合物的濺射靶的制備包括燒成Bi氧化物和Fe氧化物的混合物以制備三元化合物BiFeO的粉末，隨后通過在化合物決不熔化的溫度進行燒結(jié)過程，使燒結(jié)體形成賊射靶形狀。在這種燒結(jié)方法中，可使用無壓燒結(jié)方法、熱壓方法、HIP方法等。本發(fā)明的第十六個方面涉及含有a-Fe203形式的Fe的濺射靶。如果Fe氧化物不是鐵磁性物質(zhì)，即使當含有Fe氧化物時，也可使用磁控濺射。Y-Fe203和Fe304(磁鐵礦)都是鐵磁性物質(zhì)，因此不優(yōu)選。另一方面，a-Fe203(赤鐵礦)是順磁性物質(zhì)。因此，當打算將Fe氧化物加入到主要由三元化合物BiFeO組成的濺射靶中以調(diào)整元素的相對比例時，向濺射靼中加入順i茲性物質(zhì)a-Fe203(赤4失礦)是非常有效的。本發(fā)明的第十七個方面涉及一種濺射靶，其具有允許磁通量從其表面泄漏的形狀。雖然優(yōu)化磁特性(如磁導(dǎo)率)以使得磁通量從耙表面泄漏的方法是可以得到的，但改變靶形狀的方法對實現(xiàn)磁漏也是有效的。通過在平面形狀的靶表面提供溝槽等，磁通量穿過溝槽泄漏到外部變得容易。具有溝槽的部分的橫截面面積很小，因而這些部分中的磁場強度容易增加，并且一旦它超過飽和磁通量密度，就引起磁漏。在其中形狀急劇改變的部分如溝槽的拐角，產(chǎn)生磁極以改變磁通量流，促進了磁漏。這些效果使得磁控賊射可應(yīng)用。特別地，當將溝槽置于在磁控賊射時產(chǎn)生磁場的磁極上方時，賊射把被'減射的面積增加并因此膜沉積速度和靶可用性增加。而且，對于圓形的賊射耙，當在濺射靶中心周圍提供閉槽(concentricgroove)時可得到更好的效果。本發(fā)明的第十八個方面涉及制造根據(jù)本發(fā)明第一或第三個方面的濺射耙的方法，其中該方法包括燒結(jié)方法。賊射耙的制造方法的例子包括，其中通過加熱同時阻止它們?nèi)刍瘉硎乖牧戏勰┕袒臒Y(jié)方法，其中溶解、混合并冷卻原材料粉末以制備濺射靶的溶解方法。由于氧化物具有較高的熔融溫度，因而使用燒結(jié)方法來以低成本制造質(zhì)量優(yōu)異的濺射把。對于使用金屬的情況，當利用具有明顯不同熔點的物質(zhì)(如Bi和Fe)來制造臧射靶時，使用燒結(jié)方法來阻止組成變化和分離的發(fā)生，由此使得制造質(zhì)量優(yōu)異的濺射靶成為可能。在溶解方法中，可能發(fā)生晶體生長，且在利用具有大晶體的濺射靶沉積的膜中，會發(fā)生組成的變化，這導(dǎo)致膜的再現(xiàn)性差，這是不理想的。相反，燒結(jié)方法是非常有效的，也就是說，通過降低待混合的粉末的粒徑可得到具有小晶體粒徑的濺射靶。概括地，制造方法遵循以下步驟稱重原材料，利用千式球磨機混合原材料，熱壓，注塑并粘合。制造方法可以遵循稱重，濕式球磨，噴霧干燥，熱壓，注塑并粘合。概括地描述濺射耙的制造方法。例如，如果使用Bi氧化物、Fe氧化物和用于賦予導(dǎo)電性的石灰，則可使用Bi203(通常存在的Bi氧化物)、Fe203(通常存在的Fe氧化物)和石墨粉末(通常存在的碳)。這些化合物通過干法或濕法粉碎來分別研磨并分級以制造具有類似粒徑的粉末顆粒。隨后，將所得粉末混合在一起，并通過熱和壓力注塑成所需的形狀，并燒成。通過將其置于750。C的空氣中來實施燒成方法。也可以通過重復(fù)再粉碎所燒成的材料并然后施加熱和壓力來注塑的過程來增加所得濺射靶的強度。然后通過金屬粘合或樹脂粘合來將所得燒成的材料粘合到由無氧的銅制得的支承板，從而提供濺射靶。使用燒結(jié)方法，可以制造濺射靶，其中混合具有明顯不同熔點的物質(zhì)(如Bi和Fe)。另外，由于燒結(jié)是對粉末進行的，因此粉末顆粒的磁特性可以沒有破壞地保留下來，因此這使得可以制造濺射耙同時控制其磁特性如磁通量密度和磁導(dǎo)率。使用燒結(jié)方法允許制造其中按需要設(shè)定飽和磁通量密度和磁導(dǎo)率并可對其進行磁控濺射的賊射靶。本發(fā)明的第十九個和第二十個方面涉及一種可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有主要由Bi和Fe，或者Bi、Fe和O組成的記錄層，其中根據(jù)本發(fā)明第十九個方面的記錄層是一種利用根據(jù)本發(fā)明第一或第三個方面的濺射靶沉積的記錄層，且其中根據(jù)本發(fā)明第二十個方面的記錄層是一種利用根據(jù)本發(fā)明第二或第四個方面的濺射靶沉積的記錄層。在制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)時，將必要的膜沉積在例如由聚碳酸酯構(gòu)成的樹脂基底上。樹脂基底可具有用于跟蹤控制(trackingcontrol)的溝槽和/或坑。主要由Bi和Fe、或者Bi、Fe和O組成的記錄膜是通過在真空下濺射靶同時引入氬氣或者氬氣與氧氣的混合物而形成的。必要時，可提供保護層等以保護反射層和/或改善性能。通過引入氬氣并在真空下施加高頻電壓，沉積含Bi、Fe和O的膜。通過除了氬氣之外還引入氧氣，可以控制所制備記錄膜中的氧量且因此容易提供優(yōu)異的特性。另夕卜，可提供用作反射層的金屬膜、用于改善特性的保護層。根據(jù)本發(fā)明的第十九個和第二十個方面，可以提供可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，其是利用適于大-見模生產(chǎn)具有優(yōu)異再現(xiàn)性的光學(xué)記錄介質(zhì)等的濺射靶制造的。本發(fā)明的第二十一個方面涉及包括含Bi和Fe的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，其中利用根據(jù)本發(fā)明第一個或第三個方面的濺射靶來沉積記錄層。本發(fā)明的第二十二個方面涉及包括含Bi、Fe和O的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，其中利用根據(jù)本發(fā)明第二個或第四個方面的濺射靶來沉積記錄層。利用這種制造方法可以增加膜沉積速度和生產(chǎn)率。另外，通過額外引入氧氣，可進一步增強記錄特性。本發(fā)明的第二十三個方面涉及光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，其中記錄層是由直流電濺射根據(jù)本發(fā)明第一個或第三個方面的濺射靶而形成的。利用這種制造方法，可以進行短時間的膜沉積，因而可降低制造成本。接下來，參考附圖描述本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造。圖l顯示了本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實例，其中基底11上設(shè)有底層12、記錄層13、上層14、反射層15和保護層16。底層12和上層14的材料的實例包括金屬氧化物如SiOx、ZnO、Sn02、A1203、Ti02、ln203、MgO、Zr02—Ta205;氮化物如Si3N4、A1N、TiN、BN和ZrN;硫化物如AgS、A1S、BS、BaS、BiS、CaS、CdS、CoS、CrS、CuS、FeS、GeS、InS、KS、LiS、MgS、MnS、MoS、NaS、NbS、NiS、PbS、SbS、SnS、SrS、WS、ZnS和TaS4;以及碳化物如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC。這些化合物可單獨或組合(即作為混合物)用于底層12或上層14中；這樣的混合物的例子包括ZnS和SiOx的混合物，以及Ta205和SiOx的混合物。當用這些化合物或者其混合物作為底層12和上層14時需要考慮的物理性能包括導(dǎo)熱性、比熱、折射率和對基底或記錄層材料的粘合性。另外，需要高熔點和好的粘合性。根據(jù)本發(fā)明人的發(fā)現(xiàn)，考慮到記錄特性優(yōu)選硫化物被包含于底層12和上層14中的至少一層中。底層12用于改善記錄靈敏度、反射性和其它的記錄/再現(xiàn)特性，以及記錄層的可靠性。更具體地，考慮到成本聚碳酸酯通常用于光學(xué)記錄介質(zhì)的基底中，但聚碳酸酯對濕氣和氧氣呈現(xiàn)出低的阻氣性能。由于這個原因，當在聚碳酸酯基底上提供記錄層時，記錄層容易降解。為避免這樣，優(yōu)選提供底層以抑制記錄層的降解。然而，注意當呈現(xiàn)出高阻氣性能的材料用于基底中或者當將阻氣層提供到基底的激光入射表面上時，無需提供這樣的底層。根據(jù)本發(fā)明人的發(fā)現(xiàn)，A1203、ZnS-Si02、A1N、ZrN、SiN等最優(yōu)選用于底層中。當上層14存儲在記錄過程中由向記錄層施加激光而產(chǎn)生的熱量時，它用來將熱轉(zhuǎn)移到用于熱消散的反射層。根據(jù)本發(fā)明人的發(fā)現(xiàn)，優(yōu)選使用ZnS和SiOz的混合物。將底層12的厚度設(shè)定到10nm到150nm，優(yōu)選15nm到100nm,且更優(yōu)選15nm到50nm。如果該厚度低于10nm，則導(dǎo)致不能確保足夠的記錄層可靠性，雖然這主要依賴于底層的材料和質(zhì)量。