專利名稱：脆性金屬合金濺射靶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容一般涉及用于濺射沉積工藝過程的靶及其制造方 法。具體而言，本公開內(nèi)容涉及由周期表第Vin族金屬和第IVB、 VB 和VIB族難熔金屬的脆性金屬合金構(gòu)成的靶，尤其是由Ru-Ta合金構(gòu) 成的靶。
背景技術(shù)：
鑒于銅(Cu)和Cu-基合金具有很低的電阻率、相對(duì)高的電遷 移阻力和低成本，它們經(jīng)常被用于制造這樣的集成電路半導(dǎo)體器件一 一這些半導(dǎo)體器件要求復(fù)雜的金屬化系統(tǒng)以用于對(duì)器件位于其上的半 導(dǎo)體晶片進(jìn)行工藝后段(back-end of line)加工。雖然Cu和Cu-基合 金作為目前的優(yōu)選材料用于形成先進(jìn)集成電路的電連接，但它們存在 幾個(gè)缺點(diǎn)，可能使其應(yīng)用存在問題。具體地說，Cu和Cu-基合金不能很好地粘附到通常作為層間絕 緣層(ILD)的氧化物材料上；它們可能擴(kuò)散進(jìn)入相鄰絕緣層，造成絕 緣性能的喪失和形成導(dǎo)致短路的不期望電路；以及，氧原子從相鄰絕 緣層擴(kuò)散進(jìn)入Cu或者Cu-基合金層可能導(dǎo)致導(dǎo)電性的損失。為了減少 Qi-基金屬化方案的至少一些這些缺點(diǎn)， 一般將Ta/TaN雙層插入到氧 化物基絕緣層和Cu-基金屬化層之間，TaN作為阻擋層阻止擴(kuò)散，而 Ta層作為Cu-基金屬化層的粘著層，Cu-基金屬化層一般通過電鍍工藝 在其上形成。在實(shí)踐中，在電鍍前需要在Ta粘著層上通過物理氣相沉 積(PVD)工藝，如濺射，形成薄的Cu或者Cu-基種子層。然而，鑒 于被金屬化器件的復(fù)雜表面狀況，獲得具有良好連續(xù)性的Cu種子層通 常是困難的。釕(Ru)已經(jīng)被建議作為可能的替代物替代傳統(tǒng)上應(yīng)用在Cu
基金屬化工藝中的Ta粘著層和Cu種子層。鑒于Ru的幾種優(yōu)異的性能 /特征，同傳統(tǒng)的金屬化方法相比，Ru的使用提供幾個(gè)潛在的優(yōu)點(diǎn)。 具體說，Ru: (1)不容易氧化，并且即使發(fā)生氧化，氧化物是導(dǎo)電的， 因此減輕了氧化后導(dǎo)電性的損失；和(2)它粘著TaN和Cu，因此提 供了其作為種子層和電鍍層使用的可能性。濺射沉積是一項(xiàng)有吸引力的技術(shù)，其用于形成半導(dǎo)體集成電路 器件的工藝后段金屬化所需要的具有良好表面覆蓋度的薄膜。然而， 不利的是，在金屬化工藝中潛在有用的許多金屬合金，尤其是Ru及其 合金的脆性阻止了合金基濺射靶的開發(fā)，尤其阻止了以生產(chǎn)規(guī)模、成 本有效的方式進(jìn)行目前所用大直徑半導(dǎo)體晶片的金屬化工藝所需的大 直徑靶的發(fā)展。鑒于上述，存在著對(duì)這樣的脆性金屬合金基濺射靶，特別是Ru 合金基濺射靶及其制造方法的明顯需求，尤其是適合用于以生產(chǎn)規(guī)模、 成本有效的方式進(jìn)行大直徑半導(dǎo)體晶片的金屬化工藝的大直徑靶。而 且，存在著對(duì)包括脆性金屬合金如RuTa合金的濺射靶的一般需求，以 用于半導(dǎo)體器件制造加工等工藝中，脆性金屬即周期表第VIII族的貴 金屬(precious and noble Group VIII metals)和第IVB、 VB和VIB族 的難熔金屬。 —

發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)是制造脆性金屬合金濺射靶的改進(jìn)方法。
