專(zhuān)利名稱(chēng)：鈷基合金化學(xué)鍍液以及使用該化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鈷基合金化學(xué)鍍液以及使用該化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍 法，且更明確地，涉及一種足以穩(wěn)定地重復(fù)使用多次且可避免由于生成沉淀導(dǎo)致金屬薄膜質(zhì)量劣化的鈷基合金化學(xué)鍍液；以及一種其特征 在于浸入到或噴涂該化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍法。
技術(shù)背景隨著近來(lái)半導(dǎo)體器件存儲(chǔ)密度的增加，常規(guī)的鋁布線材料必須被 銅替換以降低信號(hào)延遲并提高電遷移電阻。然而，當(dāng)銅被用作布線材 料時(shí)，銅擴(kuò)散到限定布線的層間絕緣膜(例如，氧化硅層)中。為了 解決這個(gè)問(wèn)題，在銅線之間形成擴(kuò)散阻擋層(形成在銅布線的側(cè)壁和 底部)和覆蓋層(capping layer)(形成在銅布線的上部)，以及應(yīng)用層間 絕緣膜來(lái)避免直接接觸。迄今，氮化硅層已被用作銅布線的覆蓋層。然而，除了對(duì)銅較差 的附著力之外，所述氮化硅層對(duì)于形成在覆蓋層(例如氧化硅層)上 部的層間絕緣膜具有不同的熱膨脹系數(shù)，因此機(jī)械應(yīng)力被集中到覆蓋 層和層間絕緣膜之間，從而導(dǎo)致覆蓋層(氮化硅膜)從銅布線的上部 分離。當(dāng)所述覆蓋層從銅布線分離時(shí)，將不能抑制銅擴(kuò)散到層間絕緣 膜中。由于氮化硅膜介電常數(shù)的巨大差異，寄生電容的體積增大，這 將通過(guò)RC延遲引起半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)速度的延遲。由此，鈷基合金被提出作為替代品，其看起來(lái)具有對(duì)銅布線優(yōu)異 的附著力和低介電常數(shù)，并且阻止銅擴(kuò)散到層間絕緣膜中。所述鈷基合金包含作為主要成分的鈷，且另外包含如鵠、硼、磷等金屬。為了 有選擇地在銅布線的上部形成鈷基合金薄膜，提出了化學(xué)鍍?；瘜W(xué)鍍是一種形成金屬薄膜的方法，該方法無(wú)需任何外部提供的 電子，通過(guò)使用在催化劑載體表面上由還原劑的氧化作用生成的電子 還原金屬離子來(lái)形成金屬薄膜。這種方法具有尤其在整個(gè)基片的被催 化劑活化的目標(biāo)區(qū)上形成金屬薄膜的優(yōu)點(diǎn)。然而，根據(jù)施鍍條件，通過(guò)包含還原劑，所述鍍液變得不穩(wěn)定，并由此發(fā)生自溶。自溶表明 金屬離子不但在催化劑載體的表面上，而且在鍍液中被還原，由此生 成沉淀。這些自溶引起金屬粒子損失，導(dǎo)致溶液耐久性降低(縮短了 溶液的壽命)并且由于溶液中生成沉淀，金屬薄膜的質(zhì)量下降。為了通過(guò)化學(xué)鍍將鈷基合金施加在銅布線的上部，考慮到銅的低 催化活性，在銅的表面上容易被氧化的二曱胺硼烷(DMAB)須被用 作還原劑，且該過(guò)程中也須高的溫度。但是，這種情況下所述化學(xué)鍍 液變得化學(xué)不穩(wěn)定，因此容易發(fā)生自溶。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種鈷基合金化學(xué)鍍液，其足以 穩(wěn)定而抑制自溶且可重復(fù)使用多次，并能防止由于溶液中生成沉淀導(dǎo) 致金屬薄膜質(zhì)量劣化。本發(fā)明也提供一種特征在于浸入到或噴涂所述鈷基合金化學(xué)鍍液 的化學(xué)鍍法以及一種使用該法制備的薄膜。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供一種鈷基合金化學(xué)鍍液，其包含鈷 前驅(qū)體、鵠前驅(qū)體、磷前驅(qū)體、還原劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和穩(wěn)定劑， 其中所述還原劑為二曱胺硼烷(DMAB)或氬硼化物，并且所述穩(wěn)定 劑為選自由咪唑、噻唑、三唑、二硫化物以及它們的衍生物組成的組 中的一種或多種化合物。本發(fā)明的另一實(shí)施方案提供一種特征在于浸入到或噴涂所述鈷基 合金化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍法以及一種使用該法制備的薄膜。 在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明。