專利名稱：電介質(zhì)的金屬化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電介質(zhì)的金屬化。更具體來說，本發(fā)明涉及使用一種組合物和方法對(duì)電介質(zhì)進(jìn)行金屬化，以促進(jìn)金屬在電介質(zhì)上的附著，并催化電介質(zhì)的金屬化。
背景技術(shù)：
已知有各種在電介質(zhì)上形成金屬圖案的方法。這些方法包括單獨(dú)或以各種結(jié)合的形式使用以下的方法正像印刷法和負(fù)像印刷法、正蝕刻技術(shù)和負(fù)蝕刻技術(shù)、電鍍法和無電鍍敷法。
背景技術(shù)：
在調(diào)整、催化和無電金屬沉積步驟之前，采用許多使用鉻酸之類的腐蝕性氧化劑的常規(guī)方法對(duì)介電基材進(jìn)行金屬化，作為表面處理的一部分。然而，這些過程不但對(duì)工人和環(huán)境有害，而且冗長而耗時(shí)。采用無電金屬化法的工業(yè)需要能夠快速(以提高生產(chǎn)效率)且環(huán)境友好、以避免處理昂貴的有害廢物方法。
在氧化之后，首先進(jìn)行活化或催化步驟，然后再進(jìn)行無電沉積。對(duì)電介質(zhì)施用能夠?qū)⒔饘匐x子還原成金屬的金屬鹽。然后將電介質(zhì)置于無電鍍?cè)≈?，在此鍍?cè)?nèi)，在不使用電流的情況下，金屬離子被還原為金屬，在電介質(zhì)基材上形成金屬層。在無電過程中作為還原催化劑的催化劑或活化劑包括貴金屬，例如鈀、鉑、金、銀、銥、鋨、釕和銠。通常鈀是優(yōu)選的催化劑，這是由于鈀能夠在介電基材上形成具有高剝離強(qiáng)度的均勻金屬層。鈀還可用來無電沉積許多種金屬，以及沉積對(duì)電子工業(yè)之類的各種工業(yè)非常重要的金屬。這些金屬包括錫、銅、鎳和它們的許多合金。市售的鈀經(jīng)常是鈀/錫合金。例如，Chao等人在美國專利第5,413,817號(hào)中揭示了一種將金屬涂層附著在聚苯醚-聚苯乙烯制品上的方法。Chao等人首先使聚苯醚-聚苯乙烯制品與四價(jià)鈰和硝酸接觸，然后用含鈀的催化劑溶液進(jìn)行活化。
盡管鈀在許多無電方法中是優(yōu)選的催化劑，但是鈀價(jià)格昂貴，其價(jià)格有時(shí)高于金兩倍或更多。人們已經(jīng)嘗試了其它的較為廉價(jià)的金屬，例如銀。但是銀具有一些不利之處。銀經(jīng)常不能提供合適的催化活性，或者可能達(dá)不到最佳的沉淀效果。由于這些原因，人們通常不推薦使用銀。因此，人們需要能夠避免使用鈀的無電金屬化法。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、以及一種或多種氫離子源。
另一方面，組合物由一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、一種或多種氫離子源和水組成。
另一方面，一種方法包括提供一種組合物，該組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、以及一種或多種氫離子源；使電介質(zhì)與所述組合物接觸，以調(diào)整和活化該電介質(zhì)；然后在電介質(zhì)上沉積金屬。
另一方面，一種方法包括提供一種組合物，該組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、一種或多種氫離子源；使電介質(zhì)與所述組合物接觸，以調(diào)整和活化該電介質(zhì)；在所述電介質(zhì)上無電沉積第一金屬；在所述第一金屬上沉積第二金屬。
