專(zhuān)利名稱(chēng)：金屬用研磨液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與半導(dǎo)體器件的制造相關(guān)的金屬用研磨液，特別是涉及半導(dǎo)體器件的布線(xiàn)工序中的金屬用研磨液及使用該研磨液的研磨方法。
背景技術(shù)：
在以半導(dǎo)體集成電路(以下記為L(zhǎng)SI)為代表的半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)中，為了實(shí)現(xiàn)小型化、高速化，近年來(lái)一直需要通過(guò)布線(xiàn)的微細(xì)化和層合化來(lái)達(dá)到高密度化、高集成化。作為達(dá)到該目的的技術(shù)，一直是采用對(duì)絕緣性薄膜(SiO2等)及布線(xiàn)中使用的金屬薄膜進(jìn)行研磨，達(dá)到基板的平滑化及除去布線(xiàn)形成時(shí)的多余金屬薄膜的化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical MechanicalPolishing，以下記為CMP)等各種技術(shù)。該CMP是實(shí)施層間絕緣膜等被加工膜的表面平坦化、形成插頭、形成埋入式金屬布線(xiàn)等時(shí)的必要技術(shù)，使基板達(dá)到了平滑化和除去了形成布線(xiàn)時(shí)多余的金屬薄膜。該技術(shù)例如公開(kāi)于專(zhuān)利文獻(xiàn)1中。
CMP的常規(guī)方法是，在圓形的研磨盤(pán)(壓板)上粘貼研磨墊，用研磨液浸漬研磨墊表面，向研磨墊按壓晶圓基板(wafer)表面，并在其背面施加規(guī)定的壓力(研磨壓力)，在此狀態(tài)下使研磨盤(pán)和晶圓基板均旋轉(zhuǎn)，通過(guò)產(chǎn)生的機(jī)械摩擦使晶圓基板表面達(dá)到平坦化。
CMP中使用的金屬用研磨溶液通常含有磨粒(例如氧化鋁、二氧化硅)和氧化劑(例如過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸)，一般認(rèn)為是通過(guò)以下方式進(jìn)行研磨的，即，用氧化劑來(lái)氧化金屬表面，再用磨粒除去該氧化膜。
作為布線(xiàn)用金屬，一直以來(lái)在互連結(jié)構(gòu)體中通常使用鎢和鋁。但是，為了達(dá)到更高的性能，采用與這些金屬相比布線(xiàn)電阻更低的銅的LSI得到了開(kāi)發(fā)。作為用銅布線(xiàn)的方法，已知的是例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的金屬鑲嵌法。另外，在層間絕緣膜上同時(shí)形成連接孔和布線(xiàn)用溝槽，在兩者中埋入金屬的雙重金屬鑲嵌法得到了廣泛地應(yīng)用。在這種銅布線(xiàn)用靶材料中，有五個(gè)九以上的高純銅材料出售。但是，近年來(lái)伴隨著指向更高密度化的布線(xiàn)細(xì)微化，需要提高銅布線(xiàn)的導(dǎo)電性及電子特性等，與此相伴，也已開(kāi)始研究使用在高純銅中添加微量銀等第三種成分而形成的銅合金。同時(shí)，還需要可以在不污染這些高精細(xì)、高純度材料的情況下發(fā)揮高生產(chǎn)性的高速金屬研磨裝置。在銅金屬的研磨中，由于其為特別軟的金屬，易出現(xiàn)研磨金屬面不是平面狀，僅中心部位得到了較深入的研磨，產(chǎn)生皿狀凹處的現(xiàn)象(dishing)，金屬配線(xiàn)間的絕緣體受到了超過(guò)需要的研磨，且多個(gè)布線(xiàn)金屬表面形成皿狀凹部的現(xiàn)象(erosion)，研磨損傷(scratch)等，需要精度越來(lái)越高的研磨技術(shù)。
另外，最近為了提高生產(chǎn)性，LSI制造時(shí)的晶片直徑越來(lái)越大型化，現(xiàn)在常用的是直徑在200mm以上的晶片，并且已開(kāi)始用300mm以上的尺寸進(jìn)行制造。伴隨著這種晶片尺寸的大型化，晶片中心部分和周邊部分的研磨速度易產(chǎn)生差異，對(duì)于晶片面內(nèi)的研磨均勻性有越來(lái)越嚴(yán)格的要求。
作為對(duì)于銅及銅合金不施用機(jī)械研磨手段的化學(xué)研磨方法，已知的是專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載的方法。但是，僅利用化學(xué)溶解作用的化學(xué)研磨方法與對(duì)突出部位的金屬膜進(jìn)行選擇性地化學(xué)機(jī)械研磨的CMP相比，由于會(huì)發(fā)生凹部的切入，即表面凹陷等情況，因此在平面性上存在較大問(wèn)題。與此相對(duì)，為了抑制過(guò)度的化學(xué)溶解，往往要使用苯并三唑等防蝕劑，但是會(huì)出現(xiàn)研磨速度受到抑制的問(wèn)題。
美國(guó)專(zhuān)利4944836號(hào)說(shuō)明書(shū)[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]特開(kāi)平2-278822號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)3]特開(kāi)昭49-122432號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供在能夠以高研磨速度對(duì)包括銅在內(nèi)的金屬等進(jìn)行研磨且表面凹陷低的化學(xué)機(jī)械研磨中使用的金屬用研磨液。
針對(duì)上述金屬用研磨液中涉及的問(wèn)題，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過(guò)下述方式可以使問(wèn)題得到解決，從而完成了發(fā)明。
(1)金屬用研磨液，其用于半導(dǎo)體器件制造中的化學(xué)機(jī)械研磨，該研磨液含有至少一種下述通式(A)表示的化合物，和至少一種下述通式(B)或通式(C)表示的化合物。
化1
