專利名稱：制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置、方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于定義襯底上的圖案的裝置、方法和系統(tǒng)，更特別地，涉及制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置、方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動器為計算機(jī)和服務(wù)器中的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)存儲，且在媒體播放器、數(shù)字記錄器和其他個人裝置中變得日益普遍。硬盤驅(qū)動器技術(shù)的進(jìn)展已經(jīng)使得用戶可以在目益變小的盤上存儲非常大量的數(shù)字信息，且可以幾乎瞬時地選擇性取回和改變部分這樣的信息。特別地，近來的發(fā)展已經(jīng)簡化了硬盤驅(qū)動器制造且同時產(chǎn)生增大的道密度，因此推動了以減小的成本存儲更多數(shù)據(jù)的能力。
在硬盤驅(qū)動器中，旋轉(zhuǎn)的高精度鋁或玻璃盤在兩面被涂覆以構(gòu)造來以磁圖案形式存儲信息的特殊薄膜介質(zhì)。懸于或浮于盤之上僅幾分之一微英寸的電磁讀/寫頭用來記錄信息到該薄膜介質(zhì)上，或者從其讀取信息。
讀/寫頭可以通過產(chǎn)生電磁場以沿一個方向或另一方向定向稱為位的磁晶粒團(tuán)簇來寫信息到盤上。為了讀取信息，通過讀/寫頭檢測的磁圖案被轉(zhuǎn)化為一系列脈沖，其被送往邏輯電路從而轉(zhuǎn)化為二進(jìn)制數(shù)據(jù)且通過系統(tǒng)的其余部分被處理。為了增大盤驅(qū)動器的容量，制造者不斷努力減小位和構(gòu)成位的晶粒的尺寸。
然而，晶粒非常小時，各晶粒沿一個方向或另一方向被磁化的能力出現(xiàn)了問題。當(dāng)晶粒的體積(V)與其各向異性能(Ku)的乘積落在某一值之下時，產(chǎn)生超順磁效應(yīng)，使得晶粒的磁化會由于熱激勵而自發(fā)翻轉(zhuǎn)。發(fā)生該現(xiàn)象時，存儲在盤上的數(shù)據(jù)被破壞。因此，雖然期望制造更小的晶粒從而以更小噪聲支持更高密度記錄，但是晶粒小型化固有地受到超順磁效應(yīng)的限制。
響應(yīng)于該問題，工程師已經(jīng)開發(fā)了圖案化介質(zhì)，其中磁薄膜層作為高度均勻的島的有序陣列產(chǎn)生，每個島能夠存儲單獨的位。每個位可以是一個晶粒，或者數(shù)個交換耦合的晶粒，而不是隨機(jī)去耦的晶粒的集合。以此方式，通過在稱為位圖案的良好定義的預(yù)圖案化位置處賦予銳利的磁轉(zhuǎn)變，圖案化介質(zhì)有效地減小了噪聲。位圖案被組織為盤上的同心數(shù)據(jù)道。
頭定位伺服機(jī)構(gòu)促進(jìn)了讀/寫頭定位特定數(shù)據(jù)道位置和將頭從一個位置再定位到另一位置的能力。索引標(biāo)記(indexing mark)和排列索引(alignmentindice)可以記錄在盤表面的稱為伺服區(qū)(servo sector)的弧形區(qū)域，且伺服機(jī)構(gòu)參考它來維持讀/寫頭隨時間的適當(dāng)?shù)膭討B(tài)定位能力。道地址、同步信號和位置誤差信號(“PES”)脈沖群(burst)也可以記錄在伺服區(qū)中。
雖然近來硬盤驅(qū)動器制造領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)推動了具有增大的道密度的圖案化介質(zhì)的發(fā)展，但是伺服圖案制造因素被大大忽略了。伺服圖案因此必須以一般來說耗時、勞動密集且成本高的單獨工藝制造。
近來發(fā)展的硬盤驅(qū)動器制造的圓點掩模(shadow mask)方法被用來將數(shù)據(jù)島密度提高到超過電子束光刻的容量。該方法為圓點掩模上的每個特征產(chǎn)生多個特征，其中襯底上的每個特征相對于對應(yīng)的圓點掩模特征具有預(yù)定位置偏移。然而，不考慮用圓點掩模法實現(xiàn)的數(shù)據(jù)島制造效率，圓點掩模固有地限制可以在襯底上產(chǎn)生的圖案的本質(zhì)屬性。因此伺服圖案利用耗時、勞動密集且成本高的單獨工藝制成。
因此，需要一種實用的、可實現(xiàn)的裝置、系統(tǒng)和方法，以利用圓點掩模在高密度圖案化介質(zhì)上形成伺服圖案。有利地，這樣的裝置、系統(tǒng)和方法將與用于道或位圖案制造的圓點掩模方法協(xié)作以基本同時地產(chǎn)生伺服圖案和高密度道或位圖案，從而減小與圖案化介質(zhì)制造傳統(tǒng)相關(guān)的成本、人工和資源。這里公開且主張這樣的裝置、系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對本領(lǐng)域的當(dāng)前狀況而開發(fā)，特別地，針對目前可得的利用圓點掩模方法在高密度圖案化介質(zhì)中制造伺服圖案的裝置、方法和系統(tǒng)沒有完全解決的問題和需要而開發(fā)。因此，開發(fā)本發(fā)明以提供一種裝置、系統(tǒng)和方法，用于利用圓點掩模法來在高密度圖案化介質(zhì)中制造伺服圖案，其克服了本領(lǐng)域中上述缺點中的許多或全部。
根據(jù)本發(fā)明實施例的利用圓點掩模法在高密度圖案化介質(zhì)中制造伺服圖案的裝置設(shè)置有沉積掩模和用來穿過沉積掩模以各種角度沉積材料的多個沉積源。沉積掩模包括適于用來引導(dǎo)材料到襯底上的多個沉積位置的多個開口(aperture)，其中所述沉積位置形成沿致動器路徑的伺服圖案。由于材料穿過所述開口以各種角度沉積，所以每個開口對應(yīng)于一個以上的沉積位置。
在某些實施例中，該裝置包括多個開口，布置來形成自動增益控制(automatic gain control，AGC)圖案。第一開口可形成數(shù)據(jù)道之上基本居于中心的伺服特征，第二開口可形成與第一伺服特征基本相鄰且從其偏移道間間距的約四分之一的第二伺服特征。類似地，第三開口可形成與第二伺服特征基本相鄰且從第一伺服特征偏移道間間距的約二分之一的第三伺服特征。最后，第四開口可形成與第三伺服特征基本相鄰且從第一伺服特征偏移道間間距的約四分之三的第四伺服特征。
