專利名稱：：含有高熔點金屬的燒結體濺射靶的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及含有2種以上的高熔點金屬的燒結體濺射耙，特別涉及能夠通過改良靶組織而防止形成基體的主成分以外的金屬粒子的脫落、并且通過減少濺射時的起弧和顆粒的產生而使成膜質量提高的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶。
背景技術：
：由于高熔點金屬釕(Ru)、銠(Rh)、或銥(Ir)在熱穩(wěn)定性方面優(yōu)良，而且低電阻性、阻滲性優(yōu)良，因此作為半導體元件的成膜材料、特別是作為柵電極材料、各種擴散阻滲材料而受到關注。上述釕(Ru)、銠(Rh)或銥(Ir)等有時可以各自單獨作為薄膜或用于形成該薄膜的耙材料而使用，但在實施電鍍的情況下存在潤濕性差的問題。因此，為了彌補這樣的不足，提出了添加其他的金屬(特別是高熔點金屬)。作為形成薄膜的方法，一般可以使用公知的濺射法。作為濺射法，通?？梢允褂酶哳l(RF)濺射裝置。在進行濺射時，制造上述組成的合金靶是不可缺少的。而且，為了提高成膜的質量，提高靶的品質非常重要。在通過向上述高熔點金屬釕(Ru)、銠(Rh)、或銥(Ir)中添加高熔點金屬來制造靶時，考慮使用熔化-塑性加工法來進行制造，但由于釕、銠及銥是熔點高且易碎的材料，因而熔化裝置變得非常昂貴，且塑性加工也需要特殊的技術，因此存在制造成本增加的問題。從以上所述來看，在靶的制造中使用燒結法是恰當的。但是，在制造2種以上高熔點金屬的燒結體時，提高耙的質量未必容易。高熔點金屬釕(Ru)、銠(Rh)或銥(Ir)之中，作為次成分的合金元素的含量少時，并不會成為較大問題。但是，當作為次成分的合金的添加量增加時，在以金屬為主成分的組織(基體成分)中，作為次成分的金屬變以點狀(島狀)存在，并在濺射中脫落，因而成為產生顆粒的原因。由于脫落后的空孔及在其附近形成不規(guī)則的邊緣，因而成為濺射中異常放電產生的原因，進而產生使顆粒的產生增加的問題。為了使成膜的質量提高，強烈希望不使該顆粒產生。并且，靶中存在的氣體成分或其它的雜質容易聚集于組織的界面，這種雜質的存在也成為濺射時起弧和顆粒產生的原因，產生因燒結密度降低而使靶的強度減弱、并使成膜的質量降低的問題。雖然與以下說明的本發(fā)明的靶沒有直接關系，但有文獻提出了作為高熔點金屬靶的問題而列舉出的顆粒防止對策、靶的裂紋防止對策(提高抗彎強度)，因而作為參考例，以下對其進行介紹。一種鉬-鎢系靶，以鉬和鎢作為主體，在使鉬粒子和鉤粒子具有l(wèi).Opm以下的擴散接合距離下將組織進行燒結，并且其抗彎強度在750Mpa以上(參照專利文獻1)。一種制造用于防止顆粒產生的鉤-鈦耙材的方法，將鴇粉末和鈦粉末的混合粉末在1500-1700'C下進行加壓燒結，得到包含在耙截面具有20%以上的面積率的鈦-鎢合金相、鎢相、鈦相的組織并且平均結晶粒徑在5(Him以下的燒結體(參照專利文獻2)。一種用于防止顆粒產生的阻滲膜用Ta系靶，將1種或2種以上的49原子y。以下的(C、B、Ir、W、Ge、Ce02、Ru02)粉末與51原子％以上的Ta粉末進行燒結而得到(參照專利文獻3)。專利文獻日本特開平11-36067號公報專利文獻日本特開平5-156384號公報專利文獻日本特開2000-355761號公報
發(fā)明內容本發(fā)明鑒于上述方面，涉及含有2種以上的高熔點金屬的燒結體濺射靶，特別是課題為，提供能夠通過改良耙組織來防止形成基體的主成分以外的金屬粒子的脫落、通過減少氣體成分等雜質并且提高密度來減少濺射時的起弧和顆粒的產生、并在提高成膜質量的同時使耙的加工性提高的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶。本發(fā)明得到了以下的見解，為了解決上述問題，通過添加選自Ru、Rh或Ir的至少l種以上的主成分和選自W、Ta或Hf的一種以上的小于50原子％的高熔點金屬的次成分，改良/鉆研該靶組織來防止粒子脫落、減少氣體成分等雜質量、進而提高密度，可以得到與以往相比成膜特性優(yōu)良的以釕、銠、銥作為主成分的濺射用合金靶。本發(fā)明基于該見解，提供一種含有高熔點金屬的燒結體濺射耙，包含選自W、Ta或Hf的一種以上小于50原子。/。的次成分和作為余量的選自Ru、Rh或Ir的至少一種以上的主成分及不可避免的雜質，其中，所述主成分的金屬組織中，具有平均粒徑為10(Him50(Him的粒狀次成分金屬相、或主成分與次成分的合金相或化合物相。本發(fā)明的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶含有選自Ru、Rh或Ir的至少1種以上的主成分。這些高熔點金屬可以是單獨或復合材料中的任意一種，但它們作為主成分的總量在50原子％以上。這些高熔點金屬熱穩(wěn)定性優(yōu)良，而且低電阻性、阻滲性優(yōu)良，因而作為半導體元件的成膜材料、特別是柵電極材料、各種擴散阻滲材料有用。作為基體的包含Ru、Rh或Ir的金屬組織優(yōu)選具有約1(Him約3(Him的大致均勻的平均粒徑。這并不是本發(fā)明的主要(必須)構成條件，但由于具有使濺射時的起弧和顆粒的產生進一步減少的效果，并且使濺射膜組織的均勻性提高，因此是更優(yōu)選的方式。添加5原子％以上且小于50原子％的作為次成分的W、Ta或Hf。這種情況下，可以單獨添加、也可以添加2種以上。根據使用目的，可以任意選擇添加量。這些次成分具有改善包含以Ru、Rh或Ir作為主成分的高熔點金屬的薄膜的電鍍潤濕性等效果。使次成分的量在5原子％以上是因為當不足該量時則沒有添加的效果。另一方面，次成分的最大添加量由于次成分的限制而設為低于50原子％。問題在于這些次成分在靶中的存在方式。這些作為次成分的金屬相(包含合金相或化合物相)在作為基體的金屬組織中以粒狀物存在。這里所說的粒狀物應該理解為片狀物、球狀物、帶狀物及其它形狀的單獨、結合或復合的形狀，但對其形狀沒有特別限制。這些作為次成分的粒狀物包含平均粒徑為100pm50(^m的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相。它們以粒子的形態(tài)分散于由主成分構成的金屬組織中。這里使用了分散這種表達方式，是指它們幾乎各自以獨立的狀態(tài)平均地存在于基體中。這種存在方式非常重要。當金屬組織中大量存在小于100pm的次成分的粒子時，則會產生這種微小粒子在濺射中剝落的問題。g卩，基體中存在的次成分的粒子越小，與基體的結合越弱，因此從周圍的金屬組織脫開(脫落)的可能性增高。與此相對，當粒子大小較大時，該可能性降低。另一方面，當超過50(Him的大粒子增多時，則次成分的偏析相對于主成分變得顯著，因此在以均勻成膜為目的的情況下，優(yōu)選為500um以下。特別是優(yōu)選具有100um300un的粒狀次成分金屬相或者主成分與副成分的合金相或化合物相。這些作為次成分的高熔點金屬受到燒結時的熱，不少與周圍的主成分高熔點金屬形成合金相或化合物相。這時，這些合金相或化合物相起到增強次成分粒子與周圍的基體高熔點金屬的結合的作用。因此，該合金相或化合物相的存在起到防止次成分粒子剝落的作用。特別是優(yōu)選在粒狀次成分金屬相的周圍具有平均寬度為5pm50nm的主成分與次成分的合金相或化合物相。更優(yōu)選在粒狀次成分金屬相的周圍具有平均寬度在5pm至lOOnm的主成分與次成分的合金相或化合物相，進一步優(yōu)選在粒狀次成分金屬相的周圍具有平均寬度為5Hm至20(Him的主成分與次成分的合金相或化合物相。另一方面，由于合金相或化合物相本來較硬，如果大量存在則加工性降低，因此雖然也取決于高熔點金屬的組合，但上限值優(yōu)選在約200pm以下。而且，本發(fā)明提供含有作為氣體成分的雜質的氧含量在300重量ppm以下、碳含量在100重量ppm以下的含有上述高熔點金屬的燒結體濺射靶。