式中，R1、R2、R3、R4及R5各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基，乙基、苯基、氨基、磺基、羧基、氨甲基、羧甲基、磺基甲基、鄰氨基苯基、間氨基苯基、對(duì)氨基苯基、鄰羧基苯基、間羧基苯基、對(duì)羧基苯基、鄰磺基苯基、間磺基苯基、對(duì)磺基苯基。
(2)(1)中所述的金屬用研磨液，其特征在于含有膠態(tài)二氧化硅，該膠態(tài)二氧化硅表面的硅原子的至少一部分被鋁原子取代。
(3)(2)中所述的金屬用研磨液，其特征在于膠態(tài)二氧化硅的初始粒徑為10～60nm。
(4)(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其pH值為2～7。
(5)(2)～(4)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于金屬用研磨液中的膠態(tài)二氧化硅的濃度為0.001～0.5質(zhì)量％。
(6)(1)～(5)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于含有分子中具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物。
(7)(6)中所述的金屬用研磨液，其特征在于，在(6)中所述的分子中具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物中，該氨基中的至少一個(gè)為仲氨基或叔氨基。
(8)(1)～(7)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于含有烷基季銨化合物。
(9)上述(1)～(8)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其中被研磨的金屬為銅或銅合金。
(10)通過(guò)使用上述(1)～(9)中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液的化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行研磨而形成的半導(dǎo)體集成電路用基板。
具體實(shí)施例方式
以下，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明的金屬用研磨液含有至少一種通式(A)的化合物。
化2
式中，R1表示氫原子、甲基，乙基、苯基、氨基、磺基、羧基、氨甲基、羧甲基、磺基甲基、鄰氨基苯基、間氨基苯基、對(duì)氨基苯基、鄰羧基苯基、間羧基苯基、對(duì)羧基苯基、鄰磺基苯基、間磺基苯基、或?qū)腔交?br> 優(yōu)選氫原子、氨基、氨甲基、羧甲基、磺基甲基。更優(yōu)選羧甲基、磺基甲基。
本發(fā)明的金屬用研磨液在含有通式(A)的化合物的同時(shí)，還含有至少一種通式(B)或通式(C)的化合物。
化3
式中，R2、R3、R4及R5各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基，乙基、苯基、氨基、磺基、羧基、氨甲基、羧甲基、磺基甲基、鄰氨基苯基、間氨基苯基、對(duì)氨基苯基、鄰羧基苯基、間羧基苯基、對(duì)羧基苯基、鄰磺基苯基、間磺基苯基、或?qū)腔交?br> 優(yōu)選氫原子、羧基、氨基、磺基、羧甲基、氨甲基、甲基、苯基。更優(yōu)選羧基、羧甲基。
通式(A)(A-1～A-12)、通式(B)(B-1～B-9)、通式(C)(C-1～C-11)的具體化合物可以例示如下，但并不局限于此。這些化合筘可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。
化4

化5

化6

通式(A)的化合物的添加量?jī)?yōu)選為0.0001～1質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.001～0.1質(zhì)量％。
通式(B)或(C)的化合物的添加量?jī)?yōu)選為0.0001～1質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.001～0.1質(zhì)量％。
僅添加通式(A)的化合物時(shí)，使表面凹陷減少的效果弱，而如果將通式(B)或(C)的化合物與通式(A)的化合物組合使用，則可以極大地減小表面凹陷。本發(fā)明采用這種組合時(shí)，具有特別好的效果。
本發(fā)明的金屬研磨液中使用的至少一部分磨粒優(yōu)選為表面上的硅原子的至少一部分被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅。更優(yōu)選該磨粒是粒子內(nèi)部不含堿金屬等雜質(zhì)的烷氧基硅烷水解得到的膠態(tài)二氧化硅。作為該磨粒的制備方法，例如適宜采用在膠態(tài)二氧化硅的分散液中添加鋁酸鈉等鋁酸化合物的方法，具體來(lái)說(shuō)，其公開(kāi)于日本專(zhuān)利第3463328號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63-123807號(hào)公報(bào)中。作為其它的方法，可以采用添加烷氧基鋁的方法等。作為通過(guò)上述方法制造的膠態(tài)二氧化硅，由4配位的鋁酸離子和膠態(tài)二氧化硅表面的硅醇基反應(yīng)生成的硅酸鋁位點(diǎn)固定了負(fù)電荷，為粒子提供了負(fù)性大的Z電位，從而使其即使在酸性條件下也具有優(yōu)異的分散性。因此，對(duì)于通過(guò)上述方法制造的該膠態(tài)二氧化硅來(lái)說(shuō)，鋁原子以由四個(gè)氧原子配位的狀態(tài)存在是重要的，這與被覆有鋁原子通常由6個(gè)氧原子配位的氧化鋁的研磨材料粒子有明顯的不同。