本公開內(nèi)容的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是制造脆性Ru-Ta合金濺射靶的改進(jìn) 方法。本公開內(nèi)容的進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)是根據(jù)本公開內(nèi)容的改進(jìn)方法制造的 改進(jìn)的脆性金屬合金和Ru-Ta合金濺射靶。本公開內(nèi)容的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是改進(jìn)的脆性金屬合金和Ru-Ta合金 濺射靶。本公開內(nèi)容的其它優(yōu)點(diǎn)和特征將在下面的公開內(nèi)容中提出，其 部分內(nèi)容對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員在審査了以下內(nèi)容后將會(huì)變得顯而易 見，或者可以從本公開內(nèi)容的實(shí)施中學(xué)到。如在所附的權(quán)利要求書中 所特別指出的那樣，所述優(yōu)點(diǎn)可以被實(shí)現(xiàn)和得到。
根據(jù)本公開內(nèi)容的方面，通過制造金屬合金濺射靶組件的改進(jìn)
方法，部分實(shí)現(xiàn)上述和其它優(yōu)點(diǎn)，其包括步驟
(a) 提供選擇量的至少一種周期表第VIII族的貴金屬或者近貴金屬 粉末和至少一種選自周期表第IVB、 VB和VIB族的難熔金屬粉末；
(b) 混合/摻和選擇量的粉末以形成具有選擇的原子比例金屬的混合 /摻和粉末；
(c) 將混合/摻和的粉末形成密度增加的生坯(green compact);
(d) 從生坯形成全密度坯；
(e) 從所述全密度坯切割靶板切片；
(f) 將墊板(backing plate)擴(kuò)散結(jié)合(diffusion bonding)到所述靶板切 片的表面以形成靶/墊板組件；和
(g) 機(jī)械加工靶/墊板組件至選擇的最終尺寸。根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，步驟(a)包括提供選擇量的至少 一種選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋨(Os)、 銥(Ir)和鉑(Pt)的第VIII族金屬的粉末，和至少一種選自鉭(Ta)、 鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉬(Mo)和鎢(W)的第IVB、 VB或者VIB族難熔金屬的粉末。優(yōu)選地，步驟(a)包括提供選擇量的Ru和Ta的粉末；步驟(c) 包括冷等靜壓加工(CIP);步驟(d)包括熱等靜壓加工(HIP);步驟 (e)包括電火花加工(EDM);步驟(f)包括HIP;和步驟(g)包括 加工耙/墊板組件，使其直徑為大約17.5英寸。本公開內(nèi)容的另一方面是根據(jù)上述方法制造的改進(jìn)的濺射靶組 件。本公開內(nèi)容的另一方面是制造Ru-Ta合金濺射靶組件的改進(jìn)方 法，其包括步驟
(a) 混合/摻和選擇量的Ru和Ta粉末以形成具有選擇的Ru比 Ta原子比例的混合/摻和粉末；
(b) 將所述混合/摻和的粉末形成密度增加的生坯；
(c) 從所述生坯形成全密度坯；
(d) 從所述全密度坯切割靶板切片；
(e) 將墊板擴(kuò)散結(jié)合到所述靶板切片的表面以形成靶/墊板組件； 和
(f)加工所述耙/墊板組件至選擇的最終尺寸。根據(jù)本公開內(nèi)容的優(yōu)選實(shí)施方式，步驟(a)包括形成Ru與Ta 的原子比例在大約95: 5到大約5: 95范圍的混合潛和的Ru/Ta粉末；
步驟(b)包括冷等靜壓加工(CIP );步驟(C)包括熱等靜壓加工(HIP);
步驟(d)包括電火花加工(EDM);和歩驟(e)包括HIP。
更優(yōu)選地，步驟(a)包括形成Ru與Ta的原子比例從大約90:10 到大約40:60的混合/摻和的Ru/Ta粉末；和步驟(e)包括擴(kuò)散結(jié)合 CuZn墊板。本公開內(nèi)容的進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施方式包括其中步驟(f)包括加工 所述靶/墊板組件，使其直徑為大約17.5英寸的那些實(shí)施方式。
本公開內(nèi)容的其它方面包括根據(jù)上述方法制造的改進(jìn)的Ru-Ta 合金濺射耙組件。本公開內(nèi)容的另一方面是改進(jìn)的Ru-Ta合金濺射靶組件，其包 括
