專利名稱：：Cmp用研磨液及研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體元件的配線形成工序等研磨中所使用的CMP(ChemicalMechanicalPolishing)研磨液以及研磨方法。技術(shù)背景近年來，隨著半導(dǎo)體集成電路(以下記作LSI)的高集成化、高性能化而開發(fā)出一些新的微細加工技術(shù)?；瘜W(xué)機械研磨(以下記作CMP。)法也是其中之一，此項技術(shù)在LSI制造工序中、特別是在多層配線形成工序中的層間絕緣膜的平坦化、金屬插塞(plug)形成、埋入式配線形成中頻繁使用。此項技術(shù)例如公開在美國專利第4944836號公報中。最近，為了使LSI高性能化，人們嘗試著使用銅和銅合金作為成為配線材料的導(dǎo)電性物質(zhì)。但在銅或銅合金中難以利用在以往的鋁合金配線形成中頻繁使用進行微細加工的干式蝕刻法。因此，主要采用所謂的鑲嵌(damascene)法，即在預(yù)先形成有溝槽的絕緣膜上堆積銅或銅合金的薄膜進行埋入，之后利用CMP除去溝槽以外的上述薄膜，形成埋入式配線。此項技術(shù)例如公開在曰本專利第1969537號公報中。研磨銅或銅合金等配線部用金屬的金屬CMP的一般方法，是在圓形的研磨盤(platen)上貼附研磨墊(pad),—邊用金屬用研磨液浸漬研磨墊表面，一邊將基板形成有金屬膜的面壓在研磨墊表面，從研磨墊的背面向金屬膜施加規(guī)定的壓力(以下記作研磨壓力)，在此狀態(tài)下轉(zhuǎn)動研磨盤。由此，利用研磨液與金屬膜的凸部間的相對機械摩擦除去凸部的金屬膜。用于CMP的漿狀金屬用研磨液一般由氧化劑和磨粒組成，根據(jù)需要還可以添加氧化金屬溶解劑、保護膜形成劑。認為其基本機制是首先利用氧化劑將金屬膜表面氧化，再利用磨粒磨去該氧化層。因凹部的金屬表面的氧化層不太接觸研磨墊，不會產(chǎn)生利用磨粒磨去氧化層的效果，所以，在進行CMP的同時，去除凸部的金屬層而使基板表面平坦化。關(guān)于其詳細內(nèi)容公開在《電化學(xué)會志》(JournalofElectrochemicalSociety)第138巻11號(1991年發(fā)行)34603464頁上。作為提高CMP研磨速度的方法，添加氧化金屬溶解劑是有效的。其原因是由于使被磨粒磨去的金屬氧化物顆粒溶解在研磨液中(以下記作蝕刻。)，因而提高了磨粒的磨去效果。雖然通過配合氧化金屬溶解液提高了CMP的研磨速度，但是另一方面，一旦凹部的金屬膜表面的氧化層也被蝕刻而使金屬膜表面露出，則金屬膜表面就會被氧化劑進一步氧化。若上述情況反復(fù)發(fā)生，就會使凹部的金屬膜發(fā)生蝕刻。因此，研磨后埋入的金屬配線的表面中央部發(fā)生像盤子一樣洼陷的現(xiàn)象(以下記作"碟陷，，)，損害平坦化效果。為了防止上述現(xiàn)象發(fā)生，再配合保護膜形成劑。保護膜形成劑在金屬膜表面的氧化層上形成保護膜，防止氧化層向研磨液中溶解。希望該保護膜可通過磨粒容易地磨去，而不使CMP的研磨速度降低。為了抑制銅或銅合金的碟陷和研磨中的腐蝕而形成可靠性高的LSI配線，提倡使用含有氧化金屬溶解劑以及作為保護膜形成劑的BTA的CMP研磨液的方法，其中氧化金屬溶解劑包括甘氨酸等氨基乙酸或酰胺基硫酸。該技術(shù)例如記載在日本專利第3397501號公報中。另一方面，在銅或銅合金等配線部用金屬的下層形成有例如鉭、鉭合金、氮化鉭等鉭化合物等的層，作為用于防止銅向?qū)娱g絕緣膜中擴散和提高密合性的阻擋導(dǎo)體層(以下也稱作阻擋層)。所以，除了埋入銅或銅合金的配線部以外，露出的阻擋層必須通過CMP去除。但是，由于這些阻擋層的導(dǎo)體與銅或銅合金相比硬度要高，即使將銅或銅合金用研磨材料組合使用也得不到足夠的研磨速度，且平坦性常常變差。因此，研究包括研磨配線部用金屬的第l工序和研磨阻擋層的第2工序的2段式研磨方法。在研磨阻擋層的第2研磨工序中，為了提高平坦性，層間絕緣膜也必須加以研磨。雖然層間絕緣膜的主流為氧化硅膜，但近年來為了使LSI高性能化，人們嘗試著使用比氧化硅膜的介電常數(shù)還低的硅系材料或有機聚合物。
發(fā)明內(nèi)容在研磨阻擋層的第2研磨工序后，基板上的尤其是配線寬0.5pm以下、配線間的間隔約5.0)Lim以上的所謂獨立的銅的微細配線中，容易發(fā)生其前端部的腐蝕及阻擋導(dǎo)體與銅的界面部的腐蝕或輕度高低差(凹槽)。因此，在微細配線的形成是必不可少的、要求高可靠性的高精能半導(dǎo)體元件制造中，上述情況會成為斷線、產(chǎn)率、可靠性下降等的狀況不佳的原因。認為該腐蝕的原因在于阻擋導(dǎo)體與銅的異種金屬接觸腐蝕。若阻擋導(dǎo)體與銅的電位差變大到某一程度，則電子和銅離子從阻擋導(dǎo)體與銅的界面部附近的銅表面溶出到研磨液中，有時會發(fā)生腐蝕。鑒于上述問題，本發(fā)明提供CMP研磨液，該CMP研磨液通過抑制阻擋導(dǎo)體與銅等導(dǎo)電性物質(zhì)的界面部附近的電子移動，抑制阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的異種金屬接觸腐蝕，即，抑制導(dǎo)電性物質(zhì)配線腐蝕。作為能夠抑制導(dǎo)電性物質(zhì)配線腐蝕的CMP研磨液的確認方法，希望測定阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的以研磨液為介質(zhì)的電位差，進而確認該電位差的絕對值小。本發(fā)明的研磨液其特征在于研磨液中的阻擋層用導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差的絕對值小。其中，通過在研磨液中含有選自下述雜環(huán)化合物中的至少1種或選自胺化合物、酰胺化合物、亞砜化合物中的至少l種從而在導(dǎo)電性物質(zhì)的表面形成保護膜，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任1種且含有氮和硫原子中的至少1種。認為由此而阻礙了電子和導(dǎo)電性物質(zhì)離子從阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的界面部附近的導(dǎo)電性物質(zhì)的表面溶出在研磨液中，可抑制阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的異種金屬接觸腐蝕。即，本發(fā)明涉及以下(1)~(21)的CMP研磨液。