<專(zhuān)利文獻(xiàn)4>日本專(zhuān)利第3463328號(hào)<專(zhuān)利文獻(xiàn)5>日本特開(kāi)昭63-123807號(hào)作為膠態(tài)二氧化硅表面的硅原子被鋁原子取代的量，膠態(tài)二氧化硅的表面原子取代率(導(dǎo)入的鋁原子數(shù)/表面的硅原子數(shù))優(yōu)選為0.001％以上、50％以下，更優(yōu)選為0.01％以上、25％以下，特別優(yōu)選為0.1％以上、10％以下。本發(fā)明的研磨液的pH值優(yōu)選為2至7。另外，在本發(fā)明的研磨液所含的磨粒中，表面硅原子被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅的質(zhì)量比例優(yōu)選為50％以上，特別優(yōu)選為80％以上。表面的硅原子被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅的含量相對(duì)于全部研磨液優(yōu)選為0.001質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下，處于該范圍內(nèi)時(shí)分散性?xún)?yōu)異。進(jìn)一步優(yōu)選0.01質(zhì)量％以下、5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以下、0.5質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0.05質(zhì)量％以下、0.2質(zhì)量％以下。表面的硅原子被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅的初始粒子的尺寸(體積相當(dāng)直徑)優(yōu)選為3nm至200nm，處于該范圍內(nèi)時(shí)分散性?xún)?yōu)異。進(jìn)一步優(yōu)選為5nm至100nm，特別優(yōu)選為10nm至60nm。
作為所含有的除表面的硅被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅之外的磨粒，可以列舉沉降二氧化硅、氣相法制造的二氧化硅(fumed silica)、膠態(tài)二氧化硅、合成二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化錳、碳化硅、聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等，優(yōu)選氣相法制造的二氧化硅、膠態(tài)二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋁、二氧化鈦等，特別優(yōu)選膠態(tài)二氧化硅。作為所含有的除表面的硅被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅之外的磨粒，其尺寸優(yōu)選相對(duì)于表面的硅被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅為等值至2倍。
磨粒的含量?jī)?yōu)選為相對(duì)于所使用的金屬研磨液(使用液)的總質(zhì)量為0.01～20質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05～5質(zhì)量％。
作為與本發(fā)明的膠態(tài)二氧化硅類(lèi)似的公知技術(shù)，例如有特開(kāi)2005-159269號(hào)公報(bào)中對(duì)由氧化鋁包覆的基體粒子構(gòu)成的復(fù)合研磨材料粒子的記載。沒(méi)有記載有關(guān)氧化鋁包覆的基體粒子的制造方法，而美國(guó)專(zhuān)利3007878號(hào)中公開(kāi)了在二氧化硅溶膠中添加鋁鹽的水溶液，在膠體粒子表面包覆氧化鋁，使粒子表面帶正電，從而謀求膠體粒子的分散穩(wěn)定的技術(shù)。即，用氧化鋁包覆的膠態(tài)二氧化硅帶正電。帶正電的研磨材料粒子在中性附近具有零電位，因此存在著調(diào)節(jié)pH值時(shí)易發(fā)生凝集的問(wèn)題，這與本發(fā)明中使用的表面的硅原子的至少一部分被鋁原子取代的膠態(tài)二氧化硅有明顯差異。
<專(zhuān)利文獻(xiàn)6>日本特開(kāi)2005-159269<專(zhuān)利文獻(xiàn)7>美國(guó)專(zhuān)利第3007878號(hào)另外，日本特開(kāi)2003-197573號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了將從硅酸堿水溶液中除去堿的方法制造的膠態(tài)二氧化硅的一部分或全部表面用鋁覆蓋后形成的研磨用膠態(tài)二氧化硅，但是在通過(guò)從硅酸堿水溶液中除去堿的方法制造的膠態(tài)二氧化硅的情況下，存在著粒子內(nèi)部殘留的堿金屬慢慢析出，從而對(duì)研磨性能造成不利影響的問(wèn)題。本發(fā)明中優(yōu)選使用以烷氧基硅烷為原料的膠態(tài)二氧化硅，此時(shí)與專(zhuān)利文獻(xiàn)8的技術(shù)不同。
<專(zhuān)利文獻(xiàn)8>特開(kāi)2003-197573號(hào)[烷基季銨化合物]本發(fā)明的金屬用研磨液中優(yōu)選含有烷基季銨化合物。作為烷基季銨化合物，可以列舉氫氧化四甲基銨、硝酸四甲基銨、氫氧化四乙基銨、硝酸四乙基銨、硝酸硬脂基三甲基銨等，特別優(yōu)選氫氧化四甲基銨。烷基季銨化合物的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上、20質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選0.5質(zhì)量％以上、2質(zhì)量％以下。
本發(fā)明的金屬用研磨液中優(yōu)選含有水溶性聚合物。水溶性聚合物具有減小與被研磨面之間的接觸角的作用，具有促進(jìn)均勻研磨的作用。作為水溶性聚合物，優(yōu)選使用聚丙烯酸銨鹽、聚乙烯醇、琥珀酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物。水溶性聚合物的添加量以總量計(jì)，在研磨中使用的金屬用研磨液1L中優(yōu)選為0.001～10g，更優(yōu)選為0.01～5g，特別優(yōu)選為0.1～3g。即，從獲得充分的效果上考慮，水溶性聚合物的添加量?jī)?yōu)選為0.001g以上，從防止CMP速度降低方面考慮，優(yōu)選為10g以下。另外，這些水溶性聚合物的質(zhì)量平均分子量?jī)?yōu)選為500～100000，特別優(yōu)選為2000～50000。
