專(zhuān)利名稱(chēng)：調(diào)整蝕刻偏差的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅形成制程，尤其涉及一種調(diào)整蝕刻偏差的方法。
背景技術(shù)：
多晶硅形成制程包括多晶硅光刻(Polyphoto),蝕刻前預(yù)烤(Hardbake), 抗反射涂層蝕刻(ARC etch)，多晶硅蝕刻(Poly etch),光阻去除(Asher)以 及濕式蝕刻(Wet strip )。
光刻后特定圖形尺寸的大小通過(guò)ADI( After Develop inspection) CD( Critical Dimension)表征，AEI (After ETCH inspection) CD是蝕刻后介質(zhì)層尺寸的大 小。ADICD與AEICD的差值得到是蝕刻偏差(Etchbias)。
在實(shí)際的蝕刻制程中，影響蝕刻偈差的因素主要是光罩透光率(Mask transmissionrate)和多晶硅蝕刻制程，其中，光罩透光率與光罩設(shè)計(jì)相關(guān)， 一般 進(jìn)入制程無(wú)法對(duì)光罩透光率進(jìn)行調(diào)整；關(guān)于調(diào)整多晶硅蝕刻制程的參數(shù)也可以 改變蝕刻偏差，然而，改動(dòng)多晶硅蝕刻制程的參數(shù)很有可能會(huì)影響最后多晶硅 的形狀。在現(xiàn)有制程中，為了保證生產(chǎn)狀況穩(wěn)定，并且調(diào)整蝕刻偏差達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)， 通常調(diào)整光刻后的ADICD改變蝕刻偏差，這種方法的缺陷在于，如果遇到蝕刻 偏差十分大的產(chǎn)品，它的偏差值的浮動(dòng)也會(huì)十分大，會(huì)導(dǎo)致當(dāng)ADI CD穩(wěn)定時(shí) 候AEI CD的結(jié)果浮動(dòng)仍然很大，最終會(huì)影響電性參數(shù)的浮動(dòng)也4艮大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其可以有效減小蝕刻偏差。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其中，調(diào)整抗反 射涂層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)調(diào)整多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的 大小。降低抗反射涂層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)增加多晶硅蝕刻后
形成圖形尺寸的大小，以減小蝕刻偏差。蝕刻偏差是光刻后圖形尺寸的大小與 蝕刻后圖形尺寸的大小的差值。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)改變蝕刻抗反射涂層中蝕刻氣體的含氧量就 可以控制蝕刻后圖形的尺寸，從而達(dá)到有效控制蝕刻偏差的效果，而且，不會(huì) 影響到多晶硅的塑型，所以采用該方法生產(chǎn)的穩(wěn)定性4艮好。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種新方法來(lái)調(diào)整蝕刻偏差。完整的多晶硅形成制程包括多晶
硅光刻(Poly photo )，蝕刻前預(yù)烤(Hardbake),抗反射涂層蝕刻(ARC etch )， 多晶硅蝕刻(Poly etch),光阻去除(Asher)以及濕式蝕刻(Wet strip )。蝕刻偏 差是光刻后圖形尺寸的大小ADI CD與蝕刻后圖形尺寸的大小AEI CD的差值。
本發(fā)明通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)證明，在光刻后圖形尺寸的大小和多晶硅蝕刻的參數(shù) 均相同的前提下，蝕刻后圖形尺寸的大小與抗反射涂層蝕刻有關(guān)系，即抗反射 涂層蝕刻會(huì)影響蝕刻偏差。
經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，在蝕刻抗反射涂層過(guò)程中充入蝕刻氣體中的含氧量對(duì)蝕刻偏 差有很大影響，蝕刻氣體含氧量高會(huì)使抗反射涂層蝕刻速率更快，所以.蝕刻后 圖形的尺寸要偏小，則會(huì)導(dǎo)致在后續(xù)多晶蝕刻制程中，蝕刻后圖形的尺寸變小， 即蝕刻后圖形尺寸的大小偏小，從而影響最后蝕刻偏差。如果含氧量小則會(huì)讓 圖形尺寸相反方向變化。
基于本發(fā)明的上述原理，當(dāng)制程中發(fā)現(xiàn)蝕刻偏差很大的時(shí)候，可以通過(guò)降 低蝕刻抗反射涂層的氣體中的含氧量，使蝕刻抗反射涂層后的圖形尺寸增大， 則多晶硅在抗反射涂層被蝕刻掉的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，則會(huì)增加多晶硅蝕刻后圖形 的尺寸，即增加了蝕刻后圖形尺寸的大小，有效減少了蝕刻偏差，使生產(chǎn)達(dá)到 很好的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其特征在于:調(diào)整抗反射涂層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)調(diào)整多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大小。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其特征在于降低抗反射涂 層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)增加多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大 小，以減小蝕刻偏差。
3、 如權(quán)利要求1所述的一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其特征在于蝕刻偏差是光 刻后圖形尺寸的大小與蝕刻后圖形尺寸的大小的差值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種調(diào)整蝕刻偏差的方法，其中，調(diào)整抗反射涂層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)調(diào)整多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大小。降低抗反射涂層蝕刻過(guò)程中充入蝕刻氣體的含氧量來(lái)增加多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大小，以減小蝕刻偏差。蝕刻偏差是光刻后圖形尺寸的大小與蝕刻后圖形尺寸的大小的差值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)改變蝕刻抗反射涂層中蝕刻氣體的含氧量就可以控制蝕刻后圖形的尺寸，從而達(dá)到有效控制蝕刻偏差的效果，而且，不會(huì)影響到多晶硅的塑型，所以采用該方法生產(chǎn)的穩(wěn)定性很好。
文檔編號(hào)C23F1/12GK101372745SQ20071004504
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月20日
發(fā)明者歡 候, 喻 劉, 隆 呂, 王勁松, 陳泰江, 穎 靳 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司