并且，除了上述之外還提供氣體成分以外的雜質含量的總量在100重量ppm以下的含有上述高熔點金屬的燒結體濺射靶。氣體成分的減少及雜質的減少并不是本發(fā)明的主要(必須)構成條件，但具有使濺射時的起弧和顆粒的產生減少的效果，并且使濺射膜組織的均勻性提高。因此，減少氣體成分并同時減少其他雜質是優(yōu)選的方式。本發(fā)明的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶優(yōu)選相對密度在98%以上，并且不存在100nm以上的空隙?？障兜拇嬖谂c密度有直接關系，但在含有高熔點金屬的燒結體濺射靶中，具有通過提高密度來防止靶的裂紋、進而減少顆粒的效果。并且，其雖不是本發(fā)明的主要(必須)的構成條件，但卻是優(yōu)選的方式。本發(fā)明的含有高熔點金屬的燒結體濺射耙進一步優(yōu)選每lci^面積的靶的合金組成的偏差為±10%以下。由于是本發(fā)明的含有2種以上高熔點金屬的燒結體，因而難以得到完全固溶態(tài)的靶材料，但是，為了盡可能確保靶的均勻性，合金組成的偏差優(yōu)選在±10%以下。并且，其雖然不是本發(fā)明的主要(必須)構成條件，但卻是優(yōu)選的方式。發(fā)明效果根據以上說明，本發(fā)明的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶具有能夠通過改良靶組織來防止形成基體的主成分以外的金屬粒子的脫落、減少氣體成分等的雜質、提高密度、減少濺射時的起弧和顆粒的產生，提高成膜質量，進而提高靶的加工性的優(yōu)良效果。圖1是表示實施例1-2的高熔點金屬靶的組織的圖。具體實施例方式本發(fā)明的包含釕(Ru)合金、銠(Rh)合金或銥(Ir)合金的高熔點合金濺射靶是通過將釕粉末、銠粉末或銥粉末中的1種以上與包含鎢(W)、鉭(Ta)或鉿(Hf)的一種以上次成分的總量低于50原子％的金屬粉末混合，并將該混合粉末進行燒結而得到的含有高熔點金屬的燒結體靶。將這些靶進行濺射而得到的膜作為半導體元件的成膜材料、特別是作為柵電極材料、各種擴散阻滲材料有用。但是，本發(fā)明并不限于這些用途，當然也可以應用于這些用途以外的材料，并包含于本發(fā)明。通常，燒結后的組織可以反映出燒結粉末的粒徑，因此必須在原料粉末的階段進行粒度調整。當為過于微小的粉末時，因吸收氧氣而使低氧化變得困難，因而優(yōu)選避免使用過于微小的粉末。并且，在燒結后的組織中，原料粉末的大小對次成分相的微小化產生影響，即在靶中微小粒子大量存在時，成為產生顆粒的原因，因此對燒結后的靶的組織產生影響的燒結原料的大小必須限制在一定水平。作為本發(fā)明的含有高熔點金屬的燒結體靶的具體制造方法，例如將市售4N級(純度99.99%)的釕粉末、銠粉末或銥粉末(分別為低氧品)導入超高真空室內，對釕粉末使用高輸出功率紅外燈加熱或微波加熱來加熱粉末而除去氧。使粉末溫度為約110(TC約1300°C。這是由于當溫度不在1100'C以上時，則不能充分引起氧分離。并且，該加熱是為了不使釕粉末、銠粉末或銥粉末相結合的燒結性降低，而且燈加熱或微波加熱是為了使粉末體能快速冷卻至室溫。通過與室連接的氧監(jiān)測儀確認氧已被充分排出后，停止加熱并進行快速冷卻。接著，導入氬氣并將上述釕粉末、銠粉末或銥粉末封入容器中，進而將4N級(純度99.99%)的鎢粉末、鉭粉末或鉿粉末混合。該鎢粉末、鉭粉末或鉿粉末是將各金屬的EB鑄錠反復進行氫化、脫氫化并粉碎而得到的。再次在110(TC的溫度下對該混合粉末進行脫氧處理，在1300180(TC的溫度下進行真空熱壓，進而進行熱等靜壓處理，，制造燒結體。將其進一步精加工(機械加工等)成靶形狀。通過該方法得到的釕合金、銠合金或銥合金燒結濺射耙，除氣體成分外靶的純度在99.99重量％以上?？梢酝ㄟ^進行上述粉末的粒度選擇、燒結條件(溫度、焊接壓力)的調節(jié)和選擇，使平均粒徑為10(Him50(Hmi的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相分散于包含主成分的金屬組織中。而且，氣體成分可以通過采用在氧氣、碳沒有混入的條件下、并且可以除去的工序而完成。實施例以下，對實施例進行說明。另外，本實施例只是為了說明發(fā)明的一個例子，本發(fā)明并不限于這些實施例。g卩，包括本發(fā)明的技術思想中包含的其他方式及變形。(實施例1、實施例2、實施例3)將市售4N級的釕粉末(低氧品)導入超高真空室內，使用高輸出功率紅外燈加熱除去釕粉末中的氧。原料Ru粉末的氧濃度為1200ppm，粒徑為1.5pm。使粉末體的溫度為約120(TC。通過與室連接的氧監(jiān)測儀確認氧已被充分排出后，停止加熱并進行快速冷卻，冷卻至室溫。然后，將其放入容器，在導入氬氣的同時將EB(電子束)熔化鑄錠反復進行氫化/脫氫并進行粉碎，將篩分為35目~200目的4N級鎢粉末、鉭粉末、鉿粉末的添加量分別變?yōu)?原子％、15原子％、30原子％而與釕粉末進行混合。鎢原料粉末的氧濃度為20ppm，鉭原料粉末的氧濃度為80ppm、鉿原料粉末的氧濃度為130ppm。將這些混合粉末再次在IIO(TC下進行脫氧處理，在160(TC下、真空中進行熱壓，進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。其結果如表1所示。如表1所示，使實施例1中示出的鎢、實施例2中示出的鉭、實施例3中示出的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在99.1%~99.8%的范圍內，均超過99%。并且，氧濃度在40~220重量ppm的范圍內，實現(xiàn)了低氧化。作為主成分的釕基體組織的平均結晶粒徑在822pm的范圍內。特別重要的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相(以下稱為"次成分金屬相")的平均粒徑均滿足本發(fā)明的條件。而且，如圖1所示，包含該粒狀次成分的金屬相均勻分散。該圖1是表示下述所示實施例l-2的高熔點金屬靶的組織的圖。實施例1~3的靶的密度均在98重量％以上的范圍內，氧含量在40~220重量ppm的范圍內。對于實施例l-l(表中，記為"實1-1"。以下相同。)，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為147pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為6(Him的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為3xl(T3個/cm2的優(yōu)良的Ru-5原子。/。W耙。另外，對于合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下或完全沒有形成時，雖然沒有特別作為例子示出，但顆粒的產生有少許增加的傾向。但是，其增加量極少，不是特別成為問題的水平。在粒狀次成分的周圍形成的與主成分的合金相或化合物相的存在是更優(yōu)選的條件，但可以確認全部粒狀次成分的大小受到的特別大的影響。對于以下的實施例，可以確認有同樣的傾向。因此，在以下的說明中，省略了對次成分金屬相的周圍所形成的合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下的情況的說明。對于實施例1-2,包含粒狀次成分的W金屬相的大小為133jiim，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為52pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以的得到優(yōu)良的Ru-15原子。/。