在另一些實施例中，該裝置包括在四個區(qū)域中以矩形陣列布置從而形成正交脈沖群(quadrature burst)圖案。在一個實施例中，第一開口可形成在數(shù)據(jù)道之上基本居于中心的第一伺服特征，第二開口可形成與第一伺服特征基本相鄰且從其偏移約全道間間距的第二伺服特征。類似地，第三開口可形成與第二伺服特征基本相鄰且從第二伺服特征偏移道間間距的約一半的第三伺服特征，第四開口可形成與第三伺服特征基本相鄰且從第三伺服特征偏移約一個全道間間距的第四伺服特征。
在一個實施例中，該裝置設(shè)置為所述多個開口中的每個具有基本大于所述多個沉積位置的每個的尺寸。以此方式，與特定開口對應(yīng)的所述多個沉積位置可結(jié)合來形成單個伺服圖案特征。此外，所述多個開口中的每個可根據(jù)其徑向位置而在尺寸上有偏量，使得沉積源的固定取向不扭曲伺服圖案特征的預(yù)期特性。
在一個實施例中，該裝置還包括屏蔽件，其接近于沉積掩模從而在材料從沉積源射出時限制材料的沉積角度的變化。該屏蔽件可包括與襯底和沉積掩模的顯著狹窄的表面區(qū)域?qū)?yīng)的基本徑向的開口。在一些實施例中，材料穿過該屏蔽件沉積到襯底上時，旋轉(zhuǎn)元件可旋轉(zhuǎn)該襯底。以此方式，沉積位置，包括伺服圖案特征，可設(shè)置在襯底的比通過屏蔽件開口暴露的區(qū)域大的區(qū)域上。
本發(fā)明還公開了一種系統(tǒng)，其利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案。該系統(tǒng)可通過多個沉積源、耦合到襯底的沉積掩模、以及設(shè)置于該沉積源與該沉積掩模之間的屏蔽元件實現(xiàn)。所述多個沉積源可適用于穿過該沉積掩模中的開口從各種沉積角度沉積材料。該沉積掩模中的開口可適用于引導(dǎo)所述材料到該襯底上的各個沉積位置從而形成伺服圖案。該屏蔽元件可以約束所述材料的沉積角的變化。在一些實施例中，所述多個開口的每個根據(jù)其徑向位置在尺寸上有偏量從而確保所得沉積位置和伺服圖案特征的尺寸統(tǒng)一性。
本發(fā)明還提供一種方法，其利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案。在公開的實施例中該方法基本包括實施上面相關(guān)于所描述的裝置和系統(tǒng)的操作給出的功能的步驟。在一個實施例中，該方法包括提供沉積掩模；將多個開口集成到該沉積掩模中；以及穿過所述多個開口的每個以各種沉積角定向沉積沉積材料從而在該襯底上形成伺服圖案。該方法還可包括用基本大于所述多個沉積位置的每個的尺寸形成所述多個開口的每個；以及根據(jù)其徑向位置在尺寸上使所述開口的每個有偏量。在一些實施例中，定向沉積該沉積材料包括從各種沉積角協(xié)作地沉積該材料從而形成單個伺服圖案特征。在另一實施例中，該方法包括在沉積期間旋轉(zhuǎn)該襯底；以及約束所述沉積材料的沉積角的變化。為此，該方法可包括設(shè)置與該沉積掩模基本相鄰的屏蔽件且在該屏蔽件內(nèi)徑向設(shè)置與該襯底的一部分對應(yīng)的顯著狹窄的開口從而在沉積期間約束沉積角的變化。
整個說明書中對特征、優(yōu)點或類似語言的提及不意味著本發(fā)明實現(xiàn)的特征和優(yōu)點的全部應(yīng)該或者是在本發(fā)明的任何單個實施例中。而是，提及特征和優(yōu)點的語言應(yīng)被理解為意味著結(jié)合實施例描述的特定特征、優(yōu)點、或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。因此，整個說明書中，特征和優(yōu)點的論述以及類似語言可以但是不是必須地涉及相同實施例。
此外，所描述的本發(fā)明的特征、優(yōu)點和特性可以在一個或更多實施例中以任何合適的方式結(jié)合。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實踐本發(fā)明而沒有特定實施例的特定優(yōu)點或特征。在另一些情況下，可以在某些實施例中意識到不是在本發(fā)明的全部實施例中存在的額外特征和優(yōu)點。
本發(fā)明的這些特征和優(yōu)點將從下面的描述和所附權(quán)利要求變得明顯，或者可以通過如下所述地實踐本發(fā)明而被理解。


為了容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點，將參照附圖中示出的特定實施例給出對上面簡要描述的本發(fā)明的更具體的描述。應(yīng)理解，這些附圖僅描繪了本發(fā)明的一般實施例，因此不能理解為對本發(fā)明的范圍的限制，將通過使用附圖以額外的特征和細(xì)節(jié)描述和說明本發(fā)明，附圖中圖1是硬盤驅(qū)動器的頂視圖，描繪了一般的伺服區(qū)和致動器路徑；圖2是盤的頂視圖，示出寫在伺服區(qū)上的示例性伺服圖案；圖3是根據(jù)本發(fā)明用于在圖案化介質(zhì)上制造伺服圖案的裝置的一實施例的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明用于制造伺服圖案的裝置的替代實施例的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明用于在圖案化介質(zhì)上制造伺服圖案的系統(tǒng)的一實施例的底視圖；圖6是圖4的系統(tǒng)的側(cè)視圖；圖7是圖4的系統(tǒng)的剖視圖；圖8A是根據(jù)本發(fā)明某些實施例形成的沉積位置產(chǎn)生的伺服圖案特征的頂視圖；圖8B是用來制造圖8A的伺服圖案特征的系統(tǒng)的一個實施例的剖視圖；圖9是頭歪斜相關(guān)于襯底半徑的比較曲線圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明某些實施例的形成襯底上的位圖案的沉積位置相對于沉積掩模中用來產(chǎn)生沉積位置的開口的平面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明一實施例的形成襯底上的伺服圖案的沉積位置相對于沉積掩模中用來產(chǎn)生沉積位置