如果該厚度高于150nm，在通過賊射等的膜沉積過程中，所制備膜的溫度增加且由此產(chǎn)生膜分離和/或裂縫，不理想地導(dǎo)致差的生產(chǎn)率。將上層14的厚度設(shè)定為5nm到200nm,優(yōu)選8nm到150nm,且更優(yōu)選10nm到30nm。如果該厚度低于5nm，則導(dǎo)致降低的記錄靈敏度。如果該厚度高于200nm,則由于膜沉積過程中升高的溫度產(chǎn)生膜分離和/或變形。將記錄層13的厚度優(yōu)選設(shè)定為3nm到30nm，更優(yōu)選5nm到20nm,更加優(yōu)選5nm到15nm。如果厚度低于3nm,則導(dǎo)致記錄靈敏度的顯著降低并難以得到足夠的調(diào)制振幅。如果該厚度高于30nm，則具有記錄特性惡化的趨勢?；椎牟牧喜o特別限制，只要它們具有優(yōu)異的熱和機械特性,并且當從基底側(cè)(穿過基底)實施信息的記錄和再現(xiàn)時，具有優(yōu)異的透光性；其實例包括聚碳酸酯、聚甲基丙歸酸曱酯、無定形聚烯烴、纖維素乙酸酯和聚對苯二曱酸乙二醇酯。然而優(yōu)選聚碳酸酯和無定形聚烯烴?；椎暮穸炔⒉惶貏e限制，可根據(jù)所要的目的來確定其厚度。當要提供反射層15時，反射層15的材料優(yōu)選反射率足夠高以反射波長等于再現(xiàn)光波長的光的材料。例如，可單獨或者組合(作為合金)使用金屬如Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta和Pd。而且，當反射層15含有任意前述元素或其合金作為主要成分時，其可含有另外的元素；其例子包括金屬和半金屬如Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi?？紤]到其低成本和易于得到高反射率，特別優(yōu)選主要由Ag和Al組成的反射層?；蛘撸梢酝ㄟ^交替地堆積低折射率的薄膜和高折射率的薄膜——這兩者都是由除金屬之外的材料制得——來形成多層的膜，并將多層膜用作反射層。作為形成反射層的方法，可舉例例如濺射方法、離子電鍍法、化學(xué)汽相沉積和真空汽相沉積。對于單層結(jié)構(gòu)，反射層的優(yōu)選厚度為40nm到300nm。對于多層結(jié)構(gòu)，除了距離激光入射側(cè)面最遠的薄膜之外所有的薄膜都需要容許激光通過；因此，具有多層結(jié)構(gòu)的反射層通常是指半透明層而不是反射層。這種情況下，半透明層的優(yōu)選厚度是3nm到40nm。另外，可將公知的有機或無機中間層和/或粘合劑層提供到基底上面或反射層的下面，以便例如改善反射性、記錄特性和粘合性。必要時保護層16可提供到反射層上和/或其它層之間。任何已知的材料可用作保護層16的材料，只要它們可保護其它層不受外部的壓力。用于保護層16的有機材料的例子包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、可電子束固化的樹脂以及可紫外線固化的樹脂。用于保護層16的無機材料的例子包括Si02、SiN4、MgF2和Sn02?？勺贤饩€固化的樹脂的例子包括丙烯酸酯樹脂如聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯和聚酯丙烯酸酯。這些材料可單獨或組合使用，可用于形成單層膜或多層膜。作為形成保護層的方法，可使用涂布方法如旋涂和鑄涂，濺射和化學(xué)汽相沉積，然而最優(yōu)選旋涂。通過將樹脂原材料溶于適當溶劑中、涂布所得溶液并干燥該溶液可制得由熱塑性樹脂或熱固性樹脂構(gòu)成的膜。通過涂布樹脂原材料或者當它溶于適當?shù)娜軇┲筮M行涂布、并將其暴露在紫外光下進行固化可制備由可紫外線固化的樹脂組成的膜。保護層的厚度通常設(shè)定在0.1jum到100jlim,然而特別優(yōu)選3um到30Mm。本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)可以是其中另外的基底粘合到特定組成層(constituentlayer)上的介質(zhì)，或者可以具有組成層作為內(nèi)部層^皮此相對的多層結(jié)構(gòu)?；蛘撸景l(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)可以是多層的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在利用可紫外線固化的樹脂等的特定組成層上形成溝槽并使另一種特定組成層形成在其上。本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)不局限于為了記錄并再現(xiàn)信息而僅從基底側(cè)施加光的構(gòu)造，它也可以是一種如下構(gòu)造，其中在特定組成層上設(shè)置覆蓋層，激光穿過該覆蓋層進行信息的記錄和再現(xiàn)。通過從覆蓋層側(cè)記錄并再現(xiàn)信息，可得到高得多的記錄密度。該覆蓋層通常由聚碳酸酯或可紫外線固化的樹脂組成。用于本發(fā)明中的短語"覆蓋層"可包括用于覆蓋層的粘合劑層。用于本發(fā)明的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的激光的波長越短，對高密度記錄而言越優(yōu)選。特別地，優(yōu)選350nm到530nm波長的激光。這種激光的典型例子是其中心波長為405nm的激光。本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)包括僅寫一次的光學(xué)記錄介質(zhì)和可寫多次且其中被寫過的信息不能被重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)，或者所謂的一次寫入型光學(xué)記錄介質(zhì)。本發(fā)明的濺射靶甚至可用于制造除可記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)之外的光學(xué)記錄介質(zhì)(如，磁光盤)。雖然以上描述中集中在光學(xué)記錄介質(zhì)上，但本發(fā)明的濺射靶的應(yīng)用并不限于這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)，如果膜性能匹配它也可用于其它應(yīng)用中。例如，本發(fā)明的濺射靶可用于沉積^磁性材料膜、用于制造光隔離器的薄膜、用于光學(xué)開關(guān)器件的薄膜等。實施例下文中，將參考實施例和對比例詳細描述本發(fā)明，然而不應(yīng)該將它們看成限制本發(fā)明。注意實施例1到15和34涉及第一實施方式(含有Bi和Fe(作為主要成分)并具有高于96%的堆積密度的濺射靶)，實施例16到33和35到39涉及第二實施方式(含有Bi和Fe且電阻率為10Qcm或更少的濺射靶)。實施例1混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為6:5,接下來在球磨機中干法混合1小時。通過施加100-200MPa壓力并在Ar氣體中于810°C燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為200mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶A。濺射靶A具有97%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。實施例2利用實施例1中制備的濺射靶A作為記錄層的材料，制造具有圖1中所示層結(jié)構(gòu)的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度-21nm,磁道間距=0.43|am,未示出)的聚碳酸酯基底11上，通過濺射依次形成由八1203組成的15nm厚的底層12、由BiFeO組成的13nm厚的記錄層13、由ZnS-Si02(摩爾比-80:20)組成的20nm厚的上層14、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層15。在反射層15上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(A081,NIPPONKAYAKU有限公司生產(chǎn)的丙烯酸類樹脂)制成的約5jum厚的保護層16以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。為了進行'減射，使用Unaxis制造的DVDsprinter裝置。注意"Unaxis制造的DVDsprinter裝置"是指Unaxis制造的名為"DVDsprinter"的膜沉積裝置。對于76.2mm直徑的'減射耙而言，利用稱作CFS-8EP-55的膜沉積裝置進行膜沉積，而由Unaxis制造的DVDsprinter用于200mm直徑的賊射輩巴。利用光盤鑒定器(evaluator)(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204jum線速度6.61m/s隨后，從每1000個盤中一次取樣IO個盤，即，取樣l到第10個，1001到第1010個，2001到第2010個，...9001到第9010個，對每組10個盤的特性(跳動值，調(diào)制振幅等)取平均并在不同的組之間進行比較。