專利名稱：半導體基板表面的化學處理方法及其裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造工業(yè)中對半導體基板進行化學處理的技術，具 體是在制備半導體太陽能電池領域中對半導體基板進行濕化學處理的方法；更具體的，涉及對半導體基板的某一個表面進行濕化學處理的方法。
技術背景用化學溶液對半導體基板的表面進行處理是半導體制造工業(yè)中常用 的工藝。例如對半導體基板進行表面的腐蝕過程、清洗過程等。 一般的， 上述的濕化學處理過程是把半導體基板浸泡在化學溶液中進行的。此時， 是對半導體基板的兩個表面均進行濕化學處理。但是，在半導體的工業(yè)生產(chǎn)中，在很多情況下，許多工藝只要求對半 導體基板的某一表面進行濕化學處理。例如，單面的硅表面的腐蝕、單面 的氧化物的腐蝕等。此時，上述的把半導體基板浸泡在化學溶液中的處理 方法就不能達到只對半導體基板的某一表面進行濕化學處理的要求。為了達到只對半導體基板的單面進行濕化學處理的目的，現(xiàn)有技術中 的普遍的做法是將不需要做化學處理的一面用掩膜進行保護，以使其不與 化學溶液4妄觸，不^皮化學溶液處理，從而達到只對半導體基4反未進行保護 的某一表面進行處理的目的。例如在半導體工業(yè)生產(chǎn)中，經(jīng)常使用光刻膠 對不需要進行處理的一面進行保護以達到對單面進行化學處理的目的。但增加了操作過程中鍍膜和清洗膜的步驟，還增加了原材料的成本以及處理過程中產(chǎn)生的廢水量。使得整個處理過程的步驟更加煩瑣而且產(chǎn)品的成本 明顯增加。在現(xiàn)有技術中，針對上述掩膜方法的缺點，研究人員做出了一定的改 進。即在化學處理過程中，不是把半導體基板垂直放置在化學槽中的化學 溶液內，而是水平地放置/浮在化學槽內的化學溶液的表面。當半導體基 板被水平的放置/浮在化學溶液的液面上時，使得只有半導體基板的下表 面和化學溶液的液面接觸，從而達到單面處理半導體基板(腐蝕或清洗) 的目的。仍存在很大的缺點和不足。由于環(huán)境的影響，化學溶液的液面總會有輕微 的波動。由于使用的半導體基板越來越薄，當半導體基板的厚度很薄時，例如，半導體基板的厚度在500微米以下時，當半導體基板水平的放置/ 浮在化學溶液的液面上進行處理時，化學溶液液面的輕^t的波動就會造成 化學溶液潤濕到半導體基板的上表面，至少會潤濕到半導體基板上表面的邊沿部位；其次，當半導體基板放置/浮在化學溶液的液面上進行處理時， 溶液的表面張力所造成的虹吸現(xiàn)象，也會使得化學溶液吸到半導體基板的 上表面。上述兩種情況均會對不需要處理的半導體基板的上表面部分的進 行化學處理，從而使得半導體基板的質量不合格或均一性很差，達不到要 求。發(fā)明內容針對以上現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的技術方案是提供一種新的半導體 基板表面的化學處理方法及其裝置，該方法和裝置能對半導體基板的某一 表面進行表面化學處理。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導體基板表面的化學處理方 法。該方法可以只對半導體基板的某一個表面進行化學處理，而同時不需 要對另 一個表面估文任何的保護。本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述半導體基板表面的化學處理裝 置，該裝置可以只對半導體基板的某一個表面進行化學處理同時，另一個 表面不會由于化學溶液的液面波動和虹吸現(xiàn)象而被潤濕。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種半導體基板表面的化學處理方 法，是利用支架將半導體基板放置在化學溶液的上方，且半導體基板的下 表面與化學溶液的液面之間有一定的距離，通過安裝在半導體基板下方的 噴射裝置將化學溶液噴射到半導體基板的下表面，從而對半導體基板的下 表面進行濕化學處理的。