的開口的平面圖；圖12是產(chǎn)生用于伺服控制的常規(guī)正交位置誤差信號圖案相對于襯底上的數(shù)據(jù)道的示圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明某些實施例產(chǎn)生的正交位置誤差信號圖案的平面圖；圖14是讀/寫頭相對于相鄰數(shù)據(jù)道的替代示例性位置的示圖；圖15是比較曲線圖，示出相關(guān)于圖14描繪的替代示例性讀/寫頭位置，讀/寫頭對正交位置誤差信號圖案的每個脈沖群的響應(yīng)幅度；圖16是比較圖，示出通過計算圖15的成對的脈沖群之間的幅度差獲得的信號；圖17是描繪根據(jù)本發(fā)明某些實施例的圖14的某些沉積位置的磁化的示圖；以及圖18是根據(jù)本發(fā)明某些實施例利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的方法的示意性流程圖。
具體實施例方式
整個說明書中的用語“一個實施例”、“實施例”或類似語言意味著關(guān)于該實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。因此，整個說明書中短語“在一個實施例中”、“在實施例中”和類似語言的出現(xiàn)可以但并非必須地涉及相同的實施例。
此外，所描述的本發(fā)明的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在一個或更多實施例中以任何合適的方式組合。在下面的描述中，公開了許多特定細(xì)節(jié)來提供對本發(fā)明的實施例的徹底理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實踐本發(fā)明而不需要一個或更多這些特定細(xì)節(jié)，或者利用其他方法、部件、材料等。在另一些情況下，公知的結(jié)構(gòu)、材料或操作未詳細(xì)示出或描述以避免使本發(fā)明的概念變得模糊。
在本說明書中使用時，術(shù)語“圖案化介質(zhì)壓印母體”指的是具有可復(fù)制形貌特征的襯底。在一些實施例中，這樣的形貌特征的正復(fù)制(positivereplication)可根據(jù)二代納米壓印復(fù)制工藝實現(xiàn)，其中從壓印母體復(fù)制多個子壓模，且從每個子壓模復(fù)制多個圖案化介質(zhì)盤。在本說明書中使用時，術(shù)語“伺服圖案”指的是能通過數(shù)字或模擬信號傳達(dá)可讀圖案化介質(zhì)的區(qū)的位置和地址信息的形貌特征的任何圖案。
現(xiàn)在參照圖1，示出常規(guī)硬盤驅(qū)動器組件100的示圖。硬盤驅(qū)動器組件100一般包括多個硬盤102，在運行期間其通過主軸馬達(dá)(未示出)被高速旋轉(zhuǎn)。形成在一個盤表面或兩盤表面上的同心數(shù)據(jù)道接收且存儲磁信息。
讀/寫頭110通過致動器組件106可以在盤表面上移動，允許頭110讀或?qū)懘艛?shù)據(jù)到特定道104。致動器組件106可以在樞軸114上樞轉(zhuǎn)。致動器組件106可以形成稱為伺服控制的閉環(huán)反饋系統(tǒng)的一部分，其動態(tài)地定位讀/寫頭110從而補(bǔ)償盤102的熱膨脹以及振動和其他擾動。還包括在伺服控制系統(tǒng)中的是通過微處理器、數(shù)字信號處理器或模擬信號處理器116運行的復(fù)雜計算算法，處理器116接收來自相關(guān)計算機(jī)的數(shù)據(jù)地址信息，將其轉(zhuǎn)化為盤102上的位置，且相應(yīng)地移動讀/寫頭110。
具體地，讀/寫頭110周期性地參考記錄在盤上的伺服圖案從而確保精確的頭110定位。伺服圖案可以用來確保讀/寫頭110精確地遵循特定道，且用來控制和監(jiān)視頭110從一個道104到另一個道的轉(zhuǎn)移。通過參照伺服圖案，讀/寫頭110獲得頭位置信息，使得控制電路116隨后可以再校正頭110從而校正任何檢測到的誤差。
伺服圖案可以包括在嵌入于多個數(shù)據(jù)道104內(nèi)的設(shè)計的伺服區(qū)112中，從而允許伺服圖案的頻繁采樣以用于最佳盤驅(qū)動性能。在普通硬盤102中，嵌入的伺服區(qū)112從盤102中心基本徑向地延伸，類似于從輪的中心延伸的輻條。然而，與輻條不同，伺服區(qū)112形成精巧的弧形路徑，其被校準(zhǔn)從而基本匹配讀/寫頭110的移動范圍。
現(xiàn)在參照圖2，伺服區(qū)112可含有任何本領(lǐng)域公知的各種伺服圖案200。如下面參照圖10-13更詳細(xì)地論述的那樣，伺服圖案可根據(jù)其功能大體歸類。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以使用各種伺服圖案。在圖2中，伺服圖案包括可以用來形成一個或更多伺服圖案的一系列不同圖案。例如，自動增益控制圖案(AGC)202提供調(diào)節(jié)控制電路116中的增益所需的用于計算伺服信號的幅度的信息。類似地，同步信息圖案(SYNC)204提供數(shù)據(jù)同步信息，柱面信息圖案(CYL)206提供數(shù)據(jù)道號信息，位置誤差信號圖案(PES)208提供精確的道位置信息。圖2描繪的伺服區(qū)112是示例性實施例，示出本領(lǐng)域公知的一般伺服圖案。
雖然包括在伺服區(qū)112中的伺服圖案200一般是基本直線的，但是伺服區(qū)112可以彎曲從而遵循致動器組件106和相關(guān)讀/寫頭110的路徑。因為常規(guī)盤驅(qū)動器100中的圖案通過驅(qū)動器中的生產(chǎn)頭110被寫入，所以它們顯示出旋轉(zhuǎn)致動器系統(tǒng)賦予的頭110的實際機(jī)械歪斜角(skew angle)的效應(yīng)，其又表現(xiàn)為伺服區(qū)112的彎曲。頭110相對于盤102的相對移動的方法與半徑方向之間的角被稱為頭歪斜(head skew)。頭歪斜(“φ”)通過公式φ＝90°-acos((Dpa2+r2-Dpc2)/(2·Dpa·r)與徑向位置相關(guān)，其中Dpa＝樞軸到致動器組件長度，Dpc＝樞軸到盤中心，r＝半徑。因此，當(dāng)徑向位置等于半徑長度的約一半時頭歪斜為0。如下面參照圖8更詳細(xì)地論述的那樣，本發(fā)明的某些實施例利用頭歪斜計算從而確保伺服圖案特征的幾何定位的精確度。