結(jié)果，對所有樣品來說，當用極限均衡器來測量時，在記錄功率為6mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到約6%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即樣品的調(diào)制振幅都是60%或更多且介質(zhì)具有高到低(high-to-low)的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40jum的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為20或更大且因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。注意PRSNR(部分響應(yīng)信號/噪音比)是評估信號質(zhì)量的尺度，它在HDDVD-R標準中有規(guī)定。實施例3除了混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比率為2:1之外，以與實施例1中所述相似的方式得到賊射靶B。濺射耙B具有99%的堆積密度和至少lOOOQcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%，因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模生產(chǎn)同時得到好的再現(xiàn)性。實施例4利用實施例3中制備的濺射靶B作為記錄層的材料，制造具有圖1中所示層結(jié)構(gòu)的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度-21nm,磁道間距-0.43ium,未示出)的聚碳酸酯基底11上，通過濺射依次形成由八1203組成的15nm厚的底層12、由BiFeO組成的8nm厚的記錄層13、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的14nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層15。在反射層15上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(A081，NIPPONKAYAKU有限公司生產(chǎn)的丙烯酸類樹脂)制成的約5jum厚的保護層16以制備可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。為了進行濺射，使用DVDsprinter(Unaxis制造)。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-IOOO，波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0,204jum線速度6.61m/s隨后，從每1000個盤中一次取樣10個盤，即，取樣1到第10個，1001到第1010個，2001到第2010個，...9001到第9010個，對每組10個盤的特性(跳動值，調(diào)制振幅等)取平均并在不同的組之間進行比較。結(jié)果，對所有樣品來說，當用極限均衡器來測量時，在記錄功率為5mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到約5%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即樣品的調(diào)制振幅是65%或更多且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40ilim的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為20且SbER為4.3xl(T6，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。注意SbER(模擬誤碼率)是表明誤碼率的數(shù)值，它在HDDVD-R標準中有規(guī)定。實施例5除了混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比率為1:1之夕卜，以與實施例1中所述相似的方式得到濺射靶C。濺射靶C具有96.5%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模生產(chǎn)同時得到好的再現(xiàn)性。實施例6利用實施例5中制備的濺射靶C作為記錄層的材料，制造具有圖1中所示層結(jié)構(gòu)的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度-21nm，磁道間距0.43iam，未示出)的聚碳酸酯基底11上，通過濺射依次形成由八1203組成的20nm厚的底層12、由BiFeO組成的15nm厚的記錄層13、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層14、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層15。在反射層15上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(A081,NIPPONKAYAKU有限公司生產(chǎn)的丙烯酸類樹脂)制成的約5jam厚的保護層16以制備可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。為了進行濺射，使用DVDsprinter(Unaxis制造)。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204|im線速度6.61m/s隨后，從每1000個盤中一次取樣IO個盤，即，取樣1到第10個，1001到第1010個，2001到第2010個，...9001到第9010個，對每組樣品的10個盤的特性(跳動值，調(diào)制振幅等)取平均并在不同的樣品組之間進行比較。結(jié)果，對所有樣品來說，當用極限均衡器來測量時，在記錄功率為6mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到約6%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即樣品的調(diào)制振幅是65%或更多且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)其中基底上的磁道間距設(shè)定為0.40|am的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為20且SbER為4.3xl(T6，因而得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例7混合Bi和Fe的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于28(TC在真空中燒成6小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為200mm、厚度為4mm的耙。然后通過金屬粘合將耙粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶D。濺射靶D具有97%的堆積密度和至少83uQcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。實施例8利用實施例7中制備的濺射靶D作為記錄層的材料，制造具有圖1中所示層結(jié)構(gòu)的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度=21nm,磁道間距=0.43ym,未示出)的聚碳酸酯基底11上，通過濺射依次形成由八1203組成的1.5nm厚的底層12、由BiFeO組成的8nm厚的記錄層13、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的14nm厚的上層14、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層15。在反射層15上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(A081，NIPPONKAYAKU有限公司生產(chǎn)的丙烯酸類樹脂)制成的約5jam厚的保護層16以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。為了進行濺射，使用Unaxis制造的DVDsprinter裝置。在Ar禾口氧的混合氣體中(Ar流速=40sccm，氧流速=lsccm)實施BiFeO記錄層的沉積。