W靶，其加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為4xl(^個/cm2。對于實施例1-3，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為139pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為56pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ru-30原子。/。W靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為9xl0—s個/cm2。對于實施例2-l，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為124pm，在該次成分Ta金屬相的周圍，形成了平均厚度為48nm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ru-5原子n/。Ta靶，其加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為4xl(^個/cm2。對于實施例2-2，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為131pm，在該次成分Ta金屬相的周圍，形成了平均厚度為39pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ru-15原子。/。Ta靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為9xl0—s個/cm2。對于實施例2-3，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為118pm，在該次成分Ta金屬相的周圍，形成了平均厚度為30pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ru-30原子y。Ta靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為4xl0'g個/cm2。對于實施例3-l，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為185nm，在該次成分Hf金屬相的周圍，形成了平均厚度為9pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ru-5原子。/。Hf靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為10xl0's個/cm2。對于實施例3-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為192nm，在該次成分Hf金屬相的周圍，形成了平均厚度為l(Him的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ru-15原子。/。Hf靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為13><10—3個/cm2。對于實施例3-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為21(Him，在該次成分Hf金屬相的周圍，形成了平均厚度為的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ru-30原子。/。Hf耙，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為14x10—3個/cm2。以上結果如表1表示。另外，表1中的"次成分相的平均粒徑"是指包含全部"次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相"的粒子的平均粒徑。在以下的表2、表3中也相同。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>(比較例1、比較例2、比較例3)與上述實施例1-3同樣地制造混合粉末。但是，使用將鉺粉末、鉭粉末、鉿粉末篩分至200目以下的粉末。將其在160(TC下、真空中進行熱壓，進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。該結果如表l所示。如表1所示，比較例1示出的鎢、比較例2示出的鉭、比較例3示出的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在98.3%~99.6%的范圍內，均超過98%。并且，氧濃度在350-1960重量ppm的范圍內，氧含量增高。作為主成分的釕基體組織的平均結晶粒徑在621pm的范圍內。特別重要的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相(以下稱為"次成分金屬相")的平均粒徑小，均不滿足本發(fā)明的條件。如以上所示，比較例1~3的靶的密度均在98重量％以上的范圍內，氧量在350-1960重量ppm的范圍內，氧含量多。對于比較例l-l(表中記為"比1-1"。以下相同。)，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為90pm,不滿足本發(fā)明的條件。并且，在該次成分W金屬相的周圍，形成一些平均厚度為35pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果得到比實施例差的Ru-5原子％\￥靶，其加工性雖良好、沒有起弧產生，但顆粒的產生為21xl0—s個/cm2。另外，合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下或完全沒有形成時，雖然沒有特別作為例子示出，但存在顆粒的產生進一步增加的傾向。對于以下的比較例，認為有相同的傾向。因此，在以下的說明中，省略對于在次成分金屬相的周圍形成的合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下的情況的說明。對于比較例1-2，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為72pm，不滿足本發(fā)明的條件。并且，雖然在次成分W金屬相的周圍形成了平均厚度為28pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到加工性較差、雖然沒有起弧產生、但顆粒的產生為32xl0—s個/cn^的不良的Ru-15原子e/。W耙。對于比較例1-3，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為61pm，不滿足本發(fā)明的條件。并且，雖然在次成分W金屬相的周圍形成了平均厚度為24pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但加工性較差。并且得到有起弧產生、顆粒的產生增加到47"(^個/cn^的不良的Ru-30原子。/。W耙。對于比較例2-l，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為53pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Ta金屬相的周圍形成了平均厚度為15pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-5原子y。Ta靶，其加工性不能說良好，有起弧產生、而且顆粒的產生為49xl(T3個/cm2。