現(xiàn)在參照圖3和4，根據(jù)本發(fā)明的用于制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置可包括具有基本剛性體的襯底300，該剛性體具有足夠大以容納用于全盤表面的母體圖案的平坦表面。襯底300可包括例如硅晶片，或者由鋁鎂合金、玻璃、陶瓷或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料制成的盤襯底。因為可對襯底300的表面進(jìn)行電子束光刻，所以襯底300可包括導(dǎo)電材料例如摻雜的硅或金屬，或者被涂覆以合適的導(dǎo)電層。
在一些實施例中，如圖3所示，襯底300可是分層盤的整體組成部分，沉積掩模302和間隔元件304從其形成。襯底300可包括基本光滑的可蝕刻基層(ground layer)314，其具有能使用所沉積的材料作為蝕刻掩模的化學(xué)性質(zhì)?；鶎?14還可包括能經(jīng)受上面的中間層303經(jīng)歷的蝕刻工藝的材料?；鶎?14可包括例如氮化硅或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。供選地，襯底300本身可包括基本光滑的、可蝕刻的、且能經(jīng)歷中間層303經(jīng)歷的蝕刻工藝的材料例如硅。
中間層303通常可包括既光滑又可蝕刻的基本剛性的材料，例如硅或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的類似材料。中間層303可對利用諸如XeF2的蝕刻劑的氣相蝕刻工藝和/或濕蝕刻工藝敏感。
在某些實施例中，如圖4所示，中間層303可以經(jīng)歷氣相蝕刻工藝從而產(chǎn)生能夠?qū)⒁r底300固定地附著到沉積掩模302同時維持其間基本均勻的距離的間隔元件304。間隔元件304可以例如將沉積掩模302保持在襯底300的表面之上約1μm的高度。供選地，間隔元件304可耦合到襯底300和沉積掩模302的任一個或者兩者。
在某些實施例中，間隔元件304可策略地定位來最大化襯底300的表面上的可用空間。實際上，制造之后，沉積掩模302和間隔元件304兩者必須被去除，由此一般導(dǎo)致襯底300的表面上小的不可用區(qū)域。然而，對這里參照圖12和13公開的伺服圖案的示例性實施例的仔細(xì)檢查顯示圖案本身的性質(zhì)所需的許多“空曠區(qū)域(open area)”。間隔元件304可以在襯底300和沉積掩模302之間實施從而對應(yīng)于這樣的所需的空曠區(qū)域以實現(xiàn)最大圖案效率。
沉積掩模302可包括能維持相對于襯底300基本平行的關(guān)系同時被間隔元件304所支承的基本剛性材料。在某些實施例中，沉積掩模302可包括能用作中間層303的蝕刻掩模的材料，使得中間層303可經(jīng)歷蝕刻工藝從而形成間隔元件304。沉積掩模302可包括例如氮化硅、二氧化硅、碳、或者本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何其他這樣的材料。
現(xiàn)在參照圖4，開口306可以形成在沉積掩模302中從而允許材料、離子、電子、光和/或氣體穿過沉積掩模302到達(dá)中間層303和/或襯底300。開口306可以通過光學(xué)或電子束光刻、蝕刻工藝、其組合、或通過本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何其他方法形成在沉積掩模302中。
如下面參照圖6和7更詳細(xì)論述的那樣，沉積材料308可以以一角度穿過開口306流射從而形成沉積位置310。在某些實施例中，開口306可以形成為包括至少一個成角的側(cè)壁。成角的側(cè)壁使沉積掩模302能具有更大的厚度，因此增大結(jié)構(gòu)完整性，同時避免妨礙穿過它的沉積材料308。
現(xiàn)在參照圖5，根據(jù)本發(fā)明的用于制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置可包括沉積源500，其適于用來通過定向物理氣相沉積技術(shù)例如蒸鍍、離子束沉積或濺鍍穿過沉積掩模302中的開口306沉積沉積材料308。沉積材料308可包括例如鉻、鉻鉬合金、鋁、鋁合金或其他金屬。替代地，沉積材料308可包括磁材料或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。物理氣相沉積工藝以氣化狀態(tài)從沉積源500轉(zhuǎn)移沉積材料308到目標(biāo)襯底300。氣化材料粒子可根據(jù)基本無碰撞視線遷移凝結(jié)到襯底上，或者可以由于高能動量轉(zhuǎn)移而附著到襯底300上。
根據(jù)本發(fā)明的沉積源500可包括陰極、加熱坩鍋、或者本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的能夠保持和發(fā)射朝向襯底300的材料308的定向束流的其他裝置。在某些實施例中，多個沉積源500位于距襯底300一定距離且在傾斜入射角的位置。在一些實施例中，沉積源500與襯底300分隔開至少40cm的距離。與每個沉積源500對應(yīng)的特定入射角可被校準(zhǔn)從而引導(dǎo)材料308的束流到襯底300上的特定位置，每個位置一定程度上由沉積掩模302中的開口306定義。以此方式，沉積源500和沉積掩模302中的開口306協(xié)作來引導(dǎo)材料308至襯底300上的特定沉積位置310，使得所得位置310的數(shù)目是開口306數(shù)目的倍數(shù)。
在某些實施例中，根據(jù)本發(fā)明的用于制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的系統(tǒng)包括屏蔽件502以利于在特定沉積位置310處材料的有效和準(zhǔn)確沉積。對于給定沉積角，屏蔽件502可以相對于沉積源500和襯底300的表面平面保持在固定位置。屏蔽件502的目的是當(dāng)沉積材料308穿過沉積掩模302中的開口306時約束其沉積角的范圍。