(1)一種CMP研磨液，其至少研磨導(dǎo)體層和與上述導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電性物質(zhì)層，在電位計的正極側(cè)與上述導(dǎo)電性物質(zhì)連接、負極側(cè)與上述導(dǎo)體連接的該研磨液中，導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)體在50土5。C的電位差絕對值為0.25V以下。(2)上述(1)所記載的CMP研磨液，其中，含有降低導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的所述電位差絕對值的添加劑。(3)上述(2)所記載的CMP^f磨液，其中，"^有選自雜環(huán)化合物中的至少l種作為降低所述電位差絕對值的添加劑，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任l種且含有氮和硫原子中的至少l種。(4)上述(3)所記載的CMP研磨液，其中，所述雜環(huán)化合物在銅絡(luò)合物的研磨液中的溶解度在液溫為25。C時為1重量％以上，其中所述銅絡(luò)合物的研磨液是向研磨液中添加硫酸銅(II)時生成的。(5)上述(2)所記載的CMP研磨液，其中，含有選自胺化合物、酰胺化合物和亞砜化合物中的至少1種作為降低所述電位差絕對值的添加劑。(6)上述(3)~上述(5)中任一項所記載的CMP研磨液，其中，含有選自雜環(huán)化合物中的至少1種和選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少l種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜?種且含有氮和硫原子中的至少1種。(7)上述(1)~(6)中任一項所記載的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)體含有選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鴒、鴒合金、其他的鶴化合物、釕、其他的釕化合物中的至少l種；所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物、鴒、鉤合金、銀、銀合金或金。(8)上述(1)~(7)中任一項所記載的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅。(9)一種CMP研磨液，其研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鴒、鴒合金、其他的鴒化合物、釕和其他的釕化合物中的至少l種，在電位計的正極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(a)連接、負極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(b)連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)在50士5。C的電位差絕對值為0.25V以下。(10)—種CMP研磨液，其研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕》皋膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液含有選自雜環(huán)化合物中的至少l種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任l種且含有氮和硫原子中的至少1種。(11)一種CMP研磨液，其研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鴒、鴒合金、其他的鴒化合物、釕和其他的釕化合物中的至少l種，該研磨液含有選自下述雜環(huán)化合物中的至少1種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜蝜種且含有氮和硫原子中的至少l種。(12)—種CMP研磨液，其研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕緣膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液含有選自胺化合物、酰胺化合物和亞石風(fēng)化合物中的至少1種。(13)—種CMP研磨液，其研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鴒、鴒合金、其他的鴒化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種，該研磨液含有選自胺化合物、酰胺化合物和亞石風(fēng)化合物中的至少1種。(14)上述(1)(13)中任一項所記載的CMP研磨液，其中含有研磨粒子。(15)上述(14)所記載的CMP研磨液，其中研磨粒子為選自氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺中的至少l種。(16)上述(1)(15)中任一項所記載的CMP研磨液，其中含有氧化金屬溶解劑和水。(17)上述(16)所記載的CMP研磨液，其中氧化金屬溶解劑為選自有機酸、有機酸酯、有機酸的銨鹽和無機酸中的至少1種。(18)上述(1)~(17)中任一項所記載的CMP研磨液，其中含有金屬防蝕劑。(19)上述(18)所記載的CMP研磨液，其中金屬防蝕劑為選自具有三唑骨架的化合物、具有苯并三唑骨架的化合物、具有吡唑骨架的化合物、具有吡溱骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有嚷唑骨架的化合物中的至少1種。(20)上述(1)(19)中任一項所記載的CMP研磨液，其中含有金屬的氧化劑。(21)上述(20)所記載的CMP研磨液，其中金屬的氧化劑為選自過氧化氫、硝酸、高碘酸鉀、次氯酸和臭氧水中的至少1種。進而，本發(fā)明還涉及以下(22)~(25)的研磨方法。(22)—種研磨方法，其包括第l研磨工序和笫2研磨工序以研磨基板，所述基板含有表面包括凹部和凸部的層間絕緣膜、沿表面覆蓋所述層間絕緣膜的阻擋導(dǎo)體層和填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層的導(dǎo)電性物質(zhì)層，其中第1研磨工序研磨基板的導(dǎo)電性物質(zhì)層而使所述凸部的阻擋導(dǎo)體層露出；笫2研磨工序為一邊供給上述(1)(21)中任一項所記載的CMP研磨液，一邊至少化學(xué)機械研磨阻擋導(dǎo)體層和凹部的導(dǎo)電性物質(zhì)層，使凸部的層間絕緣膜露出。