專利名稱：處理方法、壓力控制方法、傳送方法及傳送設(shè)備的制作方法
處理方法、壓力控制方法、傳送方法及傳送設(shè)備本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2004年4月12日、申請(qǐng)?zhí)枮?00410031053.6、 發(fā)明名稱為"處理設(shè)備、處理方法、壓力控制方法、傳送方法以及傳 送設(shè)備"的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于處理待處理物體的被處理物體處理設(shè)備、被處理物 體處理方法、壓力控制方法、被處理物體傳送方法以及傳送設(shè)備，特 別是涉及作為干刻蝕或濕刻蝕的替換方法而進(jìn)行CVD(化學(xué)汽相淀積) 或COR (化學(xué)氧化物去除)的被處理物體處理設(shè)備，更特別地，涉及 包括多個(gè)處理系統(tǒng)的被處理物體處理設(shè)備、用于傳送被處理物體的被 處理物體傳送方法以及用于控制其壓力的壓力控制方法。
背景技術(shù)：
迄今為止，已經(jīng)使用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕以對(duì)薄膜成形。通常，刻蝕 工藝與光刻工藝形成一套工藝；在光刻工藝中，形成抗蝕劑圖形，然 后在刻蝕工藝中根據(jù)已經(jīng)形成的抗蝕劑圖形對(duì)薄膜進(jìn)行成形。有兩種刻蝕方法，即干刻蝕和濕刻蝕。最常用類型的干刻蝕是平行 板反應(yīng)離子刻蝕。對(duì)于平行板反應(yīng)離子刻蝕，將真空處理設(shè)備(被處 理物體處理設(shè)備)的真空處理室放入真空狀態(tài)，作為被處理物體的晶 片放入真空處理室中，然后向真空處理室中引入刻蝕氣體。在真空處理室的內(nèi)部提供有放置晶片的工作臺(tái)以及與該工作臺(tái)的 晶片放置表面平行且面對(duì)該工作臺(tái)的晶片放置表面的上電極。高頻電 壓施加于該工作臺(tái)，借此將刻蝕氣體形成為等離子體。帶電粒子如正 和負(fù)離子和電子、用做刻蝕物質(zhì)的中性活性物質(zhì)等散布存在于等離子 體周圍。當(dāng)刻蝕物質(zhì)被吸收到晶片表面上的薄膜上時(shí)，在晶片表面發(fā) 生化學(xué)反應(yīng)，然后由此生成的產(chǎn)物與晶片分離并被排到真空處理室的 外部，由此進(jìn)行刻蝕。而且，根據(jù)條件，刻蝕物質(zhì)可以被濺射到晶片表面上，由此通過(guò)物理反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。這里，高頻電場(chǎng)垂直地施加于晶片表面，因此刻蝕物質(zhì)(自由離子) 也在垂直于晶片表面的方向移動(dòng)。因此在垂直于晶片表面的方向進(jìn)行 刻蝕，而不是各向同性地在晶片表面上進(jìn)行刻蝕。就是說(shuō)，刻蝕不在 晶片表面?zhèn)认蛏⒉?。因此干刻蝕適合于微處理。然而，利用干刻蝕，為了進(jìn)行適應(yīng)于抗蝕劑圖形的高精度微處理， 必須使被刻蝕材料的刻蝕速度和抗蝕劑材料的刻蝕速度之間的比很 高，并且應(yīng)當(dāng)當(dāng)心由雜質(zhì)的污染造成的刻蝕損傷、產(chǎn)生晶體缺陷等。另一方面，對(duì)于濕刻蝕，有將晶片浸在含有液體化學(xué)材料的刻蝕槽 中的浸漬法、和將液體化學(xué)材料噴射到晶片上同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶片的旋涂法。 在任何情況下，刻蝕是各向同性地進(jìn)行的，因此發(fā)生側(cè)向刻蝕。相應(yīng) 地，濕刻蝕不能用在微處理中。然而，注意到，現(xiàn)今仍然使用濕刻蝕 進(jìn)行處理，如完全除去薄膜。而且，使用化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的方法的例子是CVD (化學(xué)汽相淀積)。對(duì)于CVD，兩種或更多種反應(yīng)物氣體在汽相或在晶片等的表面附近反應(yīng)，通過(guò)該反應(yīng)產(chǎn)生的產(chǎn)物作為薄膜形成在晶片的表面上。此時(shí)， 加熱晶片，并因此通過(guò)來(lái)自被加熱晶片的熱輻射給反應(yīng)物氣體輸送激 活能量，由此激活反應(yīng)氣體的反應(yīng)。 通常，在集成電路和用于平板顯示器等的其它電子器件的制造中，使用真空處理設(shè)備進(jìn)行各種處理，如包括上述CVD的膜成形、氧化、 擴(kuò)散、用于上述成形的刻蝕、和退火。這種真空處理設(shè)備一般由至少 一個(gè)負(fù)載鎖定室、至少一個(gè)傳送室、和至少一個(gè)處理室構(gòu)成。至少兩 種這樣的真空處理設(shè)備是公知的。一種類型是多室型真空處理設(shè)備。這種真空處理設(shè)備由作為真空處 理室的三到六個(gè)處理室、具有傳送機(jī)構(gòu)的真空制備室(負(fù)載鎖定室)、 多邊形傳送室、以及傳送臂構(gòu)成，其中所述傳送機(jī)構(gòu)用于將半導(dǎo)體晶 片即被處理物體送入和送出每個(gè)處理室，在多邊形傳送室的周圍設(shè)置 處理室和負(fù)載鎖定室，并且該多邊形傳送室在其周邊壁中具有多個(gè)連 接端口，這些連接端口用于以氣密方式通過(guò)門閥與處理室和負(fù)載鎖定 室連通，所述傳送臂設(shè)置在傳送室內(nèi)部并能翻轉(zhuǎn)、伸長(zhǎng)和收縮(例如 參見日本特許公開專利公報(bào)(公開)No.H08-46013)。
此外，另一種是具有直線型室的真空處理設(shè)備。這種真空處理設(shè)備 具有在其中在半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行刻蝕的真空處理室和負(fù)載鎖定室，該 負(fù)載鎖定室具有設(shè)置在其中的標(biāo)量型單拾取型或標(biāo)量型雙拾取型傳送 臂，作為傳送裝置，用于在負(fù)載鎖定室和真空處理室之間進(jìn)行晶片的 轉(zhuǎn)交。就是說(shuō)，真空處理室和具有設(shè)置在其中的傳送臂的負(fù)載鎖定室 是作為一個(gè)組件采用的(例如參見日本特許公開專利公報(bào)(公開)No.2001-53131，和日本特許公開專利公報(bào)(公開)No.2000-150618)。在上述任何一種真空處理設(shè)備中，在負(fù)載鎖定室中進(jìn)行真空狀態(tài)和 大氣壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換，并且在運(yùn)送設(shè)置在晶片載體上的晶片的運(yùn) 載器和真空處理室之間實(shí)現(xiàn)了平緩的晶片傳送。在刻蝕處理的情況下，利用任一種真空處理設(shè)備，將高頻電壓施加 于被引入到真空處理室內(nèi)的刻蝕氣體(反應(yīng)處理氣體)，由此使反應(yīng)處 理氣體形成為等離子體，進(jìn)行刻蝕。利用這種干刻蝕，由于根據(jù)施加 電壓控制刻蝕物質(zhì)，因此可以以優(yōu)異的垂直各向異性進(jìn)行刻蝕處理， 因此可以根據(jù)光刻所需要的線寬進(jìn)行刻蝕。然而，在關(guān)于向晶片表面燃燒電路圖形的光刻工藝的微處理技術(shù)的 研制中有了進(jìn)展，其中用來(lái)自作為光刻光源的KrF準(zhǔn)分子激光器(波 長(zhǎng)為248nm)的紫外線進(jìn)行曝光的工藝已經(jīng)投入實(shí)施，并且在投入實(shí) 施的工藝中具有使用具有較短波長(zhǎng)(193nm)的ArF準(zhǔn)分子激光器的 工藝。此外，使用能形成寬度為70nm或更小的精細(xì)圖形的F2激光器 (波長(zhǎng)為157nm)的光刻已經(jīng)成為2005下一代工藝的頂尖競(jìng)爭(zhēng)者。然 而，還沒(méi)有研制出在不損失抗干刻蝕的情況下能以65nm或更小的線寬 在150-200nm的膜厚實(shí)現(xiàn)1: 1線-間隔精細(xì)構(gòu)圖的抗蝕劑材料，并且 利用常規(guī)抗蝕劑材料，將出現(xiàn)由于除氣產(chǎn)生的顆粒污染的實(shí)際問(wèn)題， 因此由各向異性干刻蝕進(jìn)行的精細(xì)構(gòu)圖接近了它的極限。因此將希望寄予作為精細(xì)刻蝕處理法的COR(化學(xué)氧化物除去)上， 作為干刻蝕或濕刻蝕的替代者。對(duì)于COR，氣體分子經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)， 并且生成的產(chǎn)物附著在被處理物體(晶片)上的氧化物膜上，然后給 晶片加熱以便除去該產(chǎn)物，由此可以獲得比光刻圖形更細(xì)的線寬。此 外，COR包括適度的各向同性刻蝕；通過(guò)如壓力、氣體濃度、氣體濃 度比、處理溫度、氣體流速、和氣體流速比來(lái)控制刻蝕速度，并且通 過(guò)在一定處理時(shí)間周期以后飽和的處理量停止刻蝕。因此可以通過(guò)控 制飽和點(diǎn)獲得希望的刻蝕速度。這種COR適合于制造亞O.l w m金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器 件，這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件由最小厚度的多-耗盡層、具有形成在其上 的金屬硅化物層的源/漏結(jié)以及超低表面電阻多-柵極構(gòu)成，使用鑲嵌工 藝的制造由源/漏擴(kuò)散活化退火和金屬硅化作用構(gòu)成，其中所述金屬硅 化作用是恰好在虛擬柵區(qū)之前進(jìn)行的，所述虛擬柵區(qū)后來(lái)將被除去并 用多晶硅柵區(qū)代替(例如參見美國(guó)專利US6440808的說(shuō)明書)。利用進(jìn)行常規(guī)刻蝕處理的真空處理設(shè)備，需要可以更有效地執(zhí)行多 個(gè)工藝。此外，對(duì)于進(jìn)行COR處理或CVD處理的真空處理設(shè)備，需 要對(duì)通過(guò)COR處理或CVD處理被加熱的晶片進(jìn)行冷卻處理，因此再 次要求可以更有效地執(zhí)行多個(gè)工藝。然而，利用常規(guī)真空處理設(shè)備， 如上所述，在負(fù)載鎖定室中進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換， 并且負(fù)載鎖定室含有傳送臂和用于冷卻晶片的冷卻機(jī)構(gòu)，因此負(fù)載鎖 定室的體積必然變大，因此真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換需要 更多的時(shí)間。此外，由于真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的長(zhǎng)時(shí)間轉(zhuǎn)換， 已經(jīng)被傳送到負(fù)載鎖定室中的晶片暴露于空氣，因此存在由于對(duì)流引 起顆粒向上飛濺而附著的風(fēng)險(xiǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種用于處理待處理的被處理物體處理設(shè)備、 被處理物體處理方法、壓力控制方法、被處理物體傳送方法以及傳送 設(shè)備，本發(fā)明能夠有效地進(jìn)行多個(gè)處理。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第一方案中，提供一種用于處理被 處理物體的被處理物體處理設(shè)備，包括可連通地成一線地連接在一起 并且在其中處理被處理物體的多個(gè)處理系統(tǒng)和可連通地連接到處理系 統(tǒng)的負(fù)載鎖定系統(tǒng)，負(fù)載鎖定系統(tǒng)具有將被處理物體送入和送每個(gè)處 理系統(tǒng)的傳送機(jī)構(gòu)，并且至少一個(gè)處理系統(tǒng)是真空處理系統(tǒng)，負(fù)載鎖 定系統(tǒng)設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢茫耘c處理系統(tǒng)形成一線。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第二方案中，提供一種用于處理被 處理物體的被處理物體處理設(shè)備，包括COR處理系統(tǒng)、至少一個(gè)真空 處理系統(tǒng)以及負(fù)載鎖定系統(tǒng)，在所述COR處理系統(tǒng)中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理，在至少一個(gè)真空處理系統(tǒng)中對(duì)被處理物體進(jìn)行其它處理， COR處理系統(tǒng)和至少一個(gè)真空處理系統(tǒng)可連通地成一線地連接在一 起，負(fù)載鎖定系統(tǒng)可連通地連接到COR處理系統(tǒng)和至少一個(gè)真空處理 系統(tǒng)，負(fù)載鎖定系統(tǒng)具有用于將被處理物體送入和送出COR處理系統(tǒng) 和至少一個(gè)真空處理系統(tǒng)的傳送機(jī)構(gòu)。優(yōu)選地，至少一個(gè)真空處理系統(tǒng)是連接到COR處理系統(tǒng)的熱處理 系統(tǒng)，在己經(jīng)進(jìn)行了 COR處理的被處理物體上進(jìn)行熱處理。更優(yōu)選地，COR處理系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng)總是處于真空狀態(tài)。再優(yōu)選地，負(fù)載鎖定系統(tǒng)設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，以便與至少一個(gè)真 空處理系統(tǒng)形成一線。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第三方案中，提供一種用于被處理 物體處理設(shè)備的被處理物體處理方法，所述被處理物體處理設(shè)備至少 包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的COR處理 系統(tǒng)、在其中在已經(jīng)進(jìn)行了 COR處理的被處理物體上進(jìn)行熱處理的熱 處理系統(tǒng)、以及可連通地連接到負(fù)載鎖定系統(tǒng)的裝載器組件，該方法 包括以下步驟第一負(fù)載鎖定系統(tǒng)送入步驟，將第一被處理物體送入 負(fù)載鎖定系統(tǒng)；第一排氣步驟，在第一負(fù)載鎖定系統(tǒng)送入步驟之后對(duì) 負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣；第一COR處理系統(tǒng)送入步驟，在已經(jīng)完成第 一排氣步驟中的排氣之后，將第一被處理物體送入COR處理系統(tǒng);COR 處理開始步驟，開始在第一被處理物體上進(jìn)行COR處理；第二鎖定系 統(tǒng)送入步驟，在對(duì)第一被處理物體進(jìn)行COR處理期間將第二被處理物 體送入負(fù)載鎖定系統(tǒng)；第二排氣步驟，在執(zhí)行第二負(fù)載鎖定系統(tǒng)送入 步驟之后對(duì)負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣；第一傳送步驟，在已經(jīng)完成第二 排氣步驟中的排氣之后并在己經(jīng)完成第一被處理物體的COR處理之 后，將第一被處理物體從COR處理系統(tǒng)送入熱處理系統(tǒng)；第二傳送步 驟，將被處理物體從負(fù)載鎖定系統(tǒng)送入COR處理系統(tǒng)；同時(shí)處理開始 步驟，在COR處理系統(tǒng)中在第二被處理物體上開始進(jìn)行COR處理并 在熱處理系統(tǒng)中在第一被處理物體上進(jìn)行熱處理；第三傳送步驟，在 已經(jīng)完成第一被處理物體的熱處理之后將第一被處理物體從熱處理系 統(tǒng)送入負(fù)載鎖定系統(tǒng)；和替換步驟，使負(fù)載鎖定系統(tǒng)和裝載器組件互