該組合物不但能調(diào)整電介質(zhì)表面，以使得金屬和電介質(zhì)之間牢固結(jié)合，而且能對(duì)金屬在介電材料上的沉積起催化作用。提供用于電介質(zhì)金屬化的環(huán)境友好組合物和方法，能避免鉻酸之類的有害氧化劑。同時(shí)，由于避免使用鉻酸，且調(diào)整步驟和催化步驟合并，減少了處理步驟數(shù)，提供了更高效的電介質(zhì)金屬化方法。另外，避免使用昂貴的鈀，提供了更為經(jīng)濟(jì)的方法。
具體實(shí)施例方式
在此說明書中，除非上下文另外說明，以下縮寫的含義如下℃＝攝氏度；g＝克；mg＝毫克；L＝升；ml＝毫升；cm＝厘米；ppm＝份/百萬份；1密耳＝25.4微米；M＝摩爾；v＝體積；ASD＝安培/平方分米；lbf＝英尺磅；in＝英寸。
在此說明書中，術(shù)語“沉積”和“鍍敷”可互換使用。除非另外說明，所有的百分?jǐn)?shù)均以重量為基準(zhǔn)計(jì)。所有的數(shù)值范圍都包括端值且可以以任意順序互相組合，除非從邏輯上講這些數(shù)值范圍之和為100％。
組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源和一種或多種氫離子源。鈰(IV)離子和氫離子的組合對(duì)電介質(zhì)表面進(jìn)行調(diào)整，使電介質(zhì)和沉積在電介質(zhì)表面上的金屬牢固結(jié)合。銀(I)離子對(duì)電介質(zhì)表面上的金屬沉積起催化作用。
可使用任何能夠提供鈰(IV)離子的水溶性鹽或絡(luò)合物。可以通過向水中加入絡(luò)合復(fù)鹽(例如硝酸高鈰銨(NH4)2Ce(NO3)6)并混合來提供鈰(IV)離子。硝酸高鈰銨溶解在水中，在水溶液中提供鈰(IV)離子(Ce4+)。其它鈰(IV)離子源包括但不限于四硫酸高鈰Ce(SO4)·2H2SO4、硫酸高鈰銨(NH4)4Ce(SO4)4.2H2O之類的復(fù)鹽、二氧化鈰(CeO2)、硫酸高鈰(Ce(SO4)2)和四水合硫酸高鈰(Ce(SO4)2.4H2O)。將一種或多種鹽或絡(luò)合物與水混合，使得溶液中鈰(IV)離子的含量為5-100克/升，或例如10-50克/升，或例如20-40克/升。
可使用任何能夠提供銀(I)離子(Ag+)的水溶性鹽或絡(luò)合物。銀離子源包括但不限于硝酸銀、四氟硼酸銀、高氯酸銀、氟化銀、乙酸銀、碳酸銀、氧化銀、硫酸銀和氫氧化銀。一種或多種銀(I)離子源的含量為0.1-50克/升，或例如1-40克/升，或例如5-25克/升。
可以用任何合適的酸提供氫離子，氫離子與鈰(IV)離子結(jié)合起來，調(diào)整介電基材。通常使用無機(jī)酸，它們提供所述組合物的基質(zhì)(matrix)。這些無機(jī)酸包括但不限于硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸或其混合物。通常使用硝酸或硫酸。最優(yōu)選使用硝酸提供組合物基質(zhì)。組合物中一種或多種酸的含量為50-750克/升，或例如50-500克/升，或例如100-300克/升。