本發(fā)明提供的一種半導體基板表面的化學處理裝置，包括容納化學溶 液的化學槽，將半導體基板放置在化學溶液上方的支架，以及把化學溶液 噴射到半導體基板的下表面的噴射裝置。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明的化學處理方法及其裝置，采用安裝 在半導體基板下方的噴嘴裝置向半導體基板的下表面噴射化學溶液的方 法，使化學溶液與半導體基板的下表面接觸。在保證半導體基板的下表面 與化學溶液接觸的情況下，可以有效地增加化學槽中化學溶液的液面和半 導體基板下表面的距離，從而杜絕化學溶液潤濕到基板的上表面的可能 性。在工業(yè)生產(chǎn)的條件下，化學溶液的液面，由于受到各種零部件不斷移 動的影響和周圍環(huán)境震動的影響，其液面總會產(chǎn)生一定程度的波動。由于 半導體基板的厚度一般小于500微米，如果半導體基板的下表面與化學溶液的液面的距離太小，波動的化學溶液液面很容易潤濕半導體基板的上表 面。另一方面，如果半導體基板的下表面與化學溶液的液面距離太大，半 導體基板的下表面將不會與化學溶液的液面接觸，達不到濕化學處理的目 的。利用本發(fā)明的化學處理方法和裝置，其中的噴射裝置^^化學溶液噴射 到半導體基板的下表面，從而起到潤濕并接觸半導體基板下表面的目的。因此，本發(fā)明的化學處理方法和裝置，在保證半導體基板的下表面與化學 溶液接觸的情況下，可以有效的增大半導體基板的下表面與化學溶液液面濕的可能性。即使在沒有任何震動的環(huán)境中，在半導體基板與化學溶液的液面接觸 后，由于表面張力的作用，即虹吸現(xiàn)象，化學溶液可以通過半導體基板的 四周表面，逐漸潤濕半導體基板的上表面。利用本發(fā)明的化學處理方法和 裝置，把化學溶液噴射到半導體基板的下表面，從而起到潤濕并接觸半導 體基板下表面的目的。因此，本發(fā)明的化學處理方法和裝置，在保證半導 體基板的下表面與化學溶液接觸的情況下，可以有效的增大半導體基板的 下表面與化學溶液液面的距離，從而可以阻止化學溶液在半導體基板產(chǎn)生 的虹吸現(xiàn)象。同樣，利用本發(fā)明的化學處理方法和裝置，在保證半導體基板的下表 面被化學溶液潤濕并接觸的情況下，可以有效的增大半導體基板的下表面 與化學溶液液面的距離，從而增加了半導體基板在支架上的穩(wěn)定性。如果 半導體基板與化學溶液液面接觸浮在液面上時，由于受到浮力的作用和液 面波動的影響，加上半導體基板本身較輕，在工業(yè)生產(chǎn)中，半導體基板很 難穩(wěn)定地被固定在支架上。特別是在連續(xù)生產(chǎn)的情況下，半導體基板被沿 著某一水平方向移動，半導體基板很容易被波動的液面改變其設定的移動方向。采用本發(fā)明的化學處理方法和裝置，可以有效的增大半導體基板的 下表面與化學溶液液面的距離。在這種情況下，液體的表面張力作用在半 導體基板的下表面后，產(chǎn)生一個向下的拉力，從而增加了半導體基板在支 架上的穩(wěn)定性。在半導體工業(yè)中，很多半導體基板的化學處理會產(chǎn)生氣泡，例如，在 半導體基板表面的化學腐蝕過程中會產(chǎn)生氫氣。由于本發(fā)明的化學處理方 法和裝置可以有效的增大半導體基板的下表面與化學溶液液面的距離，可 以使得化學處理過程中產(chǎn)生的氣泡很容易的離開半導體基板的下表面，保 證了化學處理過程的正常進行。更進一步，根據(jù)需要，本發(fā)明的化學處理方法及其裝置還可以用在半 導體基板的下表面與化學溶液的液面不保持接觸的情況。本發(fā)明在這種應 用情況下，通過噴嘴連續(xù)地或間歇地向半導體基板的下表面噴射化學溶 液，既能保證化學溶液充分的潤濕半導體基板的下表面，而且能有效保證 半導體基板下表面的化學溶液得到不斷的更新，有利于半導體基板的化學 處理。本發(fā)明的化學處理方法和裝置不僅適用于一般厚度的半導體基板的 某一表面的處理，而且適合于厚度較小的半導體基板的某一表面的處理。尤其在處理厚度小于300微米的半導體基板的某一面時，本發(fā)明更具有優(yōu) 勢。