相連通，以便用在裝載器組件中等候的第三被處理物體替換負(fù)載鎖定 系統(tǒng)中的第一被處理物體。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第四方案中，提供一種用于被處理 物體處理設(shè)備的壓力控制方法，所述被處理物體處理設(shè)備至少包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的COR處理系統(tǒng)、 在其中在已經(jīng)進(jìn)行了 COR處理的被處理物體上進(jìn)行熱處理的熱處理系 統(tǒng)、以及將被處理物體送入和送出負(fù)載鎖定系統(tǒng)的裝載器組件，該方法包括送入步驟，將負(fù)載鎖定系統(tǒng)置入大氣壓力狀態(tài)中并將沒(méi)有進(jìn)行COR處理的被處理物體從裝載器組件傳送到負(fù)載鎖定系統(tǒng)，同時(shí)對(duì) 熱處理系統(tǒng)排氣；負(fù)載鎖定系統(tǒng)排氣步驟，終止熱處理系統(tǒng)的排氣， 并且對(duì)負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣使其壓力下降到設(shè)定壓力；熱處理系統(tǒng) 排氣步驟，在負(fù)載鎖定系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到設(shè)定壓力之后，終止負(fù)載鎖定系 統(tǒng)的排氣，并對(duì)熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓 力低于負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件；以及第一連通步驟，在已經(jīng) 滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力之后，使負(fù) 載鎖定系統(tǒng)與熱處理系統(tǒng)連通，同時(shí)對(duì)熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明第四方案的壓力控制方法還包括第一壓力監(jiān) 控步驟，在執(zhí)行第一連通步驟之后，監(jiān)視熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力；COR 處理系統(tǒng)排氣步驟，對(duì)COR處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，同時(shí)繼續(xù)對(duì)熱處理系 統(tǒng)排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓 力的條件；以及第二連通步驟，當(dāng)已經(jīng)滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低 于COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件時(shí)，終止COR處理系統(tǒng)的排氣， 并且使熱處理系統(tǒng)與COR處理系統(tǒng)連通，同時(shí)繼續(xù)對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣。更優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的第四方案的壓力控制方法還包括注入步 驟，在進(jìn)行第二連通步驟之后，向負(fù)載鎖定系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)中引 入流體。更優(yōu)選地，從負(fù)載鎖定系統(tǒng)流向熱處理系統(tǒng)的流體的流速以及從 COR處理系統(tǒng)流向熱處理系統(tǒng)的流體的流速彼此相等。還優(yōu)選，根據(jù)本發(fā)明第四方案的壓力控制方法還包括在從COR處 理系統(tǒng)送出已經(jīng)進(jìn)行了 COR處理的被處理物體之后對(duì)熱處理系統(tǒng)和 COR處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣的排氣步驟，因此將COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力
設(shè)定為用于消除殘余ESC電荷的靜態(tài)消除壓力。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第五方案中，提供一種用于被處理物 體處理設(shè)備的壓力控制方法，該處理設(shè)備至少包括在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的COR處理系統(tǒng)和在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了 COR處理的被處理物體進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)，該方法包括壓力監(jiān)控步驟，監(jiān)控?zé)崽幚硐到y(tǒng)內(nèi)部的壓力，同時(shí)對(duì)熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣；COR處理 系統(tǒng)排氣步驟，對(duì)COR處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部 的壓力低于COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件；以及連通步驟，當(dāng)滿足 熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件時(shí)，終止 COR處理系統(tǒng)的排氣，并將熱處理系統(tǒng)與COR處理系統(tǒng)可連通地連 接。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第六方案中，提供一種用于處理被處 理物體的被處理物體處理設(shè)備，包括第一處理系統(tǒng)，在其中對(duì)被處 理物體進(jìn)行第一處理；第二處理系統(tǒng)，與第一處理系統(tǒng)可連通地連接 并在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行第二處理；和負(fù)載鎖定系統(tǒng)，設(shè)置在第一 處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)之間并與第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)的每 個(gè)可連通地連接，該負(fù)載鎖定系統(tǒng)具有將被處理物體送進(jìn)和送出第一 處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)的傳送機(jī)構(gòu)。優(yōu)選地，第二處理系統(tǒng)是冷卻處理系統(tǒng)，在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了第一 處理的被處理物體進(jìn)行冷卻處理。更優(yōu)選地，第一處理系統(tǒng)總是處于真空狀態(tài)，并且第二處理系統(tǒng)總 是處于大氣壓力狀態(tài)。還優(yōu)選地，負(fù)載鎖定系統(tǒng)設(shè)置在與第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)形 成一線的位置上。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第七方案中，提供一種用于被處理物 體處理設(shè)備的被處理物體處理方法，該被處理物體處理設(shè)備至少包括 負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行真空處理的真空處理系統(tǒng)、 在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了真空處理的被處理物體進(jìn)行冷卻處理的大氣處理 系統(tǒng)、以及裝載器組件，該方法包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步驟，將被 處理物體從裝載器組件送進(jìn)負(fù)載鎖定系統(tǒng)；第一真空/大氣壓力轉(zhuǎn)換步 驟，在執(zhí)行負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步驟之后對(duì)負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣；真
空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟，在執(zhí)行第一真空/大氣壓力轉(zhuǎn)換步驟之后將被處 理物體送進(jìn)真空處理系統(tǒng)；真空處理步驟，對(duì)己經(jīng)被送進(jìn)真空處理系統(tǒng)的被處理物體進(jìn)行真空處理；負(fù)載鎖定系統(tǒng)送出步驟，將已經(jīng)進(jìn)行 了真空處理的被處理物體送出至負(fù)載鎖定系統(tǒng)；第二真空/大氣壓力轉(zhuǎn) 換步驟，在執(zhí)行負(fù)載鎖定系統(tǒng)送出步驟之后將負(fù)載鎖定系統(tǒng)的內(nèi)部打 開到大氣；大氣處理系統(tǒng)送出步驟，將被處理物體從負(fù)載鎖定系統(tǒng)送 出進(jìn)入大氣處理系統(tǒng)；大氣處理步驟，對(duì)已經(jīng)被送出進(jìn)入大氣處理系 統(tǒng)的被處理物體進(jìn)行冷卻處理；和裝載器組件送出步驟，將己經(jīng)進(jìn)行 了冷卻處理的被處理物體送入裝載器組件。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第八方案中，提供一種在被處理物體 處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理 設(shè)備至少包括具有用于傳送被處理物體的傳送裝置的負(fù)載鎖定系統(tǒng)、 在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行真空處理的真空處理系統(tǒng)、在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn) 行了真空處理的被處理物體進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)、和可連通地連 接到負(fù)載鎖定系統(tǒng)的裝載器組件，該方法包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步 驟，將被處理物體送進(jìn)負(fù)載鎖定系統(tǒng)；排氣步驟，在執(zhí)行負(fù)載鎖定系 統(tǒng)送進(jìn)步驟之后對(duì)負(fù)載鎖定系統(tǒng)排氣；真空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟，在已 經(jīng)完成排氣步驟中的排氣之后將被處理物體送進(jìn)真空處理系統(tǒng)；真空 處理開始步驟，在執(zhí)行真空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟之后開始真空處理；第 一傳送步驟，在已經(jīng)完成真空處理之后，將被處理物體從真空處理系 統(tǒng)傳送到熱處理系統(tǒng)中；熱處理開始步驟，在熱處理系統(tǒng)中開始熱處 理；第二傳送步驟，在已經(jīng)完成熱處理之后，將被處理物體從熱處理 系統(tǒng)送進(jìn)負(fù)載鎖定系統(tǒng)；和裝載器組件送出步驟，將負(fù)載鎖定系統(tǒng)和 裝載器組件彼此連通并將被處理物體送進(jìn)裝載器組件。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第九方案中，提供一種在被處理物 體處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處 理設(shè)備包括具有第一工作臺(tái)并在其中對(duì)已經(jīng)放在第一工作臺(tái)上的被 處理物體進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)、具有第二工作臺(tái)并在其中對(duì)已經(jīng) 放在第二工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行真空處理的真空處理系統(tǒng)、用于 與熱處理系統(tǒng)和真空處理系統(tǒng)連通設(shè)置并具有用于傳送被處理物體的 傳送裝置的負(fù)載鎖定系統(tǒng)、和控制傳送裝置的控制器，該傳送裝置具