可以將所述調(diào)整劑-活化劑組合物的組分以任意順序混合在水中。如果需要的話，可以將混合物加熱至30℃，以引發(fā)一種或多種組分的溶解，或者可以在室溫下將所述組合物混合起來。所述調(diào)整劑-活化劑組合物儲(chǔ)存時(shí)是穩(wěn)定的，但是可以加入任選的常規(guī)抗菌劑，以延長該組合物的儲(chǔ)存時(shí)間。在儲(chǔ)存過程中，組分會(huì)發(fā)生一定的沉淀，但是該組合物仍可使用，或者可以通過加熱該組合物重新溶解這些組分。通常所述組合物由一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、一種或多種氫離子源和水組成。該組合物的pH值為小于1至5，或例如1-3。通常pH值小于1。
所述組合物除了一種或多種鈰(IV)離子源、銀(I)離子和酸以外，還可包含添加劑，以調(diào)節(jié)其對(duì)于特定電介質(zhì)的性能。合適的添加劑包括但不限于一種或多種表面活性劑，例如陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、兩性表面活性劑和非離子性表面活性劑。這些表面活性劑可以常規(guī)用量使用。通常它們的用量為0.005-10克/升。
可以用任何合適的方法將所述調(diào)整劑-活化劑組合物施用于介電基材。這些方法包括但不限于將所述介電基材浸在包含調(diào)整劑-活化劑組合物的鍍?cè)≈?，將所述組合物噴涂在所述電介質(zhì)上，或者將所述組合物刷涂在所述電介質(zhì)上。通常所述組合物保持與介電基材接觸5-30分鐘，或例如10-15分鐘。然后用水淋洗電介質(zhì)。
所述調(diào)整過程能形成一個(gè)表面，該表面可以使金屬與電介質(zhì)表面牢固結(jié)合。通常調(diào)整后的表面并不顯示可觀察到的形態(tài)變化。當(dāng)金屬沉積在調(diào)整后的表面上的時(shí)候，金屬與電介質(zhì)表面形成牢固的鍵合。由InstronSeries4400材料測試儀測得，剝離強(qiáng)度可為1.7-175克/毫米，或例如10-120克/毫米，或例如20-80克/毫米。由于鈰(IV)離子和氫離子的組合的表面調(diào)整能力，可以不需要使用鉻酸之類的對(duì)工人和環(huán)境都有害的不希望采用的氧化性化合物。
任選地，在使用組合物調(diào)整電介質(zhì)之前，可以通過溶劑溶脹(solvent swell)處理電介質(zhì)。然后可用水淋洗該電介質(zhì)，然后用一種組合物進(jìn)行調(diào)整。
可使用常規(guī)的溶脹溶劑。市售可得的溶脹溶劑的例子是ConditionerPM-920TM(購自美國麻薩諸塞州Marlborough的Rohm and Haas ElectronicMaterials)。對(duì)不同種類的電介質(zhì)使用不同的溶脹溶劑。例如，對(duì)于不同的聚合物，使用不同的溶劑才能起到作用。因此，必需進(jìn)行一定的反復(fù)嘗試，以使得對(duì)電介質(zhì)的處理最優(yōu)化。溶劑包括但不限于二醇醚酯，例如乙酸酯，N-烷基吡咯烷酮，脂族醇，脂族胺，堿金屬氫氧化物，丁基和乙基Cellosolve(2-丁氧基乙醇)，丁基Carbitol(2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇)和乙二醇。其它可用的溶劑包括但不限于2-乙酸丁氧基乙酯(EBA)、丙二醇單甲醚(DowanolTMPM)、丙二醇單甲醚乙酸酯(DowanolTMPMA)或它們的混合物。
其它溶脹溶劑包括但不限于，酰胺(例如N，N-二甲基甲酰氨和N-甲基-2-吡咯烷酮)，腈(例如乙腈)，胺(例如三乙醇胺)，二甲亞砜，碳酸異丙烯酯和γ-丁內(nèi)酯，乙酸乙酯，乙酸丁酯，苯甲醛，酮，例如環(huán)己酮、丙酮、甲基乙基酮，乙酸，二硫化碳或它們的混合物。