(23)上述(22)所記載的研磨方法，其中層間絕緣膜為硅系覆膜或有機聚合物膜。(24)上述(22)或(23)所記載的研磨方法，其中導(dǎo)電性物質(zhì)以銅為主成分。(25)上述(22)~(24)中任一項所記載的研磨方法，其中阻擋導(dǎo)體層防止所述導(dǎo)電性物質(zhì)向所述層間絕緣膜擴散，該阻擋導(dǎo)體層包括選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鴒、4烏合金、其他的鴒化合物、釕、其他的釕化合物中的至少l種。本申請的公開內(nèi)容與2005年10月12日提出的專利申請2005-298031號中記載的主題相關(guān)聯(lián)，其公開內(nèi)容引用在此。圖1是本發(fā)明中電位差測定方法的一個例子的模式圖。符號說明1-玻璃制燒杯2-CMP研磨液3-阻擋導(dǎo)體基板4-銅基板5-電位計具體實施方式本發(fā)明的CMP研磨液的特征在于至少用于研磨導(dǎo)體層和與所述導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電性物質(zhì)層，在研磨液中測定的所述導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差的絕對值小。由此可以抑制導(dǎo)電性物質(zhì)微細配線的腐蝕。此時優(yōu)選將研磨液中的導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差絕對值控制在0.25V以下。本發(fā)明的研磨液可用于研磨在表面具有下述所示的導(dǎo)電性物質(zhì)和下述所示的導(dǎo)體的被研磨面。被研磨面具體可以列舉出半導(dǎo)體元件的配線部形成工序中的基板，所述基板具有表面包括凹部和凸部的層間絕緣膜、沿表面覆蓋所述層間絕緣膜的阻擋導(dǎo)體層和填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層的以銅為主成分的導(dǎo)電性物質(zhì)層。導(dǎo)電性物質(zhì)可以列舉出銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物、鵪、鎢合金、銀、銀合金、金等以金屬為主成分的物質(zhì)。優(yōu)選以銅為主成分的導(dǎo)電性物質(zhì)(以下也稱作導(dǎo)電性物質(zhì)(a)。)，可以列舉出例如銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物。更優(yōu)選為銅。包括這類導(dǎo)電性物質(zhì)的導(dǎo)電性物質(zhì)層可以列舉出例如半導(dǎo)體元件中的配線部用金屬層。作為導(dǎo)體，可以例示出選自鴒、氮化鴿、鎢合金、其他的鎢化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種(以下也稱作導(dǎo)體(b)。)。導(dǎo)體層可以是包括導(dǎo)體(b)的層，也可以是包括該層的層疊膜。導(dǎo)體層可以列舉出例如半導(dǎo)體元件中為了防止導(dǎo)電性物質(zhì)向?qū)娱g絕緣膜中擴散和提高層間絕緣膜與導(dǎo)電性物質(zhì)的密合性而形成的阻擋導(dǎo)體層。另外，本發(fā)明的CMP研磨液優(yōu)選含有降低導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差絕對值的添加劑。進一步優(yōu)選含有研磨粒子、氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑、水。更優(yōu)選含有金屬的氧化劑。進而，也可以根據(jù)需要進一步配合有機溶劑那樣的能夠與水混合的溶劑、水溶性聚合物、著色劑等。就本發(fā)明的研磨液而言，該液體中的導(dǎo)電性物質(zhì)與導(dǎo)體的電位差絕對值優(yōu)選為0.25V以下。當上述電位差的絕對值為0.25V以下時，不易發(fā)生導(dǎo)電性物質(zhì)與導(dǎo)體間的異種金屬接觸腐蝕，即不易發(fā)生導(dǎo)電性物質(zhì)配線的腐蝕。當超過0.25V時，由于導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差絕對值變大到某一程度，所以電子和導(dǎo)電性物質(zhì)的離子從導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的界面部附近的導(dǎo)電性物質(zhì)的表面溶出到研磨液中，容易發(fā)生導(dǎo)電性物質(zhì)配線的腐蝕。另外，當上述電位差的絕對值在0.20V以下時，導(dǎo)電性物質(zhì)配線的腐蝕更難以發(fā)生。本發(fā)明中，導(dǎo)電性物質(zhì)與導(dǎo)體的電位差絕對值為按照以下次序測定的值。即，將50ml左右的研磨液裝入大約100ml容量的燒杯中，放在恒溫槽中，溫度調(diào)至50士5。C。其中，研磨液是指CMP研磨時的研磨液，是指將有時在臨化學(xué)機械研磨前添加的金屬的氧化劑等添加物實際添加后的研磨液。將通過賊鍍法形成有導(dǎo)電性物質(zhì)膜的硅基板(以下稱作導(dǎo)電性物質(zhì)基板。)與通過濺鍍法形成有鉭等導(dǎo)體膜的硅基板(以下稱作導(dǎo)體基板。)制成適當?shù)拇笮。瑢㈦娢挥嫷恼龢O側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)基板連接，負極側(cè)與導(dǎo)體基板連接。然后，使導(dǎo)電性'物質(zhì)基板和導(dǎo)體基^^反保持一定的距離以使兩者互不接觸，在此狀態(tài)下浸入研磨液中，采用從浸入開始經(jīng)過30秒后的電位差測定值的絕對值的最小值作為電位差的絕對值。燒杯的原材料只要不與研磨液反應(yīng)，就沒有特別限定，優(yōu)選玻璃制、塑膠制等。作為減小導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差絕對值的方法，可以列舉出在研磨液方法。具有抑制導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的界面部附近的電子移動效果的、降低導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的電位差絕對值的添加劑(以下稱作降低電位差的添加劑。)