本發(fā)明的金屬用研磨液中優(yōu)選含有氧化劑。氧化劑是使作為研磨對(duì)象的金屬發(fā)生氧化的化合物。
作為氧化劑，例如可以列舉過(guò)氧化氫、過(guò)氧化物、硝酸、硝酸鹽、碘酸鹽、高碘酸鹽、次氯酸、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、高氯酸鹽、過(guò)硫酸鹽、重鉻酸鹽、高錳酸鹽、臭氧水及銀(II)鹽、鐵(III)鹽。
作為鐵(III)鹽，例如除了硝酸鐵(III)、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)、溴化鐵(III)等無(wú)機(jī)鐵(III)鹽外，還優(yōu)選使用鐵(III)的有機(jī)絡(luò)合物鹽。
在使用鐵(III)的有機(jī)絡(luò)合物鹽的情況下，作為構(gòu)成鐵(III)絡(luò)鹽的配位化合物，例如可以列舉醋酸、檸檬酸、草酸、水楊酸、二乙基二硫代氨基甲酸、琥珀酸、酒石酸、乙醇酸、甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、巰基乙酸、乙二胺、亞丙基二胺、二甘醇、三甘醇、1，2-乙烷二硫醇、丙二酸、戊二酸、3-羥基丁酸、丙酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、3-羥基水楊酸、3，5-二羥基水楊酸、沒(méi)食子酸、安息香酸、馬來(lái)酸等及它們的鹽，此外還有氨基羧酸及其鹽。
作為氨基羧酸及其鹽，可以列舉乙二胺-N，N，N’，N’-四乙酸、二乙撐三胺五乙酸、1，3-二氨基丙烷-N，N，N’，N’-四乙酸、1，2-二氨基丙烷-N，N，N’，N’-四乙酸、乙二胺-N，N’-二琥珀酸(外消旋體)、乙二胺二琥珀酸(SS體)、N-(2-羧基乙基)-L-天冬氨酸(N-(2-carboxylate ethyl)-L-asparaginic acid)、N-(羧甲基)-L-天冬氨酸、β-丙氨酸二乙酸、甲基亞氨基二乙酸、三乙酸胺、環(huán)己烷二胺四乙酸、亞氨基二乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、乙二胺-N，N’-二乙酸、乙二胺鄰羥基苯基乙酸、N，N-雙(2-羥基芐基)乙二胺-N，N-二乙酸等及其鹽。對(duì)應(yīng)鹽的種類(lèi)優(yōu)選堿金屬鹽及銨鹽，特別優(yōu)選銨鹽。
其中，優(yōu)選過(guò)氧化氫、碘酸鹽、次氯酸鹽、氯酸鹽、過(guò)硫酸鹽、鐵(III)的有機(jī)絡(luò)鹽，在使用鐵(III)的有機(jī)絡(luò)鹽的情況下，優(yōu)選的配位化合物可以列舉檸檬酸、酒石酸、氨基羧酸(具體來(lái)說(shuō)，為乙二胺-N，N，N’，N’-四乙酸、二乙撐三胺五乙酸、1，3-二氨基丙烷-N，N，N’，N’-四乙酸、乙二胺-N，N’-二琥珀酸(外消旋體)、乙二胺二琥珀酸(SS體)、N-(2-羧基乙基)-L-天冬氨酸、N-(羧甲基)-L-天冬氨酸、β-丙氨酸二乙酸、甲基亞氨基二乙酸、三乙酸胺、亞氨基二乙酸)。
氧化劑中最優(yōu)選過(guò)氧化氫。
作為氧化劑的添加量，在研磨中使用時(shí)的金屬用研磨液1L中優(yōu)選為0.003mol～8mol，更優(yōu)選為0.03mol～6mol，特別優(yōu)選為0.1mol～4mol。即，從金屬的充分氧化和確保高CMP速度方面考慮，氧化劑的添加量?jī)?yōu)選為0.003mol/L以上，從防止研磨面粗糙上考慮，優(yōu)選為8mol/L以下。
本發(fā)明的金屬用研磨液中優(yōu)選含有分子內(nèi)具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物，進(jìn)一步優(yōu)選該化合物的至少一個(gè)氨基為仲氨基或叔氨基。作為該化合物，優(yōu)選列舉甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、谷氨酸等α-氨基酸、β-丙氨酸等β-氨基酸、亞氨基二乙酸、羥基乙基亞氨基二乙酸、羥基乙基甘氨酸、二羥基乙基甘氨酸、甘氨酰替甘氨酸、N-甲基甘氨酸等。更優(yōu)選含2種以上的分子內(nèi)具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物，特別優(yōu)選同時(shí)使用分子內(nèi)僅具有一個(gè)羧基的化合物和分子內(nèi)具有2上以上羧基的化合物。分子內(nèi)具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物的添加量?jī)?yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上、2質(zhì)量％以下。
本發(fā)明的金屬用研磨液中優(yōu)選含有分子內(nèi)具有至少一個(gè)氨基和至少一個(gè)磺基的化合物。作為該化合物，例如可以列舉氨基甲烷磺酸、?；撬岬取?yōu)選?；撬?。分子內(nèi)具有至少一個(gè)氨基和至少一個(gè)磺基的化合物的添加量?jī)?yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為1質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下。
本發(fā)明的金屬用研磨液中可以進(jìn)一步含有有機(jī)酸。其具有促進(jìn)氧化、調(diào)節(jié)pH值及作為緩沖劑的作用。此處所述的有機(jī)酸是與用于氧化金屬的氧化劑結(jié)構(gòu)不同的化合物，不包括上述起氧化劑作用的酸。
有機(jī)酸是產(chǎn)生酸的有機(jī)化合物，優(yōu)選為具有至少一個(gè)羧基的化合物。有機(jī)酸最好是水溶性的，也可包括氨基酸類(lèi)。
作為有機(jī)酸，由以下物質(zhì)中選擇的品種是更適宜的。
