專利名稱：等離子處理用氣體供給管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用等離子CVD法在塑料瓶等容器的內(nèi)面形成蒸鍍 膜時(shí)使用的等離子處理用氣體供給管。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積法(CVD)為使用在常溫下不發(fā)生反應(yīng)的原料氣體，利 用在高溫氣氛下的氣相生長(zhǎng)，在基體表面以膜狀析出反應(yīng)生成物的技術(shù)， 在半導(dǎo)體的制造、金屬或陶瓷的表面改性等中被廣泛采用，最近也被正在 用于塑料片容器的表面改性、特別是阻氣性的提高。
等離子CVD是指利用等離子進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)，其構(gòu)成的過(guò)程基本上為 在減壓下利用高電場(chǎng)的電能使含有原料氣體的氣體放電，解離、結(jié)合而生 成物質(zhì)，通過(guò)在氣相中或處理對(duì)象物上使生成的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使其 在處理對(duì)象物上堆積。
等離子狀態(tài)是利用輝光放電等實(shí)現(xiàn)的，已知有利用輝光放電的方式， 利用微波輝光放電的等離子CVD法或利用高頻輝光放電的等離子CVD 法等。
在利用微波、高頻的任意一種的等離子CVD法中，為了在容器內(nèi)面 形成蒸鍍膜，在等離子處理室內(nèi)保持容器，向該容器內(nèi)插入用于供給反應(yīng) 性氣體(等離子處理用氣體)的氣體供給管，至少將容器內(nèi)減壓至規(guī)定的 真空度，向容器的內(nèi)部供給反應(yīng)性氣體，同時(shí)在容器內(nèi)發(fā)生利用微波或高 頻的輝光放電，由此在容器內(nèi)面形成蒸鍍膜。
因而，為了在容器內(nèi)面形成均一厚度的蒸鍍膜，必須向容器內(nèi)均一地 供給反應(yīng)性的氣體，作為這樣的氣體供給管，已知有多孔體的小孔(pore) 成為氣體噴出孔的多孔導(dǎo)管，或通過(guò)穿孔等在金屬管等的壁面上形成氣體 噴出孔的有孔導(dǎo)管等。
另外，近年來(lái)，為了更均一地供給氣體，提出了在氣體供給管主體的前端部具備噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件的氣體供給管(例如參照專利文獻(xiàn)1)，或通 過(guò)在多孔金屬管(供給管主體)的前端部設(shè)置非金屬管(供給路延長(zhǎng)構(gòu)件) 而可以不受微波的波長(zhǎng)的影響延長(zhǎng)氣體供給路的氣體供給管(例如參照專 利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2004—277757號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:特開(kāi)2005—68471號(hào)公報(bào)
但是，在使用如上所述的等離子CVD法，在容器內(nèi)面形成蒸鍍膜時(shí)， 不僅在容器內(nèi)面而且在氣體供給管的外面也形成蒸鍍膜。在氣體供給管的 外面形成的蒸鍍膜只要在不堵塞氣體供給管的氣體噴出孔的程度，則對(duì)制 膜不會(huì)產(chǎn)生大的影響，但如果從氣體供給管剝離蒸鍍膜，不僅有可能在應(yīng) 形成蒸鍍膜的容器內(nèi)面作為異物附著，而且還可能在噴嘴密封面落下剝離 的蒸鍍膜，從而使等離子處理室內(nèi)的真空度低下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于所述情況而提出的，其目的在于提供一種可以有效地 抑制在外面形成的蒸鍍膜的剝離，盡可能地防止剝離的蒸鍍膜相對(duì)容器內(nèi) 面的附著或向噴嘴密封面的附著的等離子處理用氣體供給管。
為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管是被插入到保 持于等離子處理室內(nèi)的容器內(nèi)部，通過(guò)向容器內(nèi)部供給等離子處理用氣 體，在容器內(nèi)面形成蒸鍍膜的等離子處理用氣體供給管，其中，形成其部 分或整體的供給管形成構(gòu)件的熱膨脹率為10X1(T"'C以下。
如果這樣地進(jìn)行，則在氣體供給管的外面形成的蒸鍍膜可以減低伴隨 氣體供給管的熱膨脹或熱收縮剝離的可能性。就是說(shuō)，制膜中，隨著處理 室內(nèi)的溫度上升而氣體供給管發(fā)生熱膨脹，制膜后，隨著腔的開(kāi)放引起的 溫度低下，氣體供給管發(fā)生熱收縮，所以在氣體供給管與在其外面形成的 蒸鍍膜之間發(fā)生伴隨熱膨脹或熱收縮的位置偏離，成為蒸鍍膜容易剝離的