有保持被處理物體的被處理物體保持部件，該保持部件可通過(guò)熱處理 系統(tǒng)和真空處理系統(tǒng)自由移動(dòng)，該保持部件具有用于檢測(cè)關(guān)于被處理 物體是否存在的信息的第一檢測(cè)裝置，第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)的至 少一個(gè)具有用于檢測(cè)關(guān)于是否存在被處理物體的信息的第二檢測(cè)裝 置，該控制器在被檢測(cè)信息的基礎(chǔ)上檢測(cè)被處理物體的位置，該方法 包括第一位置關(guān)系檢測(cè)步驟，檢測(cè)處于起始位置的被處理物體的中 心與第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)之一的中心之間的第一相對(duì)位置關(guān)系； 傳送步驟，在被檢測(cè)第一相對(duì)位置關(guān)系基礎(chǔ)上確定被處理物體的傳送 路線，并沿著確定的傳送路線傳送被處理物體；第二位置關(guān)系檢測(cè)步 驟，檢測(cè)已經(jīng)被傳送到第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)之一之后的被處理物 體的中心和處于起始位置的被處理物體的中心之間的第二相對(duì)位置關(guān) 系；和位置校正步驟，在第一相對(duì)位置關(guān)系和第二相對(duì)位置關(guān)系之間的偏差基礎(chǔ)上校正被處理物體的位置。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明第九方案的被處理物體傳送方法還包括被處理 物體保持部件旋轉(zhuǎn)步驟，使被處理物體保持部件旋轉(zhuǎn)，同時(shí)被處理物 體保持部件仍然保持被處理物體，以使已經(jīng)進(jìn)行位置校正的被處理物 體的參考平面的位置與預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)。還優(yōu)選，處于起始位置的被處理物體的中心是傳送前負(fù)載鎖定系統(tǒng) 中的被處理物體的中心。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第十方案中，提供一種在被處理物體 處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理 設(shè)備包括可連通地連接到具有第一工作臺(tái)的熱處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定系 統(tǒng)，在該熱處理系統(tǒng)中對(duì)已經(jīng)放在第一工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行熱 處理，該負(fù)載鎖定系統(tǒng)經(jīng)過(guò)熱處理系統(tǒng)可連通地連接到具有第二工作 臺(tái)的真空處理系統(tǒng)，在該真空處理系統(tǒng)中對(duì)已經(jīng)放在第二工作臺(tái)上的 被處理物體進(jìn)行真空處理，該負(fù)載鎖定系統(tǒng)具有用于傳送被處理物體的傳送裝置，該傳送裝置包括傳送臂，該傳送臂包括至少兩個(gè)臂形 部件，該臂形部件在其每個(gè)的--端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起；和被處理物體保持部件，該保持部件連接到臂形部件之一的另一端并保持被處理物體，該方法包括被處理物體移動(dòng)步驟，在平行于被處理物體的表 面的平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的另一端旋轉(zhuǎn)被處理物體保持部件，在
平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的一端旋轉(zhuǎn)臂形 部件之一，和在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件的另 --個(gè)的另一端旋轉(zhuǎn)臂形部件的另一個(gè)。優(yōu)選地，在被處理物體移動(dòng)步驟中，臂形部件和被處理物體保持部 件彼此協(xié)作旋轉(zhuǎn)，以便沿著第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)的配置方向移動(dòng) 被處理物體。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第十一方案中，提供一種傳送設(shè)備， 該傳送設(shè)備設(shè)置在可連通地連接到熱處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定系統(tǒng)中，其 中熱處理系統(tǒng)具有第一工作臺(tái)，在熱處理系統(tǒng)中對(duì)已經(jīng)放在第一工作 臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行熱處理，負(fù)載鎖定系統(tǒng)經(jīng)過(guò)熱處理系統(tǒng)可連通 地連接到具有第二工作臺(tái)的真空處理系統(tǒng)，在該真空處理系統(tǒng)中對(duì)已 經(jīng)放在第二工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行真空處理，該傳送設(shè)備包括 傳送臂，該傳送臂包括至少兩個(gè)臂形部件，臂形部件在每個(gè)的一端可 旋轉(zhuǎn)地連接在一起；和被處理物體保持部件，它連接到臂形部件之一 的另一端并保持被處理物體，該被處理物體保持部件設(shè)置成可在平行 于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的另一端旋轉(zhuǎn)，并且 該臂形部件之一設(shè)置成可在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂 形部件之一的一端旋轉(zhuǎn)，另一個(gè)臂形部件設(shè)置成可在平行于被處理物 體的表面的平面內(nèi)圍繞另一個(gè)臂形部件的另一端旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，臂形部件和被處理物體保持部件設(shè)置成彼此協(xié)作旋轉(zhuǎn)，以 便沿著第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)的配置方向移動(dòng)被處理物體。根據(jù)本發(fā)明的第一方案，在其中處理被處理物體的多個(gè)處理系統(tǒng)可 連通地連接在一起，至少一個(gè)處理系統(tǒng)是真空處理系統(tǒng)。結(jié)果是，簡(jiǎn) 化了在處理系統(tǒng)之間傳送被處理物體的操作，因此可以有效地進(jìn)行包 括至少一個(gè)真空處理的多個(gè)處理。根據(jù)本發(fā)明的第二方案，在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的 COR處理系統(tǒng)和在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行其它處理的至少一個(gè)真空處 理系統(tǒng)可連通地連接在一起，負(fù)載鎖定系統(tǒng)可連通地連接到COR處理 系統(tǒng)和至少一個(gè)真空處理系統(tǒng)。結(jié)果是，簡(jiǎn)化了在COR處理系統(tǒng)和其 它處理系統(tǒng)之間傳送被處理物體的操作，因此可以有效地迸行多個(gè)處 理。 根據(jù)本發(fā)明的第二方案，用于進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)優(yōu)選連接到COR處理系統(tǒng)。結(jié)果是，可以在COR處理系統(tǒng)之后有效地進(jìn)行熱處理。根據(jù)第二方案，COR處理系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng)優(yōu)選總是處于真空狀 態(tài)。結(jié)果是，可以在不釋放真空的情況下， 一個(gè)接一個(gè)進(jìn)行COR處理 系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng)中的各個(gè)處理，因此在COR處理之后不會(huì)將潮氣吸 收到被處理物體表面上，由此可防止在COR處理之后與被處理物體上 的氧化物膜進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的第二方案，負(fù)載鎖定系統(tǒng)優(yōu)選設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙希?以便與COR處理系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng)形成一線。結(jié)果是，可以進(jìn)一步簡(jiǎn) 化將被處理物體送進(jìn)和送出的操作，因此可以更有效地進(jìn)行包括COR 處理和熱處理的多個(gè)處理。根據(jù)本發(fā)明的第三方案，在COR處理系統(tǒng)中在被處理物體上進(jìn)行 COR處理的同時(shí)，在已經(jīng)進(jìn)行COR處理的被處理物體上在熱處理系統(tǒng) 中進(jìn)行熱處理，而且可以在等待完成COR處理的同時(shí)準(zhǔn)備沒(méi)有進(jìn)行了 COR處理的被處理物體。結(jié)果是，可以有效地進(jìn)行COR處理和熱處理， 在處理順序期間不會(huì)浪費(fèi)時(shí)間。根據(jù)本發(fā)明的第四方案，在將負(fù)載鎖定系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng)連通在一 起之前，對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于負(fù) 載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件，然后繼續(xù)對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣。結(jié)果是， 可防止熱處理系統(tǒng)中的氣氛被吸進(jìn)負(fù)載鎖定系統(tǒng)中。根據(jù)本發(fā)明的第四方案，優(yōu)選地，在將負(fù)載鎖定系統(tǒng)和熱處理系統(tǒng) 連通在一起之后，對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣，以便，滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的 壓力低于COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件，然后熱處理系統(tǒng)和COR 處理系統(tǒng)連通在一起，同時(shí)繼續(xù)對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣。結(jié)果是，不僅可 防止熱處理系統(tǒng)中的氣氛被吸進(jìn)負(fù)載鎖定系統(tǒng)中，而且可以防止熱處 理系統(tǒng)中的氣氛吸進(jìn)COR處理系統(tǒng)中。根據(jù)第四方案，優(yōu)選向負(fù)載鎖定系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)中弓I入流體。 結(jié)果是，當(dāng)從熱處理系統(tǒng)排氣時(shí)可以防止對(duì)流等發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的第四方案，流體從負(fù)載鎖定系統(tǒng)流進(jìn)熱處理系統(tǒng)的流 速以及流體從COR處理系統(tǒng)流進(jìn)熱處理系統(tǒng)的流速優(yōu)選彼此相等。結(jié) 果是，在熱處理系統(tǒng)中可以保持壓力平衡，并且排氣流方向可以固定。
根據(jù)本發(fā)明第四方案，在從COR處理系統(tǒng)送出已經(jīng)進(jìn)行了 COR處 理的被處理物體之后，優(yōu)選對(duì)熱處理系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)排氣，由此 設(shè)定COR處理系內(nèi)部的壓力以用于消除殘余ESC電荷的靜止消除壓 力。結(jié)果是，可以在熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的氣氛不進(jìn)入COR處理系統(tǒng)的情 況下進(jìn)行ESC靜電消除。根據(jù)本發(fā)明的第五方案，在將熱處理系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)連通在 一起之前，對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于 COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件。結(jié)果是，可防止熱處理系統(tǒng)中的氣 氛吸進(jìn)COR處理系統(tǒng)中。根據(jù)本發(fā)明的第六方案，在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行第-處理的第一 處理系統(tǒng)和在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行第二處理的第二處理系統(tǒng)可連通 地連接在一起，而且負(fù)載鎖定系統(tǒng)置于第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng) 之間并可連通地連接到第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)的每個(gè)。結(jié)果是， 可以簡(jiǎn)化被處理物體在第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)之間的傳送操 作，因此可以有效地進(jìn)行多個(gè)處理。根據(jù)第六方案，用于進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理系統(tǒng)優(yōu)選經(jīng)過(guò)負(fù)載鎖 定系統(tǒng)連接到第一處理系統(tǒng)。結(jié)果是，在第一處理之后可以有效地進(jìn) 行冷卻處理。根據(jù)第六方案，冷卻處理優(yōu)選在總是處于大氣壓力狀態(tài)的第二處理 系統(tǒng)中進(jìn)行。結(jié)果是，不必在第二處理系統(tǒng)中在真空狀態(tài)和大氣壓力 狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，因此可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行冷卻處理；而且，在其 中進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換的負(fù)載鎖定系統(tǒng)不必具有 冷卻機(jī)構(gòu)，因此可以減小負(fù)載鎖定系統(tǒng)的體積，因此真空狀態(tài)和大氣 壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。結(jié)果是，可以更有效地進(jìn) 行多個(gè)處理。而且，在已經(jīng)傳送到負(fù)載鎖定系統(tǒng)之后，被處理物體(晶 片)不將暴露于由于真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的長(zhǎng)時(shí)間轉(zhuǎn)換產(chǎn)生 的空氣對(duì)流，因此還可以減少由這種對(duì)流引起顆粒向上飛濺而附著的 風(fēng)險(xiǎn)。