然后利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000，波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204jum線速度6.61m/s隨后，從每1000個盤中一次取樣10個盤，即，取樣1到第10個，1001到第1010個，2001到第2010個，...9001到第9010個，對每組10個盤的特性(跳動值，調(diào)制振幅等)取平均并在不同的組之間進行比較。結(jié)果，對所有樣品來說，當用極限均衡器來測量時，在記錄功率為5mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到約5%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即樣品的調(diào)制振幅都是65%或更多且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40)am的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為20且SbER為4.3xl(T6，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例9混合Bi203和a-Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過施加100-200MPa壓力并在空氣中于750°C燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板以制備濺射靶1。濺射靶l(wèi)具有99%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%，因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。在表1所示的條件下測量這種濺射靶的X射線衍射光譜。X射線衍射光譜如圖3所示。對照已知的材料的衍射峰和該測量中所得的衍射峰以用于識別。圖3頂部的光譜(a)是濺射靶1的X射線衍射光譜，(a)下面的光譜(b)是這樣一種光語，其中利用已知的材料顯示出BiFe03的衍射峰出現(xiàn)的位置。已通過收集過去的測量數(shù)據(jù)、判斷材料的衍射線出現(xiàn)的地方和它們的強度構(gòu)建了許多不同的已知材料的X射線衍射光譜的數(shù)據(jù)庫。查詢這種數(shù)據(jù)庫可以識別分析物。通過將光譜(a)的衍射峰與光譜(b)即BiFe03的衍射光譜的衍射峰相比較，確定其上畫有圓圈的峰對應(yīng)于光譜(b)的峰。光譜(c)是a-Fe203的已知的光譜，光譜(d)是Bi203的已知的光譜，與光譜(a)相比它們是相似的。然而在光譜(a)中沒有觀察到看來與a-Fe203和Bi203的峰相對應(yīng)的特殊的峰。結(jié)果，確定在光譜(a)中觀察到的主峰與BiFe03的峰相符，并且這種化合物主要存在于濺射靶1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>實施例10利用實施例9中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度21nm，磁道間距0.43nm)的聚碳酸酯基底上，通過濺射依次形成15nm厚的八1203層、13nm厚的BiFeO層、20nm厚的ZnS-Si02層、和100腿厚的AlTi(Ti=1重量％)層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5nm厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55,—種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，在下述的濺射條件下進行濺射過程，Ar流速-40sccm，功率-100W。在其上粘合濺射靶的由無氧銅制成的支承板的后部提供用于磁控濺射的磁鐵。通過RF磁控濺射實施BiFeO層的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204jum線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時,在記錄功率為6.4mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到6.2%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是62%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40jam的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為23且SbER為5.8x10—7，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。注意PRSNR是評估信號質(zhì)量的尺度，SbER是表明誤碼率的數(shù)值，它們都在HDDVD-R標準中有規(guī)定。實施例11使Bi203和a-Fe203的粉末與Bi和Fe的粉末混合使得Bi與Fe的原子比為1:1,接下來在球磨機中干法混合1小時。然后于800。C燒成粉末混合物5小時，對所得粉末的X射線衍射分析揭示了BiFe03粉末的存在。同時，使Bi203和a-Fe203的粉末與Bi和Fe的粉末混合使得Bi與Fe的原子比為25:1,接下來在球磨機中干法混合1小時。然后于80(TC燒成粉末混合物5小時，對所得粉末的X射線衍射分析揭示了Bi2sFe04o粉末的存在。以23:1的摩爾比混合這樣得到的兩種不同的粉末，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及到施加100-200MPa壓力的熱壓并在空氣中于900。C燒成3小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的耙。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板以制備濺射靶2。濺射靶2具有97%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。實施例12除了使用實施例11中制備的濺射靶2之外，以與實施例10中所述類似的方式制造光學(xué)記錄介質(zhì)，并在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為6.1mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.9%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是62%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40ym的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為21且SbER為2.1xl(T6，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例13混合Bi2(33和oc-Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為6:5，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過施加100-200MPa壓力并在空氣中于750°C燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為200mm、厚度為6mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶3。濺射靶3具有99%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。實施例14利用實施例13制備的濺射靶3來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，在具有溝槽(溝槽深度-21nm,磁道間距-0.43nm)的聚碳酸酯基底上，通過濺射依次形成10nm厚的八1203層、13nm厚的BiFeO層、20nm厚的ZnS-Si02層、和100nm厚的Ag層。在Ag層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5um厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用DVDsprinter(由UNAXIS制造)在下述的濺射條件下進行濺射過程，Ar流速=20sccm,功率=1.2kW。在其上粘合濺射靶的由無氧銅制成的支承板的后部提供用于磁控賊射的磁鐵。通過RF磁控賊射實施BiFeO層的沉積。