(a) 耙板，其具有濺射表面并由至少一種來自周期表第VIII族的貴 或者近貴金屬和至少一種選自周期表第IVB、VB和VIB族的難熔金屬 構(gòu)成；和
(b) 墊板，其被擴(kuò)散結(jié)合到與濺射表面相反的靶板表面上。
根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，靶板包括至少一種選自釕(Ru)、 銠(Rh)、鈀(Pd)、鈷(Co)、鎳(NO、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt) 的第VIII族金屬；和至少一種選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、 鈮(Nb)、鉬(Mo)和鎢(W)的第IVB、 VB或者VIB族的難熔金 屬。優(yōu)選地，靶板包括Ru-Ta合金，該合金的Ru比Ta的原子比例 在大約95: 5到大約5:95范圍，更優(yōu)選地在從大約90:10到大約40:60 范圍；墊材包括CuZn;并且靶的直徑為大約17.5英寸。
根據(jù)以下詳述，本公開內(nèi)容的其它優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 變得顯而易見，其中展示和描述的只有本公開內(nèi)容的優(yōu)選實(shí)施方式， 僅為了說明預(yù)期用于實(shí)現(xiàn)本公共內(nèi)容的最佳方式。如將要認(rèn)識(shí)到的， 本公開內(nèi)容能夠?qū)崿F(xiàn)其它和不同的實(shí)施方式，它的數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)在各種明
顯的方面能夠被修改，所有這些都不偏離本發(fā)明的精神。相應(yīng)地，附 圖和描述將被認(rèn)為在本質(zhì)上是說明性的，而不是限定性的。
具體實(shí)施例方式本公開內(nèi)容專注于和有效地解決了，或者至少減輕了在制造包 含脆性金屬合金，尤其是Ru及其合金如Ru-Ta合金的濺射耙中的困難， 合金的脆性迄今阻止了以生產(chǎn)規(guī)模、成本有效的方式進(jìn)行目前所用大 直徑半導(dǎo)體晶片的金屬化工藝所需的大直徑靶的發(fā)展。
簡(jiǎn)述之，根據(jù)本公開內(nèi)容，提供了粉末固結(jié)和擴(kuò)散結(jié)合的特別 工藝，用于制造包含脆性金屬合金，如Ru-Ta合金的濺射靶，并且其 涉及冷和熱等靜壓加工、靶板切片、靶化學(xué)蝕刻、擴(kuò)散結(jié)合和最后加 工。如在此所用，根據(jù)舊CAS周期表分類符號(hào)，采用了有時(shí)被稱為 "第VIIIB族金屬"的術(shù)語"第VIII族金屬"，例如，在版權(quán)為1968 年的Sargent-Welch Scientific Co.的元素周期表中所給出，其被用來描 述周期表第8、 9和10族的金屬元素，不包括鐵(Fe)但包括釕(Ru)、 銠(Rh)、鈀(Pd)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt); 而術(shù)語"第IVB族金屬"、"第VB族金屬"和"第VIB族金屬"(每個(gè) 術(shù)語也根據(jù)舊CAS周期表分類符號(hào)被采用)被用來描述包括鉭(Ta)、 鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉬(Mo)和鉤(W)的難熔 金屬元素及其組合。盡管本公開內(nèi)容所述的方法對(duì)制造各種方式的包含周期表中第 VIII族金屬和第IVB、 VB和VIB族難熔金屬的合金的靶一般是有用的， 但鑒于Ru和Ta的合金在利用Cu基金屬化制造半導(dǎo)體集成電路器件中 的上述有利應(yīng)用，在此所述的方法對(duì)制造由這樣的合金構(gòu)成的靶特別 有用。本公開內(nèi)容所考慮的合金靶也可以被用于制造數(shù)據(jù)存貯器件， 如磁盤等。因此，以下描述形成Ru-Ta合金濺射靶的公開內(nèi)容被看作 是其本質(zhì)是說明性的，而不是限定性的。