在一些實施例中，襯底300可相對于固定的屏蔽件502旋轉(zhuǎn)和/或平移，從而提供在比設(shè)置于屏蔽件502中的徑向開口504的尺寸更大的襯底區(qū)域上沉積材料的方法，如下面將詳細(xì)論述的那樣。屏蔽件502可包括基本剛性盤，其具有至少稍微大于與襯底300對應(yīng)的尺寸的尺寸，使得屏蔽件502與襯底300對準(zhǔn)時可基本覆蓋襯底300的整個表面區(qū)域。
屏蔽件502可包括設(shè)置于其中的至少一個徑向開口504。開口504可用來隔離保持在屏蔽件502附近的、以及在一些實施例中與屏蔽件502基本對準(zhǔn)的部分襯底300。徑向開口504可以從屏蔽件502的中心506徑向延伸到其周邊508，或者可以占據(jù)其任何部分。徑向開口504的尺寸可足以將多個沉積掩模開口306暴露于從沉積源500沉積的沉積材料308。在一些實施例中，徑向開口504的長度可以容納沿襯底300的半徑的每個沉積掩模開口306，使得襯底300相對于徑向開口504的單次旋轉(zhuǎn)有效地暴露襯底300的整個表面區(qū)域。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，襯底300的超過一次的旋轉(zhuǎn)可用來在襯底300的表面上同時或順序沉積沉積材料308從而形成伺服圖案。
在一些實施例中，徑向開口504的尺寸可以沿從中心506延伸到周邊508的方向增大，從而使在旋轉(zhuǎn)襯底300上不同半徑處沉積的材料的量相等。在一些實施例中，徑向開口504可包括與梯形基本對應(yīng)的形狀。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，根據(jù)本發(fā)明的開口504可包括能夠?qū)⑴c其連通的部分襯底300隔離的任何形狀，例如等腰三角形、直角三角形、矩形、平行四邊形、或者本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何其他形狀。
現(xiàn)在參照圖6，用于制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的系統(tǒng)可包括旋轉(zhuǎn)元件600，其包括能夠相對于屏蔽件502旋轉(zhuǎn)的剛性支承盤。根據(jù)本發(fā)明，旋轉(zhuǎn)元件600可包括基本居于襯底300和沉積掩模302的中心且保持襯底300和沉積掩模302的主軸(未示出)。在某些實施例中，旋轉(zhuǎn)元件600可位于基本在屏蔽件502上方，使得設(shè)置在屏蔽件502上的部分襯底300可以通過沉積掩模302和屏蔽件502暴露于源自下面的沉積源500的沉積材料308的束流。
現(xiàn)在參照圖7，在某些實施例中，本發(fā)明可以在真空腔中被隔離從而促進(jìn)在特定襯底沉積位置310處的有效和精確沉積。真空腔可實現(xiàn)改變的沉積條件、以及加熱和冷卻功能。
具體地，如上面參照圖3所提到的，沉積源500可被實施來根據(jù)特定入射角沉積沉積材料308。沉積沉積材料308的特定入射角與沉積掩模302中的開口306協(xié)作來定義特定沉積位置310。以此方式，數(shù)個沉積源500可被用來以獨特入射角沉積沉積材料308從而沉積掩模302中的每個開口306定義不止一個沉積位置310。在選定的實施例中，定向來以獨特入射角沉積沉積材料308的三個沉積源500被用來對于沉積掩模302中的每個開口306定義三個特定沉積位置310。因此沉積位置310的密度是開口306的密度的三倍。
有利地，上面公開的裝置可以用于在單個工藝中的伺服圖案制造以及數(shù)據(jù)道形成。然而，在某些實施例中，需要某些修改來產(chǎn)生對伺服控制有用的形貌特征的可預(yù)知分布。特別地，沉積掩模302中的開口306會需要修改來產(chǎn)生具有不直接依賴于沉積源500的數(shù)量及其角取向的特征的襯底表面圖案。
例如，擴(kuò)大的開口800可用來從多個沉積源500產(chǎn)生一個伺服圖案特征而不是預(yù)期那樣的多個特征?，F(xiàn)在參照圖8A，在某些實施例中，相對于用來形成數(shù)據(jù)道104(和/或位圖案)的標(biāo)準(zhǔn)開口306具有增大的尺寸的基本矩形的開口800可用來產(chǎn)生單個伺服圖案特征。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，根據(jù)本發(fā)明擴(kuò)大的開口800不限于矩形形狀，而是可包括例如橢圓形、平行四邊形、梯形、圓形、正方形、三角形、或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何其他形狀。
在一個實施例中，第一沉積源802取向在0°，第二沉積源804取向在120°，第三沉積源806取向在240°。以此方式，第一沉積源802可產(chǎn)生第一沉積位置808，第二沉積源804可產(chǎn)生第二沉積位置810，第三沉積源806可產(chǎn)生第三沉積位置812，其中三個沉積位置808、810和812的每個組合來形成相對于開口800具有加寬的尺寸的單個伺服圖案特征。
加寬特征的定量值如下地取決于頭歪斜。與第一沉積位置808對應(yīng)的沿第一方向的畸變“dx1”由dx1＝a/31/2cos(φ)給出；與第三沉積位置812對應(yīng)的沿第二方向的畸變“dx2”由dx2＝a/31/2sin(30+|φ|)給出；與第二沉積位置810對應(yīng)的沿第三方向的畸變“dy1”由dy1＝a/31/2sin(60+φ)給出；與第三沉積位置812對應(yīng)的沿第四方向的畸變“dy2”由dyx＝a/31/2sin(60-φ)給出，其中“a”是沉積位置808、810和812的中心之間的橫向距離，φ是頭歪斜。如上面參照圖2提到的，以及參照圖9描述的，頭歪斜900通過公式φ＝90°-acos((Dpa2+r2-Dpc2)/(2·Dpa·r)與開口306的徑向位置902相關(guān)，其中Dpa＝樞軸到致動器組件長度，Dpc＝樞軸到盤中心，r＝半徑。因此，在襯底300的內(nèi)直徑904附近比在中直徑906處頭歪斜更大。