因?yàn)槌Ｒ?guī)還原劑在銅的表面上不容易被氧化、施鍍困難，所以包 括次磷酸鹽的常規(guī)還原劑不適合通過(guò)鈷基合金化學(xué)鍍?cè)阢~布線的上部形成覆蓋層。因此，在銅的表面上很容易被氧化的二曱胺硼烷(DMAB ) 或氫硼化物需要作為還原劑形成覆蓋層。然而，由于使用還原劑施鍍 必須在高溫下進(jìn)行，而這會(huì)降低化學(xué)穩(wěn)定性，因而使用DMAB或氫硼 化物作為還原劑增加了自溶的可能性。因此，本發(fā)明通過(guò)向鈷基合金 化學(xué)鍍液中加入穩(wěn)定劑設(shè)法抑制自溶。本發(fā)明所述鈷基合金化學(xué)鍍液包含鈷前驅(qū)體、鵠前驅(qū)體、磷前 驅(qū)體、還原劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和穩(wěn)定劑，其中所述還原劑為二曱 胺硼烷(DMAB)或氫硼化物，并且所述穩(wěn)定劑為選自由咪唑、瘞唑、 三唑、二疏化物以及它們的衍生物組成的組中的 一種或多種化合物。所述鈷前驅(qū)體是選自由硫酸鈷、氯化鈷和硫酸4古銨(cobalt ammonium sulphate)組成的組中的 一種或多種化合物。這些化合物中， 優(yōu)選七水石克酸鈷?？紤]反應(yīng)速度和施鍍時(shí)間，所述鈷前驅(qū)體的優(yōu)選含 量為0.5~5.0g/L。所述鴒前驅(qū)體是選自由鵠酸銨、鴒酸鈉和四曱基鴒酸銨 (tetramethyl ammonium tungstate)組成的組中的一種或多種化合物，且 這些化合物中優(yōu)選鴒酸銨。所述鴒前驅(qū)體的含量可被控制以調(diào)節(jié)覆蓋 層的組分，且所述鵠前驅(qū)體的優(yōu)選含量為0.1 ~ 1.0g/L。所述磷前驅(qū)體是選自由次磷酸銨、磷酸二氬銨和磷酸組成的組中 的一種或多種化合物，且這些化合物中優(yōu)選磷酸二氫銨。所述磷前驅(qū)體的含量可被控制以調(diào)節(jié)覆蓋層的組分，且所述磷前驅(qū)體的優(yōu)選含量為1.0 5,0g/L。所述還原劑是提供通過(guò)氧化還原金屬離子所必需電子的化合物。 這里所述的還原劑為二曱胺硼烷(DMAB)或氬硼化物?？紤]反應(yīng)速 度和施鍍時(shí)間，以及所述鍍液的穩(wěn)定性，所述還原劑的優(yōu)選含量為0.5 ~10.0g/L,且更優(yōu)選為3.0-5.0 g/L。所述絡(luò)合劑是在化學(xué)鍍液中與金屬離子形成絡(luò)合物以穩(wěn)定金屬離 子的化合物，其可以是選自由檸檬酸、檸檬酸銨、檸檬酸鈉、四曱基 才寧4蒙酸銨(tetramethyl ammonium citrate)和乙二胺四乙酸(EDTA)組成 的組中的一種或多種化合物。這些化合物中，優(yōu)選檸檬酸(無(wú)水)。所 述絡(luò)合劑的優(yōu)選含量為3.0 ~ 15.0 g/L。所述pH調(diào)節(jié)劑在調(diào)節(jié)化學(xué)鍍液的羥基化作用以保持反應(yīng)合適的 pH中起作用，且為選自由氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨和氫氧化四甲 基銨(TMAH)組成的組中的一種或多種化合物。這些化合物中，優(yōu) 選氫氧化四曱基銨(TMAH)。所述pH調(diào)節(jié)劑的優(yōu)選含量為10 ~ 40 mL/L。所述穩(wěn)定劑在化學(xué)鍍液中與金屬離子形成絡(luò)合物抑制金屬粒子的 生成，或被吸收到金屬粒子的表面上抑制金屬粒子的生長(zhǎng)，致使所述 化學(xué)鍍液的穩(wěn)定性提高?；瘜W(xué)鍍液中包含的所述穩(wěn)定劑在抑制高溫下的自溶和長(zhǎng)期保持溶 液性質(zhì)以使所述溶液穩(wěn)定方面起作用，使化學(xué)鍍反應(yīng)速度的減速最小 化，由此在銅薄膜上形成鈷基合金薄膜。所述穩(wěn)定劑為選自由咪唑、噻唑、三唑、二硫化物以及它們的衍 生物組成的組中的一種或多種化合物。為了使施鍍速度的減速最小化， 優(yōu)選使用4，5-二碌^代辛烷-1,8-二磺酸(4，5-^1;1^0(^1^-1,8-disulfonic acid)(SPS )、 3-(2-苯并p塞唑辟b代)-l-丙磺酸(3-(2-benzothiazolethio)陽(yáng)l-propane sulfonic acid)、 N，N-二曱基二硫代氨基曱酸(3-磺丙基)面旨(N，N-dimethyl dithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester) (DPS)或3-悉t基-l-丙石黃酸鹽 (3-mercapto-l-propanesulfonate) (MPSA)。