根據(jù)本公開內(nèi)容，在制造Ru-Ta合金靶的說明性而非限定性的 ,工藝的初始步驟中，純Ru和Ta細(xì)粉的網(wǎng)目尺寸在從大約50到大約 500的范圍，優(yōu)選大約325，它們是例如通過Turbula混合器或者V型混合器被緊密地混合/摻和在一起的。Ru-Ta粉末的相對(duì)含量決定了最 終形成的合金中Ru比Ta的原子比例，該比例可在大約95:5到大約 5:95之間，優(yōu)選在大約90:10到大約40:60之間變化，最優(yōu)選的比例為 大約50:50。接著，使Ru和Ta粉末的混合物/摻和物經(jīng)過冷等靜壓加工(CIP) 以形成板狀的、具有增加密度為從大約7到約12 g/cr^的生坯，所述 冷等靜壓加工溫度介于大約10到大約80 'C之間，優(yōu)選為大約25 °C， 壓力為從大約10到大約60 ksi，優(yōu)選為大約30 ksi，處理時(shí)間為大約2 到大約60min，優(yōu)選為約20min。在根據(jù)本公開內(nèi)容的下一步驟中，加工生坯板的表面以除去任 何高的點(diǎn)或面，以減少在隨后的熱等靜壓加工(HIP)程中裂化的可能 性。接著，用結(jié)構(gòu)合適的、內(nèi)壁涂敷脫模劑層如氧化鋁(A1203)的 罐，例如低碳鋼(LCS)罐頭，將加工的Ru-Ta生坯板罐裝。將剛性板， 如足夠厚度(如大約1〃)鋼的剛性板，置于生坯板的各個(gè)面上，與生
坯板接觸的各板表面也被涂敷了作為脫模劑的Al203層。后者起到阻止
板在HIP過程中的裂化和維持Ru-Ta板在HIP后平整的作用。
根據(jù)本方法的下一步中，罐裝的組件經(jīng)過HIP處理以提供基本 全密度(~ 12.93 g/cm3)的、顆粒大小從約5到約50 pm，優(yōu)選小于約 10 nm的Ru-Ta坯，處理溫度在大約1000到大約1600'C之間，優(yōu)選大 約1200。C，處理壓力為大約10到大約40ksi，優(yōu)選大約30ksi，處理 時(shí)間為大約1到大約5hrs，優(yōu)選大約2hrs。根據(jù)本公開內(nèi)容的說明性 而非限定性的實(shí)施方式，使Ru-Ta生坯板在介于約1200到約140(TC之 間的溫度和約29 ksi的壓力下進(jìn)行HIP處理約2 hrs。
硬、脆性金屬材料不能用傳統(tǒng)的技術(shù)加工，通過借助適合于硬、 脆性金屬材料的技術(shù)如電火花加工(EDM)，將這些Ru-Ta致密板從罐 中取出并切成約0.1到約1英寸厚、優(yōu)選約0.25英寸厚的切片。
接著，例如用數(shù)字控制的液壓表面磨床將Ru-Ta切片表面磨光， 使表面光潔度達(dá)到Ra為~ 32 pin.或者更好。然后加工Ru-Ta切片和合 適的墊板，例如約0.5至約2英寸厚的CuZn板，為擴(kuò)散結(jié)合做準(zhǔn)備， 以提供具有Ra為 32 pin.或者更好表面光潔度的匹配表面，隨后用酸 和堿溶液如硝酸(HN03)和氫氧化鈉(NaOH)進(jìn)行化學(xué)清潔/蝕刻處 理，以除去任何表面污染物。通過這樣的罐裝過程，實(shí)現(xiàn)Ru-Ta靶切片和CuZn墊板的擴(kuò)散 結(jié)合——其中靶切片和墊板的組件連同一對(duì)LCS板被放在涂敷合適脫 模劑如A1203的LCS罐中。LCS板的功能是阻止Ru-Ta切片在擴(kuò)散結(jié) 合后的弧狀彎曲和/或裂化。擴(kuò)散結(jié)合工藝包括在介于大約600和大約 900'C之間，優(yōu)選大約800 。C的溫度，在大約10到大約30 ksi，優(yōu)選 大約15 ksi的壓力下進(jìn)行罐裝組件的HIP處理，大約1到大約5 hrs， 優(yōu)選大約2 hrs,以提供擴(kuò)散結(jié)合的Ru-Ta/CuZn組件，其中Ru-Ta靶和 CuZn墊板之間的剪應(yīng)力為大約10到大約20ksi。根據(jù)本公開內(nèi)容的說 明性但非限定性的實(shí)施方式，在大約800 。C的溫度和大約15 ksi的壓 力下使Ru-Ta耙切片和CuZn墊板的組件進(jìn)行HIP處理大約2 hrs。