根據(jù)第六方案，負(fù)載鎖定系統(tǒng)優(yōu)選設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，以便與第 一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)形成一線。結(jié)果是，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化被處 理物體的送進(jìn)和送出，因此可以更有效地進(jìn)行包括第一處理和第二處19理的多個(gè)處理。根據(jù)本發(fā)明的第七方案，在被處理物體(晶片)已經(jīng)進(jìn)行了真空處 理之后進(jìn)行的第二真空/大氣壓力轉(zhuǎn)換步驟和大氣處理步驟是分開的。 結(jié)果是，可以減少這些步驟所需要的總時(shí)間，因此有效地進(jìn)行多個(gè)處 理。而且，在被處理物體(晶片)己經(jīng)進(jìn)行了真空處理之后，只在負(fù) 載鎖定系統(tǒng)送出步驟、第二真空/大氣壓力轉(zhuǎn)換步驟和大氣處理系統(tǒng)送 出步驟之后到達(dá)大氣處理步驟，因此甚至在大氣處理步驟之前進(jìn)行被 處理物體(晶片)的冷卻，因此可以在大氣處理步驟中有效地進(jìn)行冷 卻處理。根據(jù)本發(fā)明的第八方案，傳送裝置將被處理物體傳送到負(fù)載鎖定系 統(tǒng)中，并在已經(jīng)完成負(fù)載鎖定系統(tǒng)的排氣之后，將被處理物體傳送到 真空處理系統(tǒng)中，然后，在完成真空處理之后，將被處理物體從真空 處理系統(tǒng)傳送到熱處理系統(tǒng)中，并在完成熱處理之后，將被處理物體 傳送到負(fù)載鎖定系統(tǒng)中，然后將被處理物體傳送到裝載器組件中。結(jié) 果是，可以簡(jiǎn)化在處理系統(tǒng)之間傳送被處理物體的操作，因此可以有 效地進(jìn)行包括至少一個(gè)真空處理的多個(gè)處理。根據(jù)本發(fā)明的第九方案，對(duì)于每個(gè)工作臺(tái)，檢測(cè)在起始位置的被處 理物體的中心和工作臺(tái)的中心之間的第一相對(duì)位置關(guān)系，在被檢測(cè)到 的第一相對(duì)位置關(guān)系的基礎(chǔ)上確定被處理物體的傳送路線，并沿著確 定的傳送路線傳送被處理物體。結(jié)果是，到工作臺(tái)的傳送路線可以設(shè) 定為很短。而且，檢測(cè)已經(jīng)被傳送到該工作臺(tái)的被處理物體的中心和 處于起始位置的被處理物體的中心之間的第二相對(duì)位置關(guān)系，并在第 一相對(duì)位置關(guān)系和第二相對(duì)位置關(guān)系之間的偏差的基礎(chǔ)上校正被處理 物體的位置。結(jié)果是，被處理物體可以放在工作臺(tái)中的準(zhǔn)確位置，并 因此可以提高傳送操作的效率，由此可以有效地進(jìn)行多個(gè)處理。根據(jù)第九方案，被處理物體保持部件優(yōu)選旋轉(zhuǎn)，同時(shí)被處理物體保 持部件仍然保持被處理物體。結(jié)果是，被處理物體相對(duì)于工作臺(tái)的參 考面很容易與預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)，因此可以進(jìn)一步提高傳送操作的效率。根據(jù)第九方案，起始位置中的被處理物體的中心優(yōu)選是在傳送之前 負(fù)載鎖定系統(tǒng)中的被處理物體的中心。結(jié)果是，傳送路線可以設(shè)定為 更短。 根據(jù)本發(fā)明的第十方案，負(fù)載鎖定系統(tǒng)可連通地連接到熱處理系統(tǒng) 和真空處理系統(tǒng)，由負(fù)載鎖定系統(tǒng)所擁有的傳送裝置包括傳送臂， 它包括在其每個(gè)的一端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起的至少兩個(gè)臂形部件；和 連接到臂形部件之一的另一端并保持被處理物體的被處理物體保持部 件；被處理物體保持部件在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂 形部件之一的另一端旋轉(zhuǎn)，并且臂形部件之一在平行于被處理物體的 表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的一端旋轉(zhuǎn)，臂形部件的另一個(gè)在平 行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件的另一個(gè)的另一端旋 轉(zhuǎn)。結(jié)果是，可以沿著自由選擇的路線將被處理物體傳送到熱處理系 統(tǒng)中或真空處理系統(tǒng)中的自由選擇位置上，因此可以提高傳送操作的 效率，有效地進(jìn)行多個(gè)處理。根據(jù)第十方案，臂形部件和被處理物體保持部件優(yōu)選互相協(xié)作旋 轉(zhuǎn)，以便沿著第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)的設(shè)置方向移動(dòng)被處理物體。 結(jié)果是，被處理物體傳送路線可以縮短，因此可以進(jìn)--步提高傳送操 作的效率。根據(jù)本發(fā)明的第十一方案，設(shè)置在可連通地連接到熱處理系統(tǒng)和真 空處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定系統(tǒng)中的傳送裝置包括傳送臂，該傳送臂包 括在每個(gè)的一端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起的至少兩個(gè)臂形部件；和連接到臂形部件之一的另一端并保持被處理物體的被處理物體保持部件；被處理物體保持部件在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件 之一的另一端旋轉(zhuǎn)，并且臂形部件之一在平行于被處理物體的表面的 平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的一端旋轉(zhuǎn)，臂形部件的另一個(gè)在平行于被 處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件的另一個(gè)的另一端旋轉(zhuǎn)。結(jié)果 是，可以沿著自由選擇的傳送路線將被處理物體傳送到熱處理系統(tǒng)中 或真空處理系統(tǒng)中的自由選擇位置上，因此可以提高傳送操作的效率， 并有效地進(jìn)行多個(gè)處理。根據(jù)第十一方案，臂形部件和被處理物體保持部件優(yōu)選互相協(xié)作旋 轉(zhuǎn)，以便沿著第一工作臺(tái)和第二工作臺(tái)的設(shè)置方向移動(dòng)被處理物體。 結(jié)果是，可以縮短被處理物體傳送路線，因此可以進(jìn)一步提高傳送操 作的效率。從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明使本發(fā)明的上述和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu) 點(diǎn)更明顯。 附圖簡(jiǎn)述

圖1是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的真空處理設(shè)備的結(jié) 構(gòu)的平面圖；圖2是示意性地表示圖1中所示的真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖； 圖3是表示用于圖1中所示的真空處理設(shè)備的被處理物體傳送序列的第一半的示意圖；圖4是表示傳送序列的后一半的示意圖，其第一半示于圖3中； 圖5是表示用于圖1中所示真空處理設(shè)備中的壓力控制的時(shí)序圖； 圖6是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖7是示意性地表示圖6中所示的真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；和圖8是表示用于圖6中所示真空處理設(shè)備的被處理物體傳送序列的 示意圖。優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明下面將參照表示本發(fā)明的實(shí)施方式的附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明。圖1是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是示意性地表示圖1中所示真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。在圖1中，真空處理設(shè)備100具有在其中對(duì)將要被處理的物體(以 下稱為"被處理物體")，例如半導(dǎo)體晶片進(jìn)行處理的第一真空處理室 10、與第一真空處理室連接成一線并可連通地連接以及在其中處理被 處理物體的第二真空處理室30、在與第一真空處理室10和第二真空處 理室30成一線的位置上可連通地連接到第二真空處理室30的負(fù)載鎖 定室50以及可連通地連接到負(fù)載鎖定室50的裝載器組件70。第一真空處理室IO具有設(shè)置在其中的工作臺(tái)11和用于進(jìn)行被處理 物體的交接的被處理物體保持器12,其中在進(jìn)行處理時(shí)在工作臺(tái)11上 放置被處理物體。如圖2所示，用于提供N2氣體等的氣體供應(yīng)系統(tǒng)13 在其上部連接到第一真空處理室10，排氣系統(tǒng)壓力控制閥14在其下部 連接于第一真空處理室10上。而且，用于測(cè)量第一真空處理室10內(nèi) 部的壓力的壓力測(cè)量?jī)x(未示出)安裝在第一真空處理室10中。在第一真空處理室10的側(cè)壁中提供用于將被處理物體送進(jìn)和送出 第一真空處理室10的傳送口 (未示出)。第一傳送口 (未示出)同樣 設(shè)置在第二真空處理室30中。其中設(shè)置傳送口的第一真空處理室10 的部分和其中設(shè)置第一傳送口的第二真空處理室30的部分通過(guò)連接單 元20連接在一起。連接單元20由門閥21和絕熱單元22構(gòu)成，其中 絕熱單元用于隔離第一真空處理室10和第二真空處理室30的內(nèi)部與 周圍環(huán)境。第二真空處理室30具有設(shè)置在其中的工作臺(tái)31和用于進(jìn)行被處理 物體的交接的被處理物體保持器32，其中在進(jìn)行處理時(shí)，被處理物體 放在工作臺(tái)31上。如圖2所示，用于提供N2氣體等的氣體供應(yīng)系統(tǒng) 33在其上部連接到第二真空處理室30，排氣系統(tǒng)壓力控制閥34在其 下部連接于第二真空處理室30上。而且，用于測(cè)量第二真空處理室30 內(nèi)部的壓力的壓力測(cè)量?jī)x(未示出)安裝在第二真空處理室30中。除了上述第一傳送口之外，還在第二真空處理室30中設(shè)置第二傳 送口 (未示出)。第一傳送口 (未示出)同樣設(shè)置在負(fù)載鎖定室50中。 其中設(shè)置第二傳送口的第二真空處理室30的部分和其中設(shè)置第一傳送 口的負(fù)載鎖定室50的部分通過(guò)連接單元40連接在一起。第一真空處 理室10、第二真空處理室30和負(fù)載鎖定室50設(shè)置成一線。連接單元 40由門閥41和絕熱單元42構(gòu)成，其中該絕熱單元用于隔離第二真空 處理室30的內(nèi)部和負(fù)載鎖定室50中的環(huán)境與周圍氣氛。負(fù)載鎖定室50具有設(shè)置在其中的被處理物體保持部件51和傳送機(jī) 構(gòu)52，在傳送期間該保持部件51保持被處理物體，以便可以進(jìn)行被處 理物體的交接，該傳送機(jī)構(gòu)52用于將被處理物體保持部件51傳送到 第一真空處理室10、第二真空處理室30和裝載器組件70中。通過(guò)傳 送保持被處理物體的被處理物體保持部件51的傳送機(jī)構(gòu)52，可以在第 一真空處理室10、第二真空處理室30和裝載器組件70之間傳送被處 理物體，并且可以進(jìn)行被處理物體的交接。如圖2所示，用于提供N2氣體等的氣體供應(yīng)系統(tǒng)53在其上部連接
到負(fù)載鎖定室50,排氣系統(tǒng)80在其下部連接于負(fù)載鎖定室50上。而 且，用于測(cè)量負(fù)載鎖定室50內(nèi)部的壓力的壓力測(cè)量?jī)x(未示出)安裝 在負(fù)載鎖定室50中。除了上述第一傳送口之外，還在負(fù)載鎖定室50中安裝第二傳送口 (未示出)。同樣在裝載器組件70中提供傳送口 (未示出)。其中設(shè)置 第二傳送口的負(fù)載鎖定室50的部分和其中設(shè)置傳送口的裝載器組件 70的部分通過(guò)連接單元60連接在一起。連接單元60由門閥61和絕熱 單元62構(gòu)成，其中該絕熱單元用于隔離負(fù)載鎖定室50的內(nèi)部和裝載 器組件70中的環(huán)境與周圍氣氛。在上述真空處理設(shè)備100的結(jié)構(gòu)中，有兩個(gè)真空處理室，即成一線 連接在一起的第一真空處理室10和第二真空處理室30。但是，真空處 理室的數(shù)量不限于此，三個(gè)或更多個(gè)真空處理室可以成一線連接在一 起。利用上述真空處理設(shè)備100，可以進(jìn)行被處理物體傳送序列，如下 面所述；然而，在不適當(dāng)?shù)貍魉捅惶幚砦矬w的情況下，被處理物體傳 送序列必須立即停止，以便防止被處理物體經(jīng)受不適當(dāng)?shù)奶幚?。因?真空處理設(shè)備100必須具有精確地掌握正在被傳送的被處理物體的位 置的能力。因此真空處理設(shè)備100具有多個(gè)位置傳感器，如下所述。首先，與每個(gè)被處理物體直接接觸的組成部件、特別是工作臺(tái)31 (或被處理物體保持器32)、傳送機(jī)構(gòu)52 (或被處理物體保持部件51 ) 和設(shè)置在負(fù)載鎖定室50內(nèi)用于暫時(shí)保持被處理物體的工作臺(tái)(未示 出)，它們每個(gè)都具有位置傳感器，并使用這些位置傳感器檢測(cè)被處理 物體是否存在。而且，根據(jù)設(shè)置在第一真空處理室10內(nèi)的工作臺(tái)11 中的ESC夾具的狀態(tài)或使用位置傳感器檢測(cè)被處理物體是否存在。對(duì) 于真空處理設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在通過(guò)檢測(cè)獲得的信息的基礎(chǔ) 上建立用于檢測(cè)被處理物體的位置的軟件是很容易的；通過(guò)這種軟件， 例如，控制傳送機(jī)構(gòu)52等的操作的控制器(未示出)可檢測(cè)正在通過(guò) 真空處理設(shè)備IOO被傳送的被處理物體的位置。此外，在第一真空處理室IO、第二真空處理室30和負(fù)載鎖定室50 中，位置傳感器單元90、 91、 92、 93、 94和95在每個(gè)門閥21和41 以及門閥61的每側(cè)的位置上沿著被處理物體傳送路線設(shè)置。每個(gè)位置