對于比較例2-2,包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為64pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Ta金屬相的周圍形成了平均厚度為lSiim的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-15原子。/。Ta靶，其加工性不良、有起弧產生、而且顆粒的產生為58xl0-3個/cm2。對于比較例2-3，含有粒狀次成分的Ta金屬相的大小為33nm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Ta金屬相的周圍，形成平均厚度為9pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-30原子。/。Ta靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生明顯較多、為89x10—3個/cm2。對于比較例3-1，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為26pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Hf金屬相的周圍，形成平均厚度為lpm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-5原子y。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變得非常多、為52xl0—3個/cm2。對于比較例3-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為16pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Hf金屬相的周圍形成平均厚度為lpm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-15原子。/。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變多、為69xl0-3個/cm2。對于比較例3-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為llnm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Hf金屬相的周圍形成平均厚度為lpm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-30原子。/。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變得異常多、為84xl(r3個/cm2。同樣，對于比較例l-比較例3，其結果也如表l所示。(實施例4、實施例5、實施例6)將市售4N級的銠粉末(低氧品Rh)導入超高真空室內，對Rh粉末進行高輸出功率紅外燈加熱來除氧。原料Rh粉末的氧濃度為900ppm，粒徑為2.2pm。使粉末體的溫度為約1200°C。通過與室連接的氧監(jiān)測儀確認氧已被充分排出后，停止加熱并進行快速冷卻，冷卻至室溫。然后，將其放入容器，在導入氬氣的同時將EB(電子束)熔化鑄錠反復進行氫化/脫氫并進行粉碎，進而將篩分為50目~200目的4N級鴿粉末、鉭粉末、鉿粉末的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子%而與釕粉末進行混合。鎢原料粉末的氧濃度為20ppm，鉭原料粉末的氧濃度為80ppm，鉿原料粉末的氧濃度為130ppm。將這些混合粉末再次在IIOO'C下進行脫氧處理，在160(TC下、真空中進行熱壓，進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。其結果如表2所示。如表2所示，使實施例4中示出的鎢、實施例5中示出的鉭、實施例6中示出的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在98.0%~99.8%的范圍內，均超過98%。并且，氧濃度在40~260重量ppm的范圍內，實現(xiàn)了低氧化。作為主成分的銠基體組織的平均結晶粒徑在133m的范圍內。特別重要的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相(以下稱為"次成分金屬相")的平均粒徑，均滿足本發(fā)明的條件。而且，包含該粒狀次成分的金屬相均勻分散于作為主成分的組織(基體)中。如上所示，實施例4~6的靶的純度均在98重量％以上(其中，氣體成分及其他的雜質除外)的范圍內，氧量在40260重量ppm的范圍內。對于實施例4-l(表中，記為"實4-l"。以下相同。)，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為138nm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為27(im的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為6xl(^個/cm2的優(yōu)良的Rh-5原子。/。W靶。另外，對于合金相或化合物相的平均寬度在5iam以下或完全沒有形成的情況，雖然沒有特別作為例子示出，但顆粒的產生有少許增加的傾向。但是，其增加量極少，不是特別成為問題的水平。在粒狀次成分的周圍形成的與主成分的合金相或化合物相的存在是更優(yōu)選的條件，但可以確認全部粒狀次成分的大小受到的特別大的影響。對于以下的實施例，可以確認也有同樣的傾向。因此，在以下的說明中，省略了對次成分金屬相的周圍所形成的合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下的情況的說明。對于實施例4-2，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為13(Him，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為26pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Rh-15原子。/。W靶，其加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為7xl0—s個/cm2。對于實施例4-3，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為130nm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為25pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Rh-30原子。/。W靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為12xl0^個/cm2。對于實施例5-1，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為136pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為3(H;m的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Rh-5原子y。Ta靶，其加工性優(yōu)良、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為3xl(^個/cm2。