在鈷基合金化學(xué)鍍液中，所 述穩(wěn)定劑的優(yōu)選含量為0.001 mg/L~ 1 g/L。所述鈷基合金化學(xué)鍍液的優(yōu)選pH為8 ~ 10。本發(fā)明所述化學(xué)鍍法的特征在于浸入到或噴涂所述鈷基合金化 學(xué)鍍液。在半導(dǎo)體布線的工藝中，銅布線被電鍍到通過(guò)刻蝕形成的鑲嵌結(jié) 構(gòu)(damascene structure)上。如所述形成的銅的表面纟皮平坦化/人而4吏其光 滑。但是，如果其上面實(shí)施化學(xué)鍍的銅的表面被氧化過(guò)或包含雜質(zhì)， 所述化學(xué)鍍將不能滿意地完成。因此，在化學(xué)鍍之前必須通過(guò)半導(dǎo)體 清洗工藝除去銅氧化物或雜質(zhì)。因此，本發(fā)明的化學(xué)鍍法另外包括在 平坦化之后清洗在其上面將進(jìn)行化學(xué)鍍的銅基片的預(yù)處理步驟。本發(fā)明所述化學(xué)鍍法通過(guò)將作為覆蓋層基底的基片浸漬到化學(xué)鍍 液中后放置一定的時(shí)間，或?qū)⒒瘜W(xué)鍍液噴涂到作為覆蓋層基底的基片 上而完成。通過(guò)使用包含穩(wěn)定劑的所述鈷基合金化學(xué)鍍液，本發(fā)明的化學(xué)鍍 法可以降低化學(xué)鍍速度。因此，優(yōu)選在銅薄膜上快速形成鈷基合金薄 膜，同時(shí)保持溶液穩(wěn)定并將化學(xué)鍍速度的減速最小化?；瘜W(xué)鍍反應(yīng)溫度是影響化學(xué)鍍液穩(wěn)定性和施鍍速度的決定性因 素。溫度越高，穩(wěn)定性越低且施鍍速度變得越快。相反，溫度越低， 穩(wěn)定性越高且施鍍速度變得越慢。根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)鍍法，利用化學(xué)鍍液在基片上形成覆蓋層的優(yōu) 選溫度為15 95°C,且更優(yōu)選70 90。C。所述化學(xué)鍍過(guò)程的持續(xù)時(shí)間取決于所述鈷基合金薄膜的厚度。也 就是說(shuō)，根據(jù)將要制備的鈷基合金薄膜的厚度，所述化學(xué)鍍時(shí)間將為1小時(shí)以?xún)?nèi)，或優(yōu)選10分鐘以?xún)?nèi)，且更優(yōu)選2分鐘以?xún)?nèi)。根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)鍍法，可以調(diào)節(jié)在基片上形成的鈷基合金薄膜 的厚度。鈷基合金薄膜的優(yōu)選厚度為至多100 nm，且更優(yōu)選為至多10 nm。


參照附圖將更好地理解本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的應(yīng)用，其中圖1為通過(guò)使用實(shí)施例1的包含SPS的鈷基合金化學(xué)鍍液形成的 鈷基合金薄膜的TEM照片。圖2為通過(guò)使用實(shí)施例2的包含3-(2-苯并噻唑硫代)-l-丙磺酸的鈷 基合金化學(xué)鍍液形成的鈷基合金薄膜的TEM照片。
具體實(shí)施方式
如下述的實(shí)施例中所示，將對(duì)本發(fā)明實(shí)用的和目前優(yōu)選的實(shí)施方 式進(jìn)行舉例說(shuō)明。然而，考慮到本公開(kāi)內(nèi)容，可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明 的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)可以進(jìn)行4奮改和改進(jìn)。[實(shí)施例]實(shí)施例1<鈷基合金化學(xué)鍍液的制備>將O.Ol M七水碌b酸鈷、0.04 M杵檬酸、0.5 g/L鴒酸銨、0.06 M DMAB和0.03 M磷酸二氪鹽混合，并通過(guò)^f吏用TMAH將混合物的pH 調(diào)節(jié)到9。將0.01 g/L SPS作為穩(wěn)定劑加入混合物中以制備具有改善的 穩(wěn)定性的鈷基合金化學(xué)鍍液。將制備的化學(xué)鍍液在95。C的水浴中加熱。30分鐘后溶液的溫度達(dá) 到9(TC，且該溶液可穩(wěn)定12小時(shí)以上。 <鈷基合金化學(xué)鍍薄膜的制備>制備平坦化的銅線基片用于鈷基合金化學(xué)鍍。將制備的基片浸入 到氨溶液(1:200)中30秒除去基片表面上生成的銅氧化物。然后用蒸 餾水洗滌基片除去殘留的雜質(zhì)。將制備的基片浸入到保持在90。C的鈷基合金化學(xué)鍍液中1分鐘， 從而完成所述鈷基合金化學(xué)鍍法。圖1為制備的化學(xué)鍍薄膜的TEM照片。