即，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3，3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、安息香酸、烷基磺酸、十二烷基苯磺酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來(lái)酸、鄰苯二甲酸、蘋(píng)果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸及它們的銨鹽或堿金屬鹽等。
作為有機(jī)酸的添加量，在研磨中使用時(shí)的金屬用研磨液(使用液)1L中優(yōu)選為0.0005mol～0.5mol，更優(yōu)選為0.005mol～0.3mol，特別優(yōu)選為0.01mol～0.1mol。即，從抑制蝕刻的方面考慮，酸的添加量?jī)?yōu)選為0.5mol/L以下，從獲得充分的效果上考慮，優(yōu)選為0.0005mol/L以上。
在本發(fā)明的金屬用研磨液中，進(jìn)一步優(yōu)選含有作為溶劑/分散劑的水和/或水溶液。對(duì)于本發(fā)明的金屬用研磨液來(lái)說(shuō)，在用于研磨時(shí)用水或水溶液等進(jìn)行稀釋時(shí)，稀釋倍率通常為1～20體積倍。
本發(fā)明的金屬用研磨液可以進(jìn)一步添加以下成分。
為了促進(jìn)氧化、調(diào)節(jié)pH值、起到緩沖劑的作用，本發(fā)明的金屬用研磨液中可以進(jìn)一步含有無(wú)機(jī)酸。
作為上述無(wú)機(jī)酸，沒(méi)有特別的限定，例如可以列舉硫酸、硝酸、硼酸、磷酸等。其中優(yōu)選磷酸。
作為上述無(wú)機(jī)酸的含量，在研磨中使用的金屬用研磨液(使用液)1L中優(yōu)選為0.0005～0.5mol。即，從抑制蝕刻的方面考慮，上述無(wú)機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0.5mol/L以下，從獲得充分效果上考慮，優(yōu)選為0.0005mol/L以上。
從進(jìn)一步優(yōu)化這些特性的均衡性方面考慮，作為上述無(wú)機(jī)酸的含量，在研磨中使用的金屬用研磨液(使用液)1L中更優(yōu)選為0.005～0.3mol，進(jìn)一步優(yōu)選為0.01～0.1mol。
從降低所混入的多價(jià)金屬離子等的不良影響的方面考慮，本發(fā)明的金屬用研磨液優(yōu)選含有螯合劑(即，硬水軟化劑)。
上述螯合劑是作為鈣、鎂的沉淀防止劑的通常使用的硬水軟化劑或其類(lèi)似物。具體來(lái)說(shuō)，例如可以列舉三乙酸胺、二乙撐三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、N，N，N-三亞甲基膦酸、乙二胺-N，N，N’，N’-四亞甲基磺酸、反式環(huán)己烷二胺四乙酸、1，2-二氨基丙烷四乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、乙二胺鄰羥基苯基乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS體)、N-(2-羧基乙基)-L-天冬氨酸、β-丙氨酸二乙酸、2-膦?；⊥?1，2，4-三羧酸、1-羥基乙叉-1，1-二膦酸、N，N’-雙(2-羥基芐基)乙二胺-N，N’-二乙酸、1，2-二羥基苯-4，6-二磺酸等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用，也可以同時(shí)使用2種以上。
作為上述螯合劑的含量，只要是足以封閉所混入的多價(jià)金屬離子等金屬離子的量即可，但是例如，優(yōu)選在研磨中使用的金屬用研磨液(使用液)1L中為0.0003～0.07mol。
必要時(shí)，本發(fā)明的金屬用研磨液中可以進(jìn)一步含有用于調(diào)節(jié)pH值的堿劑。另外，從抑制pH值變化上考慮，可以進(jìn)一步含有緩沖劑。
作為上述的堿劑和緩沖劑，具體來(lái)說(shuō)，例如可以列舉氫氧化銨及氫氧化四甲基銨等有機(jī)氫氧化銨，二乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺等鏈烷醇胺類(lèi)等非金屬堿劑，氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰等堿金屬氫氧化物，碳酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽、四硼酸鹽、羥基安息香酸鹽、甘氨酸鹽、N，N-二甲基甘氨酸鹽、亮氨酸鹽、正亮氨酸鹽、鳥(niǎo)嘌呤鹽、3，4-二羥基苯基丙氨酸鹽、丙氨酸鹽、氨基丁酸鹽、2-氨基-2-甲基-1，3-丙二醇鹽、纈氨酸鹽、脯氨酸鹽、三羥基氨基甲烷鹽、賴(lài)氨酸鹽等。
更具體來(lái)說(shuō)，例如可以列舉碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、磷酸三鈉、磷酸三鉀、磷酸二鈉、磷酸二鉀、硼酸鈉、硼酸鉀、四硼酸鈉(硼砂)、四硼酸鉀、鄰羥基安息香酸鈉(水楊酸鈉)、鄰羥基安息香酸鉀、5-磺基-2-羥基安息香酸鈉(5-磺基水楊酸鈉)、5-磺基-2-羥基安息香酸鉀(5-磺基水楊酸鉀)、氫氧化銨等。
這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用，也可以同時(shí)使用2種以上。
其中，優(yōu)選氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鋰及氫氧化四甲基銨。
作為堿劑及緩沖劑的含量，只要能將pH值保持在優(yōu)選范圍內(nèi)即可，優(yōu)選在研磨中使用時(shí)的金屬用研磨液(使用液)1L中為0.0001～1.0mol，更優(yōu)選為0.003～0.5mol。
另外，研磨中使用的金屬用研磨液(使用液)的pH值優(yōu)選為2～14，更優(yōu)選為3～12，進(jìn)一步優(yōu)選為3.5～8。如果pH值處于上述范圍內(nèi)，則本發(fā)明的金屬用研磨液可以發(fā)揮特別優(yōu)異的效果。
另外，為了調(diào)節(jié)至所希望的pH值，可以添加酸。作為可用于此處的酸，例如可以列舉硫酸、硝酸、硼酸、磷酸、碳酸等，優(yōu)選磷酸、硝酸、硫酸。