在沉積掩模302的制造期間可考慮上述用于加寬的定量值從而確保開口800的尺寸與所得伺服圖案特征之間的對應(yīng)。具體地，擴(kuò)大的開口800的尺寸可以根據(jù)開口800的徑向位置而有偏量，使所得沉積位置808、810和812組合從而形成具有規(guī)則的、預(yù)期尺寸的單個伺服圖案特征。另外，擴(kuò)大的開口800的適當(dāng)?shù)某叽缙钅軐崿F(xiàn)相鄰伺服圖案特征之間的等間距。例如，每個所得伺服圖案特征的寬度814可等于相鄰伺服圖案特征之間的間隔816，如圖8B所示。以此方式，擴(kuò)大的開口800可用來產(chǎn)生可預(yù)期的、幾何形狀精確的對伺服控制有用的形貌圖案。
在另一些實施例中，如圖10-14所示，用于伺服圖案特征生成的開口306可以在尺寸和形狀上與用于數(shù)據(jù)道104的形成的開口306基本相同，盡管可以通過累積圖案效應(yīng)來區(qū)別開。具體地，用于伺服圖案特征生成的開口306充分利用以獨特入射角取向的多個沉積源500的增大的密度容量，這樣的開口306可以被累積地組織來形成伺服圖案，其集成多個沉積位置310從而形成單個伺服圖案特征。
現(xiàn)在參照圖10和11，例如，本發(fā)明一實施例利用布置來形成數(shù)據(jù)或伺服圖案的多個開口306。在圖10中，開口306間隔開從而形成數(shù)據(jù)道104，數(shù)據(jù)道104水平地定位且其間具有基本恒定的間距1000。在圖11中，多個開口306布置來形成AGC型伺服圖案。從圖11可以看出，本發(fā)明的某些實施例可提供四組開口306，其相互偏移道間隔1000的四分之一從而產(chǎn)生AGC型伺服圖案。具體地，第一組開口1002產(chǎn)生與道間距1000基本對應(yīng)的沉積位置310。第二組開口1004相對于第一組開口1002偏移道間距1000的四分之一。第三組開口1006相對于第一組開口1002偏移道間距1000的一半。最后，第四組開口1008相對于第一組開口1002偏移道間距1000的四分之三。以此方式，確保了讀/寫頭110在所得AGC圖案上方的任何經(jīng)過中，可以獲得相等幅度的信號。
現(xiàn)在參照圖12和13，常規(guī)正交脈沖群伺服圖案可通過這里公開的裝置、系統(tǒng)和方法形成于襯底300上。如圖12所示，常規(guī)正交脈沖群伺服圖案一般包括四個連續(xù)的具有周期特征的脈沖群，其中每個周期特征的寬度1200基本等于數(shù)據(jù)道間隔1000。第一脈沖群“A”1204包括從數(shù)據(jù)道104沿一方向1201偏移道間距1000的一半的周期特征；第二脈沖群“B”1206包括從數(shù)據(jù)道104沿另一方向1203偏移道間距1000的一半的周期特征；第三脈沖群“C”1208包括沿與第一脈沖群“A”1204相同的方向1201偏移全道間距1000的周期特征；第一脈沖群“D”1210包括與數(shù)據(jù)道104對應(yīng)地定位的周期特征。通過測量每個脈沖群1204、1206、1208和1210的相對幅度，盤驅(qū)動器100的伺服控制系統(tǒng)能確定讀/寫頭110相對于數(shù)據(jù)道104的位置。
現(xiàn)在參照圖13，根據(jù)本發(fā)明形成于沉積掩模302中的開口306可產(chǎn)生與圖12的常規(guī)正交脈沖群伺服圖案基本類似的正交脈沖群伺服圖案。具體地，沉積掩模302中的開口306可以根據(jù)與其對應(yīng)的沉積位置310的預(yù)期布置來策略地定位。例如，三個沉積源500分別以0°、120°和240°取向時，所得沉積位置310預(yù)期在距開口306位置a/31/2的橫向距離處，其中“a”等于相鄰沉積位置310之間的橫向距離。開口306的位置可以設(shè)置來在所得沉積位置310中產(chǎn)生與常規(guī)正交脈沖群偏移對應(yīng)的偏移。
具體地，開口306可以在四個區(qū)域中以矩形陣列布置從而產(chǎn)生與脈沖群“A”1304、“B”1306、“C”1308和“D”1310對應(yīng)的累積沉積位置310。如在圖12所示的常規(guī)正交脈沖群圖案的情況下那樣，脈沖群“A”1304和“B”1306中特征的位置間隔開全道間距1000；類似地脈沖群“C”1308和“D”1310中的特征間隔開全道間距1000。脈沖群“C”1308和“D”1310的對相對于脈沖群“A”1304和“B”1306的對偏移道間距1000的一半。圖12和13描繪的脈沖群“A”1304、“B”1306、“C”1308和“D”1310的順序以示例而不是限制的方式提供。在供選實施例中，脈沖群“A”1304、“B”1306、“C”1308和“D”1310可以以本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何順序布置。
讀/寫頭110對本發(fā)明的實施例產(chǎn)生的伺服圖案的響應(yīng)以及從其確定橫向頭位置的方法可通過參考圖14、15和16來理解?，F(xiàn)在參照圖14，讀/寫頭110可占據(jù)與特定數(shù)據(jù)道104對應(yīng)的位置，或者可占據(jù)相鄰數(shù)據(jù)道104之間的位置。讀/寫頭110的響應(yīng)幅度根據(jù)其在道104上相對于任何單獨脈沖群1304、1306、1308和1310的橫向位置而改變。在圖14描繪的示例性實施例中，例如，當(dāng)頭110遵循橫貫與特定脈沖群1304、1306、1308和1310對應(yīng)的八個沉積位置310的路徑時，與遵循橫貫與相同的脈沖群1304、1306、1308和1310對應(yīng)的四個沉積位置310的路徑時相比，頭110以更大幅度的信號響應(yīng)。在相同實施例中，頭110遵循離散數(shù)據(jù)道104之間的路徑時，頭110可反映具有一值的幅度，所述值在響應(yīng)于八個沉積位置的路徑和四個沉積位置的路徑產(chǎn)生的值之間。例如，當(dāng)頭110占據(jù)道之間中途的位置1402、1406時，相關(guān)的信號幅度在頭的位置1400、1404遵循相鄰道的任一個時獲得的信號幅度之間。
圖15示出與頭110響應(yīng)于橫貫特定脈沖群路徑獲得的信號幅度值1500對應(yīng)的示例值。這些脈沖群幅度值1500可以與對應(yīng)的示例性頭道位置1502比較，例如圖14所示的那些頭道位置1400、1402、1404和1406。