可以用所述調(diào)整劑-活化劑進(jìn)行調(diào)整的電介質(zhì)包括但不限于熱塑性樹脂，聚乙烯樹脂，例如高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、支化低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯，聚烯烴樹脂，例如聚丙烯樹脂、聚丁二烯-聚丁烯樹脂、聚丁烯樹脂、聚苯乙烯樹脂，鹵代樹脂，例如聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯-聚氯乙烯聚合物樹脂、氯代聚乙烯、氯代聚丙烯和四氟乙烯，AS樹脂，ABS樹脂，MBS樹脂，聚乙烯醇樹脂，聚丙烯酸酯樹脂，例如聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸酯樹脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物樹脂，馬來酸酐-苯乙烯共聚物樹脂，聚氯乙烯樹脂，纖維素樹脂，例如丙酸纖維素樹脂和乙酸纖維素樹脂，環(huán)氧樹脂，聚酰胺酰亞胺樹脂，聚烯丙樹脂(polyallylate resin)，聚醚酰亞胺樹脂，聚醚醚酮樹脂，聚環(huán)氧乙烷樹脂，PET樹脂之類的聚酯樹脂，聚砜樹脂，聚乙烯醚樹脂，聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚苯醚之類的聚苯醚樹脂，聚苯硫醚樹脂，聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯樹脂，聚甲基戊烯樹脂聚縮醛樹脂，氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，乙烯-氯乙烯共聚物，以及它們的共聚物和混合物，熱固性樹脂，包括環(huán)氧樹脂，二甲苯樹脂，胍胺樹脂，鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂，乙烯基酯樹脂，酚醛樹脂，不飽和聚酯樹脂，呋喃樹脂，聚酰亞胺樹脂，聚氨酯樹脂，馬來酸樹脂，三聚氰胺樹脂和脲樹脂，以及它們的混合物。
在對(duì)電介質(zhì)進(jìn)行調(diào)整之后，將金屬無電沉積在該電介質(zhì)的表面上?？梢詫⒛軌蛲ㄟ^無電沉積或浸漬沉積法沉積的任何金屬鍍敷在經(jīng)過調(diào)整的電介質(zhì)表面上。這些金屬包括但不限于銅、鎳、錫、銀和能夠沉積在蝕刻后的電介質(zhì)上的各種金屬。能夠鍍敷的合金的例子有銅/錫、銅/金、銅/銀/金、鎳/磷以及錫/鉛。
可以使用常規(guī)的無電鍍?cè)⒔饘俸徒饘俸辖鸪练e在電介質(zhì)上。所述鍍?cè)】筛鶕?jù)文獻(xiàn)所述制備，也可以在市場上購得。可在市場上購得的無電鍍?cè)〉睦佑蠧 3000TMElectroless銅和CircupositTM71Bath。這兩種無電鍍?cè)【少徸訰ohm and Haas Electronic Materials。
可通過任何合適的方法將無電鍍?cè)∈┯迷谖g刻過的電介質(zhì)上?？墒褂贸Ｒ?guī)的無電金屬沉積法。通常是將電介質(zhì)浸漬在無電鍍?cè)≈?，或者將鍍?cè)娡吭陔娊橘|(zhì)表面上。所述調(diào)整組合物是自催化的，因此可以不必使用鈀催化劑之類的催化劑。鍍敷時(shí)間可以改變。鍍敷時(shí)間取決于所需的金屬層厚度。厚度可為0.5-50微米，或例如5-30微米，或例如10-20微米。金屬或金屬合金沉積物是導(dǎo)電性的，而且不含氣泡。氣泡是是鍍敷后的電介質(zhì)上，沉積的金屬膜與基材相分離的未附著的區(qū)域。