在圖1中，(a)表示通過(guò) 所述化學(xué)鍍形成的鈷基合金薄膜，(b)表示銅薄膜。如圖1所示，通 過(guò)使用穩(wěn)定的鈷基合金化學(xué)鍍液制備具有優(yōu)異表面性質(zhì)的40 nm厚的 化學(xué)鍍薄膜。實(shí)施例2<鈷基合金化學(xué)鍍液的制備>除了加入0.01 g/L 3-(2-苯并嗥唑硫代)-l-丙磺酸作為穩(wěn)定劑之外， 以與實(shí)施例1中描述的相同的方式制備鈷基合金化學(xué)鍍液。將制備的化學(xué)鍍液在84。C的水浴中加熱。30分鐘后溶液的溫度達(dá) 到80°C,且該溶液可穩(wěn)定12小時(shí)以上。<鈷基合金化學(xué)鍍薄膜的制備>除了使用實(shí)施例2中制備的鈷基合金化學(xué)鍍液以及將其保持在 8CTC之外，以與實(shí)施例1中描述的相同的方式完成實(shí)驗(yàn)。圖2為制備的化學(xué)鍍薄膜的TEM照片。在圖2中，(a)表示通過(guò) 化學(xué)鍍形成的鈷基合金薄膜，(b)表示銅薄膜，(c)表示擴(kuò)散阻擋層 以及(d)表示硅片基片。如圖2所示，通過(guò)使用穩(wěn)定的鈷基合金化學(xué) 鍍液制備出具有優(yōu)異表面性質(zhì)的37nm厚的化學(xué)鍍薄膜。比舉交實(shí)施例1<鈷基合金化學(xué)鍍液的制備>除了不使用實(shí)施例1中使用的穩(wěn)定劑之外，以與實(shí)施例1中描述 的相同的方式制備鈷基合金化學(xué)鍍液。將制備的化學(xué)鍍液在95。C的水浴中加熱。加熱開(kāi)始20分鐘后，溶 液中開(kāi)始生成氣泡，可觀察到自溶，且反應(yīng)生成灰色沉淀。 <鈷基合金化學(xué)鍍薄膜的制備>除了使用比較實(shí)施例1中制備的鈷基合金化學(xué)鍍液以及將其保持 在90。C之外，以與實(shí)施例1中描述的相同的方式完成實(shí)驗(yàn)。結(jié)果，在反應(yīng)器的底部發(fā)現(xiàn)自溶引起的灰色沉淀且沒(méi)有形成薄膜。 比4交實(shí)施例2<鈷基合金化學(xué)鍍液的制備>除了不使用實(shí)施例1中使用的穩(wěn)定劑之外，以與實(shí)施例1中描述 的相同的方式制^4古基合金化學(xué)鍍液。將制備的化學(xué)鍍液在84。C的水浴中加熱。加熱開(kāi)始20分鐘后，溶 液中開(kāi)始生成氣泡，可觀察到自溶，且反應(yīng)生成灰色沉淀。<鈷基合金化學(xué)鍍薄膜的制備>除了使用比較實(shí)施例2中制備的鈷基合金化學(xué)鍍液以及將其保持 在80。C之外，以與實(shí)施例1中描述的相同的方式完成實(shí)驗(yàn)。結(jié)果，在反應(yīng)器的底部發(fā)現(xiàn)自溶引起的灰色沉淀且沒(méi)有形成薄膜。 工業(yè)實(shí)用性如上文所述，本發(fā)明提供一種具有優(yōu)異穩(wěn)定性的鈷基合金化學(xué)鍍 液，其能夠重復(fù)使用多次，且不形成沉淀，由此避免金屬薄膜性質(zhì)的 劣化。此外，本發(fā)明提供一種使用上述溶液的化學(xué)鍍法以及使用該法 制備的鈷基合金薄膜。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在先前的說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的概念和具體 實(shí)施方式可被容易地用作修改或設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明相同目的的其它實(shí)施 方式的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以理解，這些等效的實(shí)施方式不脫 離所附權(quán)利要求書(shū)所述的發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1、一種鈷基合金化學(xué)鍍液，其包含鈷前驅(qū)體、鎢前驅(qū)體、磷前驅(qū)體、還原劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和穩(wěn)定劑，其中，所述還原劑為二甲胺硼烷(DMAB)或氫硼化物，并且所述穩(wěn)定劑為選自由咪唑、噻唑、三唑、二硫化物以及它們的衍生物組成的組中的一種或多種化合物。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述鈷前驅(qū) 體是選自由硫酸鈷、氯化鈷和硫酸鈷銨組成的組中的一種或多種化合 物。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述鴒前驅(qū) 體是選自由鎢酸銨、鎢酸鈉和四曱基鎢酸銨組成的組中的一種或多種 化合物。