狀況，但通過(guò)使氣體供給管(一部分或整體)的熱膨脹率在10X10—6/'C
以下，有效地抑制蒸鍍膜的剝離成為可能。這樣，可以消除從氣體供給管 剝離的蒸鍍膜在容器內(nèi)面作為異物附著或者在噴嘴密封面落下從而使等 離子處理室內(nèi)的真空度低下的不良情形。另外，本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管的所述供給管形成構(gòu)件由鈦 或陶瓷構(gòu)成。
如果這樣，可以有效地抑制在氣體供給管的外面形成的蒸鍍膜的剝 離，并同時(shí)在容器內(nèi)面形成由氧化硅構(gòu)成的蒸鍍膜。
另外，本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管的所述供給管形成構(gòu)件為具 有氣體噴出孔的供給管主體。
如果這樣，則可以有效地抑制在供給管主體的外面形成的蒸鍍膜的剝離。
另外，本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管的所述供給管形成構(gòu)件為設(shè) 置于供給管主體的前端部的噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件。
如果這樣，可以有效地抑制在噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件的外面形成的蒸鍍膜的 剝離。
另外，本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管的所述供給管形成構(gòu)件為用 于連接由金屬管構(gòu)成的供給管主體和由非金屬管構(gòu)成的供給路延長(zhǎng)構(gòu)件 的連接構(gòu)件。
如果這樣，可以有效地抑制在連接構(gòu)件的外面形成的蒸鍍膜的剝離。 這樣，如果利用本發(fā)明，則用熱膨脹率為10X10—V'C以下的供給管
形成構(gòu)件形成氣體供給管的一部分或整體，所以在利用等離子CVD法在
容器內(nèi)面形成蒸鍍膜時(shí)，可以減低在氣體供給管的外面形成的蒸鍍膜伴隨 氣體供給管的熱膨脹或熱收縮而剝離的可能性。這樣，可以消除從氣體供 給管剝離的蒸鍍膜在容器內(nèi)面作為異物附著或者在噴嘴密封面落下從而 使等離子處理室內(nèi)的真空度低下的不良情形。


圖1是本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管使用的等離子處理室的概 略截面圖。
圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面圖。
圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面圖。圖4是本發(fā)明的第三實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面圖。
圖中，l一等離子處理室，2—腔，3—容器，4一氣體供給管，5_供 給管主體，5a—?dú)怏w供給路，5b—?dú)怏w噴出孔，6—?dú)怏w供給管，7—供給 管主體，8 —噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件，8a—噴出量調(diào)節(jié)孔，9一氣體供給管，10 一供給管主體，ll一供給路延長(zhǎng)構(gòu)件，12—連接構(gòu)件，12a—管接頭部， 12b—管接頭部。
具體實(shí)施例方式
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。 [第一實(shí)施方式]
首先，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的等離子處理用 氣體供給管。
圖1是本發(fā)明的等離子處理用氣體供給管使用的等離子處理室的截 面圖，圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面 圖。
以微波CVD為例，說(shuō)明利用等離子處理向容器內(nèi)面形成蒸鍍膜的過(guò) 程，如圖1所示，為了關(guān)入所導(dǎo)入的電磁波(微波)，利用金屬制的腔2 形成等離子處理室1。在等離子處理室1內(nèi)，以上下翻轉(zhuǎn)姿勢(shì)保持應(yīng)處理 的容器(例如塑料瓶)3，在該容器3內(nèi)插入本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的 氣體供給管4。