沒有特別限定，優(yōu)選含有選自胺化合物、酰胺化合物和亞砜化合物中的至少1種(A)。或者，優(yōu)選含有選自雜環(huán)化合物中的至少1種(B)，上述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜蝜種且含有氮和硫原子中的至少l種。另外，也可以將上述(A)和(B)并用。上述(A)所包括的化合物中，胺化合物的實例包括以下物質(zhì)單乙醇胺、N，N-二曱基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、三乙醇胺等烷醇胺；正丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、1，4-丁二胺、三亞乙基四胺、環(huán)己胺等脂肪族胺；苯胺、N-曱基苯胺、N-乙基苯胺、芳香族聚胺等芳香族胺。另外，酰胺化合物可以列舉出二曱基甲酰胺、二曱基乙酰胺、六曱替磷酰三胺等；亞砜化合物可以列舉出二甲基亞砜等。上述(B)所包括的雜環(huán)化合物可以例示有吡。秦酰胺、吡。秦-2，3-二羧酸單酰胺、吡"秦羧酸、2，3-吡"秦二羧酸、1-羥基苯并三唑、2-氨基-2-噻唑啉醋酸、3,5-二甲基吡唑、吡噢羧酸酰胺、4-氨基-l,2,4-三唑、1,2,4-三唑-3-酮等。在這些降低電位差的添加劑中，優(yōu)選單乙醇胺、乙胺、正丙胺、正丁胺、二丁胺、三丁胺、1，4-丁二胺、環(huán)己胺、三亞乙基四胺、N，N-二曱基乙醇胺、N-曱基二乙醇胺、三乙醇胺、六甲替磷酰三胺、苯胺、N-曱基苯胺、N-乙基苯胺、二曱基甲酰胺、二曱基乙酰胺、二甲基亞砜、吡溱酰胺、吡。秦-2,3-二羧酸單酰胺、吡溱羧酸、2,3-吡溱二羧酸、1-羥基苯并三唑、2-Jt^-2-虔唑啉醋酸、3，5-二曱基吡唑、吡溱羧酸酰胺、4-氨基-l，2,4-三唑、1,2，4-三唑-3-S同；更優(yōu)選單乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N-曱基二乙醇胺、三乙醇胺、正丁胺、六甲替磷酰三胺、苯胺、環(huán)己胺、二甲基亞砜、二甲基乙酰胺、吡。秦羧酸、2,3-吡"秦二羧酸、1-羥基苯并三唑、2-氨基-2-噻唑啉醋酸、3,5-二曱基吡唑、吡溱羧酸酰胺、4-氨基-l,2,4-三唑、1，2,4-三唑-3-酮；進一步優(yōu)選N-二曱基乙醇胺、三乙醇胺、苯胺、4-氨基-l，2，4-三唑、1-羥基苯并三唑、吡"秦羧酸、2，3-吡"秦二羧酸。這些可以1種單獨使用，或2種以上混合使用。在使用雜環(huán)化合物(B)作為本發(fā)明研磨液中降低電位差的添加劑的情況下，優(yōu)選在向研磨液中添加硫酸銅(II)時所生成的銅絡(luò)合物研磨液中的溶解度在液溫25。C為1重量％以上，其中所述雜環(huán)化合物(B)含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜?種且含有氮和硫原子中的至少1種。在配合上述溶解度為1重量％以上的上述雜環(huán)化合物時，電位差的絕對值變小；反之，在配合上述溶解度小于1重量％的雜環(huán)化合物時，電位差的絕對值有變大的趨勢。應(yīng)予以說明的是，在本發(fā)明中上述溶解度按照以下方法測定向CMP研磨液中添加適量的硫S吏銅(II),充分攪拌后，保持液溫為25°C，靜置60分鐘，確認容器內(nèi)是否有沉淀物。其中，硫酸銅(n)的添加量相對于100g研磨液優(yōu)選為0~10(但0除外)g，上述(B)雜環(huán)化合物與銅(II)離子按照摩爾濃度2比1形成絡(luò)合物，特別優(yōu)選添加研磨液中的上述(B)雜環(huán)化合物的摩爾濃度的一半。本發(fā)明中的研磨粒子可以列舉出氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鍺、碳化硅等無機物研磨粒子，以及聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚氯乙烯等有機物研磨粒子。優(yōu)選氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鍺，尤其優(yōu)選在研磨液中分散穩(wěn)定性良好、因CMP產(chǎn)生的研磨損傷(擦傷)的發(fā)生次數(shù)少、平均粒徑為70nm以下的膠體氧化硅、膠體氧化鋁；更優(yōu)選平均粒徑為40nm以下的膠體氧化硅、膠體氧化鋁。另外，一次粒子優(yōu)選為小于平均2個粒子聚集而成的粒子，一次粒子更優(yōu)選為小于平均1.2個粒子聚集而成的粒子。并且，優(yōu)選平均粒度分布的標準偏差為10nm以下，更優(yōu)選平均粒度分布的標準偏差為5nm以下。這些磨粒可以1種單獨使用，或者2種以上混合使用。關(guān)于膠體氧化硅，已知有利用烷氧基硅烷水解或硅S吏鈉離子交換的制造方法，關(guān)于膠體氧化鋁，已知有利用硝酸鋁水解法的制造方法。從粒徑可控性和堿金屬雜質(zhì)方面考慮，膠體氧化硅最常使用利用烷氧基硅烷水解的制造方法制得的產(chǎn)物。烷氧基硅烷一般使用TEMS(四甲氧基硅烷)或TEOS(四乙氧基硅烷)。就在醇溶劑中進行水解的方法來說，影響粒徑的參數(shù)有烷氧基硅烷的濃度、用作催化劑的氨濃度和pH、反應(yīng)溫度、醇溶劑的種類(分子量)以及反應(yīng)時間等。通過調(diào)整這些參數(shù)，可以得到所需粒徑和凝集度的膠體氧化硅分散液。本發(fā)明中的氧化金屬溶解劑沒有特別限定，可以列舉出有機酸、有機酸酯、有機酸的銨鹽、無機酸、無機酸的銨鹽類。這些物質(zhì)中，對以金屬為主成分的導(dǎo)電性物質(zhì)而言，從既能維持實用的CMP速度又能有效控制蝕刻速度方面考慮，曱酸、丙二酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、水楊酸、己二酸、鄰苯二曱酸和聚丙烯酸是適用的；從高CMP速度方面考慮，硫酸是適用的。這些物質(zhì)可以1種單獨使用，或者2種以上混合使用。本發(fā)明中的金屬防蝕劑沒有特別限定，可以列舉出具有三唑骨架的化合物、具有吡唑骨架的化合物、具有吡溱骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有瘞唑骨架的化合物等。這些物質(zhì)可以1種單獨使用，或者2種以上混合使用。