專利名稱：研磨墊的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的研磨工藝，具體地說，涉及一種研磨墊的清 洗方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是半導(dǎo)體器件制造的重 要工藝?；瘜W(xué)機械研磨就是把晶圓放在旋轉(zhuǎn)的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力， 用化學(xué)研磨液(slurry)來研磨的。研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles),以及能 對被研磨膜起化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)溶液組成。在半導(dǎo)體器件的整個制造過程中大部 分的CMP步驟都是使用帶有溝槽的研磨墊進行的，研磨墊上的溝槽是用來使研 磨液在研磨墊上達到均勻分布。
但是半導(dǎo)體器件某些表面如鋁鏡表面(aluminum mirror)不僅要求平整度而 且要求光滑度，需要具有較高的反射率。采用帶有溝槽的研磨墊在研磨過程中 會在晶圓被研磨層表面形成波痕(Murat)。為了提高被研磨表面的光滑度，常 常采用無溝槽研磨墊進行CMP步驟。進行CMP步驟后發(fā)現(xiàn)無溝槽研磨墊表面 形成大量的殘留物結(jié)塊，大部分結(jié)塊的直徑具有2-5微米，而研磨液的研磨顆粒 的平均直徑為50納米。為避免對后續(xù)工序的影響，需要清洗研磨墊將結(jié)塊去掉， 但是發(fā)現(xiàn)采用現(xiàn)有方法很難將上述結(jié)塊去掉，不管是增加去離子水的清洗力還 是增加清洗的時間，都無法4艮好地改善上述情況。
有鑒于此，需要提供一種新的研磨墊的清洗方法以改善上述情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種可有效去除研磨塾殘留物的清洗方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種研磨墊的清洗方法，該清洗方法
使用高于常溫的去離子水對研磨墊的研磨表面進行清洗，去除研磨表面的殘留 雜質(zhì)。
所述研磨墊的研磨表面是平滑的。
使用溫度為23-40攝氏度的去離子水進行清洗。 使用溫度為40攝氏度的去離子水進行清洗步驟。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明清洗方法采用熱的去離子水對研磨表面進行清洗， 有效地去除了結(jié)塊等等殘留物，避免了在后續(xù)工序中對晶圓的被研磨表面造成 刮傷等缺陷。


圖1為實施本發(fā)明清洗方法的清洗機臺的示意圖。
具體實施例方式
以下對本發(fā)明研磨墊的清洗方法的較佳實施例作進一步詳細描述。 請參閱圖l，本實施例的研磨墊的清洗方法包括提供研磨墊2，該研磨墊 為無溝槽研磨墊2，具有光滑的研磨表面；采用高于常溫的去離子水對研磨表面 進行清洗，將對晶圓進行機械研磨步驟后殘留在研磨表面的結(jié)塊以及其他殘留 物去掉。所述常溫一般是指20-25攝氏度。進一步地，清洗步驟所使用的去離 子水還可以是23-40攝氏度之間的任意溫度。另外，當(dāng)使用的去離子水的溫度 為40攝氏度時，可以達到最好的去除效果，在顯微鏡下觀察，研磨墊的研磨表 面基本上沒有結(jié)塊等殘留物。
上述清洗方法是在清洗機臺上實施的，清洗機臺具有旋轉(zhuǎn)臺1，旋轉(zhuǎn)臺l上 放置上述研磨墊2。該清洗機臺還包括預(yù)熱裝置5及控制去離子水流量的閥門4。 所述去離子水在預(yù)熱裝置5內(nèi)加熱到預(yù)設(shè)溫度，通過輸送管道3,到達噴嘴30 處對研磨墊2的研磨表面進行沖洗。上述預(yù)設(shè)裝置5可以是存放去離子水的收 容室，也可以僅僅是個加熱器，當(dāng)去離子水流過該加熱器時,去離子便被加熱 到預(yù)定溫度。
對于研磨表面光滑的研磨墊來說，采用現(xiàn)有的清洗方法很難將殘留物去除， 但采用本發(fā)明的清洗方法通過熱去離子水來清洗的方法可有效去除結(jié)塊等殘留
物，避免了在后續(xù)工序中晶圓的被研磨表面的造成刮傷等缺陷。使得采用具有 平滑表面的研磨墊對晶圓反射率要求較高的表面進行研磨成為可能。本發(fā)明的 清洗方法不限于清洗研磨表面光滑的研磨墊，若研磨墊表面溝槽較少，采用現(xiàn) 有方法難以取得較好清洗效果時，也可以采用本發(fā)明的清洗方法清洗。
權(quán)利要求
1.一種研磨墊的清洗方法，其特征在于使用高于常溫的去離子水對研磨墊的研磨表面進行清洗，去除研磨表面的殘留雜質(zhì)。
2. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述研磨墊的研磨表面是平滑 的。
3. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于使用溫度為23-40攝氏度的去 離子水進行清洗。
4. 如權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于使用溫度為40攝氏度的去離子 水進行清洗步驟。
5. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述清洗方法在清洗機臺上實 施，該清洗機臺包括有預(yù)熱裝置，其將所述去離子水加熱到高于常溫的某一溫度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種研磨墊的清洗方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的研磨工藝。該清洗方法使用高于常溫的去離子水對研磨墊的研磨表面進行清洗，去除研磨表面的殘留雜質(zhì)。所述研磨表面是平滑的。相較現(xiàn)有技術(shù)的清洗方法，本發(fā)明的清洗方法更有效地去除結(jié)塊等殘留物，避免了在后續(xù)工序中對晶圓的被研磨表面造成刮傷。
文檔編號B24B37/34GK101347922SQ20071004386
公開日2009年1月21日 申請日期2007年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月17日
發(fā)明者馮永剛, 張復(fù)雄, 虞肖鵬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司