圖1為在連續(xù)處理過程中半導體基板進入化學槽的結構示意圖。圖2為半導體基板行進到噴嘴的上方，噴嘴開始噴液的結構示意圖。圖3為半導體基板的下表面的一部分逐漸被潤濕的結構示意圖。圖4為半導體基板的下表面全部被潤濕并與液面接觸的結構示意圖。圖5為半導體基板的下表面全部被潤濕但不與液面接觸的結構示意圖。附圖中的符號說明1、化學槽 2、滾軸支架 3、噴嘴(噴射裝置)4、半導體基板 5、化學溶液具體實施方式
參照附圖及具體實施例對本發(fā)明做進一步的詳細說明，但并不是用以 限制本發(fā)明。本發(fā)明提供的一種半導體基板表面的化學處理方法，是利用支架將被 處理的半導體基板4放置在化學槽1中化學溶液5的上方，且半導體基板 4的下表面與化學溶液5的液面之間有一定的距離，通過噴射裝置3將化 學溶液5噴射到半導體基板4的下表面，從而對半導體基板4的下表面進 行化學處理的。上述的半導體基板是指由半導體材料所制成的薄片，厚度為50-500 微米。例如硅片、鍺片等。上述的半導體基板4放置在化學溶液5的上方時，優(yōu)選為水平放置。 但是小角度的傾斜放置也不會影響本發(fā)明的效果。上述的可以使半導體基板4水平放置的支架2可以使用本領域的常規(guī) 技術達到。優(yōu)選為此裝置是帶有傳送功能，可以使得半導體基板4沿某一個方向水平的移動，例如帶有滾軸的支架2，從而達到連續(xù)處理半導體基 板表面的目的。此距離為0.1-10mm，優(yōu)選為l-3mm,更優(yōu)選為2mm。當半導體基板4的 下表面與化學溶液5的液面的距離較小時，噴射裝置3噴射化學溶液5 的強度可以小些；當半導體基板4的下表面與化學溶液5的液面的距離較 大時，噴射裝置3噴射化學溶液5的強度可以大些。為了使得噴射裝置3 噴出的化學溶液5不影響半導體基板4移動的穩(wěn)定性， 一般的化學溶液的 噴射高度為噴射裝置的上端口和半導體基板下表面的距離。上述的化學溶液可以是單組分的化學溶液，也可以是多組分的化學溶液。上述的噴射裝置(例如噴嘴3)噴出的化學溶液5的強度，以能潤濕 半導體基板4的下表面而且不影響半導體基板4移動的穩(wěn)定性為佳。優(yōu)選 的，噴射裝置3噴出的化學溶液5液面以上的高度為半導體基板4的下表 面和化學溶液5的液面之間的距離。在對半導體基板4的下表面進行處理的過程中，半導體基板4和噴射 裝置3的位置均可以處于靜止狀態(tài)，也可以是相對移動狀態(tài)。優(yōu)選為相對 移動的狀態(tài)。上述的相對移動狀態(tài)，可以是噴射裝置3靜止不動，半導體基板4 沿著某一方向移動；可以是半導體基板4靜止不動，噴射裝置3沿著某一 方向移動；可以是半導體基板4和噴射裝置3分別向相反的方向移動；可 以是半導體基板4和噴射裝置3以不同的速率同向移動。優(yōu)選為噴射裝置 3靜止不動，半導體基板4沿著某一方向移動。如圖2所示，當半導體基板4的一個邊沿移動并通過噴射裝置3的上方時，噴射裝置3開始噴射化學溶液5。在處理過程中，上述的噴射裝置3噴射化學溶液5時，可以采用間歇 噴射或連續(xù)噴射的方式。采用間歇噴射的方式可以噴射一次、也可以噴射 數(shù)次。當半導體基板4的下表面與化學溶液5的液面的距離較小時，噴射裝體基板4的整個下表面，從而對半導體基板4的下表面進行化學處理。為 了加快化學溶液5對于半導體基板4下表面的潤濕速度，噴射裝置3也可 以增加噴射的次數(shù)；當然，噴射裝置3也可以在處理過程中持續(xù)噴射。優(yōu) 選為，噴射裝置3在半導體基板4通過其上方的過程中持續(xù)噴射化學溶液 5。通過上述的優(yōu)選的噴射化學溶液的方法和優(yōu)選的半導體基板4下表面 與化學溶液5的液面的距離，半導體基板4的下表面與化學槽1內的化學 溶液5的液面在整個化學處理過程中始終保持接觸。