另外，上述降低電位差的添加劑中，(B)所包括的雜環(huán)化合物可以兼用作金屬防蝕劑?？梢栽诒景l(fā)明的CMP研磨液中配合金屬的氧化劑。金屬的氧化劑可以列舉出過氧化氫、硝酸、過碘酸鉀、次氯酸、臭氧水等。其中特別優(yōu)選過氧化氬。這些氧化劑可以l種單獨使用，或者2種以上混合使用。當基板是包括集成電路用元件的硅基板的情況下，由于不希望被堿金屬、堿土類金屬、卣化物等污染，所以最好使用不含不揮發(fā)成分的氧化劑。但是，由于臭氧水其組成隨時間變化劇烈，所以過氧化氫最為適用。然而，當適用對象的基板是不含半導(dǎo)體元件的玻璃基板等的情況下，即使是含不揮發(fā)成分的氧化劑也無妨。另外，可以在本發(fā)明的CMP研磨液中配合溶劑。本發(fā)明的CMP研磨液中的溶劑沒有特別限定，優(yōu)選能夠與水任意混合的有機溶劑。例如可以列舉出二醇類、乙二醇單醚類、乙二醇二醚類、醇類、碳酸酯類、內(nèi)酯類、醚類、酮類、其他的酚、二曱基曱酰胺、N-曱基吡咯烷酮、乙S臾乙酯、乳酸乙酯、環(huán)丁砜等。優(yōu)選為選自乙二醇單醚類、醇類、碳酸酯類中的至少l種。在配合降低本發(fā)明研磨液中的電位差的添加劑的情況下，該添加劑的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0.001~10g，更優(yōu)選為0.0055g，特別優(yōu)選為O.Ol-lg。當配合量小于0.001g時，減小電位差絕對值的效果有變低的趨勢；若超過10g,則研磨速度變低，圖案晶片研磨后的平坦性有惡化的趨勢。在配合研磨粒子的情況下，本發(fā)明中的研磨粒子的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0.01~50g，更優(yōu)選為0.0220g,特別優(yōu)選為0.0510g。當配合量小于0.01g時，研磨速度趨于降低，若超過50g，則存在常常發(fā)生研磨損傷的趨勢。在配合氧化金屬溶解劑的情況下，本發(fā)明中的氧化金屬溶解劑的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0.00120g，更優(yōu)選為0.00210g,特別優(yōu)選為0.005~5g。當配合量小于0.001g時，研磨速度趨于降低；若超過20g,則難以抑制蝕刻，研磨面上可能會出現(xiàn)粗糙。在配合金屬防蝕劑的情況下，本發(fā)明中的金屬防蝕劑的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0~10g(但0除外)，更優(yōu)選為0.0015g,特別優(yōu)選為0.0022g。若該配合量超過10g,則研磨速度趨于降低。在配合金屬的氧化劑的情況下，本發(fā)明中金屬的氧化劑的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0.01~50g，更優(yōu)選為0.02~20g,特別優(yōu)選為0.05~10g。當配合量小于0.01g時，金屬的氧化不充分，CMP速度趨于變低；若超過50g，研磨面上可能會出現(xiàn)粗糙。在配合有機溶劑的情況下，本發(fā)明中的有機溶劑的配合量相對于100g研磨液優(yōu)選為0.195g，更優(yōu)選為0.250g,特別優(yōu)選為0.5~10g。當配合量小于0.1g時，^f磨液對^&^反的潤濕性趨于變低；若超過95g，因起火的危險性變大，所以在制造工序上不適宜。其中，水的配合量可以為余量，沒有特別限定。另外，本發(fā)明的研磨液中，除了上述各成分外，根據(jù)需要可以含有水溶性高分子、著色劑等。上述本發(fā)明的研磨液可適用于半導(dǎo)體元件中的配線層的形成。例如，可用于導(dǎo)電性物質(zhì)層、阻擋層和層間絕緣膜的化學(xué)機械研磨(CMP)。本發(fā)明的研磨方法包括第1研磨工序和第2研磨工序以研磨基板，所述基板具有表面包括凹部和凸部的層間絕緣膜、沿表面覆蓋所述層間絕緣膜的阻擋層和填充所述凹部而覆蓋阻擋層的導(dǎo)電性物質(zhì)層，其中，第l研磨工序研磨基板的導(dǎo)電性物質(zhì)層而使上述凸部的阻擋層露出；第2研磨工序至少研磨阻擋層和凹部的導(dǎo)電性物質(zhì)層，根據(jù)情況進一步研磨層間絕緣膜使其平坦化。在上述第2研磨工序中，一邊供給上述本發(fā)明的研磨液，一邊進行化學(xué)機械研磨。其中，化學(xué)機械研磨可以列舉出下述方法，即將具有^皮研磨面的基板壓在研磨盤的研磨墊(pad)上，在此狀態(tài)下一邊供給研磨液一邊通過研磨盤與基板的相對運動來研磨被研磨面。為了使其平坦化，可以另外列舉出下述方法使金屬制或樹脂制的刷子接觸的方法，以規(guī)定的壓力吹噴研磨液的方法。如上所述，導(dǎo)電性物質(zhì)可以列舉出以金屬為主成分的物質(zhì)，優(yōu)選導(dǎo)電性物質(zhì)(a)，更優(yōu)選銅。導(dǎo)電性物質(zhì)層可以使用利用公知的濺鍍法、鍍敷法將上述物質(zhì)成膜而得到的膜。如上所述，阻擋層可以列舉出包括鴒、鈦、其他的導(dǎo)體(b)的阻擋層以及包括該阻擋層的層疊膜。層間絕緣膜可以列舉出硅系覆膜和有機聚合物膜。硅系覆膜可以列舉出以二氧化硅、氟代硅酸鹽玻璃、三曱基硅烷或二曱氧基二甲基硅烷為起始原料而得到的有機硅酸鹽玻璃、氮氧化硅(siliconoxynitride)、氫化硅倍半氧烷(hydrogenatedsilsesquioxane)等氧化硅系覆膜，或碳化硅和氮化硅。另外，有機聚合物膜可以列舉出全部芳香族系低介電常數(shù)的層間絕緣膜。特別優(yōu)選有機硅酸鹽玻璃。這些膜是通過CVD法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬涂布法或噴霧法而形成的。作為研磨裝置，例如在利用研磨墊進行研磨的情況下，可以^吏用具有支架(holder)和研磨盤的一般研磨裝置，所述支架能夠支撐被研磨的基板，所述研磨盤連接有轉(zhuǎn)數(shù)可調(diào)的馬達等，并貼附有研磨墊。研磨墊可以使用一般的無紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔氟樹脂等，沒有特別限定。對研磨條件沒有特別限定，但是研磨盤的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選200rpm以下的低轉(zhuǎn)速，以使基板不至于飛出。具有被研磨面的半導(dǎo)體基板壓在研磨墊上的壓力(研磨壓力)優(yōu)選為1100kPa,為了滿足CMP速度的晶片面內(nèi)的均一性要求和圖案的平坦性要求，更優(yōu)選為5-50kPa。