在進(jìn)行無電金屬沉積之后，可任選通過酸淋洗處理金屬層。通常酸淋洗所用的是一種或多種無機(jī)酸的稀溶液。這些酸包括但不限于硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸或磷酸。酸淋洗可以在室溫下進(jìn)行。
可以任選地在無電鍍敷的金屬層上鍍敷電解金屬層?？梢圆捎贸Ｒ?guī)的電解金屬鍍?cè)∫约俺Ｒ?guī)的沉積條件?？梢猿练e在無電金屬化的電介質(zhì)上的金屬包括但不限于銅、鎳、錫、金、銀、鈷、銥和鉍。能夠通過電解沉積的金屬合金包括但不限于銅/錫，銅/金/銀，銅/鉍，銅/錫/鉍，銅/鎳/金，鎳/磷，鎳/鈷/磷，錫/鉍，錫/銀和金/銀。用于電解金屬沉積的電解鍍?cè)】捎晌墨I(xiàn)中得知，或者可以在市場上購得。
在電鍍的時(shí)候，無電金屬化的電介質(zhì)作為陰極?？扇苄曰虿蝗苄缘年枠O作為第二電極?？刹捎贸Ｒ?guī)脈沖鍍敷或直流(DC)鍍敷或DC鍍敷與脈沖鍍敷的組合。電流密度和電極電勢(shì)可根據(jù)沉積的金屬或金屬合金改變。通常電流密度為0.05-100ASD。通常電流密度為1-50ASD。持續(xù)鍍敷直至達(dá)到所需的金屬厚度。通常，電解沉積的金屬層的厚度為1-100微米，或例如15-80微米，或例如25-50微米。
可以使用調(diào)整組合物和方法對(duì)介電基材進(jìn)行金屬化，用于以下的制品通常包括但不限于光電元件、家具配件之類的裝飾制品、珠寶、衛(wèi)生器具和汽車部件，柔性電路，手機(jī)之類的通訊設(shè)備，EMI屏蔽和RF屏蔽，以及計(jì)算機(jī)部件。
以下實(shí)施例將進(jìn)一步說明本發(fā)明，但是并不對(duì)本發(fā)明的范圍構(gòu)成限制。
實(shí)施例實(shí)施例1(比較例)使用六價(jià)鉻處理溶液在70℃對(duì)購自General Electric Co.(General ElectricCycolacTMMG37EP-BK4500)尺寸為8厘米×9厘米的丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物(ABS)板材蝕刻8分鐘，使該板材的表面變粗糙。所述鉻處理溶液包含490克/升(9摩爾％)鉻酸和295克/升(5.5摩爾％)硫酸和水。然后用去離子水對(duì)板材淋洗4次，以除去鉻酸。
在45℃將所述板材浸在Neutralizer PMTM954(購自美國賓夕法尼亞州費(fèi)城Rohm and Haas Company)的水溶液中處理3分鐘，將鉻(VI)還原為鉻(III)，然后用去離子水淋洗。
然后將該板材浸在購自Rohm and Haas Company的Cuposit CatalystTM44(氯化亞錫-鈀催化劑)中，對(duì)該板材進(jìn)行活化，以便用于無電金屬化。催化劑的溫度為45℃。將該板材浸沒在活化劑中處理2分鐘，然后用去離子水淋洗2分鐘。
然后在45℃將活化后的板材浸在包含Accelerator PMTM964(購自Rohm andHaas Company)鍍?cè)≈刑幚?分鐘，然后用去離子水淋洗。然后在60℃無電鍍銅。鍍敷進(jìn)行20分鐘，在板材上形成0.5微米厚的銅層。該水性鍍?cè)〉慕M成如下表1所示表1