當半導體基板4的下表面與化學溶液5的液面的距離較大時，噴射裝 置3持續(xù)噴射，直到半導體基板4的另 一個邊沿移動到噴射裝置3的上方 時停止。此時，半導體基板4的下表面與化學溶液5的液面不接觸。在處 理過程中，噴射裝置3噴射化學溶液5的時間可以持續(xù)1秒到數(shù)秒，此時 間取決于半導體基板4通過噴射裝置3上方的時間和半導體基板4的大 小。當然，所用時間越短越好。在本發(fā)明的化學處理方法中，上述的噴射裝置3，可以是一個，也可 以是數(shù)個。當噴射裝置是一個時，可以噴射一次，噴射數(shù)次，也可以持續(xù)噴射；當噴射裝置是數(shù)個時，每個噴嘴可以噴射一次，噴射數(shù)次，也可以 持續(xù)噴射。當上述的噴射裝置3是數(shù)個時，每個噴射裝置3噴射的化學溶液5同。當不同的噴射裝置3噴射不同的化學溶液5時，不同的化學溶液5 最好容納于不同的化學槽1中。上述每一個噴射裝置3(例如噴嘴)總的寬度等同于半導體基板的寬 度；在能潤濕整個半導體基板下表面的前提下，噴射裝置的寬度可以略小 于半導體基板的寬度。優(yōu)選其總的寬度略小于半導體基板4的寬度。上述半導體基板4和噴射裝置3在相對移動時，其移動速度可以慢也 可以快。當選用噴射裝置3只噴射一次的形式時，優(yōu)選為移動速度較慢， 這樣可以使得半導體基板4下表面的其它部分被完全的潤濕；當選用噴射 裝置3噴射數(shù)次的形式時，移動速度可以較快；當選用噴射裝置3持續(xù)噴 射的形式時，移動速度可以更快，這樣可以減少處理時間，適用于大批量 處理。當半導體基板4的下表面與化學溶液5的表面的距離較大，選用噴射 裝置3持續(xù)噴射的形式時，可以使用多個噴射裝置3，每個噴射裝置3噴處理。此時，相鄰的兩個噴射裝置3的距離可以較大也可以較小。優(yōu)選為 大于半導體基板4的長度。因此，本發(fā)明的化學處理方法可以對半導體基板4的某一表面進行單 次或多次的處理。在半導體制造工業(yè)中，上述的化學溶液可以是本領域技術人員適用的 任何化學溶液，比如不同濃度的氪氧化鈉溶液，或不同濃度的氬氟酸溶液， 當然還可以是一種或多種溶液的混合液。本發(fā)明的半導體基板表面的化學處理裝置，包括容納化學溶液5的化學槽l，將半導體基板4放置在化學溶液5上方的支架2，以及把化學溶 液5噴射到半導體基板4的下表面的噴射裝置3。所述的支架具有承載所述的半導體基板的功能，可以使所述的半導體 基板位于化學溶液的上方并和化學溶液的液面保持一定的距離。優(yōu)選的上述的放置半導體基板的支架具有傳送功能，例如帶有滾軸， 可以將半導體基板在化學溶液的上方水平移動。所述的噴射裝置可以是一個或者數(shù)個，每個噴射裝置噴射的化學溶液 可以相同或者不同。所述的噴射裝置可以安裝在化學溶液的液面以下，也可以安裝在化學 ;容'液的液面以上。所述的噴射裝置噴出的化學溶液的高度為半導體基板的下表面和噴 射裝置的上端口之間的距離。所述的噴射裝置的寬度等同于半導體基板的寬度；在能潤濕整個半導 體基板下表面的前提下，噴射裝置的寬度可以略小于半導體基板的寬度。當然，上述的噴射裝置也可以水平地移動。本發(fā)明的化學處理裝置在對半導體基板的下表面進行處理的同時，半 導體基板的上表面不會被潤濕。本發(fā)明的化學處理方法及其裝置，可以通過噴射裝置噴射的化學溶液 使化學溶液和半導體基板的下表面接觸，從而可以保證大規(guī)模生產(chǎn)的可靠 性。圖1:半導體基板4進入化學槽1的結構示意圖。半導體基板4的下 表面和化學溶液5的液面的距離較小，約為2mm。滾軸支架2將半導體 基板4水平的移動，并接近噴嘴3。此時，噴嘴3沒有噴射化學溶液5。 半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面沒有接觸，沒有被潤濕。