研磨期間內(nèi)，用泵等連續(xù)向研磨墊供給CMP研磨液。對該供給量沒有限定，優(yōu)選研磨墊的表面經(jīng)常被研磨液所覆蓋。研磨結(jié)束后的基板，優(yōu)選在流水中充分洗凈后，使用旋轉(zhuǎn)式干燥等將附著在基板上的水滴抖落將其干燥。為了使研磨墊的表面狀態(tài)經(jīng)常保持一致來進行化學(xué)機械研磨，優(yōu)選在研磨前加入研磨墊的修整工序。例如，使用帶有金剛石粒子的修整器，以至少含有水的液體進行研磨墊的修整。繼續(xù)進行本發(fā)明的化學(xué)機械研磨工序，優(yōu)選進一步增加基板清洗工序。本發(fā)明的研磨方法可以適用于例如半導(dǎo)體元件中配線層的形成。以下，按照半導(dǎo)體元件中配線層的形成過程來說明本發(fā)明的研磨方法的實施方式。首先，在硅基板上層疊二氧化硅等層間絕緣膜。然后，形成抗蝕劑層，利用蝕刻等公知的步驟，于層間絕緣膜表面形成規(guī)定圖案的凹部(基板露出部)，從而形成具有凸部和凹部的層間絕緣膜。在該層間絕緣膜上，通過蒸鍍或CVD(化學(xué)氣相沉積法)等形成沿著表面的凹凸覆蓋層間絕緣膜的鉭等的阻擋屋。進而，通過蒸鍍、鍍敷或CVD等形成覆蓋阻擋層的銅等的金屬導(dǎo)電性物質(zhì)層，以填充上述凹部。層間絕緣膜、阻擋層和導(dǎo)電性物質(zhì)的形成厚度分別優(yōu)選0.01~2.0pm、1100nm、0.01~2.5pm左右。接著，使用例如上述導(dǎo)電性物質(zhì)/阻擋層的研磨速度比充分大的上述導(dǎo)電性物質(zhì)用研磨液，通過CMP研磨該半導(dǎo)體基板表面的導(dǎo)電性物質(zhì)層(笫l研磨工序)。從而使基板上凸部的阻擋層露出到表面，得到上述導(dǎo)電性物質(zhì)膜殘留于凹部的所需的導(dǎo)體圖案。得到的此圖案面作為第2研磨工序用的被研磨面，可以使用研磨液研磨。第2研磨工序中，使用能夠研磨導(dǎo)電性物質(zhì)、阻擋層和層間絕緣膜的本發(fā)明的研磨劑，利用化學(xué)機械研磨至少研磨上述露出的阻擋層和凹部的導(dǎo)電性物質(zhì)。凸部阻擋層下的層間絕緣膜完全露出，在凹部殘留有作為配線層的上述導(dǎo)電性物質(zhì)層，在凸部與凹部的界面處露出阻擋層的截面，從而得到所需圖案，此時終止研磨。研磨結(jié)束時為了確保更優(yōu)良的研磨平坦性，進一步進行過研磨(例如，直到得到第2研磨工序所需圖案為止的研磨時間為100秒的情況下，將在該100秒的研磨外追加50秒的研磨，稱為過研磨50%。)，該過研磨可以研磨至含有凸部層間絕緣膜的一部分的深度。在由此形成的金屬配線上進一步形成層間絕緣膜和第二層金屬配線，在該配線間和配線上再次形成層間絕緣膜后，進行研磨，使整個半導(dǎo)體基板表面成為平滑的面。通過以規(guī)定次數(shù)重復(fù)操作該工序，可以制造具有所需配線層數(shù)的半導(dǎo)體元件。實施例以下，通過實施例來說明本發(fā)明。本發(fā)明并不受限于這些實施例。(研磨液制備方法)將表1表6所示的原材料按照各自的配比混合，制備實施例130和比較例1~8中使用的CMP研磨液。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>f表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>[表6<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>(電位差測定)圖1所示為本發(fā)明中電位差測定方法的一個例子的才莫式圖。如圖1所示，將大約50ml上述制備的各種CMP研磨液2注入到100ml的玻璃制燒杯1中，浸入到恒溫層中，保持溫度為50士5。C。將用濺鍍法形成有厚度1600nm的銅膜的硅基板(以下稱作銅基板4)和用濺鍍法形成有厚度200nm的氮化鉭膜的硅基板(以下稱作阻擋導(dǎo)體基板3)制成15mmx75mm的大小，將電位計5的正極側(cè)連接在銅基板4上，負極側(cè)連接在阻擋導(dǎo)體基板3上。之后，使導(dǎo)電性物質(zhì)基板和導(dǎo)體基板保持一定的距離以使兩者互不接觸，在此狀態(tài)下測定從浸入CMP研磨液2中的時刻起到經(jīng)過30秒后為止的電位差的最小值。實施例1~30和比較例1~8的電位差測定結(jié)果如表7、8所示。(銅絡(luò)合物的溶解度的測定)關(guān)于實施例2~5、7、8、21-30和比較例l、58,向按照表1~表6所示比例配制的CMP研磨液中添加適量的硫酸銅(II)，確認容器內(nèi)是否有沉淀物。以下記錄了比較例5和實施例2的測定細節(jié)。比較例5:向按照表6中比較例5所示的比例配制的CMP研磨液1000g中加入2,6g硫酸銅(II)五水合物，充分攪拌后，保持液溫在25。C，靜置60分鐘，發(fā)現(xiàn)有綠色沉淀物。推斷其中所生成的銅和3-曱基-5-吡唑啉酮的絡(luò)合物約為2.7g,認為綠色沉淀物是銅和3-甲基-5-p比唑啉酮的絡(luò)合物。由此可知，在該研磨液中，添加石克酸銅時所生成的銅絡(luò)合物在研磨液中的溶解度在液溫25匸時小于0.27重量％。實施例2:向按照表1中實施例2所示的比例配合的CMP研磨液1000g中加入1.85g硫酸銅(II)五水合物，充分攪拌后，保持液溫在25°C，靜置60分鐘，在該液體中并沒有發(fā)現(xiàn)沉淀物。推斷其中所生成的銅和1-羥基苯并三唑的絡(luò)合物約為2.5g。隨后，將該液體用減壓干燥機濃縮至200g,保持液溫在25。C,靜置60分鐘，仍然沒有發(fā)現(xiàn)沉淀物。由此可知，在該研磨液中，添加硫酸銅時所生成的銅絡(luò)合物在研磨液中的溶解度在液溫25。C時為1.25重量°/。以上。關(guān)于實施例2~5、7、8、2130和比較例1、58的銅《^物的溶解性，同樣進行如上4全-瞼，如下進行評價，結(jié)果如表7、8所示。〇銅絡(luò)合物的溶解性在液溫25。C時為1重量％以上x:銅絡(luò)合物的溶解性在液溫25"C時小于1重量％一未評價(圖案基板的研磨)使用半導(dǎo)體制造技術(shù)公司(SEMATECH,SEmiconductorMAmifacturingTECHnology)制的SEMATECH854CMP200,按照7>知的方法只研磨突出的銅膜，使凸部的阻擋層露出到被研磨面(第一研磨工序)，作為圖案基板。在下述的研磨中使用該基板。