然后如實施例10中一樣在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為8.8mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.5%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是55%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的^f茲道間距設(shè)定為0.40ium的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為33且SbER為9.6x1o-G,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例15混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1,接下來在球磨機中千法混合1小時。通過涉及到施加100-200MPa壓力的熱壓并在空氣中于78(TC燒成5小時來注塑所得粉末混合物，接下來形成如圖4所示的溝槽，從而制備直徑為200mm、厚度為6mm的靶。然后通過金屬粘合將這樣得到的靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制造濺射靶，其具有97%的堆積密度和至少lOOOQcm的電阻率。由于電阻率很高，采用射頻濺射進行膜沉積。濺射靶具有高于96%的堆積密度，可有效地進行磁控濺射，并且在膜沉積過程中等離子體放電是穩(wěn)定的。因此可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。對比例1除了混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比率為2:5之夕卜，以與實施例1中所述相似的方式制備濺射靶。該濺射靶具有94%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。利用這種濺射靶如實施例2—樣制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。然后如實施例2—樣在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄，從每1000張盤中取樣10個盤并對每組10個盤進行特性評估。發(fā)現(xiàn)在第2000個和此以后的盤中，在連續(xù)記錄的區(qū)域中PRSN值低于20。由于濺射靶的堆積密度不高于96%,因而不可能大量制造具有優(yōu)異再現(xiàn)性的光學(xué)記錄介質(zhì)。對比例2除了混合Biz03和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比率為3:5之外，以與實施例1中所述相似的方式制備濺射靶。該濺射靶具有95%的堆積密度。利用這種賊射耙如實施例2—樣制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。然后如實施例2—樣在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄，從每1000張盤中取樣10個盤并對每組10個盤進行特性評估。發(fā)現(xiàn)在第3000個和此以后的盤中，在連續(xù)記錄的區(qū)域中PRSN值低于20。由于濺射靶的堆積密度不高于96%,因而不可能大量制造具有優(yōu)異再現(xiàn)性的光學(xué)記錄介質(zhì)。實施例16混合Bi和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于270。C在Ar氣體中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將耙粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶。該濺射靶具有91%的堆積密度和4mQcm的電阻率。實施例17利用實施例16中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度=21nm，磁道間距=0.43ym)的聚碳酸酯基底上，通過蜮射依次形成由八1203組成的5nm厚的底層、由BiFeO組成的13nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5ym厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55，一種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速-40sccm,氧流速=2seem)中通過直流電濺射來實施BiFeO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204|am線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為6.4mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到6.2%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是62%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40iam的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為23且SbER為5.8x10—7，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例18混合Bi和Fe的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1,接下來在球磨機中干燥混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于270。C在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的耙。然后通過金屬粘合將耙粘合到由無氧的銅制得的支承板以制備賊射靶。該濺射靶具有93%的堆積密度和83juQcm的電阻率。實施例19利用實施例18中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度-21nm,磁道間距-0.43iam，未示出)的聚碳酸酯基底上，通過濺射依次形成由八1203組成的15nm厚的底層、由BiFeO組成的8nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比-80:20)組成的14nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5jum厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55，一種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速=40sccm，氧流速=1sccm)中通過直流電濺射來實施BiFeO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000，波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0,204jum線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為5.6mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.2%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是65%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40jim的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為19且SbER為4.3xl(T6，因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例20混合Bi203和Fe的粉末使得Bi與Fe的原子比為15:5，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于780。C在Ar氣體中燒成3小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的耙。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備賊射耙。該濺射靶具有95%的堆積密度和0.8Qcm的電阻率。