在本發(fā)明的金屬用研磨液中，可以根據(jù)對(duì)研磨面的吸附性及反應(yīng)性、研磨金屬的溶解性、被研磨面的電化學(xué)性質(zhì)、化合物官能團(tuán)的解離狀態(tài)、液體的穩(wěn)定性等，設(shè)定適宜的化合物種類(lèi)、含量或pH值。
上述本發(fā)明的金屬用研磨液的制造方法沒(méi)有特別的限定，例如可以采取以下方法，即在反應(yīng)容器中加入至少一種上述式(A)表示的特定四唑類(lèi)化合物、至少一種式(B)或(C)表示的三唑類(lèi)化合物、水、上述氧化劑及必要時(shí)使用的上述各種任選成分，用混合機(jī)等攪拌機(jī)進(jìn)行充分?jǐn)嚢?。上述氧化劑?yōu)選在使用本發(fā)明的金屬用研磨液時(shí)混合。
以下，對(duì)使用本發(fā)明的金屬用研磨液研磨的對(duì)象及研磨方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
使用本發(fā)明的金屬用研磨液進(jìn)行CMP的對(duì)象基板，其直徑優(yōu)選為200mm以上，從可顯著發(fā)揮本發(fā)明的金屬用研磨液的效果方面考慮，更優(yōu)選為300mm以上。
用本發(fā)明的金屬用研磨液進(jìn)行研磨的金屬優(yōu)選為銅和/或銅合金。即，在本發(fā)明中，作為研磨對(duì)象的基板優(yōu)選是具有由銅和/或銅合金構(gòu)成的布線(xiàn)的基板，更優(yōu)選是具有由銅合金構(gòu)成的布線(xiàn)的基板。
而且，在銅合金中，優(yōu)選含有銀的銅合金。銅合金中所含的銀量?jī)?yōu)選為40質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0.00001～0.1質(zhì)量％。如果處于該范圍，則本發(fā)明的金屬用研磨液的效果可以得到充分地發(fā)揮。
在本發(fā)明中，作為研磨對(duì)象的基板的布線(xiàn)粗細(xì)，例如對(duì)于DRAM裝置來(lái)說(shuō)，按半節(jié)距計(jì)優(yōu)選為0.15μm以下，更優(yōu)選為0.10μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.08μm以下。另一方面，對(duì)于MPU裝置來(lái)說(shuō)，優(yōu)選為0.12μm以下，更優(yōu)選為0.09μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.07μm以下。對(duì)于這些LSI，本發(fā)明的金屬用研磨液有特別優(yōu)異的效果。
在本發(fā)明中，作為研磨對(duì)象的基板優(yōu)選在由銅和/或銅合金構(gòu)成的布線(xiàn)與層間絕緣膜之間具有用于防止發(fā)生銅的擴(kuò)散的阻擋層。作為阻擋層，可以是低電阻的金屬材料，特別優(yōu)選TiN、TiW、Ta、TaN、W、WN，其中更優(yōu)選Ta、TaN。
<研磨方法(化學(xué)機(jī)械研磨(CMP))>
以下，對(duì)使用本發(fā)明的金屬用研磨液的研磨方法進(jìn)行說(shuō)明，但研磨方法并不局限于此。
本發(fā)明的金屬用研磨液有以下情況，(1)為濃縮液，使用時(shí)添加水或水溶液進(jìn)行稀釋?zhuān)纬墒褂靡海?2)以下述的水溶液形態(tài)準(zhǔn)備各成分，將它們混合，必要時(shí)加水稀釋而形成使用液；(3)配制成使用液。
使用本發(fā)明的金屬用研磨液的研磨方法沒(méi)有特別的限定，可適用于上述(1)～(3)中的任意情況，具體來(lái)說(shuō)，是將研磨液提供給研磨盤(pán)的研磨墊上，使其與被研磨面接觸并使被研磨面與研磨墊進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)，從而進(jìn)行研磨的方法。
作為研磨中使用的裝置，可以使用具備用于保持具有被研磨面的半導(dǎo)體集成電路用基板的保持架、和粘貼了研磨墊的研磨盤(pán)(安裝了可改變轉(zhuǎn)數(shù)的電機(jī)等的)的常規(guī)研磨裝置。
作為研磨墊，可以使用通常的無(wú)紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔性氟樹(shù)脂等，沒(méi)有特別的限定。
另外，研磨條件也沒(méi)有特別的限制，研磨盤(pán)的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選為不使基板飛出的200rpm以下。具有被研磨面(被研磨膜)的半導(dǎo)體集成電路用基板對(duì)研磨墊的推壓壓力優(yōu)選為5～500g/cm2，為了滿(mǎn)足研磨速度在晶片面內(nèi)的均勻性及圖案的平坦性，更優(yōu)選為12～240g/cm2。
研磨時(shí)，優(yōu)選通過(guò)泵等將本發(fā)明的金屬用研磨液連續(xù)地提供給研磨墊。其供給量沒(méi)有特別限制，但是優(yōu)選研磨墊的表面一直被研磨液覆蓋。另外，為了滿(mǎn)足研磨速度在晶片面內(nèi)的均勻性及圖案的平坦性，金屬用研磨液的供給速度優(yōu)選為10～1000ml/min，更優(yōu)選為170～800ml/min。
對(duì)于研磨結(jié)束后的半導(dǎo)體集成電路用基板，用流水進(jìn)行充分清洗，然后用旋轉(zhuǎn)干燥機(jī)等將半導(dǎo)體集成電路用基板上附著的水滴清除，之后使其干燥。
在本發(fā)明中，如上述(1)所示的方法，在稀釋濃縮液時(shí)，優(yōu)選使用含有氧化劑、有機(jī)酸、添加劑、表面活性劑中的至少一種物質(zhì)的水溶液。該水溶液中所含的成分和被稀釋的濃縮液中含有的成分的總和就是研磨時(shí)使用的金屬用研磨液，即使用液的成分。
由此，在用水溶液稀釋濃縮液而進(jìn)行使用的情況下，可以以水溶液的形式后配入難以溶解的成分，從而可以配制進(jìn)一步濃縮成的濃縮液。