<研磨條件>研磨墊發(fā)泡聚氨酯樹脂(Rodel社制型號IC1000)研磨壓力14kPa基板與研磨盤的相對速度70m/分鐘研磨液的供給量200ml/分鐘<基板的研磨工序>在上述研磨條件下，用上述制備的各CMP研磨液對上述圖案基板進行化學(xué)機械研磨60秒鐘。該研磨相當于第2研磨工序，研磨約20秒凸部的層間絕緣膜就完全露出到被研磨面，剩下的40秒在凸部研磨該層間絕緣膜。<基板的清洗工序>將海綿狀刷(聚乙烯醇系樹脂制)壓在上述經(jīng)研磨的圖案基板的被研磨面上，一邊向基板供給蒸餾水一邊使基板和海綿狀刷旋轉(zhuǎn)，清洗卯秒鐘。隨后，取走海綿狀刷，向基板的被研磨面上供給蒸餾水60秒鐘。最后通過使基板高速旋轉(zhuǎn)而甩掉蒸餾水，將基板干燥。<評<介項目>對上述清洗后的圖案晶片進行如下述(1)、(2)的評價，結(jié)果如表7、8所示。(1)銅配線腐蝕狀態(tài)用測長掃描型電子顯微鏡觀察配線寬為0.2~0.5pm的獨立微細配線部，檢察其腐蝕狀態(tài)，如下進行評價?！?沒有腐蝕，良好；〇頂端可見輕微腐蝕，但基本完好；△:頂端可見腐蝕，此外在配線與阻擋層的界面部也可見輕微腐蝕；x:不僅在配線的頂端而且在配線與阻擋層的界面部也見到多數(shù)腐蝕處。(2)平坦性(碟陷量)使用觸針式段差計，根據(jù)圖案基板的寬度100^n的配線金屬(銅)部、寬度100pm的層間絕緣膜部交替平行排列成的條紋狀圖案部的表面形狀，求出配線金屬部相對于層間絕緣膜部的膜減少量(單位A)。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>電位差[V]0.150.220.140.170.190.15Cu配線腐蝕狀態(tài)〇〇〇〇〇〇平坦性(碟陷量)440460460440470430銅絡(luò)合物溶解性評價一一一一一一評價結(jié)果實施例151617181920電位差[V]0.180.180.170.160.180.14<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>[表8]<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>如表7、8所示，在比較例18中，電位差超過0.25V,不僅在0.20.5)im此相對，在實施例130中，電位差為0.25V以下，銅配線腐蝕狀態(tài)也良好。另外，碟陷量也小，平坦性也良好。產(chǎn)業(yè)上利用性利用本發(fā)明的CMP研磨液，能夠得到抑制圖案基板的導(dǎo)電性物質(zhì)微細配線部、尤其是腐蝕經(jīng)常變大的0.5pm以下的微細配線部的腐蝕的效果。并且，圖案基板的平坦性也良好。使用該CMP研磨液進行化學(xué)機械研磨的本發(fā)明的研磨方法，其生產(chǎn)效率高，在微細化、薄膜化、尺寸精度、電特性方面優(yōu)異，適用于可靠性高的半導(dǎo)體元件以及其他電子儀器的制造。并且，利用該研磨液可以調(diào)節(jié)阻擋層、導(dǎo)電性物質(zhì)配線、層間絕緣膜的研磨速度比，所以研磨平坦性優(yōu)異。而且，本發(fā)明提供了在微細化、薄膜化和尺寸精度方面優(yōu)異的、用于可靠性高、成本低的半導(dǎo)體元件等的制造中的研磨方法。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。權(quán)利要求1.一種CMP研磨液，其特征在于其至少研磨導(dǎo)體層以及與所述導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電性物質(zhì)層，在電位計的正極側(cè)與上述導(dǎo)電性物質(zhì)連接、負極側(cè)與上述導(dǎo)體連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)體在50±5℃時的電位差絕對值為0.25V以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP研磨液，其中，包括降低導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的所述電位差絕對值的添加劑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括選自雜環(huán)化合物中的至少l種作為降低上述電位差絕對值的添加劑，所述雜環(huán)化合物含有輕基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜蝜種且包含氮和硫原子中的至少1種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMP研磨液，其中，所述雜環(huán)化合物在銅絡(luò)合物的研磨液中的溶解度在液溫25。C時為1重量％以上，其中所述銅絡(luò)合物的研磨液為在向研磨液中添加硫酸銅(II)時所生成。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括選自胺化合物、酰胺化合物和亞石風(fēng)化合物中的至少1種作為降低所述電位差絕對值的添加劑。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種和選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少l種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜?種且包含氮和硫原子中的至少1種。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)體包括選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鴒、鎢合金、其他的鎢化合物、釕、其他的釕化合物中的至少l種；所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物、鎢、鴒合金、銀、銀合金或金。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅。9.一種CMP研磨液，其特征在于研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少l種，電位計的正極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(a)連接、負極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(b)連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)在50土5。