用去離子水淋洗該鍍銅的板材，然后噴灑去離子水進(jìn)行淋洗。然后用水性酸電解銅鍍?cè)≡谝彦冦~的板材上電鍍1.5密耳的銅層。電流密度為4ASD。鍍?cè)〉膒H值小于1。使用常規(guī)的電鍍?cè)O(shè)備。所用鍍?cè)〉慕M成如下表2所示表2

然后在80℃的常規(guī)對(duì)流烘箱中對(duì)該板材烘烤1小時(shí)。然后使用InstronSeries4400材料測試儀測量剝離強(qiáng)度。測出剝離強(qiáng)度為89克/分鐘。
下表3列出了使用常規(guī)方法在ABS板材上制備和沉積金屬層的20個(gè)步驟。
表3

在需要高生產(chǎn)量的工業(yè)中，包括大量步驟的金屬鍍敷是低效的，也是人們所不希望的。
實(shí)施例2在室溫下，在CrownplateTMConditioner PM-920(購自Rohm and HaasCompany)中對(duì)尺寸為8厘米×9厘米的ABS共聚物處理1分鐘。然后用去離子水對(duì)該板材淋洗1分鐘。
然后用包含5克/升的硝酸銀、30克/升的硝酸鈰(IV)銨和600毫升/升(95％)硝酸的水溶液對(duì)該板材進(jìn)行調(diào)整和活化。所述調(diào)整劑-活化劑組合物的pH值小于1。在65℃對(duì)ABS板材調(diào)整和活化15分鐘。然后用去離子水淋洗該板材2分鐘。
用下表4所示的水性無電鍍?cè)≡谡{(diào)整和活化后的板材上無電鍍敷銅層。
表4

在70℃無電鍍銅20分鐘，在所述板材上形成1微米厚的銅層。用稀硫酸對(duì)鍍銅后的板材淋洗1分鐘。
然后用實(shí)施例1中表2所示的酸銅電鍍?cè)≡谠撳冦~的板材上電鍍1.5密耳厚的銅。
然后在80℃的常規(guī)對(duì)流烘箱內(nèi)，對(duì)板材烘焙1小時(shí)。然后使用InstronSeries4400材料測試儀測量剝離強(qiáng)度。剝離強(qiáng)度為112克/毫米。
下表5列出了使用本發(fā)明的方法在ABS板材上制備和沉積金屬層的7個(gè)步驟。
表5

本發(fā)明的方法可以無需像實(shí)施例1中的方法那樣使用對(duì)環(huán)境不友好的有害鉻酸和昂貴的鈀催化劑的條件下，提供電導(dǎo)性銅層，其上再鍍敷銅。本發(fā)明的方法還將步驟由20個(gè)減少到僅有7個(gè)，提供了更為有效的方法。
實(shí)施例3將8厘米×9厘米的ABS板材浸在包含10克/升的硝酸銀、50克/升的硝酸鈰(IV)銨和350毫升/升(95％)硝酸的調(diào)整劑-活化劑溶液中。所述蝕刻-活化劑組合物的pH值小于1。在65℃對(duì)該ABS板材調(diào)整和活化20分鐘。然后用去離子水淋洗該板材1分鐘。
然后將該ABS板材浸沒在具有下表6所示組成的無電銅鍍?cè)≈斜?

在70℃無電鍍銅10分鐘，形成0.5微米厚的銅附著層。
然后使用具有下表7所示組成的鎳鍍?cè)≡谝彦冦~的板材上電鍍厚1密耳的鎳
表7

在3ASD、60℃的條件下，電解鍍鎳1小時(shí)。預(yù)期該工藝程序?qū)⒅频门c所述板材牢固結(jié)合的高光澤度附著金屬沉積物。
實(shí)施例4用N-甲基-2-吡咯烷酮溶脹溶劑處理10厘米×10厘米的聚苯醚-聚苯乙烯板材。該過程在室溫下進(jìn)行2分鐘。然后在去離子水中對(duì)該板材淋洗5分鐘。
然后用包含40克/升硝酸鈰(IV)銨、20克/升的氟代硼酸銀和400毫升/升(95％)硝酸的水性組合物對(duì)該板材進(jìn)行調(diào)整和活化。在65℃調(diào)整和活化15分鐘。然后用去離子水對(duì)試樣淋洗5分鐘。
然后將調(diào)整并活化后的板材浸沒入組成如下表8所示無電銅鍍?cè)”?