另外，作為在濃縮液中添加水或水溶液進(jìn)行稀釋的方法，有將提供濃縮的金屬用研磨液的配管和提供水或水溶液的配管在中途合流而進(jìn)行混合，將混合稀釋后的金屬用研磨液的使用液提供給研磨墊的方法。濃縮液和水或水溶液的混合可以采用以下方法進(jìn)行，例如，在施加壓力的狀態(tài)下使其通過(guò)狹窄的通路，使液體互相沖擊混合的方法；在配管中填塞玻璃管等填充物，使液體流反復(fù)進(jìn)行分離、合流的方法；在配管中設(shè)置用動(dòng)力旋轉(zhuǎn)的葉片的方法等通常采用的方法。
另外，作為一邊用水或水溶液等進(jìn)行稀釋?zhuān)贿呥M(jìn)行研磨的方法，有將提供金屬用研磨液的配管和提供水或水溶液的配管獨(dú)立設(shè)置，分別從其中向研磨墊提供規(guī)定量的液體，通過(guò)研磨墊和被研磨面的相對(duì)運(yùn)動(dòng)一邊進(jìn)行混合，一邊進(jìn)行研磨的方法。另外，還可以使用在一個(gè)容器中加入規(guī)定量的濃縮液和水或水溶液進(jìn)行混合后，向研磨墊提供該混合后的金屬用研磨液，從而進(jìn)行研磨的方法。
作為其它的研磨方法，可以列舉將金屬用研磨液中應(yīng)含有的成分分成至少兩種組成成分，使用它們時(shí)，加水或水溶液進(jìn)行稀釋?zhuān)峁┑窖心ケP(pán)上的研磨墊，使其與被研磨面接觸并使被研磨面和研磨墊相對(duì)運(yùn)動(dòng)，從而進(jìn)行研磨的方法。
例如，將氧化劑作為組成成分(I)，將至少一種上述式(A)表示的特定四唑類(lèi)化合物、至少一種式(B)或式(C)表示的三唑類(lèi)化合物、添加劑及水作為組成成分(II)，使用它們時(shí)用水或水溶液稀釋組成成分(I)及組成成分(II)，從而進(jìn)行使用。
另外，將溶解度低的添加劑分為兩個(gè)組成成分(I)和(II)，例如將氧化劑、添加劑及表面活性劑作為組成成分(I)，將至少一種上述式(A)表示的特定四唑類(lèi)化合物、至少一種式(B)或式(C)表示的三唑類(lèi)化合物、有機(jī)酸、添加劑及水作為組成成分(II)，使用它們時(shí)添加水或水溶液，稀釋成分(I)及構(gòu)成成分(II)，從而進(jìn)行使用。
在上述例子的情況下，需要分別提供組成成分(I)、組成成分(II)和水或水溶液的三個(gè)配管，稀釋混合時(shí)有將三個(gè)配管合并成向研磨墊提供液體的一個(gè)配管，在該配管內(nèi)進(jìn)行混合的方法，在這種情況下，可以是兩個(gè)配管合并后再與另一個(gè)配管進(jìn)行合并。具體來(lái)說(shuō)，是使含有難溶解的添加劑的組成成分與其它組成成分進(jìn)行混合，延長(zhǎng)混合路徑，確保溶解時(shí)間，然后再與水或水溶液的配管進(jìn)行合并的方法。
作為其它混合方法，可以列舉如上所述的直接將三個(gè)配管分別導(dǎo)入研磨墊上，通過(guò)研磨墊和被研磨面的相對(duì)運(yùn)動(dòng)進(jìn)行混合的方法；以及在1個(gè)容器中混合三種組成成分，從其中向研磨墊提供稀釋后的金屬用研磨液(使用液)的方法。
在上述研磨方法中，使含有氧化劑的一個(gè)組成成分為40℃以下，將其它組成成分加熱到室溫至100℃的范圍內(nèi)，這一個(gè)組成成分與其它組成成分進(jìn)行混合時(shí)，或加水或水溶液稀釋時(shí)，可以使液溫達(dá)到40℃以下。該方法利用了溫度高時(shí)溶解度變高的現(xiàn)象，這是提高金屬用研磨液中的溶解度低的原料的溶解度的優(yōu)選方法。
上述的通過(guò)將其它組成成分加熱到室溫至100℃的范圍內(nèi)而溶解的原料，在溫度下降時(shí)會(huì)從溶液中析出，因此使用處于低溫狀態(tài)的其它組成成分時(shí)，必須預(yù)先進(jìn)行加熱使析出的原料溶解。其中，可以采用加熱，輸送原料溶解了的其它組成成分的手段，和預(yù)先攪拌含有析出物的液體，輸送液體，加熱配管使之溶解的手段。如果加熱后的其它組成成分將含有氧化劑的一個(gè)組成成分的溫度提高到40℃以上，則氧化劑可能會(huì)分解，因此在該加熱后的其它組成成分與含有氧化劑的一個(gè)組成成分進(jìn)行混合時(shí)，優(yōu)選達(dá)到40℃以下。
由此，在本發(fā)明中，也可以將金屬用研磨液分成兩個(gè)以上成分提供給研磨面。在這種情況下，優(yōu)選分成含有氧化劑的成分和含有有機(jī)酸的成分進(jìn)行供給。另外，也可以使金屬用研磨液形成濃縮液，另外將稀釋水提供給出研磨面。
研磨用墊可以是無(wú)發(fā)泡的結(jié)構(gòu)，也可以是發(fā)泡的結(jié)構(gòu)。前者是將塑料板之類(lèi)的硬質(zhì)合成樹(shù)脂塊用作研磨墊。另外，后者還存在著獨(dú)立發(fā)泡體(干式發(fā)泡體)、連續(xù)發(fā)泡體(濕式發(fā)泡體)、雙層復(fù)合體(層合體系)三種類(lèi)型，特別優(yōu)選雙層復(fù)合體(層合體系)。發(fā)泡可以是均勻的，也可以是不均勻的。
而且，研磨用墊還可以含有研磨用磨粒(例如，二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁、樹(shù)脂等)。
另外，研磨用墊的硬度可以是軟質(zhì)和硬質(zhì)中的任一種，對(duì)于層合體系來(lái)說(shuō)，優(yōu)選在各層使用具有不同硬度的品種。
作為研磨用墊的材料，優(yōu)選無(wú)紡布、人造皮革、聚酰胺、聚氨酯、聚酯、聚碳酸酯等。
另外，在研磨用墊的與研磨面接觸的面上，還可以加工出格狀溝、孔、同心溝、螺旋狀溝等。
如上所述，本發(fā)明的金屬用研磨液具有快速的研磨速度及對(duì)銅/鉭的研磨選擇性，利用本發(fā)明的金屬用研磨液進(jìn)行CMP時(shí)，表面凹陷少，可以提高基板的平坦性，因此對(duì)于LSI，可以將腐蝕、擦傷、thinning、浸蝕等局部研磨不均所帶來(lái)的缺陷的發(fā)生保持在低水平上。
實(shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
1、被覆鋁的膠態(tài)二氧化硅的制備在平均磨粒尺寸為50nm的膠態(tài)二氧化硅的20質(zhì)量％水分散物100g中，添加氫氧化鈉，將pH值調(diào)節(jié)為9.5，然后在室溫下添加0.12mmol的鋁酸鈉并攪拌3小時(shí)。