傳感器單元由三個(gè)位置傳感器構(gòu)成，例如指向被處理物體的外周邊的 激光傳感器；該激光傳感器面向被處理物體的外周邊徑向設(shè)置，或者 設(shè)置在對(duì)應(yīng)被處理物體的外周邊的位置上，并且不僅檢測(cè)被處理物體 的位置，而且檢測(cè)被處理物體的中心位置?？刂破鳈z測(cè)在傳送之前在負(fù)載鎖定室50中(以下稱為"起始位置") 的被處理物體的中心位置和工作臺(tái)11或31的中心位置之間的第一相對(duì)位置關(guān)系，在被檢測(cè)到的第一相對(duì)位置關(guān)系的基礎(chǔ)上確定被處理物 體的傳送路線，沿著確定的傳送路線傳送被處理物體，然后檢測(cè)已經(jīng)被傳送到工作臺(tái)11或31的被處理物體的中心位置和起始位置之間的 第二相對(duì)位置關(guān)系，在第一和第二相對(duì)位置關(guān)系之間的偏差的基礎(chǔ)上 校正工作臺(tái)11或31上的被處理物體的位置。結(jié)果是，到每個(gè)工作臺(tái) 的傳送路線可以設(shè)置得很短，而且每個(gè)被處理物體可以放在每個(gè)工作 臺(tái)11或31上的準(zhǔn)確位置上，因此可以提高傳送操作的效率，并可以 有效地進(jìn)行多個(gè)處理。傳送機(jī)構(gòu)52是由標(biāo)量型單拾取型、標(biāo)量型雙拾取型等的鉸鏈臂構(gòu) 成的傳送臂。連接滑輪設(shè)置在傳送臂的底部，并且這個(gè)連接滑輪經(jīng)過(guò) 定時(shí)帶連接到設(shè)置在傳送臂的接合處的支撐滑輪上，由此旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力 可傳輸?shù)街位?。此外，連接滑輪還經(jīng)過(guò)另一定時(shí)帶連接到由編碼 器所擁有的旋轉(zhuǎn)角滑輪上，其中該旋轉(zhuǎn)角滑輪是檢測(cè)傳送臂的旋轉(zhuǎn)角 的。編碼器電儲(chǔ)存旋轉(zhuǎn)角滑輪的旋轉(zhuǎn)開始位置，即用于移動(dòng)傳送臂的開 始位置，將其作為原點(diǎn)，并通過(guò)使用旋轉(zhuǎn)角傳感器檢測(cè)由數(shù)字信號(hào)形 式的另一定時(shí)帶可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)角滑輪的旋轉(zhuǎn)角，檢測(cè)傳送臂的 移動(dòng)距離，并輸出被檢測(cè)到的移動(dòng)距離，將其作為在被處理物體的傳 送中使用的教導(dǎo)數(shù)據(jù)，例如在判斷是否準(zhǔn)確地進(jìn)行被處理物體的定位 時(shí)將使用該數(shù)據(jù)。真空處理設(shè)備IOO通過(guò)比較由位置傳感器檢測(cè)到的被處理物體的位 置與由編碼器輸出的教導(dǎo)數(shù)據(jù)而判斷是否準(zhǔn)確地進(jìn)行被處理物體的定 位、特別是在工作臺(tái)11或13上的被處理物體的定位。此外，用做傳送機(jī)構(gòu)52的傳送臂由至少兩個(gè)臂形部件構(gòu)成。這兩 個(gè)臂形部件在每個(gè)的一端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起，并且被處理物體保持
部件51連接到這兩個(gè)臂形部件之一的另一端上。而且，被處理物體保 持部件51在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞臂形部件之一的另 一端旋轉(zhuǎn)，而臂形部件之一在平行于被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞 臂形部件之一的一端旋轉(zhuǎn)，另一臂形部件在平行于被處理物體的表面 的平面內(nèi)圍繞另一臂形部件的另一端旋轉(zhuǎn)。結(jié)果是，每個(gè)被處理物體 可以沿著自由選擇的傳送路線被傳送到第二真空處理室30或第一真空處理室IO中的自由選擇的位置上，因此可以有效地進(jìn)行多個(gè)處理。兩個(gè)臂形部件和被處理物體保持部件51彼此協(xié)作旋轉(zhuǎn)，以便沿著 自由選擇的傳送路線、例如沿著工作臺(tái)11或13的設(shè)置方向移動(dòng)每個(gè)被處理物體。結(jié)果是，被處理物體傳送路線可以更短，因此可以進(jìn)-一 步提高工作效率。此外，在工作臺(tái)11或31上，被處理物體保持部件51旋轉(zhuǎn)，同時(shí) 仍然保持被處理物體，以便對(duì)準(zhǔn)被處理物體(晶片)的定向平面(參 考面)的位置與預(yù)定位置。結(jié)果是，晶片相對(duì)于工作臺(tái)11或31的定 向平面的位置可以很容易地與預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)，因此可以進(jìn)一步提高工 作效率。接著，下面將介紹通過(guò)真空處理設(shè)備100進(jìn)行的被處理物體處理方 法和在這種方法中使用的被處理物體傳送序列。圖3是表示用于圖1中所示的真空處理設(shè)備100的被處理物體傳送 序列的第一半的示意圖。圖4是表示傳送序列的后一半的示意圖，其 第一半示于圖3中。在下面的說(shuō)明中，將舉例如下真空處理設(shè)備100在被處理物體上 進(jìn)行COR (化學(xué)氧化物除去法)禾nPHT (后熱處理)作為對(duì)常規(guī)刻蝕 處理(干刻蝕或濕刻蝕)的替換方法。COR是如下處理對(duì)氣體分子 進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并且產(chǎn)生的產(chǎn)物附著于被處理物體的氧化物膜上，PHT 是如下處理對(duì)已經(jīng)被進(jìn)行COR處理的被處理物體加熱，由此使通過(guò) COR中的化學(xué)反應(yīng)在被處理物體上產(chǎn)生的產(chǎn)物汽化和熱氧化，因此使 這些產(chǎn)物脫離被處理物體。這里，在被處理物體上進(jìn)行的COR中，該被處理物體由形成基底 的襯底和形成在襯底上的預(yù)定層構(gòu)成，在除去預(yù)定層的柵區(qū)中的多晶 硅層之后暴露出來(lái)的氧化物層(氧化膜)或多晶硅被選擇地刻蝕；通
過(guò)這個(gè)COR，控制刻蝕速度，以便在襯底表面停止進(jìn)行刻蝕。此外，這個(gè)COR包括用于形成柵極開口的汽相化學(xué)氧化物除去工藝，這可以 通過(guò)使用HF和NH3的蒸氣作為刻蝕氣體而在低壓力下實(shí)現(xiàn)。在下面，第一真空處理室10制成為在其中在被處理物體上進(jìn)行 COR的COR處理室10，第二真空處理室30制成為在其中在被處理物 體上進(jìn)行PHT的PHT處理室。這里，COR處理室10的氣體供應(yīng)系統(tǒng) 13優(yōu)選是簇射頭，在這種情況下可以通過(guò)COR處理室10均勻地輸送 引入氣體。COR處理室10的體積約為30公升，COR處理室10內(nèi)部的壓力在 0.5-30毫乇范圍內(nèi)，COR處理室10內(nèi)的溫度在15-50。C范圍內(nèi)，引入 氣體為含氟反應(yīng)氣體、還原氣體、惰性氣體等。惰性氣體包括Ar、 He、 Ne、 Kr和Xe氣體，但是Ar氣體是優(yōu)選的。此外，PHT處理室30的體積約為50公升，PHT處理室30內(nèi)部的 壓力在兩級(jí)內(nèi)被減小，處理期間的壓力不同于傳送期間的壓力。此外， 對(duì)于在兩級(jí)中減小的壓力沒(méi)有限制，但是可以根據(jù)處理?xiàng)l件進(jìn)行多于 兩級(jí)的壓力減小的多級(jí)壓力減小。此外，PHT處理室30內(nèi)的溫度在 80隱20(TC范圍內(nèi)，并且真空泵排氣速度在1600-1800L/min (當(dāng)在200 毫乇時(shí))，當(dāng)完成處理時(shí)在0-100L/min (當(dāng)在0.5毫乇時(shí))，盡管一旦 PHT處理室30中達(dá)到預(yù)定真空度，泵就不工作了。引入到PHT處理 室30中的氣體是用于防止顆粒散射和用于冷卻，并且為下流氣體(N2)。如圖3中的(1)所示，首先，被處理物體Wl處于裝載器組件70 中，并且連接單元20和40處于關(guān)閉狀態(tài)，因此COR處理室10和PHT 處理室30彼此隔離。另一方面，連接單元60處于打開狀態(tài)。被處理 物體W1具有采用常規(guī)處理已經(jīng)形成在其表面上的預(yù)定圖形。如(2) 中所示，第一被處理物體Wl從裝載器組件70被傳送到負(fù)載鎖定室50 中，然后連接單元60的門閥61閉合。接著，排氣系統(tǒng)壓力控制閥34 閉合，并且對(duì)負(fù)載鎖定室50排氣。完成負(fù)載鎖定室50的排氣之后， 如(3)所示，排氣系統(tǒng)壓力控制閥34打開，連接單元40的門閥41 打開。之后，連接單元20的門閥21打開。接著，如(4)所示，被被處理物體保持部件51保持的被處理物體 Wl被傳送機(jī)構(gòu)52傳送到COR處理室10中，然后如(5)中所示，在
被處理物體保持部件51和傳送機(jī)構(gòu)52己經(jīng)返回負(fù)載鎖定室50之后， 門閥21和41閉合，開始進(jìn)行COR。在這個(gè)處理期間，負(fù)載鎖定室50 的內(nèi)部打開到大氣空氣。接著，如(6)和(7)中所示，第二被處理物體W2從裝載器組件 70傳送到負(fù)載鎖定室50中，然后，門闊61閉合。此外，排氣系統(tǒng)壓 力控制閥34閉合，并且對(duì)負(fù)載鎖定室50排氣。完成負(fù)載鎖定室50的 排氣之后，排氣系統(tǒng)壓力控制閥34和門閥41打開，等待COR處理的 完成。如(8)和(9)中所示，完成COR之后，門閥21打開，被處理物 體Wl從COR處理室10被移動(dòng)到PHT處理室30中。然后，如(10)和(11)中所示，被處理物體W2從負(fù)載鎖定室50 移動(dòng)到COR處理室10中，然后如(12)所示，被處理物體保持部件 51和傳送機(jī)構(gòu)52返回負(fù)載鎖定室50之后，門閥21和41閉合，開始 在COR處理室10中進(jìn)行COR，同時(shí)在PHT處理室30中開始進(jìn)行PHT。完成PHT之后，如(13)中所示，門閥41打開，PHT處理室30 中的被處理物體Wl被移動(dòng)到負(fù)載鎖定室50中。接下來(lái)，如(14) - (16)所示，門閥41閉合，負(fù)載鎖定室50的內(nèi) 部打開到大氣空氣，然后負(fù)載鎖定室50中的被處理物體Wl和在裝載 器組件70中等待的被處理物體W3彼此交換。之后，如(17)中所示， 對(duì)負(fù)載鎖定室50排氣。然后門閥41打開，并等待被處理物體W2的 COR的完成。上述傳送序列是通過(guò)壓力控制來(lái)實(shí)現(xiàn)的?？梢灾貜?fù)上述 傳送序列，直到完成整批被處理物體的處理為止。在上述傳送序列中的步驟O) - (16)的每個(gè)中，可以進(jìn)行在由前 述位置傳感器檢測(cè)的被處理物體的位置和教導(dǎo)數(shù)據(jù)之間的比較的基礎(chǔ) 上判斷每個(gè)被處理物體的定位，并且在特定步驟中在沒(méi)有準(zhǔn)確進(jìn)行被 處理物體的定位的情況下，可以停止被處理物體的傳送，并且該步驟 和在該步驟中的被處理物體的位置可以被儲(chǔ)存，由此儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)可以 用做再處理方案的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。上面只是傳送方法的一個(gè)例子，但是其它傳送方案也是可以的，例 如，負(fù)載鎖定室50—第一真空處理室10—負(fù)載鎖定室50，負(fù)載鎖定室 50—第二真空處理室30—負(fù)載鎖定室50，和負(fù)載鎖定室50—第二真空
處理室30—第一真空處理室10—負(fù)載鎖定室50。此外，如果需要的話，還可以在第一真空處理室10和第二真空處 理室30之間來(lái)回移動(dòng)。通過(guò)在COR處理室IO (第一真空處理室IO) 和PHT處理室30 (第二真空處理室30)之間往復(fù)移動(dòng)被處理物體， 可以重復(fù)進(jìn)行COR和PHT，理論上講可以使形成在被處理物體上的圖 形的線寬更精細(xì)。由此可以適應(yīng)圖形最小化。根據(jù)上述本發(fā)明第一實(shí)施方式的真空處理設(shè)備，傳送機(jī)構(gòu)52將被 處理物體Wl傳送到負(fù)載鎖定室50中，完成負(fù)載鎖定室50的排氣之 后，將被處理物體Wl傳送到COR處理室10中，并在完成COR之后， 將被處理物體Wl從COR處理室10移動(dòng)到PHT處理室30中，并在 完成PHT之后，將PHT處理室30中的被處理物體Wl移動(dòng)到負(fù)載鎖 定室50中，然后進(jìn)一步將被處理物體Wl移進(jìn)裝載器組件70。結(jié)果是， 可以簡(jiǎn)化在多個(gè)處理室之間傳送被處理物體Wl的操作，因此可以有 效地進(jìn)行包括至少一個(gè)COR處理的多個(gè)處理。此外，根據(jù)第一實(shí)施方式的真空處理設(shè)備，在滿足下列工藝條件的 情況下，可以有效地進(jìn)行兩個(gè)處理的順序，而不用第一真空處理室10 等候。工藝條件(第一處理時(shí)間) > (第二處理時(shí)間)+ (第一轉(zhuǎn)換時(shí)間) + (第二轉(zhuǎn)換時(shí)間)+ (對(duì)負(fù)載鎖定室50引入/排放氣體的時(shí)間)這里第一處理時(shí)間=在第一真空處理室10中進(jìn)行處理的時(shí)間 第二處理時(shí)間=在第二真空處理室30中進(jìn)行處理的時(shí)間 第一轉(zhuǎn)換時(shí)間=在負(fù)載鎖定室50和第二真空處理室30之間替換被處理物體所需的時(shí)間第二轉(zhuǎn)換時(shí)間=在負(fù)載鎖定室50和裝載器組件70之間替換被處理物體所需的時(shí)間第一真空處理室10和第二真空處理室30可以由選自刻蝕系統(tǒng)、膜 形成系統(tǒng)、涂覆系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)、熱處理系統(tǒng)等的所需組件的適當(dāng)組 合構(gòu)成，但對(duì)上述例子沒(méi)有限制。此外，在第一真空處理室10和第二真空處理室30總是處于真空狀 態(tài)的情況下，第二真空處理室30和負(fù)載鎖定室50不同時(shí)排氣，因此在這種情況下，第二真空處理室30和負(fù)載鎖定室50可以共享同一排氣系統(tǒng)80。接著，下面將介紹在真空處理設(shè)備IOO工作期間的壓力控制。 圖5是表示用于在真空處理設(shè)備100中的壓力控制的時(shí)序圖。1) 對(duì)PHT處理室30排氣時(shí)，負(fù)載鎖定室50的內(nèi)部打開到大氣空 氣，并將沒(méi)有進(jìn)行COR處理的被處理物體從裝載器組件70傳送到負(fù) 載鎖定室50中，然后將連接到PHT處理室30的排氣系統(tǒng)壓力控制閥 34 (以下稱為"PHT排氣閥34")閉合，由此開始負(fù)載鎖定室50的排 氣。