對于實施例5-2，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為11^m，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為22pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Rh-15原子。/。Ta靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為4xl(^個/cm2。對于實施例5-3，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為169pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為3(Hun的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Rh-30原子。/。Ta靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為9xl0—s個/cm2。對于實施例6-1，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為209pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為lOjim的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Rh-5原子y。Hf靶，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為6xl(^個/cm2。對于實施例6-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為162pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Rh-15原子。/。Hf耙，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為9xl0—s個/cm2。對于實施例6-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為208pm，在該次成分金屬相的周圍，形成了平均厚度為9pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Rh-30原子y。Hf耙，其加工性良好、沒有起弧產生、而且顆粒的產生為14xl0—s個/cm2。以上結果如表2表示。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>(比較例4、比較例5、比較例6)與上述實施例4-6同樣地制造混合粉末。其中，使用將鵒粉末、鉭粉末、鉿粉末篩分至200目以下的粉末。將其在160(TC下、真空中進行熱壓、進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。該結果在表2中示出。如表2所示，使比較例4所示的鎢、比較例5所示的鉭、比較例6所示的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在96.3%~99.9%范圍內，當添加Hf時，密度顯著降低，存在低于98%的情況。并且，氧濃度在500~2220重量ppm的范圍內，氧含量增高。作為主成分的釘基體組織的平均結晶粒徑在6pm2^m的范圍內。特別重要的包含粒狀次成分的金屬相的大小為21~93pm，均在本發(fā)明的范圍之外。以下進行詳細說明。如上所示，比較例4~6的靶的密度均在98重量％以上的范圍內，其中，氧量在500-2220重量ppm的范圍內，氧含量多。對于比較例4-l(表中，記為"比4-l"。以下相同。)，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為53nm，不滿足本發(fā)明的條件。并且，在該次成分W金屬相的周圍，形成一些平均厚度為l(Him的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到比實施例差的Ru-5原子。/。W靶，其加工性稍好，沒有起弧產生，但顆粒的產生為26xl(^個/cm2。另外，對于合金相或化合物相的平均寬度在5jnm以下或完全沒有形成的情況，雖然沒有特別作為例子示出，但顆粒的產生有進一步增加的傾向。對于以下的比較例，認為也有相同的傾向。因此，在以下的說明中，省略對在次成分金屬相的周圍形成的合金相或化合物相的平均寬度在5pm的情況的說明。對于比較例4-2，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為64^n，不滿足本發(fā)明的條件。在該次成分W金屬相的周圍，形成平均厚度為12pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ru-15原子n/。W靶，雖然其加工性較好，但有起弧產生，而且顆粒的產生為54xl(^個/cm2。對于比較例4-3，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為64pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在該次成分W金屬相的周圍，形成平均厚度為12pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-30原子y。Ta靶，其加工性較差，并且有起弧產生，而且顆粒的產生增加到57xl(^個/cm2。對于比較例5-1，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為93pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在該次成分Ta金屬相的周圍，形成平均厚度為19nm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-5原子。/。Ta靶，其加工性不能說良好，有起弧產生，而且顆粒的產生為57xl(^個/cm2。對于比較例5-2，包含粒狀次成分的Ta金屬相的大小為78pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在該次成分Ta金屬相的周圍，形成平均厚度為14pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-15原子。/。Ta靶，其加工性不能說是良好，有起弧產生，而且顆粒的產生為78xl(^個/cm2。對于比較例5-3，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為85pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Ta金屬相的周圍，形成平均厚度為15fim的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-30原子e/。Ta靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生明顯較多、為89xl(T3個/cm2。對于比較例6-1，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為44nm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在該次成分Hf金屬相的周圍，形成平均厚度為2)Lim的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Ru-5原子。