在45℃無電鍍銅15分鐘，在所述板材上形成0.5微米厚的銅膜。然后用稀硫酸淋洗該板材2分鐘。
然后使用下表9所示的水性酸錫電解鍍?cè)?duì)鍍銅的板材電鍍錫表9

在30ASD、55℃的條件下電鍍錫15分鐘。錫層厚度為2密耳。
預(yù)期在錫層上不會(huì)觀察到氣泡，預(yù)期金屬層與所述板材牢固結(jié)合。
實(shí)施例5使用丙二醇單甲醚(DowenolTMPM)對(duì)10厘米×15厘米的高密度聚乙烯試樣處理1分鐘。該處理在室溫下進(jìn)行。然后用去離子水淋洗該試樣一分鐘。
用由40克/升的四硫酸高鈰、500毫升/升的(95％)硝酸和10克/升的硝酸銀組成的水性組合物對(duì)該試樣進(jìn)行調(diào)整和活化。所述溶液的pH值小于1。在70℃下調(diào)整和活化10分鐘。然后用去離子水淋洗該試樣。
然后將調(diào)整并活化后的試樣浸漬在具有下表10所示組成的無電銅鍍?cè)≈斜?0

在65℃下無電鍍銅30分鐘，在試樣上形成0.75微米厚的銅膜。然后用去離子水淋洗該試樣2分鐘。
然后使用下表11所示的水性酸錫-鎳鍍?cè)≡阱冦~的試樣上電鍍錫-鎳合金表11

在50℃、2ASD的條件下，電鍍錫-鎳合金10分鐘。生成的錫-鎳層的厚度為1微米。
預(yù)期在錫層上不會(huì)觀察到氣泡，預(yù)期金屬層與所述板材牢固結(jié)合。
權(quán)利要求
1.一種組合物，該組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源和一種或多種氫離子源。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述一種或多種鈰(IV)離子源選自硝酸高鈰銨、四硫酸高鈰、硫酸高鈰銨、二氧化鈰、硫酸高鈰和四水合硫酸高鈰。
3.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述一種或多種銀離子源選自硝酸銀、四氟硼酸銀、高氯酸銀、氟化銀、乙酸銀、碳酸銀、氧化銀、硫酸銀和氫氧化銀。
4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述一種或多種氫離子源選自硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸和磷酸。
5.一種組合物，該組合物由一種或多種鈰(IV)離子源、一種或多種銀(I)離子源、一種或多種氫離子源和水組成。
6.一種方法，該方法包括a)提供一種組合物，該組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源，一種或多種銀(I)離子源和一種或多種氫離子源；b)使電介質(zhì)與所述組合物接觸，對(duì)所述電介質(zhì)進(jìn)行調(diào)整和活化；c)在電介質(zhì)上沉積金屬。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬選自銅，鎳，錫，金，銀，鈷，銦或鉍。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬選自銅/錫，銅/金，銅/鉍，銅/錫/鉍，銅/鎳/金，鎳/磷，鎳/鈷/磷，錫/鉍，錫/銀和金/銀。
9.一種方法，該方法包括a)提供一種組合物，該組合物包含一種或多種鈰(IV)離子源，一種或多種銀(I)離子源和一種或多種氫離子源；b)使電介質(zhì)與所述組合物接觸，對(duì)所述電介質(zhì)進(jìn)行調(diào)整和活化；c)在所述電介質(zhì)上無電沉積第一金屬；和d)在所述第一金屬上沉積第二金屬。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)是印刷電路板的元件。
全文摘要
揭示了一種組合物和方法。該組合物同時(shí)對(duì)介電材料進(jìn)行調(diào)整和活化，以用于金屬沉積?？赏ㄟ^無電沉積法將金屬沉積在電介質(zhì)上。所述金屬化的電介質(zhì)可用于電子器件。
文檔編號(hào)C23C18/18GK1982503SQ20061016842
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日
發(fā)明者F·斯卡拉格林諾, W·薩默, N·D·布朗, K·王 申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司