一旦負(fù)載鎖定室50已經(jīng)達(dá)到設(shè)定壓力，負(fù)載鎖定室50的排氣閥 (LLM排氣閥，圖1或2中未示出)閉合，PHT排氣閥34打開，并 進(jìn)行控制，以便PHT處理室30內(nèi)部的壓力變得小于負(fù)載鎖定室50內(nèi) 部的壓力； 一旦確認(rèn)已經(jīng)完成這個(gè)控制，負(fù)載鎖定室50和PHT處理 室30之間的門閥41 (以下稱為"PHT側(cè)門閥41")打開，由此使PHT 處理室30與負(fù)載鎖定室50連通。即使在PHT側(cè)門閥41打開之后，PHT排氣閥34也保持打開，由 此對(duì)PHT處理室30排氣并防止PHT氣氛進(jìn)入負(fù)載鎖定室50。而且， 可以謹(jǐn)慎地將流體(N2)從負(fù)載鎖定室50流進(jìn)，以便防止發(fā)生對(duì)流等。2) 監(jiān)視PHT處理室30內(nèi)部的壓力，同時(shí)對(duì)PHT處理室30排氣， 并且控制COR處理室10內(nèi)部的壓力，以使PHT處理室30內(nèi)部的壓 力小于COR處理室10內(nèi)部的壓力。一旦PHT處理室30內(nèi)部的壓力小于COR處理室10內(nèi)部的壓力， 連接到COR處理室10的排氣系統(tǒng)壓力控制閥14 (以下稱為"COR排 氣閥14")閉合，并且PHT處理室30和COR處理室10之間的門閥 21 (以下稱為"COR側(cè)門閥21")打開。即使在COR側(cè)門閥21打開之后，PHT排氣閥34也保持打開，由 此對(duì)PHT處理室30排氣并防止PHT處理室30內(nèi)部的氣氛進(jìn)入COR 處理室IO。而且，可以謹(jǐn)慎地將流體(N2)從COR處理室10流進(jìn)， 以便防止發(fā)生對(duì)流等。3) 使用上面l)中所述的順序打開PHT側(cè)門閥41，然后使負(fù)載鎖 定室50和PHT處理室30為單組件，使用上面2)中所述的順序打開COR側(cè)門閥21 。即使在PHT側(cè)門閥41和COR側(cè)門閥21打開之后， PHT排氣閥34也保持打開，由此對(duì)PHT處理室30排氣并防止PHT 處理室30內(nèi)部的氣氛進(jìn)入負(fù)載鎖定室50或COR處理室10。此外，可以謹(jǐn)慎地使流體(N2)流進(jìn)負(fù)載鎖定室50和COR處理室 10，以便防止發(fā)生對(duì)流等，并通過(guò)使流體從負(fù)載鎖定室50流進(jìn)PHT 處理室30的流速等于從COR處理室10流進(jìn)PHT處理室30的流速， 可以防止發(fā)生逆流。4)在上面3)中所述的順序中，在已經(jīng)進(jìn)行COR處理的被處理物 體被送出COR處理室10之后，使用PHT排氣閥34將COR處理室10 內(nèi)部的壓力控制到靜態(tài)消除壓力，以便消除殘余ESC電荷。結(jié)果是， 可以在不使PHT處理室30內(nèi)部的氣氛進(jìn)入COR處理室10的情況下 進(jìn)行ESC靜態(tài)消除。此外，可以總是在真空狀態(tài)下連續(xù)進(jìn)行PHT處理室30和COR處 理室10中的處理，因此可以防止發(fā)生在COR之后被處理物體上的氧 化物膜從氣氛等中吸收潮氣的化學(xué)反應(yīng)。在上述傳送方法中，將被用做產(chǎn)品(即產(chǎn)品晶片)的晶片作為被處 理物體被傳送；然而，傳送的被處理物體不限于產(chǎn)品晶片，也可以是 用于檢測(cè)真空處理設(shè)備100的處理室和裝置的操作的虛擬晶片，或者 在干燥處理室時(shí)使用的虛擬晶片。接著，下面將參照附圖介紹根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備。圖6是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備的結(jié) 構(gòu)的平面圖。圖7是示意性地表示圖6中所示真空處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的在圖6中，真空處理設(shè)備600具有在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行真空 處理的真空處理室601;與真空處理室601成一線并與其可連通地連接 而且在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行其它處理的大氣處理室602;位于真空處 理室601和大氣處理室602之間的負(fù)載鎖定室603，負(fù)載鎖定室603 與真空處理室601和大氣處理室602可連通地連接，并處于與真空處 理室601和大氣處理室602形成一線的位置上；和可連通地連接到大 氣處理室602的裝載器組件604。 真空處理室601具有設(shè)置在其中的工作臺(tái)605，該工作臺(tái)605用做 其上放置被處理物體的平臺(tái)并用做下電極，當(dāng)進(jìn)行處理時(shí)給該下電極 施加高頻電壓，用于在真空處理室601內(nèi)部產(chǎn)生等離子體；加熱器606， 它建立在工作臺(tái)605中并給工作臺(tái)605上放置的被處理物體加熱；簇 射頭(shower head)607，它用做向真空處理室601中輸送反應(yīng)氣體的輸 送系統(tǒng)并用做上電極，該上電極與用做下電極的工作臺(tái)605協(xié)作在真 空處理室601內(nèi)部產(chǎn)生高頻電場(chǎng)；具有可自由打開/關(guān)閉的閥門(未示 出)的排放口 608，在真空處理室601內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體和殘余產(chǎn)物 從該排放口 608排放出去；和用于測(cè)量真空處理室601內(nèi)部的壓力的 壓力測(cè)量?jī)x(未示出)。真空處理室601的內(nèi)部總是處于真空狀態(tài)，并 且這里是處于可進(jìn)行真空處理的狀態(tài)下。
在真空處理室601的側(cè)壁中設(shè)置用于將被處理物體送進(jìn)和送出第一 真空處理室601的傳送口 (未示出)。同樣在與真空處理室601相鄰設(shè) 置的負(fù)載鎖定室603的側(cè)壁中設(shè)置傳送口 (未示出)。其中設(shè)置傳送口 的真空處理室601和負(fù)載鎖定室603的部分由連接單元611連接在一 起。連接單元611由門閥612和隔熱單元613構(gòu)成，隔熱單元613用 于使真空處理室601的內(nèi)部和負(fù)載鎖定室603中的環(huán)境與環(huán)境氣氛隔
大氣處理室602具有設(shè)置在其中的工作臺(tái)609和固定器610，其中 工作臺(tái)609上放置被處理物體，固定器610固定放在工作臺(tái)609上的 被處理物體。工作臺(tái)609具有設(shè)立在其中的冷卻回路(未示出)作為 冷卻機(jī)構(gòu)，通過(guò)該冷卻機(jī)構(gòu)可使冷卻液循環(huán)，由此冷卻放在工作臺(tái)609 上的被處理物體。此外，大氣處理室602的內(nèi)部總是打開到大氣空氣。 因此，可以在大氣處理室602中的大氣壓力下進(jìn)行對(duì)在CVD期間等己 經(jīng)被加熱的被處理物體進(jìn)行冷卻的冷卻處理。
此外，作為冷卻機(jī)構(gòu)，除了上述冷卻回路之后，大氣處理室602還 可以具有入口 ，通過(guò)該入口可以將用于冷卻的下流氣體例如惰性氣體 如N2、 Ar或He氣體等引入大氣處理室602中。
在大氣處理室602的側(cè)壁中提供用于將被處理物體送進(jìn)和送出大氣 處理室602的傳送口 (未示出)。除了上述傳送口之外，在與大氣處理 室602相鄰設(shè)置的負(fù)載鎖定室603的側(cè)壁中同樣也設(shè)置另一傳送口(未 根據(jù)本發(fā)明第四方案，在從COR處理系統(tǒng)送出已經(jīng)進(jìn)行了 COR處 理的被處理物體之后，優(yōu)選對(duì)熱處理系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)排氣，由此 設(shè)定COR處理系內(nèi)部的壓力以用于消除殘余ESC電荷的靜止消除壓 力。結(jié)果是，可以在熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的氣氛不進(jìn)入COR處理系統(tǒng)的情 況下進(jìn)行ESC靜電消除。根據(jù)本發(fā)明的第五方案，在將熱處理系統(tǒng)和COR處理系統(tǒng)連通在 一起之前，對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于 COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件。結(jié)果是，可防止熱處理系統(tǒng)中的氣 氛吸進(jìn)COR處理系統(tǒng)中。根據(jù)本發(fā)明的第六方案，在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行第-處理的第一 處理系統(tǒng)和在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行第二處理的第二處理系統(tǒng)可連通 地連接在一起，而且負(fù)載鎖定系統(tǒng)置于第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng) 之間并可連通地連接到第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)的每個(gè)。結(jié)果是， 可以簡(jiǎn)化被處理物體在第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)之間的傳送操 作，因此可以有效地進(jìn)行多個(gè)處理。根據(jù)第六方案，用于進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理系統(tǒng)優(yōu)選經(jīng)過(guò)負(fù)載鎖 定系統(tǒng)連接到第一處理系統(tǒng)。結(jié)果是，在第一處理之后可以有效地進(jìn) 行冷卻處理。根據(jù)第六方案，冷卻處理優(yōu)選在總是處于大氣壓力狀態(tài)的第二處理 系統(tǒng)中進(jìn)行。結(jié)果是，不必在第二處理系統(tǒng)中在真空狀態(tài)和大氣壓力 狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，因此可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行冷卻處理；而且，在其 中進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換的負(fù)載鎖定系統(tǒng)不必具有 冷卻機(jī)構(gòu)，因此可以減小負(fù)載鎖定系統(tǒng)的體積，因此真空狀態(tài)和大氣 壓力狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。結(jié)果是，可以更有效地進(jìn) 行多個(gè)處理。而且，在已經(jīng)傳送到負(fù)載鎖定系統(tǒng)之后，被處理物體(晶 片)不將暴露于由于真空狀態(tài)和大氣壓力狀態(tài)之間的長(zhǎng)時(shí)間轉(zhuǎn)換產(chǎn)生 的空氣對(duì)流，因此還可以減少由這種對(duì)流引起顆粒向上飛濺而附著的 風(fēng)險(xiǎn)。根據(jù)第六方案，負(fù)載鎖定系統(tǒng)優(yōu)選設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，以便與第 一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)形成一線。結(jié)果是，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化被處 理物體的送進(jìn)和送出，因此可以更有效地進(jìn)行包括第一處理和第二處 理室，即真空處理室601和大氣處理室602。然而，與根據(jù)本發(fā)明第一 實(shí)施方式的真空處理設(shè)備100相同，處理室的數(shù)量不限于兩個(gè)，三個(gè) 或多個(gè)處理室可以成一線連接在一起。接著，下面將介紹通過(guò)真空處理設(shè)備600進(jìn)行的被處理物體處理方 法和在這個(gè)方法中使用的被處理物體傳送序列。圖8是表示用于圖6中所示的真空處理設(shè)備600的被處理物體傳送 序列的示意圖。在下列說(shuō)明中，給出了真空處理設(shè)備600在被處理物體上進(jìn)行CVD 和冷卻處理的例子。下面，將真空處理室601制成為在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行CVD的 CVD處理室601，在大氣處理室602中對(duì)被處理物體進(jìn)行作為大氣處 理的冷卻。在圖8中，如在圖3和4中那樣，連接單元是白色的，表 示門閥處于打開狀態(tài)，連接單元是黑色的，表示門閥處于閉合狀態(tài)。首先，如圖8中的(1)所示，處于裝載器組件604中的被處理物 體Wl被傳送到大氣處理室602中。此時(shí)，門閥612處于閉合狀態(tài)， 因此負(fù)載鎖定室603和CVD處理室601彼此隔離。另一方面，門閥615 處于打開狀態(tài)，因此大氣處理室602和負(fù)載鎖定室603彼此連通。接著，如(2)中所示，被處理物體Wl從大氣處理室602被傳送 到負(fù)載鎖定室603中，然后如(3)中所示，門閥615閉合，而且管道 619中的閥門624打開，然后排氣泵623工作，由此對(duì)負(fù)載鎖定室603 進(jìn)行排氣。接著，如(4)中所示，門閥612打開，然后利用傳送機(jī)構(gòu)618將 由被處理物體保持部件617保持的被處理物體Wl傳送到CVD處理室 601中。然后，如(5)中所示，在被處理物體保持部件617和傳送機(jī) 構(gòu)618已經(jīng)返回負(fù)載鎖定室603之后，門閥612閉合，并在CVD處理 室601中對(duì)被處理物體Wl進(jìn)行CVD處理。接著，如(6)中所示，完成CVD處理室之后，門閥612打開，并 且將已經(jīng)進(jìn)行了 CVD處理的被處理物體Wl從CVD處理室601傳送 到負(fù)載鎖定室603中。接著，如(7)中所示，在將被處理物體Wl送進(jìn)負(fù)載鎖定室603 之后，門閥612閉合，而且管道619中的閥門624閉合，開始從氣體 供應(yīng)系統(tǒng)620輸送氮?dú)獾?，由此將?fù)載鎖定室603的內(nèi)部釋放到大氣 空氣中。 一旦負(fù)載鎖定室603內(nèi)部的壓力達(dá)到大氣壓力，如(8)中所 示，門閥615打開，然后由傳送機(jī)構(gòu)618將被處理物體Wl傳送到大 氣處理室602中，將其放在工作臺(tái)609上并由固定器610連接。