實施例21利用實施例20中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度=21nm,磁道間距=0.43ym)的聚碳酸酯基底上，通過蜮射依次形成由八1203組成的15nm厚的底層、由BiFeO組成的5nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5inm厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55,一種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行賊射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速=40sccm，氧流速=2seem)中通過直流電賊射來實施BiFeO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204|am線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為5.8mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到6.5%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是66%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40mm的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為21且SbER為2.1xio-6,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例22混合Bi203、Fe203和ln203的粉末使得Bi:Fe:In原子比為10:1:6并加入乙醇，接下來在球磨機中濕法混合1小時。通過涉及施加50-100MPa壓力的熱壓并于78(TC在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶具有94%的堆積密度和8.4Qcm的電阻率。實施例23利用實施例22中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度=21nm，磁道間距=0.43Mm)的聚碳酸酯基底上，通過賊射依次形成由八1203組成的15nm厚的底層、由BiFelnO組成的13nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5Mm厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55，一種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速-40sccm，氧流速=4seem)中通過直流電賊射來實施BiFelnO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-IOOO，波長-405nm，NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204jum線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為6.2mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.8%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是60%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40nm的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為27且SbER為1.1x1o-8,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例24混合Bi203、Fe203、ZnO和In203的粉末使得Bi:Fe:Zn:In原子比為10:1:1:5并加入乙醇，接下來在球磨機中濕法混合1小時。通過涉及施加50-100MPa壓力的熱壓并于780。C在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板以獲得濺射靶。該濺射靶具有93%的堆積密度和0.02Qcm的電阻率。實施例25利用實施例24中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度=21nm,磁道間距=0.43|im)的聚碳酸酯基底上，通過賊射依次形成由A1203組成的15nm厚的底層、由BiFeZnlnO組成的13nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上,通過旋涂形成由可紫外線固化的^"脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5Mm厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55,—種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速-40sccm，氧流速=4sccm)中通過直流電賊射來實施BiFeZnlnO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000，波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204pm線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為6.2mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.8%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是60%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40jum的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為26且SbER為9.1x10-8,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例26混合Bi203、Fe203和碳的粉末使得Bi:Fe:C原子比為10:5:3并加入乙醇，接下來在球磨機中濕法混合1小時。通過涉及施加50-100MPa壓力的熱壓并于810。C在Ar氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射耙。該賊射靶具有92%的堆積密度和1.3mQcm的電阻率。實施例27利用實施例26中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度=21nm，磁道間距=0.43jam)的聚碳酸酯基底上，通過賊射依次形成由Al203組成的10nm厚的底層、由BiFeO組成的13nm厚的記錄層、由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的上層、和由AlTi(Ti=1重量％)組成的100nm厚的反射層。在AlTi層上，通過旋涂形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5|im厚的保護層以制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用CFS-8EP-55,—種由SHIBAURAMECAHTRONICSCORPORATION制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速=40sccm,氧流速=2seem)中通過直流電賊射來實施BiFeO膜的沉積。利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm，NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案1-7調(diào)制線密度最短的記號長度(2T)=0.204Mm線速度6.61m/s結(jié)果，當用極限均衡器測定時，在記錄功率為6.5mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.9%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是60%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的》茲道間距設(shè)定為0.40pm的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為24且SbER為9.1x10-8,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例28將Bi比例改變成下表2中所示的比例，以與實施例18所述相似的方式制備濺射靶。Bi比例為17原子％的濺射靶具有97%的堆積密度和27.68juQcm的電阻率；Bi比例為28.6原子％的濺射革巴具有90%的堆積密度和39.89jaQcm的電阻率；Bi比例為37.5原子％的賊射革巴具有85%的堆積密度和49.25yQcm的電阻率；Bi比例為44.4原子％的賊射革巴具有81%的堆積密度和56.51jliQcm的電阻率；Bi比例為50原子％的賊射革巴具有88%的堆積密度和62.4jiQcm的電阻率；Bi比例為54.5原子％的濺射把具有91%的堆積密度和67.13pQcm的電阻率；Bi比例為87.5原子％的濺射耙具有96%的堆積密度和101.85iaQcm的電阻率；Bi比例為99原子％的濺射靶具有99%的堆積密度和113.95yQcm的電阻率；利用這些濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在具有溝槽(溝槽深度-50nm，》茲道間距-0.46Mm)的聚碳酸酯基底上，通過濺射依次形成由ZnS-Si02(摩爾比=80:20)組成的20nm厚的底層、和由BiFeO組成的10nm厚的記錄層。