響應(yīng)于本發(fā)明的實施例產(chǎn)生的相鄰脈沖群對獲得的信號幅度之間的差異可以與響應(yīng)常規(guī)正交脈沖群圖案例如圖12描繪的那些獲得的信號幅度基本相同。圖16示出與包括脈沖群“A”1304和脈沖群“B”1306的脈沖群對之間的信號幅度值差別1600對應(yīng)的示例值，其中初始信號幅度值從圖15提供的那些得出。圖16還示出與包括脈沖群“C”1308和脈沖群“D”1310的脈沖群對之間的幅度差異1602對應(yīng)的值。
現(xiàn)在參照圖17，根據(jù)本發(fā)明的實施例產(chǎn)生的伺服圖案可根據(jù)分配給Hitachi的美國專利申請?zhí)朜o.11/148918公開的方法被磁化，在此引入其全部內(nèi)容作為參考，或者可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何其他方法來磁化。在某些實施例中，根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生的伺服圖案可表現(xiàn)出圖17所示的交替磁化。
如上面參照圖3所提到的，本發(fā)明的利用擴(kuò)大的開口306形成伺服圖案特征的實施例、以及本發(fā)明的充分利用增大的密度容量的實施例可利用襯底300的分隔開相鄰的伺服圖案特征的空曠區(qū)域來容納襯底300與沉積掩模302之間的間隔元件304。以此方式，可以獲得最大圖案效率。
一般性地闡明下面的示意性流程圖作為邏輯流程圖。照此，所示順序和標(biāo)注的步驟表明本方法的一個實施例?？梢詷?gòu)思與所示方法的一個或更多步驟或者其部分在功能、邏輯或效果上等價的其他步驟和方法。另外，提供所采用的格式和符號來說明該方法的邏輯步驟，而不應(yīng)理解為限制了該方法的范圍。進(jìn)行特定方法的順序可以或者可以不嚴(yán)格按照所示對應(yīng)步驟的順序。
現(xiàn)在參照圖18，根據(jù)本發(fā)明的制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的方法可包括提供1800沉積掩模302和將開口306集成1802到掩模中。集成1802開口306可包括將開口306的尺寸形成1804得大于預(yù)期沉積位置，使得沉積位置結(jié)合以形成單個伺服圖案特征。每個開口306還可根據(jù)其徑向位置而有偏量1806從而避免所得伺服圖案特征的位置畸變和加寬。
接著，在高密度圖案化介質(zhì)上制造伺服圖案的方法可包括通過開口306定向沉積1808材料從而在襯底300上形成伺服圖案。在某些實施例中，該方法可包括在沉積期間旋轉(zhuǎn)1810襯底300以及約束1812沉積角的變化從而優(yōu)化所得伺服圖案的幾何精確度。屏蔽件502可設(shè)置得與沉積掩模302基本相鄰從而通過限制到襯底的與集成到屏蔽件502中的徑向開口對應(yīng)的區(qū)域的沉積來約束沉積角的變化。
在某些實施例中，在沉積之后襯底300可以從沉積掩模302去除從而經(jīng)歷蝕刻工藝，其可包括進(jìn)行等離子體蝕刻從而從沉積的材料轉(zhuǎn)移圖案到襯底中。具體地，所沉積的材料可以用作蝕刻掩模，CF4等離子體用來蝕刻襯底或襯底的基層，其由氮化硅構(gòu)成。一旦完成了本發(fā)明的方法，二代納米壓印復(fù)制工藝可以用來從該圖案化介質(zhì)正復(fù)制形貌伺服圖案、以及基本同時形成的高密度形貌數(shù)據(jù)道到多個圖案化介質(zhì)盤上。以此方式，本發(fā)明有效地減少了與圖案化介質(zhì)制造、尤其是與伺服圖案制造傳統(tǒng)相關(guān)的成本、人工和資源。
本發(fā)明可以以其他特定形式實現(xiàn)而不偏離其思想或本質(zhì)特性。所描述的實施例在所有方面應(yīng)被理解為示例性而不是限制性的。因此，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求定義，而不是由前面的描述定義。落入權(quán)利要求及其等價物的含義及范圍內(nèi)的全部修改將被包括在其范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置，該裝置包括沉積掩模，具有適于引導(dǎo)材料到襯底上的多個沉積位置的多個開口，所述沉積位置形成伺服圖案；以及至少一個沉積源，用來穿過所述多個開口的每個以各種沉積角沉積所述材料。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述伺服圖案包括多個伺服特征，每個伺服特征包括多個基本交迭的沉積位置。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述多個開口的每個在尺寸上有偏量使得每個所得伺服特征是等間距的，該伺服特征的寬度對應(yīng)于相鄰伺服特征之間的距離。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該多個開口的每個位于所述沉積掩模上使得所得伺服圖案對應(yīng)于常規(guī)伺服圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述沉積掩模還包括多個位圖案開口，用來引導(dǎo)材料到所述襯底上的多個沉積位置，所述沉積位置形成位圖案。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述開口在所述沉積掩模上相對于彼此定位，使得該沉積掩模上不具有開口的區(qū)域形成對伺服圖案的形成有貢獻(xiàn)的空曠區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一個沉積源包括至少一個加熱坩鍋和陰極。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括置于所述沉積掩模和所述襯底之間的多個間隔元件，其中所述多個間隔元件中的每個對應(yīng)于所述伺服圖案的空曠區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括屏蔽件，在所述沉積掩模附近從而約束來自所述至少一個沉積源的材料的沉積角變化。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述屏蔽件包括與所述襯底的顯著狹窄部分對應(yīng)的基本徑向開口。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，還包括適用于在沉積期間旋轉(zhuǎn)該襯底的旋轉(zhuǎn)元件。