接下來(lái)，如(9)中所示，工作臺(tái)609冷卻了被處理物體Wl， 一旦 被處理物體Wl被冷卻到預(yù)定溫度(約7(TC)，如(10)中所示，被處 理物體Wl被傳送到裝載器組件604中。然后真空處理設(shè)備600重復(fù)上述傳送序列，直到完成整批被處理物 體的處理為止。在上述傳送序列中的步驟(1) - (10)的每個(gè)中，如對(duì)本發(fā)明第--實(shí)施方式所述的那樣，可以在由位置傳感器檢測(cè)的被處理物體的位置 和教導(dǎo)數(shù)據(jù)之間的比較的基礎(chǔ)上迸行每個(gè)被處理物體的定位的判斷， 并在特定步驟中沒(méi)有準(zhǔn)確進(jìn)行被處理物體的定位的情況下，可以停止 被處理物體的傳送，并且可以存儲(chǔ)該步驟和在該步驟中的被處理物體 的位置，利用儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，由此可以將被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)用做再處理方案 的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。而且，在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備中，如關(guān)于本發(fā) 明第一實(shí)施方式的說(shuō)明，還可以在由位置傳感器獲得的信息的基礎(chǔ)上 檢測(cè)工作臺(tái)605或609的中心位置和起始位置之間的第一相對(duì)位置關(guān) 系，在被檢測(cè)的第一相對(duì)位置關(guān)系的基礎(chǔ)上確定被處理物體的傳送路 線，沿著確定的傳送路線傳送被處理物體，然后檢測(cè)己經(jīng)被傳送到工 作臺(tái)605或609的被處理物體的中心位置和起始位置之間的第二相對(duì) 位置關(guān)系，并在第一和第二相對(duì)位置關(guān)系之間的偏差的基礎(chǔ)上校正工 作臺(tái)605或609上的被處理物體的位置。結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)上述效果。此外，傳送機(jī)構(gòu)618和被處理物體保持部件617可具有與第一實(shí)施 方式中的傳送機(jī)構(gòu)52和被處理物體保持部件51相同的結(jié)構(gòu)，由此可 以實(shí)現(xiàn)前述效果。前面只是傳送序列的例子，如果需要的話，也可以在真空處理室601 和大氣處理室602之間進(jìn)行其它傳送序列的往復(fù)運(yùn)動(dòng)。通過(guò)在CVD處 理室601 (真空處理室601)和大氣處理室602之間來(lái)回移動(dòng)被處理物 體W1，由此可以重復(fù)進(jìn)行CVD和冷卻，可以抑制在被處理物體表面 上形成的薄膜的厚度的變化。而且，真空處理室601和大氣處理室602可以由選自刻蝕系統(tǒng)、膜 形成系統(tǒng)、涂覆/顯影系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)等的所需組件的合適 組合構(gòu)成，而對(duì)上述例子沒(méi)有限制。根據(jù)上述本發(fā)明的第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備，在其中對(duì)被處理物體Wl進(jìn)行CVD的CVD處理室601和在其中對(duì)被處理物體Wl進(jìn) 行冷卻的大氣處理室602可連通地連接在一起，并且負(fù)載鎖定室603 設(shè)置在CVD處理室601和大氣處理室602之間并處于與真空處理室 601和大氣處理室602形成一線并可連通地連接到真空處理室601和大 氣處理室602的位置上。結(jié)果是，可以簡(jiǎn)化在CVD處理室601和大氣 處理室602之間傳送被處理物體Wl的操作，因此可以有效地進(jìn)行包 括CVD處理和冷卻處理的多個(gè)處理，特別是，可以在對(duì)被處理物體進(jìn) 行CVD處理之后有效地進(jìn)行冷卻處理。此外，大氣處理室602中的冷卻處理總是在大氣壓力狀態(tài)下進(jìn)行， 因此不必進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣處理室602中的大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換， 因此可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行冷卻處理；此外，在其中進(jìn)行真空狀態(tài)和大 氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換的負(fù)載鎖定室603不必具有冷卻機(jī)構(gòu)，因此可以 減小負(fù)載鎖定室603的體積，并可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣 壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換。結(jié)果是，可以在被處理物體Wl上進(jìn)行包括冷卻 處理的多個(gè)處理，并且可以更有效地進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間 的轉(zhuǎn)換。例如，如果真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換和冷卻處理同時(shí)進(jìn) 行，象常規(guī)真空處理設(shè)備那樣，則負(fù)載鎖定室必須不僅含有傳送機(jī)構(gòu) 而且含有冷卻機(jī)構(gòu)，因此增加了負(fù)載鎖定室的體積，并且己經(jīng)發(fā)現(xiàn)在 真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換以及冷卻處理需要約126秒；然而， 在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換以及冷卻處理在分開的處理室中 進(jìn)行的情況下，如根據(jù)上述本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備，只 需要在負(fù)載鎖定室中進(jìn)行真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換，并且只 需要在大氣處理室中進(jìn)行冷卻處理，因此減小了負(fù)載鎖定室的體積， 因此在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換只需要約20秒，冷卻處理只 需要約15秒，g卩，真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換以及冷卻處理總 共只需要約35秒。此外，在已經(jīng)被傳送到負(fù)載鎖定室603中之后，被處理物體W1不暴露于由于真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的長(zhǎng)時(shí)間轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的空氣對(duì) 流，因此可以減少由這種對(duì)流產(chǎn)生的粒子飛濺而附著的風(fēng)險(xiǎn)。 而且，根據(jù)第二實(shí)施方式的被處理物體處理方法，真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換以及在被處理物體Wl已經(jīng)進(jìn)行了 CVD處理之后的 冷卻處理在負(fù)載鎖定室603和大氣處理室602中分開，因此可以縮短 這些處理的每個(gè)處理所需的時(shí)間，因此可以有效地進(jìn)行真空狀態(tài)和大 氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換以及冷卻處理。此外，在被處理物體Wl已經(jīng)進(jìn) 行了 CVD處理之后，在將被處理物體W1傳送到負(fù)載鎖定室603中的 工藝、真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換的工藝以及將被處理物體Wl 傳送到大氣處理室602中的工藝之后，進(jìn)行大氣處理室602中的冷卻 處理；即使在進(jìn)行冷卻處理之前也可以進(jìn)行被處理物體Wl的冷卻， 例如在剛剛完成CVD之后被處理物體Wl的溫度約為650°C的情況下， 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在將被處理物體Wl傳送到大氣處理室602中的工藝之后被 處理物體W1的溫度約為40(TC。結(jié)果是，可以有效地進(jìn)行在大氣處理 室602中在被處理物體Wl上進(jìn)行的冷卻處理。利用根據(jù)上述本發(fā)明第二實(shí)施方式的真空處理設(shè)備，在被處理物體 上進(jìn)行CVD;然而，不用說(shuō)，由該真空處理設(shè)備在被處理物體上進(jìn)行 的真空處理不限于CVD，可以進(jìn)行由伴隨著熱處理的任何真空處理， 并且在這種情況下同樣可以實(shí)現(xiàn)上述效果。
權(quán)利要求
1、一種用于被處理物體處理設(shè)備的壓力控制方法，所述被處理物體處理設(shè)備至少包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的COR處理系統(tǒng)、在其中在已經(jīng)進(jìn)行了所述COR處理的所述被處理物體上進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)、以及將所述被處理物體送入和送出所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)的裝載器組件，該方法包括送入步驟，將所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)置入大氣壓力狀態(tài)中和將沒(méi)有進(jìn)行COR處理的被處理物體從所述裝載器組件傳送到所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)，同時(shí)對(duì)所述熱處理系統(tǒng)排氣；負(fù)載鎖定系統(tǒng)排氣步驟，終止所述熱處理系統(tǒng)的排氣，并且對(duì)所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣使其壓力下降到設(shè)定壓力；熱處理系統(tǒng)排氣步驟，在所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到設(shè)定壓力之后，終止所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)的排氣，并對(duì)所述熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，以便滿足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件；以及第一連通步驟，在已經(jīng)滿足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件之后，使所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)與所述熱處理系統(tǒng)連通，同時(shí)繼續(xù)對(duì)所述熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的壓力控制方法，還包括 第一壓力監(jiān)控步驟，在執(zhí)行所述第一連通步驟之后，監(jiān)視所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力；COR處理系統(tǒng)排氣步驟，對(duì)所述COR處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，同時(shí)繼 續(xù)對(duì)所述熱處理系統(tǒng)排氣，以便滿足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于 所述COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件；以及第二連通步驟，當(dāng)已經(jīng)滿足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于所述 COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件時(shí)，終止所述COR處理系統(tǒng)的排氣， 并且使所述熱處理系統(tǒng)與所述COR處理系統(tǒng)連通，同時(shí)繼續(xù)對(duì)所述熱 處理系統(tǒng)排氣。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2的壓力控制方法，還包括注入步驟，在進(jìn)行所述第二連通步驟之后，向所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)和所述COR處理系統(tǒng)中引 入流體。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3的壓力控制方法，其中從所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)流 進(jìn)所述熱處理系統(tǒng)的流體的流速以及從所述COR處理系統(tǒng)流進(jìn)所述熱 處理系統(tǒng)的流體的流速彼此相等。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2的壓力控制方法，還包括在從所述COR處理系 統(tǒng)送出已經(jīng)進(jìn)行了所述COR處理的所述被處理物體之后，對(duì)所述熱處 理系統(tǒng)和所述COR處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣的排氣步驟，因此將所述COR 處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力設(shè)定為用于消除殘余ESC電荷的靜態(tài)消除壓力。