于其上，通過旋涂形成由下述通式(1)所示染料制成的有機薄膜(平均膜厚=約30nm)。隨后，在有機薄膜上通過濺射形成150nm厚的Ag反射層，并通過旋涂于其上形成由可紫外線固化的樹脂(SANNOPCOLIMITED生產(chǎn)的Nopcocure134)制成的約5jam厚的保護層以獲得可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。利用SBH-2306E,—種由ULVAC制造的濺射裝置，來進行濺射過程。在Ar和氧的混合氣體(Ar流速=40sccm,氧流速=0.8sccm)中通過直流電賊射來實施BiFeO膜的沉積。通式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>然后利用光盤鑒定器(Pulstech制造的DDU-1000,波長=405nm,NA:0.65)在以下條件下在光學(xué)記錄介質(zhì)上進行二進制記錄。調(diào)制方案8-16調(diào)制線密度最短的記號長度(3T)=0.275jum線速度6.0m/s每個濺射靶中，記錄功率(Pw)、Bi比例(原子％)或者100xBi/(Bi+Fe)，以及由標準均衡器測定的每個介質(zhì)的跳動值，都顯示在表2中。另外，圖2中顯示了Bi比例與跳動值之間的關(guān)系。直流電濺射可施加到本實施例制備的所有的濺射靶上。當Bi比例為約28原子％或更多時跳動值下降，此后隨著Bi比例的增加，維持基本恒定，即使當Bi比例為99原子％時，仍然較低。同時，當被書寫時利用Bi濺射靶制造的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)顯示出9.2%的跳動值。這些事實的最終結(jié)果是從跳動的觀點看優(yōu)選的Bi范圍是4吏得0.28<Bi/(Bi+Fe)。雖然該實施例中使用的是含有Bi和Fe的濺射靶，但在含有Bi、Fe、0和賦予導(dǎo)電性物質(zhì)的濺射靶以及含有Bi和Fe、或者Bi、Fe和0、以及含有其中與化學(xué)計量組成相比氧減少的化合物的濺射靶中也能看到相同的趨勢。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>實施例29以21:18:10的摩爾比混合Bi203、Bi和Fe304的粉末，接下來在球磨機中千法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于270。C在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將濺射靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。以類似的方式，制造具有不同粉末比率的濺射靶，它們的堆積密度、電阻率等如表3中所示。在Ar和氧的混合氣體中(Ar與氧的流速比率=40:0.8)通過直流電濺射來沉積BiFeO記錄層。雖然對于具有約i-lOQcm電阻率的濺射靶來說可以進行直流電濺射，但由于異常放電的產(chǎn)生在高直流電功率級時不能進行膜沉積。在低功率級處正常放電是可能的，然而，隨著時間的推移電流阻止流動，從而導(dǎo)致異常放電。相反，對于電阻率低至0.1-1Qcm的濺射靶，沒有引起放電故障的異常放電產(chǎn)生，因此可以進行連續(xù)的膜沉積。在電阻率為O.lQcm或更少的濺射靶的濺射過程中，根本沒有異常放電產(chǎn)生。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>實施例30混合Bi3Ni和FeNi3的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:5,接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于450°C在氬氣中燒成10小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶。該濺射靶具有98%的堆積密度和約10iaQcm的電阻率。如上所述由于堆積密度高于96%,因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。利用這種濺射靶沉積記錄層并制造光學(xué)記錄介質(zhì)。這種光學(xué)記錄介質(zhì)提供了跳動值為9.6的優(yōu)異特性。實施例31混合Bi、Fe和Al粉末使得Bi:Fe:Al的原子比為1:5:94,接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于600°C在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以制備濺射靶。該濺射靶具有78%的堆積密度和約5iaQcm的電阻率。如實施例16中一樣利用這種濺射靶沉積記錄層來制造光學(xué)記錄介質(zhì)，并評估這種介質(zhì)。然而由于差的記錄敏感度得到很少的記錄信號。實施例32在本實施例中如圖4所示在靶表面中形成溝槽。具有這種構(gòu)造時，促進穿過這些溝槽的磁漏并由此使得借助于磁控濺射的膜沉積變得更容易。混合Bi20"poc-Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1并加入乙醇，接下來在球磨機中濕法混合1小時。通過涉及施加50-lOOMPa壓力的熱壓并于81(TC在真空中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，并在所燒成物件的表面上形成溝槽以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。由于燒結(jié)是在真空下進行的，因此所得濺射靶具有92。/。的堆積密度和8.5Qcm的電阻率。由于除去了一些氧，濺射靶是有點鐵磁性的。實施例33除了在Ar和氧的混合氣體中(Ar流速=40sccm，氧流速=4sccm)濺射由實施例32制備的靶從而沉積BiFeO層之外，以與實施例14中所述相似的方式制備光學(xué)記錄介質(zhì)，并在介質(zhì)上進行二進制記錄。結(jié)果，在用極限均衡器測定時，在記錄功率為9.8mW的連續(xù)記錄的區(qū)域中得到5.2%的優(yōu)異跳動值。另外，得到這樣優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性，即調(diào)制振幅是55%且介質(zhì)具有高到低的極性。而且，在根據(jù)基底上的磁道間距設(shè)定為0.40pm的HDDVD-R標準的評估中，PRSNR為27且SbER為2.3x1(T8,因此得到非常優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。實施例34混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨才幾中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于780°C在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的靶。然后通過金屬粘合將草巴粘合到由無氧的銅制得的支承板以獲得濺射靶。該濺射靶具有97%的堆積密度和至少1000Qcm的電阻率。由于高電阻率，使用射頻濺射來進行膜沉積。如上所迷由于堆積密度高于96%，因而可實現(xiàn)光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模制造同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。實施例35混合Bi203和Fe的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-300MPa壓力的熱壓并于800。C在氬氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的靶。然后通過金屬粘合將把粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶缺乏氧并具有96%的堆積密度和6mQcm的電阻率。通過在Ar和氧的混合氣體中進行直流電濺射來沉積BiFeO記錄層。在本實施例中利用直流電賊射的膜沉積速度比實施例34中的快1.3倍。另外，在膜沉積過程中引入氧使得更易于控制所制備BiFeO記錄層中的氧的量，因此可以大規(guī)模制造光學(xué)記錄介質(zhì)同時獲得優(yōu)異的再現(xiàn)性。而且，稍微降低的氧的量提供了光學(xué)記錄介質(zhì)顯示出增加的記錄靈敏度的效果。