圖2:半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面的距離較小，約為 2mm。滾軸支架2將半導體基板4的一個邊沿水平移動到噴嘴3的上方時， 噴嘴3開始噴射化學溶液5，使得半導體基板4的下表面局部被潤濕。圖3:半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面的距離較小，約為 2mm。滾軸支架2將半導體基板4繼續(xù)水平移動，化學溶液5由于表面張 力的作用，逐漸接觸并潤濕半導體基板4的下表面的其他部位。此時噴嘴 3可以是持續(xù)噴射化學溶液5的狀態(tài)，也可以是停止噴射化學溶液5的狀 態(tài)。當噴嘴3是持續(xù)噴射化學溶液5的狀態(tài)時，噴嘴3可以是移動的狀態(tài)， 或者是向與半導體基板4相反的方向移動，或者是以比半導體基板4更慢 的速度與半導體基板4同方向移動。圖4:半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面的距離較小，約為 2mm。滾軸支架2將半導體基板4繼續(xù)水平移動，并且半導體基板移出了 噴嘴3的上方。噴嘴3停止噴射化學溶液5。半導體基板4的下表面全部 被化學溶液5潤濕并與液面接觸。圖5:半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面的距離較大，約為 3mm。滾軸支架2將半導體基板4水平移動到噴嘴3的上方時，噴嘴3開始噴射化學溶液5。由于半導體基板4的下表面和化學溶液5的液面的 距離較大，化學溶液5無法依靠表面張力的作用和半導體基板4的下表面 接觸。所以在半導體基板4在噴嘴3的上方移動的過程中，噴嘴3持續(xù)在 噴射化學溶液5。當半導體基板4移出噴嘴3的上方時，半導體基板4的 下表面的全部被潤濕但不與液面接觸。半導體基板4繼續(xù)向前移動，可以 用下一個噴嘴3再次進行處理。當然，不同的噴嘴3所噴出的溶液可以相 同或不同，這取決于實際的操作需要。具體實施例1化學溶液為硝酸和氫氟酸的混合溶液。噴射裝置采用一個噴嘴，且固 定不動。半導體基板的下表面和化學溶液的液面的距離是2mm。當半導 體基板的一個邊沿移動到噴嘴的上方時，噴嘴噴射化學溶液一次。然后半 導體基板的下表面隨著半導體基板的繼續(xù)移動在表面張力的作用下被化 學溶液逐步潤濕。在整個處理過程中，半導體基板的下表面和化學槽中化 學溶液的液面是接觸的。處理完畢后，半導體基板的上表面沒有被化學溶 液潤濕。具體實施例2噴射裝置采用多個噴嘴，且固定不動。半導體基板的下表面和化學溶 液的液面的距離是10mm。當半導體基板的一個邊沿移動到噴嘴的上方 時，噴嘴開始噴射氫氟酸溶液， 一直持續(xù)到半導體基板的另一個邊沿移動 到噴嘴的上方時停止。半導體基板繼續(xù)移動，當半導體基板的一個邊沿移 動到下一個噴嘴的上方時，噴嘴開始噴射氫氟酸溶液， 一直持續(xù)到半導體 基板的另一個邊沿移動到下一個噴嘴的上方時停止。在整個處理過程中，半導體基板的下表面和化學槽中化學溶液的液面是不接觸的。處理完畢 后，半導體基板的上表面沒有被化學溶液潤濕。具體實施例3化學溶液為化學鍍鎳溶液。噴射裝置采用一個噴嘴，且固定不動。半導體基板的下表面和化學溶液的液面的距離是0.1mm。當半導體基板的一 個邊沿移動到噴嘴的上方時，噴嘴開始噴射化學鍍鎳溶液。 一直持續(xù)到半 導體基板的另一個邊沿移動到噴嘴的上方時停止。在整個處理過程中，半 導體基板的下表面和化學槽中化學溶液的液面是接觸的。處理完畢后，半 導體基板的上表面沒有被化學溶液潤濕。具體實施例4化學溶液為異丙醇溶液。噴射裝置采用多個噴嘴，且固定不動。半導 體基板的下表面和化學溶液的液面的距離是5mm。當半導體基板的一個 邊沿移動到噴嘴的上方時，噴嘴開始噴射異丙醇溶液， 一直持續(xù)到半導體 基板的另一個邊沿移動到噴嘴的上方時停止。