6、 一種用于被處理物體處理設(shè)備的壓力控制方法，該處理設(shè)備至 少包括在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行COR處理的COR處理系統(tǒng)和在其中 對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了所述COR處理的所述被處理物體進(jìn)行熱處理的熱處理系 統(tǒng)，該方法包括壓力監(jiān)視步驟，監(jiān)視所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力，同時(shí)對(duì)所述熱處 理系統(tǒng)進(jìn)行排氣；COR處理系統(tǒng)排氣步驟，對(duì)所述COR處理系統(tǒng)迸行排氣，以便滿 足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于所述COR處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條 件；以及連通步驟，當(dāng)己經(jīng)滿足所述熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于所述COR 處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件時(shí)，終止所述COR處理系統(tǒng)的排氣，并將 所述熱處理系統(tǒng)與所述COR處理系統(tǒng)連通。
7、 一種用于被處理物體處理設(shè)備的被處理物體處理方法，所述被 處理物體處理設(shè)備至少包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行 真空處理的真空處理系統(tǒng)、在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了所述真空處理的所述 被處理物體進(jìn)行冷卻處理的大氣處理系統(tǒng)、以及裝載器組件，該方法 包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步驟，將被處理物體從所述裝載器組件送進(jìn)所述 負(fù)載鎖定系統(tǒng)； 對(duì)所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣；真空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟，在執(zhí)行所述第一真空/大氣壓轉(zhuǎn)換步驟之后將所述被處理物體送進(jìn)所述真空處理系統(tǒng)；真空處理步驟，對(duì)已經(jīng)被送進(jìn)所述真空處理系統(tǒng)的所述被處理物體 進(jìn)行真空處理；負(fù)載鎖定系統(tǒng)送出步驟，將已經(jīng)進(jìn)行了所述真空處理的所述被處理 物體送出至所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)；第二真空/大氣壓轉(zhuǎn)換步驟，在執(zhí)行所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)送出步驟之后 將所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)的內(nèi)部打開到大氣；大氣處理系統(tǒng)送出步驟，將所述被處理物體從所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)送 出進(jìn)入所述大氣處理系統(tǒng)；大氣處理步驟，對(duì)己經(jīng)被送出進(jìn)入所述大氣處理系統(tǒng)的所述被處理 物體進(jìn)行冷卻處理；和裝載器組件送出步驟，將已經(jīng)進(jìn)行了所述冷卻處理的所述被處理物 體送出進(jìn)入所述裝載器組件。
8、 一種在被處理物體處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送 方法，該被處理物體處理設(shè)備至少包括具有用于傳送被處理物體的傳 送裝置的負(fù)載鎖定系統(tǒng)、在其中對(duì)被處理物體進(jìn)行真空處理的真空處 理系統(tǒng)、在其中對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了所述真空處理的所述被處理物體進(jìn)行熱 處理的熱處理系統(tǒng)、和可連通地連接到所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)的裝載器組 件，該方法包括負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步驟，將被處理物體送進(jìn)所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)； 排氣步驟，在執(zhí)行所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)送進(jìn)步驟之后對(duì)所述負(fù)載鎖定 系統(tǒng)排氣；真空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟，在已經(jīng)完成所述排氣步驟中的排氣之后將 所述被處理物體送進(jìn)所述真空處理系統(tǒng)；真空處理開始步驟，在執(zhí)行所述真空處理系統(tǒng)送進(jìn)步驟之后開始真 空處理；第一傳送步驟，在已經(jīng)完成所述真空處理之后，將所述被處理物體從所述真空處理系統(tǒng)傳送到所述熱處理系統(tǒng)中；熱處理開始步驟，在所述熱處理系統(tǒng)中開始熱處理； 第二傳送步驟，在已經(jīng)完成所述熱處理之后，將所述被處理物體從所述熱處理系統(tǒng)送進(jìn)所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)；和裝載器組件送出步驟，將所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)和所述裝載器組件彼此連通并將所述被處理物體送進(jìn)所述裝載器組件。
9、 一種在被處理物體處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送 方法，該被處理物體處理設(shè)備包括具有第一工作臺(tái)并在其中對(duì)已經(jīng) 放在所述第一工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)、具有 第二工作臺(tái)并在其中對(duì)已經(jīng)放在所述第二工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行 真空處理的真空處理系統(tǒng)、用于與所述熱處理系統(tǒng)和所述真空處理系 統(tǒng)連通設(shè)置并具有用于傳送所述被處理物體的所述傳送裝置的負(fù)載鎖 定系統(tǒng)、和控制傳送裝置的控制器，所述傳送裝置具有保持所述被處 理物體的被處理物體保持部件，所述被處理物體保持部件可通過(guò)所述 熱處理系統(tǒng)和所述真空處理系統(tǒng)自由移動(dòng)，所述被處理物體保持部件 具有用于檢測(cè)關(guān)于所述被處理物體是否存在的信息的第一檢測(cè)裝置， 所述第一工作臺(tái)和所述第二工作臺(tái)的至少一個(gè)具有用于檢測(cè)關(guān)于是否 存在被處理物體的信息的第二檢測(cè)裝置，所述控制器在被檢測(cè)信息的 基礎(chǔ)上檢測(cè)所述被處理物體的位置，該方法包括第一位置關(guān)系檢測(cè)步驟，檢測(cè)處于起始位置的所述被處理物體的中 心與所述第一工作臺(tái)和所述第二工作臺(tái)之一的中心之間的第一相對(duì)位 置關(guān)系；傳送步驟，在所述被檢測(cè)的第一相對(duì)位置關(guān)系基礎(chǔ)上確定所述被處 理物體的傳送路線，并沿著所述被確定的傳送路線傳送所述被處理物 體；第二位置關(guān)系檢測(cè)步驟，檢測(cè)已經(jīng)被傳送到所述第一工作臺(tái)和所述 第二工作臺(tái)之一之后的所述被處理物體的中心和處于起始位置的所述 被處理物體的中心之間的第二相對(duì)位置關(guān)系；和位置校正步驟，在所述第一相對(duì)位置關(guān)系和所述第二相對(duì)位置關(guān)系 之間的偏差基礎(chǔ)上校正所述被處理物體的位置。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9的被處理物體傳送方法，還包括被處理物體保 持部件旋轉(zhuǎn)步驟，使所述被處理物體保持部件旋轉(zhuǎn)，同時(shí)所述被處理 物體保持部件仍然保持所述被處理物體，以使已經(jīng)進(jìn)行位置校正的所 述被處理物體的參考平面的位置與預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9的被處理物體傳送方法，其中處于起始位置的 所述被處理物體的中心是傳送前所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)中的所述被處理物 體的中心。
12、 一種在被處理物體處理設(shè)備中用于傳送裝置的被處理物體傳送 方法，所述被處理物體處理設(shè)備包括可連通地連接到具有第一工作臺(tái) 的熱處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定系統(tǒng)，在所述熱處理系統(tǒng)中對(duì)己經(jīng)放在所述 第一工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行熱處理，所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)經(jīng)過(guò)所述 熱處理系統(tǒng)可連通地連接到具有第二工作臺(tái)的真空處理系統(tǒng)，在所述 真空處理系統(tǒng)中對(duì)己經(jīng)放在所述第二工作臺(tái)上的所述被處理物體進(jìn)行 真空處理，所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)具有用于傳送所述被處理物體的傳送裝置，所述傳送裝置包括傳送臂，所述傳送臂包括至少兩個(gè)臂形部件， 所述臂形部件在其每個(gè)的一端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起；和被處理物理保持部件，所述被處理物體保持部件連接到所述臂形部件之一的另--端并保持所述被處理物體，該方法包括被處理物體移動(dòng)步驟，在平行于所述被處理物體的表面的平面內(nèi)圍 繞所述臂形部件之一的另一端旋轉(zhuǎn)所述被處理物體保持部件，在平行 于所述被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞所述臂形部件之一的一端旋轉(zhuǎn) 所述臂形部件之一，并在平行于所述被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞 所述臂形部件的另一個(gè)的另一端旋轉(zhuǎn)所述臂形部件的另一個(gè)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12的被處理物體傳送方法，其中在所述被處理物體移動(dòng)步驟中，所述臂形部件和所述被處理物體保持部件彼此協(xié)作 旋轉(zhuǎn)，以便沿著所述第一工作臺(tái)和所述第二工作臺(tái)的配置方向移動(dòng)所 述被處理物體。
14、 一種傳送設(shè)備，所述傳送設(shè)備設(shè)置在可連通地連接到熱處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定系統(tǒng)中，其中所述熱處理系統(tǒng)具有第一工作臺(tái)，在所述 熱處理系統(tǒng)中對(duì)己經(jīng)放在所述第一工作臺(tái)上的被處理物體進(jìn)行熱處 理，所述負(fù)載鎖定系統(tǒng)經(jīng)過(guò)所述熱處理系統(tǒng)可連通地連接到具有第二 工作臺(tái)的真空處理系統(tǒng)，在所述真空處理系統(tǒng)中對(duì)已經(jīng)放在所述第二 工作臺(tái)上的所述被處理物體進(jìn)行真空處理，所述傳送設(shè)備包括傳送臂，該傳送臂包括至少兩個(gè)臂形部件，所述臂形部件在其每個(gè) 的一端可旋轉(zhuǎn)地連接在一起；和被處理物體保持部件，它連接到所述臂形部件之一的另一端并保持 所述被處理物體；其中所述被處理物體保持部件設(shè)置成在平行于所述被處理物體的 表面的平面內(nèi)圍繞所述臂形部件之一的另一端旋轉(zhuǎn)，所述臂形部件之 --設(shè)置成在平行于所述被處理物體的表面的平面內(nèi)圍繞所述臂形部件 之一的一端旋轉(zhuǎn)，所述臂形部件的另一個(gè)設(shè)置成在平行于所述被處理 物體的表面的平面內(nèi)圍繞所述另一個(gè)臂形部件的另一端旋轉(zhuǎn)。
15、根據(jù)權(quán)利要求14的傳送設(shè)備，其中所述臂形部件和所述被處理物體保持部件設(shè)置成彼此協(xié)作旋轉(zhuǎn)，以便沿著所述第一工作臺(tái)和所 述第二工作臺(tái)的配置方向移動(dòng)所述被處理物體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于被處理物體處理設(shè)備的壓力控制方法，該方法包括送入步驟，將負(fù)載鎖定系統(tǒng)置入大氣壓力狀態(tài)中和將未進(jìn)行COR處理的被處理物體從裝載器組件傳送到負(fù)載鎖定系統(tǒng)，同時(shí)對(duì)熱處理系統(tǒng)排氣；負(fù)載鎖定系統(tǒng)排氣步驟，終止熱處理系統(tǒng)的排氣，且對(duì)負(fù)載鎖定系統(tǒng)進(jìn)行排氣使其壓力下降到設(shè)定壓力；熱處理系統(tǒng)排氣步驟，在負(fù)載鎖定系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到設(shè)定壓力之后，終止負(fù)載鎖定系統(tǒng)的排氣，并對(duì)熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣，以便滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件；以及第一連通步驟，在已經(jīng)滿足熱處理系統(tǒng)內(nèi)部的壓力低于負(fù)載鎖定系統(tǒng)內(nèi)部的壓力的條件之后，使負(fù)載鎖定系統(tǒng)與熱處理系統(tǒng)連通，同時(shí)繼續(xù)對(duì)熱處理系統(tǒng)進(jìn)行排氣。
文檔編號(hào)C23C16/54GK101101866SQ20071014191
公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2004年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月24日
發(fā)明者小澤潤(rùn), 高橋岳 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社