/。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變得非常多、為65x10—3個/cm2。對于比較例6-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為21pm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在次成分Hf金屬相的周圍，形成平均厚度為lpm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Rh-15原子c/。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變多、為67xl0-3個/cm2。對于比較例6-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為30nm，不滿足本發(fā)明的條件。雖然在該次成分Hf金屬相的周圍，形成平均厚度為2Hm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相，但得到不良的Rh-30原子Q/。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變得異常多、為91xl0—3個/cm2。同樣，對于比較例4-比較例6，結果也如表2所示。(實施例7、實施例8、實施例9)將市售3N級的銥粉末(低氧品:Ir)導入超高真空室內，通過高輸出功率紅外燈加熱除去該銥粉末中的氧氣。原料Ir粉末的氧濃度為1800ppm，粒徑為1.8pm。使粉末體的溫度約為120CTC。通過與室連接的氧監(jiān)測儀確認氧氣已被充分排出后，停止加熱并進行快速冷卻，冷卻至室溫。接著，將其放入容器，在導入氬氣的同時，將EB(電子束)熔化鑄錠反復進行氫化/脫氫并進行粉碎，再將篩分為50目~200目的4N級鎢粉末、鉭粉末、鉿粉末的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子%而與釕粉末進行混合。鎢原料粉末的氧濃度為20ppm,鉭原料粉末的氧濃度為80ppm，鉿原料粉末的氧氣濃度為130ppm。將這些混合粉末再次在IIO(TC下進行脫氧處理，在160(TC下、真空中進行真空熱壓、進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。結果如表3所示。如表3所示，使實施例7中所示的鎢、實施例8中所示的鉭、實施例9中所示的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在98.7%~99.9%的范圍內，均超過98%。并且，氧濃度在30220重量ppm的范圍內，實現(xiàn)了低氧化。作為主成分的銥基體組織的平均結晶粒徑在113(^m的范圍內。特別重要的包含粒狀次成分的金屬相的大小為122~212pm，滿足本發(fā)明的條件。如以上所示，實施例79的靶的純度均在98重量％以上(其中，氣體成分及其他的雜質除外)的范圍內，氧量在30~220重量ppm的范圍內。對于實施例7-l(表中，記為"實7-l"。以下相同。)，包含粒狀次成分的W金屬相的大小為128pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為25pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到優(yōu)良的Ir-5原子n/。W靶，其加工性優(yōu)良，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為13xl0J個/cm2。另外，合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下或完全沒有形成的情況下，雖然沒有特別作為例子示出，但顆粒的發(fā)生有少許增加的傾向。但是，其增加量極少，并不是特別成為問題的程度。粒狀次成分的周圍形成的與主成分的合金相或化合物相的存在為更優(yōu)選的條件，但可以確認全部粒狀次成分的大小受到特別大的影響。對于以下的實施例，認為也有同樣的傾向。因此，在以下的說明中，省略次成分金屬相的周圍形成的合金相或化合物相的平均寬度在5pm以下的情況的說明。對于實施例7-2，包含粒狀次成分的W金屬相大小為122pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為22pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ir-15原子%W耙，其加工性優(yōu)良，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為12xl0-3/cm2。對于實施例7-3，含有粒狀次成分的W金屬相大小為161pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為32um的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ir-30原子%W耙，其加工性優(yōu)良，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為9xl0-3個/cm2。對于實施例8-l，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為149pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為15um的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ir-5原子%Ta耙，其加工性優(yōu)良，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為7xl0-3個/cm2。對于實施例8-2，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為n0^im，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為17nm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ir-15原子%Ta耙，其加工性良好，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為5xl0-3個/cm2。對于實施例8-3，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為179pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為18pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ir-30原子%Ta耙，其加工性良好，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為5xl0—s個/cm2。對于實施例9-1，包含粒狀次成分的Hf金屬相的大小為196pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為7pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ir-5原子。/。Hf耙，其加工性良好，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為5xlO—s個/cm2。