12.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中該伺服圖案包括自動增益控制(AGC)圖案且其中所述多個開口包括形成在數(shù)據(jù)道上基本居于中心的第一伺服特征的第一開口、以及形成與該第一伺服特征基本相鄰且從該第一伺服特征偏移約道間間距的四分之一的第二伺服特征的第二開口。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，還包括第三和第四開口，該第三開口形成與該第二伺服特征基本相鄰且從該第一伺服特征偏移約所述道間間距的一半的第三伺服特征，且所述第四開口形成與該第三伺服特征基本相鄰且從該第一伺服偏移約所述道間間距的四分之三的第四伺服特征。
14.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中該伺服圖案包括正交脈沖群圖案，且其中所述多個開口包括形成在數(shù)據(jù)道之上基本居于中心的第一伺服特征的第一開口、以及形成從該第一伺服特征偏移約全道間間距的第二伺服特征的第二開口。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，還包括第三和第四開口，所述第三開口形成從該第二伺服特征偏移約所述道間間距的一半的第三伺服特征，該第四開口形成從該第三伺服特征偏移約一個全道間間隔的第四伺服特征。
16.一種利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的方法，包括提供沉積掩模；將多個開口集成到該沉積掩模中，該多個開口適用于引導(dǎo)沉積材料到襯底上的多個沉積位置；以及穿過所述多個開口的每個以各種沉積角定向沉積所述沉積材料從而在所述襯底上形成伺服圖案。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括使多個沉積位置基本交迭從而在所述襯底上形成伺服特征，其中所述伺服圖案包括多個伺服特征。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個開口的每個在尺寸上有偏量且被定位使得每個所得伺服特征是等間距的，所述伺服特征的寬度對應(yīng)于相鄰伺服特征之間的距離。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述多個開口的每個定位在所述沉積掩模上，使得所得伺服圖案對應(yīng)于常規(guī)伺服圖案。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在該沉積掩模中形成多個位圖案開口，所述位圖案開口適用于引導(dǎo)材料到所述襯底上的多個沉積位置，所述沉積位置形成位圖案。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括將多個間隔元件置于所述沉積掩模和所述襯底之間，所述多個間隔元件的每個對應(yīng)于所述伺服圖案的空曠區(qū)域。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中定向沉積所述沉積材料包括在沉積期間旋轉(zhuǎn)該襯底。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括提供與該沉積掩模基本相鄰的屏蔽件從而約束沉積角的變化。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中提供與該沉積掩?；鞠噜彽钠帘渭€包括在該屏蔽件中徑向設(shè)置與所述襯底的一部分對應(yīng)的顯著狹窄的開口。
25.一種伺服圖案，通過權(quán)利要求16所述的工藝形成。
26.一種用于利用圓點掩模法制造高密度圖案化介質(zhì)上的伺服圖案的系統(tǒng)，包括多個沉積源，適用于從各種沉積角沉積材料到襯底上；沉積掩模，耦合到該襯底，該沉積掩模具有適用于引導(dǎo)所述材料到所述襯底上的各沉積位置的多個開口，所述沉積位置的至少一部分協(xié)作來形成伺服圖案；以及屏蔽元件，設(shè)置于所述多個沉積源與所述沉積掩模之間來約束所述材料的沉積角的變化。
27.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述伺服圖案包括多個伺服特征，每個伺服特征包括多個基本交迭的沉積位置。
28.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述多個開口的每個在尺寸上有偏量，使得每個所得伺服特征是等間距的，所述伺服特征的寬度對應(yīng)于相鄰伺服特征之間的距離。
29.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述多個開口的每個定位在所述沉積掩模上使得所得伺服圖案對應(yīng)于傳統(tǒng)伺服圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開一種利用“圓點掩?！狈ㄖ圃旄呙芏葓D案化介質(zhì)上的伺服圖案的裝置、系統(tǒng)和方法。該裝置可包括具有通過常規(guī)光刻工藝生成的多個開口的沉積掩模。材料可以穿過該沉積掩模開口從以獨特沉積角取向的至少一個沉積源沉積到襯底上。以此方式，每個開口可以對應(yīng)于多個沉積位置。開口可以形成精確的尺寸且被定位從而從所得沉積位置產(chǎn)生伺服圖案特征。該沉積掩模還可以包括適用于引導(dǎo)材料到所述襯底上的多個沉積位置的多個位圖案開口，所述沉積位置與所述伺服圖案的形成同時地形成位圖案。
文檔編號C23C16/04GK1953065SQ20061013557
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月18日
發(fā)明者托馬斯·R·阿爾布雷克特, 茲瓦尼米爾·Z·班迪克 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司