半導體基板繼續(xù)移動，當半 導體基板的一個邊沿移動到下一個噴嘴的上方時，下一個噴嘴開始噴射氫 氟酸溶液，一直持續(xù)到半導體基板的另一個邊沿移動到下一個噴嘴的上方 時停止。在整個處理過程中，半導體基板的下表面和化學槽中化學溶液的 液面是不接觸的。處理完畢后，半導體基板的上表面沒有被化學溶液潤濕。本發(fā)明的處理方法和處理裝置不僅僅適用于半導體基板的某一表面 的處理。本領域技術人員在不脫離本發(fā)明思想的前提下，可以進行多樣的 變更或修改。因此應用本發(fā)明的處理方法和處理裝置對其它物體的某個表 面進行處理，也在本發(fā)明的所屬領域和保護范圍之內。
權利要求
1. 半導體基板表面的化學處理方法，其特征在于，利用支架將半導體基板放置在化學槽內的化學溶液的上方，且半導體基板的下表面與化學溶液的液面之間有一定的距離，通過噴射裝置將化學溶液噴射到半導體基板的下表面，從而潤濕半導體基板的下表面，對半導體基板的下表面進行化學處理。
2、 根據(jù)權利要求1所述的化學處理方法，其特征在于，所述的半導 體基板是指由半導體材料制成的薄片，厚度為50-500微米。
3、 根據(jù)權利要求1所述的化學處理方法，其特征在于，半導體基板 的下表面與化學槽內的化學溶液的液面之間的距離為0.1-10mm。
4、 根據(jù)權利要求3所述的化學處理方法，其特征在于，半導體基板 的下表面與化學槽內的化學溶液的液面之間的距離為1-3mm。
5、 根據(jù)權利要求1所述的化學處理方法，其特征在于，所述的化學 溶液是單一組分的化學溶液或是多組分的化學溶液。
6、 根據(jù)權利要求1所述的化學處理方法，其特征在于，使用噴射裝 置對半導體基板的下表面噴射化學溶液，采用間歇噴射或連續(xù)噴射的方式。
7、 根據(jù)權利要求1或6所述的化學處理方法，其特征在于，噴射裝 置噴出的化學溶液的高度為半導體基板的下表面和噴射裝置的上端口之 間的-巨離。
8、 根據(jù)權利要求6所述的化學處理方法，其特征在于，使用噴射裝 置對半導體基板的下表面進行間歇噴射化學溶液時，可以一次或者數(shù)次。
9、 半導體基板表面的化學處理裝置，其特征在于，包括容納化學 溶液的化學槽，將半導體基板放置在化學溶液上方的支架，以及把化學溶 液噴射到半導體基板下表面的噴射裝置。
10、 根據(jù)權利要求9所述的化學處理裝置，其特征在于，所述的支架 具有傳送功能，可以使所述的半導體基板沿某一個方向水平的移動。
11、 根據(jù)權利要求9所述的化學處理裝置，其特征在于，所述的化學 槽內容納有化學溶液，并安裝有所述的噴射裝置。
12、 根據(jù)權利要求9所述的化學處理裝置，其特征在于，所述的噴射 裝置在化學槽內可以是一個或者數(shù)個，每個噴射裝置噴射的化學溶液可以 相同或者不同。
13、 根據(jù)權利要求9所述的化學處理裝置，其特征在于，所述的噴射 裝置的寬度等同于半導體基板的寬度，或略小于半導體基板的寬度。
全文摘要
本發(fā)明屬于半導體制造工業(yè)領域。具體公開了一種新的半導體基板表面的化學處理方法及其裝置。本發(fā)明化學處理方法是利用支架將半導體基板放置在化學溶液的上方，且半導體基板的下表面與化學溶液的液面之間有一定的距離，通過噴射裝置將化學溶液噴射到半導體基板的下表面，從而對下表面進行化學處理的。本發(fā)明的裝置包括容納化學溶液的化學槽，將半導體基板放置在化學溶液上方的支架，以及把化學溶液噴射到半導體基板的下表面的噴射裝置。本發(fā)明的化學處理方法及其裝置可以只對半導體基板的某一個表面進行化學處理，而同時不需要對另一個表面做任何的保護。
文檔編號C23F1/24GK101256953SQ20071013583
公開日2008年9月3日 申請日期2007年7月16日 優(yōu)先權日2007年7月16日
發(fā)明者季靜佳, 施正榮, 覃榆森 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司