對于實施例9-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為182Hm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為6pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到優(yōu)良的Ir-15原子。/。Hf耙，其加工性良好，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為6xl(^個/cm2。對于實施例9-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為212pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為llpm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果可以得到良好的Ir-30原子。/。Hf耙，其加工性良好，沒有起弧產生，而且顆粒的產生為8xl(^個/cm2。以上的結果如表3中所示。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>說明書第27/36頁(比較例7、比較例8、比較例9)和上述實施例7-9相同地制造混合粉末。但是，使用篩分至200目以下的鎢粉末、鉭粉末、鉿粉末。將其在160(TC下、真空中進行熱壓、進而進行熱等靜壓處理，制造燒結體。其結果如表3所示。如表3所示，使比較例7所示的鎢、比較例8所示的鉭、比較例9所示的鉿的添加量分別為5原子％、15原子％、30原子％。結果燒結體的密度在95.8%~99.9%范圍內，在添加Hf的情況下密度顯著降低，有時降至低于98%。并且，氧濃度在350-2320重量ppm的范圍內，氧含量增高。作為主成分的銥基體組織的平均結晶粒徑在1328pm的范圍內。特別是重要的含有粒狀次成分的金屬相的大小為27~63pm，并非均處于本發(fā)明的范圍內。以下，進行詳細說明。如以上所示，比較例7~9的靶的純度均在98w。/。以上(其中，除去氣體成分及其他的雜質)的范圍內，其中氧量在3502320重量ppm的范圍內，氧含量較多。對于比較例7-l(表中，記為"比7-l"。以下相同。)，含有粒狀次成分的W金屬相大小為52pm，在該次成分金屬相的周圍形成平均厚度為7pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果得到比實施例差的Ir-5原子MW靶，其加工性較差，雖沒有起弧產生但顆粒的產生為39xl0—s個/cm2。另外，對于合金相或化合物的平均寬度在5pm以下或完全沒有形成的情況，雖然沒有特別作為例子示出，但具有顆粒的產生進一步增加的傾向。對于以下的比較例，認為也有相同的傾向。因此，在以下的說明中，省略對次成分金屬相的周圍形成的合金相或化合物相的平均寬度在5jim以下的情況的說明。對于比較例7-2，包含粒狀次成分的W金屬相大小為62pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為9pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-15原子。/。W靶，其加工性雖然稍好、沒有起弧產生，但顆粒的產生為28xl(^個/cm2。對于比較例7-3,包含粒狀次成分的W金屬相的大小為63pm，在該次成分金屬相的周圍形成平均厚度為9pm的合金相(主成分與次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-30原子y。Ta靶，其加工性雖然稍好，但有起弧產生，而且顆粒的產生增加到85xl(^個/cm2。對于比較例8-l，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為41pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為4nm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-5原子c/。Ta靶，其加工性雖然稍好，也沒有起弧產生，但顆粒的產生為39xl(^個/cm2。對于比較例8-2，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為42pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為4pm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-15原子。/。Ta靶，其加工性較差，雖沒有起弧產生，但顆粒的產生為35xl(^個/cm2，。對于比較例8-3，包含粒狀次成分的Ta金屬相大小為28pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為2nm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-30原子。/。Ta靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生明顯較多、為76xl(^個/cm2。對于比較例9-1,包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為36pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為lnm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-5原子y。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變得非常多、為52xl(^個/cm2。對于比較例9-2，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為27pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為lpm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-15原子。/。Hf耙，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生變多、為77xl(^個/cm2。對于比較例9-3，包含粒狀次成分的Hf金屬相大小為28pm，在該次成分金屬相的周圍，形成平均厚度為lpm的合金相(主成分和次成分的合金相)或化合物相。結果得到不良的Ir-30原子y。Hf靶，其加工性不良，有起弧產生，而且顆粒的產生異常增多、為103xl0-s個/cm2。同樣，對于比較例7-比較例9，其結果也如表3所示。(實施例10、實施例11、實施例12)對于作為實施例10的實施例1的條件中W量為15原子％、次成分相的平均粒徑為128135nm的情況；對于作為實施例11的實施例2中Ta量為15原子％、次成分相的平均粒徑為13114(Him的情況；對于作為實施例12的實施例3中Hf量為15原子％、次成分相的平均粒徑為191202pm的情況，基體的平均粒徑、相對密度、氧量、碳量發(fā)生變化時的加工性、起弧、顆粒個數的結果分別如表4所示。在該表4所示的實施例10、實施例11、實施例12中，任何情況下均沒有起弧產生。在實施例IO(添加W)的情況下，加工性均非常良好，當氧量和碳量少許增加時，顆粒的個數增加稍許，結果均良好。在實施例ll(添加Ta)的情況下，當氧量和碳量增加時，加工性稍有下降，并且雖然顆粒個數顯示出稍有增加的傾向，但并不成為問題。在實施例12(添加Hf)的情況下，次成分相的平均粒徑增大稍許，當氧量和碳量增加時，加工性稍有降低。