C的電位差絕對值為0.25V以下。10.—種CMP研磨液，其特征在于研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，其中所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕緣膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液中包括選自雜環(huán)化合物中的至少l種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜?種且包含氮和硫原子中的至少1種。11.一種CMP研磨液，其特征在于研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少l種，該研磨液中包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基以及亞磺?；械娜蝜種且包含氮和硫原子中的至少l種。12.—種CMP研磨液，其特征在于研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，其中所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕緣膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液中包括選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少1種。13.—種CMP研磨液，其特征在于研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種，該研磨液中包括選自胺化合物、酰胺化合物以及亞石風(fēng)化合物中的至少1種。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括研磨粒子。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMP研磨液，其中，研磨粒子為選自氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺中的至少l種。16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括氧化金屬溶解劑和水。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的CMP研磨液，其中，氧化金屬溶解劑為選自有機酸、有機酸酯、有機酸的銨鹽以及無機酸中的至少1種。18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括金屬防蝕劑。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的CMP研磨液，其中，金屬防蝕劑為選自具有三唑骨架的化合物、具有苯并三唑骨架的化合物、具有吡唑骨架的化合物、具有吡嗪骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物中的至少1種。20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括金屬的氧化劑。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的CMP研磨液，其中，金屬的氧化劑為選自過氧化氫、硝酸、過碘酸鉀、次氯酸以及臭氧水中的至少1種。22.—種研磨方法，其特征在于包括笫l研磨工序和第2研磨工序以研磨基板，所述基板包括表面包括凹部和凸部的層間絕緣膜、沿表面覆蓋所述層間絕緣膜的阻擋導(dǎo)體層和填充所述凹部而覆蓋阻擋層的導(dǎo)電性物質(zhì)層，其中第l研磨工序研磨基板的導(dǎo)電性物質(zhì)層而使所述凸部的阻擋導(dǎo)體層露出；第2研磨工序一邊供給權(quán)利要求1至21中任一項所述的CMP研磨液，一邊至少對阻擋導(dǎo)體層和凹部的導(dǎo)電性物質(zhì)層進行化學(xué)機械研磨，使凸部的層間絕緣膜露出。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的研磨方法，其中，層間絕緣膜為硅系覆膜或有機聚合物膜。24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的研磨方法，其中，導(dǎo)電性物質(zhì)以銅為主成分。25.根據(jù)權(quán)利要求22至24中任一項所述的研磨方法，其中，阻擋導(dǎo)體層是防止上述導(dǎo)電性物質(zhì)向上述層間絕緣膜擴散的阻擋導(dǎo)體層，該阻擋導(dǎo)體層包括選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鴒、氮化鎢、鴒合金、其他的鎢化合物、釕、其他的釕化合物中的至少1種。全文摘要本發(fā)明提供CMP研磨液，該CMP研磨液通過抑制阻擋導(dǎo)體與銅等導(dǎo)電性物質(zhì)的界面部附近的電子移動，抑制導(dǎo)電性物質(zhì)配線腐蝕，即，抑制阻擋導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的異種金屬接觸腐蝕。本發(fā)明涉及的CMP研磨液為，至少研磨導(dǎo)體層以及與上述導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電性物質(zhì)層，在電位計的正極與上述導(dǎo)電性物質(zhì)連接、負極與上述導(dǎo)體連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)體在50±5℃時的電位差絕對值為0.25V以下。優(yōu)選其中包含雜環(huán)化合物，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺?；械娜?種，且含有氮和硫原子中的至少1種。文檔編號B24B37/00GK101283441SQ20068003766公開日2008年10月8日申請日期2006年10月10日優(yōu)先權(quán)日2005年10月12日發(fā)明者大森義和,木村忠廣,櫻田剛史,筱田隆,野部茂申請人:日立化成工業(yè)株式會社