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述磷前驅(qū) 體是選自由次磷酸銨、磷酸二氫銨和磷酸組成的組中的一種或多種化 合物。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述絡(luò)合劑 是選自由檸檬酸、檸檬酸銨、檸檬酸鈉、四曱基檸檬酸銨和乙二胺四 乙酸(EDTA)組成的組中的一種或多種化合物。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述pH調(diào) 節(jié)劑是選自由氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨和氫氧化四曱銨(TMAH) 組成的組中的 一種或多種化合物。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述鈷基合 金化學(xué)鍍液的pH為8 10。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述穩(wěn)定劑 選自由4,5-二硫代辛烷-1，8-二磺酸(SPS )、 3-(2-苯并噻唑硫代)-l-丙磺酸、N,N-二曱基二硫代氨基曱酸(3-磺丙基)酯(DPS)和3-巰基-l-丙磺 酸鹽(MPSA)組成的組中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷基合金化學(xué)鍍液，其中，所述鈷基合 金化學(xué)鍍液中穩(wěn)定劑的含量為0.001 mg/L~ 1 g/L。
10、 一種化學(xué)鍍法，其特征在于，使用權(quán)利要求1所述的鈷基合 金化學(xué)鍍液。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，所述化學(xué)鍍的特征 在于，將在其上面將形成覆蓋層的基片浸入到所述鈷基合金化學(xué)鍍液 中形成覆蓋層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，所述化學(xué)鍍的特征 在于，將所述鈷基合金化學(xué)鍍液噴涂到在其上面將形成覆蓋層的基片 上。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，所述化學(xué)鍍是在15 95。C下使用所述鈷基合金化學(xué)鍍液完成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，所述化學(xué)鍍的持續(xù) 時(shí)間為至多1小時(shí)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，所述化學(xué)鍍法另外 包括在平坦化過(guò)程之后清洗銅表面的預(yù)處理步驟。
16、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法，其中，通過(guò)所述化學(xué)鍍形 成的鈷基合金薄膜的厚度為至多100 nm。
17、 一種鈷基合金薄膜，其通過(guò)權(quán)利要求IO所述的化學(xué)鍍法制備。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鈷基合金化學(xué)鍍液，其包含鈷前驅(qū)體、鎢前驅(qū)體、磷前驅(qū)體、還原劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和穩(wěn)定劑，其中所述還原劑為二甲胺硼烷(DMAB)或氫硼化物，并且所述穩(wěn)定劑為選自由咪唑、噻唑、三唑、二硫化物以及它們的衍生物組成的組中的一種或多種化合物；以及使用所述鈷基合金化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍法，和通過(guò)該法制備的薄膜。根據(jù)本發(fā)明，所述鈷基合金鍍液對(duì)于長(zhǎng)期重復(fù)使用足夠穩(wěn)定，且通過(guò)抑制沉淀生成避免金屬薄膜質(zhì)量的劣化。本發(fā)明進(jìn)一步提供使用所述鈷基合金化學(xué)鍍液的化學(xué)鍍法，和通過(guò)該法制備的鈷基合金薄膜。
文檔編號(hào)C23C18/54GK101336309SQ200680051913
公開(kāi)日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者李商哲, 金珉均, 高敏鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社