靶 和墊板之間形成的剪應(yīng)力大約是12 ksi。擴(kuò)散結(jié)合之后，將靶/墊板組 件從罐中移出并將其加工到最終的尺寸?？傊痉椒ㄌ峁┑膬?yōu)點(diǎn)包括制造擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶的能力， 所述濺射靶由脆性金屬合金構(gòu)成，例如Ru-Ta合金，其具有很寬的直 徑，如大約17.5英寸級(jí)別，適合用于半導(dǎo)體相關(guān)的應(yīng)用。而且，本方 法適合于制造由各種脆性金屬合金構(gòu)成的、在許多應(yīng)用中有用的濺射 耙，這些應(yīng)用例如磁性數(shù)據(jù)存貯介質(zhì)，如磁盤。在上述中，為了對(duì)本公開內(nèi)容提供更好的理解，提出了許多具 體的細(xì)節(jié)，如具體的材料、結(jié)構(gòu)和工藝等。然而，不借助于具體提出 的細(xì)節(jié)也可以實(shí)現(xiàn)本公開內(nèi)容。在其它情況中，為了不必要地造成本 公開內(nèi)容不清楚，沒有對(duì)公知的工藝材料和技術(shù)進(jìn)行詳述。
本公開內(nèi)容中僅僅顯示和描述了其優(yōu)選的實(shí)施方式和幾個(gè)具有 通用性的實(shí)施例。應(yīng)理解，本公開內(nèi)容能夠用于各種其它結(jié)合和環(huán)境， 并且在如本文表達(dá)的、公開的構(gòu)思范圍內(nèi)，容易進(jìn)行改變和/或修改。
權(quán)利要求
1.制造金屬合金濺射靶組件的方法，其包括步驟(a)提供選擇量的至少一種來自周期表第VIII族貴金屬或者近貴金屬的粉末和至少一種選自周期表第IVB、VB和VIB族的難熔金屬的粉末；(b)混合/摻和所述選擇量的粉末，以形成具有選擇原子比例的金屬的混合/摻和粉末；(c)將所述混合/摻和粉末形成密度增加的生坯；(d)從所述生坯形成全密度坯；(e)從所述全密度坯切割靶板切片；(f)將墊板擴(kuò)散結(jié)合到所述靶板切片的表面，以形成靶/墊板組件；和(g)加工所述靶/墊板組件至所選擇的最終尺寸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中步驟(a)包括提供選擇量的至少一種選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀 (Pd)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt)的第VIII 族金屬的粉末，和至少一種選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、 鈮(Nb)、鉬(Mo)和鉤(W)的第IVB、 VB或者VIB族難熔金屬 的粉末。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中步驟(a)包括提供選擇量的Ru和Ta粉末。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中 步驟(c)包括冷等靜壓加工(CIP)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中 步驟(d)包括熱等靜壓加工(HIP)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中步驟(e)包括電火花加工(EDM)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中 步驟(f)包括HIP。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中步驟(g)包括加工所述靶/墊板組件，使其直徑為大約17.5英寸。
9. 濺射靶組件，其根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造。