如果假設(shè)所添加的鋁酸鈉100％進(jìn)行了反應(yīng)，則作為膠態(tài)二氧化硅的表面硅原子的取代量(導(dǎo)入的鋁原子數(shù)/表面的硅原子位點(diǎn)數(shù))，當(dāng)采用從膠態(tài)二氧化硅直徑換算的表面積、膠態(tài)二氧化硅的比重為2.2、單位表面積的硅原子數(shù)為13個(gè)/nm2時(shí)，該取代量相當(dāng)于1％。
將未被覆鋁的磨粒作為T(mén)-1(未經(jīng)過(guò)處理的上述膠態(tài)二氧化硅)，將被覆了鋁的磨粒作為T(mén)-2。
2、金屬用研磨液的制備用攪拌機(jī)混合表1所示的成分，制成實(shí)施例、比較例的金屬用研磨液。
3、金屬用研磨液的評(píng)價(jià)研磨速度的評(píng)價(jià)按以下方法進(jìn)行。
使用ラツプマスタ一社制造的裝置“LGP-612”作為研磨裝置，在下述條件下，一邊供給作為表1的金屬用研磨液的料漿，一邊研磨各晶片上設(shè)置的金屬膜，算出此時(shí)的研磨速度。
晶圓基板8inch附著銅膜的硅晶片工作臺(tái)轉(zhuǎn)數(shù)64rpm，機(jī)頭轉(zhuǎn)數(shù)65rpm(加工線(xiàn)速度＝1.0m/s)研磨壓力140hPa研磨墊ロ一ムアンドハ一ス社制造，產(chǎn)品號(hào)IC-1400(K-grv)+(A21)
料漿供給速度200ml/分研磨速度的測(cè)定研磨覆銅晶片(形成了1.4μm厚的銅膜的晶片(200mm))，對(duì)覆銅晶片表面上的49個(gè)部位，用電阻值換算出進(jìn)行銅膜CMP前后的膜厚，求出銅的平均研磨速度(nm/min)。從研磨前后的電阻值換算膜厚。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)下式測(cè)定。
研磨速度(nm/分)＝(研磨前的銅膜厚度-研磨后的銅膜厚度)/研磨時(shí)間表面凹陷的評(píng)價(jià)按以下方法進(jìn)行。
使用セマテツク社制造的854圖案晶片作為試驗(yàn)晶片，從上述研磨速度狀態(tài)過(guò)度研磨30％量之后，用高差計(jì)測(cè)定表面凹陷的形成。即，將鍍層厚作為1000nm時(shí)計(jì)算研磨1300nm的時(shí)間，與沒(méi)有圖案的銅膜(the copperfilm with no pattern)相同地進(jìn)行研磨后，用觸針式高差儀測(cè)定線(xiàn)/間隔為100μm/100μm的部分的高度差，求出結(jié)果。
結(jié)果示于表2中。
表1

全部料漿(金屬用研磨液)的pH值調(diào)節(jié)為6.5。用氨及硝酸進(jìn)行調(diào)節(jié)。
相對(duì)于全部料漿1L，添加25ml 30％的過(guò)氧化氫。
全部料漿的磨粒濃度為0.25質(zhì)量％。
通式(A)的化合物的添加量為0.003質(zhì)量％，通式(B)或(C)的化合物的添加量為0.002質(zhì)量％。
表2

權(quán)利要求
1.一種金屬用研磨液，其用于半導(dǎo)體器件制造中的化學(xué)機(jī)械研磨，該研磨液含有至少一種下述通式(A)表示的化合物，和至少一種下述通式(B)或通式(C)表示的化合物；通式(A) 通式(B) 通式(C) 式中，R1、R2、R3、R4及R5各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基，乙基、苯基、氨基、磺基、羧基、氨甲基、羧甲基、磺基甲基、鄰氨基苯基、間氨基苯基、對(duì)氨基苯基、鄰羧基苯基、間羧基苯基、對(duì)羧基苯基、鄰磺基苯基、間磺基苯基、對(duì)磺基苯基。
2.如權(quán)利要求1中所述的金屬用研磨液，其特征在于還含有膠態(tài)二氧化硅，該膠態(tài)二氧化硅表面的硅原子的至少一部分被鋁原子取代。
3.如權(quán)利要求2中所述的金屬用研磨液，其特征在于所述膠態(tài)二氧化硅的初始粒徑為10～60nm。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其pH值為2～7。
5.如權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于金屬用研磨液中的所述膠態(tài)二氧化硅的濃度為0.001～0.5質(zhì)量％。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于還含有分子中具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬用研磨液，其特征在于，所述分子中具有至少一個(gè)羧基和至少一個(gè)氨基的化合物中，該氨基中的至少一個(gè)為仲氨基或叔氨基。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液，其特征在于還含有烷基季銨化合物。
9.使用權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的金屬用研磨液通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行研磨而形成的半導(dǎo)體集成電路用基板。
全文摘要
本發(fā)明提供在高速研磨速度下表面凹陷少、可以對(duì)基板進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的金屬用研磨液。該研磨液用于半導(dǎo)體器件制造中的化學(xué)機(jī)械研磨，其中含有至少一種式(A)表示的四唑類(lèi)化合物和至少一種式(B)或式(C)表示的三唑類(lèi)化合物。
文檔編號(hào)B24B37/00GK101041769SQ200710088779
公開(kāi)日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2007年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月23日
發(fā)明者山下克宏 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社