實施例36以6:1:3的摩爾比率混合Bi203、Fe203和碳的粉末，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-300MPa壓力的熱壓并于80(TC在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的耙。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶具有96%的堆積密度和7mQcm的電阻率。通過在Ar氣中進行直流電濺射來沉積記錄層。由于記錄層的光學(xué)吸收增加具有所得光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄靈敏度增強的效果。實施例37以6:1:3的摩爾比率混合Bi203、Fe203和ZnO的粉末，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-300MPa壓力的熱壓并于800。C在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的靶。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶具有99%的堆積密度和7mQcm的電阻率。通過在Ar氣中進行直流電濺射來沉積BiFeZnO記錄層。在本實施例中膜沉積的速度比實施例34中的快1.7倍，因此提高了生產(chǎn)率。由于堆積密度高于96%,因而可以進行光學(xué)記錄介質(zhì)的大規(guī)模生產(chǎn)同時獲得好的再現(xiàn)性。而且，由于記錄層的光學(xué)吸收增加具有所得的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄靈敏度增強的效果。實施例38以6:2:2的摩爾比率混合Bi203、Fe203和Al的粉末，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-300MPa壓力的熱壓并于600。C在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的耙。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射耙具有96%的堆積密度和3mQcm的電阻率。通過在Ar和氧的混合氣體中進行直流電賊射來沉積記錄層。實施例39以6:3:1的摩爾比率混合Bi、B203和Fe203的粉末，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-300MPa壓力的熱壓并于270。C在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為200mm、厚度為6mm的耙。然后通過金屬粘合將耙粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶具有96%的堆積密度和10mQcm的電阻率。通過在Ar和氧的混合氣體中進行直流電'減射來沉積記錄層。對比例3混合Bi203和Fe203的粉末使得Bi與Fe的原子比為2:1，接下來在球磨機中干法混合1小時。通過涉及施加100-200MPa壓力的熱壓并于780°C在空氣中燒成5小時來注塑所得粉末混合物，以制備直徑為76.2mm、厚度為4mm的耙。然后通過金屬粘合將靶粘合到由無氧的銅制得的支承板上以獲得濺射靶。該濺射靶具有71%的堆積密度和至少1MQcm的電阻率。由于沒有產(chǎn)生等離子體放電，通過直流電濺射這種濺射靶的膜沉積失敗。另外，由于該堆積密度不高于96%，因而不能大量生產(chǎn)具有優(yōu)異再現(xiàn)性的光學(xué)記錄介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種濺射靶，包括Bi和Fe，其中該濺射靶的堆積密度高于96％，且其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的'減射靶，其中所述濺射靶包括Bi、Fe和O，且該濺射靶的堆積密度高于96%。3.—種賊射把，包括Bi和Fe,其中該濺射靶的電阻率是10Qcm或更小，且其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括Bi、Fe和O,并且還包括賦予導(dǎo)電性的物質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的賊射靶，其中所述'踐射靶包括與化學(xué)計量組成相比氧減少的化合物。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中在除了氧之外的元素中，Bi的比例是28原子％或更高。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括均處于金屬態(tài)的Bi和Fe中的至少一種。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述賊射耙包括碳。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的賊射靶，其中所述濺射靶包括In、Zn和Sn中至少一種的氧化物。10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述賊射靶包括除了Bi和Fe之外的至少一種金屬。11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括B、Si、Ge、稀土元素、及其氧化物中的至少一種。12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶，其中堆積密度高于96%。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括允許磁通量從靶表面?zhèn)刃孤┑男螤?、結(jié)構(gòu)和組成中的至少一種，且其中可應(yīng)用^t控濺射。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括非鐵磁性化合物。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中Fe以三元化合物BiFeO的形式被包含。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中Fe以oc-Fe203的形式被包含。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射靶，其中所述濺射靶包括允許磁通量從耙表面?zhèn)刃孤┑男螤睢?8.—種借助于燒結(jié)方法來制造濺射靶的方法，其中該濺射靶用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層且包括Bi和Fe,該濺射靶的堆積密度高于96。/。。19.一種可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，包括含Bi和Fe的記錄層，其中利用濺射靶來沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi和Fe,且該濺射靶的堆積密度高于96%。20.—種可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，包括含Bi、Fe和O的記錄層，其中利用濺射靶來沉積記錄層，其中濺射靶包括Bi、Fe和0,且該賊射靶的堆積密度高于96%。21.—種制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括利用濺射靶來沉積含Bi和Fe的記錄層，其中該濺射靶包括Bi和Fe,且該濺射靶的堆積密度高于96%。22.—種制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括利用濺射靶來沉積含Bi、Fe和O的記錄層，其中該濺射靶包括Bi、Fe和O,且該濺射靶的堆積密度高于96%。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中通過直流電賊射來實施記錄層的沉積。全文摘要提供一種用于形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi和Fe，且該濺射靶的堆積密度高于96％，還提供一種利用該濺射靶制造的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，該可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)即使在藍色激光波長范圍內(nèi)也能夠進行高密度記錄。文檔編號C23C14/34GK101191194SQ20061013096公開日2008年6月4日申請日期2006年11月22日優(yōu)先權(quán)日2005年11月22日發(fā)明者三浦裕司,加藤將紀,山田勝幸,林嘉隆,登笹,藤井俊茂,藤原將行,鳴海慎也申請人:株式會社理光