并且，顆粒個數也顯示出稍有增加的傾向。但是，這些均不成為問題。相反，當減少氧量和碳量時，存在加工性提高、并且顆粒個數也減少的傾向。從以上示例可知，通過調整次成分相的平均粒徑、并使氧量和碳量減少，可以使加工性進一步提高，并使顆粒數減少。特別是，優(yōu)選氧量和碳量盡可能的少的情況。至于其他的要素，并沒有顯著的影響。<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>(實施例13、實施例14、實施例15)對于作為實施例13的實施例4的條件中W量為15原子％、次成分相的平均粒徑為127134pm的情況；對于作為實施例14的實施例5中Ta量為15原子％、次成分相的平均粒徑為117~120nm的情況；對于作為實施例15的實施例6中Hf量為15原子％、次成分相的平均粒徑為158162pm的情況，基體的平均粒徑、相對密度、氧量、碳量發(fā)生變化時的加工性、起弧、顆粒個數的結果分別如表5所示。在該表5所示的實施例13、實施例14、實施例15中，任何情況下都沒有起弧產生。在實施例13(添加W)及實施例14(添加Ta)的情況下，加工性均非常良好，當氧量和碳量少許增加時，顆粒個數增加稍許，結果均良好。在實施例15(添加Hf)的情況下，次成分相的平均粒徑增大稍許，當氧量和碳量增加時，則可見加工性存在稍有降低的傾向。但是，該程度為可接受的范圍，并不成為特別的問題。并且，當氧量和碳量增加時，顆粒個數雖也顯示出稍有增加的傾向，但并不成為問題。相反，當將其減少時，存在加工性提高、并且顆粒個數也減少的傾向。從以上示例可知，通過調整次成分相的平均粒徑、并減少氧量和碳量，可以使加工性進一步提高并使顆粒數減少。特別是，優(yōu)選氧量和碳量盡可能的少的情況。至于其他的要素，并沒有顯著的影響。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>(實施例16、實施例17、實施例18)對于作為實施例16的實施例7的條件中W量為15原子％、次成分相的平均粒徑為120130nm的情況；對于作為實施例17的實施例8中Ta量為15原子％、次成分相的平均粒徑為170~175Hm的情況；對于作為實施例18的實施例9中Hf量為15原子％、次成分相的平均粒徑為180-190^im的情況，基體的平均粒徑、相對密度、氧含量、碳含量發(fā)生變化時的加工性、起弧、顆粒個數的結果分別如表6所示。在該表6所示的實施例16、實施例17、實施例18中，任何情況下都沒有起弧產生。實施例16(添加W)時，次成分相的平均粒徑增大稍許，并在碳含量增加時，加工性稍有降低，但其他方面均非常良好。在實施例17(添加Ta)的情況下，次成分相的平均粒徑增大稍許，當氧量和碳量增加時加工性稍有降低。但是并沒有大的變化。在實施例18(添加Hf)的情況下，次成分相的平均粒徑增大，當氧量和碳量增加時加工性稍有降低。顆粒個數并沒有大的變化。但是，均不成為問題。相反，將其減少時，存在加工性提高，顆粒個數也減少的傾向。從以上示例可知，通過調整次成分相的平均粒徑、并減少氧量和碳量，可以進一步提高加工性。特別是，優(yōu)選氧量和碳量盡可能的少的情況。至于其他的要素，并沒有顯著的影響。[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>作為本發(fā)明的主成分的高熔點金屬釕、銠、銥，均為第8族元素，是近似的元素。在本實施例中，示出了各自單獨的元素和次成分組合的例子，但應該理解為在復合添加了這些元素的高熔點合金中也能得到相同的結果。因此，本發(fā)明中包含復合添加了釕、銠、銥的合金。進而，鎢、鉭、鉿在元素周期表中作為第6族、第5族、第4族元素而分別屬于不同的族，但如本發(fā)明的實施例所示，將其添加至上述釕、銠、銥中時，可以確認顯示出類似的性質及作用/效果。因此，當然應該可以理解為，在復合添加這些金屬時，也顯示出類似的作用、效果。因此，自不必說本發(fā)明也包括復合添加這些金屬的情況。產業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的含有以釕、銠、銥為主成分的高熔點金屬的合金燒結體濺射靶，具有能夠通過改善耙組織而防止形成基體的主成分以外的金屬粒子的脫落，進而通過減少氣體成分等雜質、提高密度、減少濺射時的起弧和顆粒的產生，使成膜質量提高的同時提高靶的加工性的優(yōu)良效果，因此作為半導體元件的成膜材料、特別是柵電極材料或各種擴散阻滲的成膜用濺射靶極為有用。權利要求1.一種含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，所述高熔點金屬包含選自W、Ta或Hf的一種以上小于50原子％的次成分和作為余量的選自Ru、Rh或Ir的至少一種以上的主成分及不可避免的雜質，所述濺射靶的特征在于，在所述主成分的金屬組織中，具有平均粒徑為100μm～500μm的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相。2.如權利要求l所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，在所述主成分的金屬組織中，具有l(wèi)OOpm~300nm的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相。3.如權利要求1或2所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，在粒狀次成分金屬相的周圍，具有平均寬度為5Mm5(Hmi的主成分與次成分的合金相或化合物相。4.如權利要求l或2所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，在粒狀次成分金屬相的周圍，具有平均寬度為5pm~100Mm的主成分與次成分的合金相或化合物相。5.如權利要求1或2所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，在粒狀次成分金屬相的周圍，具有平均寬度為5pm200pm的主成分與次成分的合金相或化合物相。6.如權利要求1~5中任一項所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，作為氣體成分雜質，氧含量在300重量ppm以下，碳含量在100重量ppm以下。7.如權利要求1~5中任一項所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，氣體成分以外的雜質含量的總量在100重量ppm以下。8.如權利要求17中任一項所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，其中，相對密度在98%以上，并且不存在lOOpm以上的空隙。9.如權利要求18中任一項所述的含有高熔點金屬的燒結體濺射耙，其中，每1cm3面積的耙的合金組成的偏差在+-10%以下。全文摘要本發(fā)明涉及含有2種以上高熔點金屬的燒結體濺射靶，特別是提供能夠通過改良靶組織來防止形成基體的主成分以外的金屬粒子的脫落、通過減少氣體成分等雜質并且提高密度來減少濺射時的起弧和顆粒的產生、并在提高成膜質量的同時使靶的加工性提高的含有高熔點金屬的燒結體濺射靶。一種含有高熔點金屬的燒結體濺射靶，高熔點金屬包含選自W、Ta或Hf的1種以上的小于50原子％的次成分和作為余量的選自Ru、Rh或Ir的至少一種以上的主成分及不可避免的雜質，其特征在于，在所述主成分的金屬組織中，具有平均粒徑為100μm～500μm的粒狀次成分金屬相或者主成分與次成分的合金相或化合物相。文檔編號C22C27/00GK101389784SQ200780006509公開日2009年3月18日申請日期2007年2月22日優(yōu)先權日2006年2月22日發(fā)明者鈴木了申請人:日礦金屬株式會社