10. 制造Ru-Ta合金濺射靶組件的方法，其包括步驟(a) 混合/摻和選擇量的Ru和Ta粉末，以形成具有選擇的Ru比 Ta原子比例的混合/摻和粉末；(b) 將所述混合/摻和粉末形成密度增加的生坯；(c) 從所述生坯形成全密度坯；(d) 從所述全密度坯切割靶板切片；(e) 將墊板擴(kuò)散結(jié)合到所述靶板切片的表面，以形成靶/墊板組件；禾口(f) 加工所述靶/墊板組件至所選擇的最終尺寸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中步驟(a)包括形成Ru比Ta的原子比例在約95:5到約5:95范圍 的混合/摻和的Ru/Ta粉末；步驟(b)包括冷等靜壓加工(CIP);步驟(C)包括熱等靜壓加工(HIP);步驟(d)包括電火花加工(EDM);和 步驟(e)包括HIP。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中步驟(a)包括形成Ru比Ta的原子比例從大約90:10到大約40:60 的混合/摻和的Ru/Ta粉末；和 步驟(e)包括擴(kuò)散結(jié)合CuZn墊板。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中步驟(f)包括加工所述靶/墊板組件，使其直徑為大約17.5英寸。
14. Ru-Ta合金濺射耙組件，其根據(jù)權(quán)利要求ll的方法制造。
15. Ru-Ta合金濺射靶組件，其根據(jù)權(quán)利要求12的方法制造。
16. Ru-Ta合金濺射靶組件，其根據(jù)權(quán)利要求13的方法制造。
17. 金屬合金濺射靶組件，包括(a) 靶板，其具有濺射表面并且由至少一種來自周期表第VIII 族的貴金屬或者近貴金屬和至少一種選自周期表第IVB、 VB和VIB 族的難熔金屬構(gòu)成；和(b) 墊板，其被擴(kuò)散結(jié)合到與所述濺射表面相反的所述靶板的表面上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的靶組件，其中所述靶板包括至少一種選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鈷(Co)、 鎳(Ni)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt)的第VIII族金屬；和至少一種 選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉬(Mo)和 鎢(W)的第IVB、 VB或者VIB族的難熔金屬。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的靶組件，其中所述靶板包括Ru比Ta的原子比例在從大約95: 5到大約5: 95范 圍的Ru-Ta合金。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的靶組件，其中所述靶板包括Ru比Ta的原子比例在從大約90:10到大約40:60 范圍的Ru-Ta合金。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19的靶組件，其中所述墊板包括CuZn。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19的靶組件，其直徑為大約17.5英寸。
全文摘要
本發(fā)明提供脆性金屬合金濺射靶及其制造方法。制造濺射靶組件的方法包括步驟混合/摻和選擇量的至少一種第VIII族貴金屬或者近貴金屬的粉末和至少一種第IVB、VB或者VIB族難熔金屬的粉末；將混合/摻和的粉末形成密度增加的生坯；從生坯形成全密度坯；從全密度坯切割靶板切片；將墊板擴(kuò)散結(jié)合到靶板切片的表面以形成靶/墊板組件；和將靶/墊板組件加工至所選擇的最終尺寸。本公開方法對(duì)制造用于半導(dǎo)體金屬化工藝的大直徑Ru-Ta合金靶特別有用。
文檔編號(hào)C23C14/14GK101338408SQ20071016748
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月2日
發(fā)明者A·德奧杜特, B·孔克爾, C·德林頓, 易騖文, 李辛華 申請(qǐng)人:賀利氏有限公司