在等離子處理時(shí)，利用規(guī)定的排氣機(jī)構(gòu)將容器3的內(nèi)部維持在真空狀 態(tài)，同時(shí)為了防止容器3的外壓引起的變形，也使等離子處理室l內(nèi)(容 器3的外部)處于減壓狀態(tài)。這種情況下，使容器3內(nèi)的減壓程度高至被 導(dǎo)入微波時(shí)發(fā)生輝光放電，另一方面，使等離子處理室1的減壓程度低至 即使被導(dǎo)入微波也不會(huì)發(fā)生輝光放電。
如上所述地進(jìn)行，將容器3的內(nèi)外保持于規(guī)定的減壓狀態(tài)，然后利用 氣體供給管4向容器3內(nèi)供給反應(yīng)性氣體，同時(shí)向等離子處理室1內(nèi)導(dǎo)入 微波，使其發(fā)生利用輝光放電的等離子。在該等離子中的電子溫度為數(shù)萬(wàn) K,氣體粒子的溫度與數(shù)100K相比，約高2位數(shù)，為熱非平衡狀態(tài)，也可以對(duì)低溫的塑料基體有效地進(jìn)行等離子處理。
在所述的等離子的作用下，反應(yīng)性氣體發(fā)生反應(yīng)，在容器3的內(nèi)面堆
積蒸鍍膜。在進(jìn)行這樣的等離子處理在容器3的內(nèi)面形成規(guī)定厚度的蒸鍍
膜之后，停止反應(yīng)性氣體的供給及微波的導(dǎo)入，同時(shí)向等離子處理室l內(nèi)
或容器3的內(nèi)部緩慢地導(dǎo)入冷卻空氣，使容器3的內(nèi)外恢復(fù)至常壓，將等
離子處理后的容器3取出等離子處理室1之外。
在本實(shí)施方式中，作為應(yīng)處理的容器3，可以舉出以塑料為原料的瓶。 作為塑料，可以舉出公知的熱塑性樹(shù)脂，例如由低密度聚乙烯、高密
度聚乙烯、聚丙烯、聚1一丁烯或聚4一甲基一1一戊烯等聚烯烴；乙烯、
丙烯、1一丁烯或4一甲基一1一戊烯等a—烯烴構(gòu)成的無(wú)規(guī)共聚物或嵌段
共聚物等；乙烯，醋酸乙烯酯共聚物、乙烯《乙烯醇共聚物或乙烯，氯乙 烯共聚物等乙烯 乙烯系化合物共聚物；聚苯乙烯、丙烯腈，苯乙烯共聚 物、ABS或a—甲基苯乙烯，苯乙烯共聚物等苯乙烯系樹(shù)脂；聚氯乙烯、 聚偏氯乙烯、氯乙烯*偏氯乙烯共聚物、聚丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸甲 酯等聚乙烯系化合物；尼龍6、尼龍6—6、尼龍6—10、尼龍11或尼龍 12等聚酰胺；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯或聚萘二 甲酸乙二醇酯等熱塑性聚酯；聚碳酸酯、聚苯醚等。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使 用，也可以混合使用兩種以上。
另外，對(duì)容器3的形狀也沒(méi)有限制，可以為瓶、杯、管等任意形狀。 另外，作為反應(yīng)性氣體，可以對(duì)應(yīng)在容器3的內(nèi)面形成的蒸鍍膜的種 類，使用適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)性氣體。使用例如，使含有構(gòu)成薄膜的原子、分子或 離子的化合物成為氣相狀態(tài)，并使其載于適當(dāng)?shù)倪\(yùn)載氣體上的反應(yīng)性氣 體。碳膜或碳化物膜的形成使用甲烷、乙烷、乙烯、乙炔等烴類。另外， 硅膜的形成使用四氯化硅、硅烷、有機(jī)硅烷化合物、有機(jī)硅氧垸化合物等。 還可以使用鈦、鋯、錫、鋁、釔、鉬、鎢、鎵、鉭、鈮、鐵、鎳、鉻、硼 等的鹵化物(氯化物)或有機(jī)金屬化合物。進(jìn)而，氧化物膜的形成使用氧 氣、氮化物膜的形成使用氮?dú)饣虬睔?。這些原料氣體可以對(duì)應(yīng)形成的薄膜 的化學(xué)組成適當(dāng)組合使用2種以上。此外，作為運(yùn)載氣體，適用氬、氖、 氦、氙、氫等。
如圖2所示，在所述的等離子處理中使用的本發(fā)明的第一實(shí)施方式中
7的供給管4利用具有氣體供給路5a及氣體噴出孔5b的供給管主體5構(gòu)成。 艮口，在供給管主體5的內(nèi)部形成從基端部向前端部向軸方向延伸的氣 體供給路5a，該氣體供給路5a的基端部被開(kāi)放，與導(dǎo)入規(guī)定的反應(yīng)性氣 體的給氣系統(tǒng)連接。
此外，氣體供給路5a也可以以一定的直徑不變延伸至前端部，貫通 前端壁，但貫通前端壁的部分優(yōu)選收縮成與氣體噴出孔5b相同程度的直 徑。這是因?yàn)?，如果前端壁被關(guān)閉，則向容器3的底部供給氣體變得不充 分，另外，如果氣體供給路5a的前端壁部分的直徑大于氣體噴出孔5b， 則來(lái)自前端壁部分的氣體的噴出量變得多于其他部分，蒸鍍膜的膜厚可能 會(huì)變得不均一。
利用激光加工、沖孔等加工手段，在供給管主體5的壁面形成多個(gè)氣 體噴出孔5b。這些氣體噴出孔5b在軸方向及周方向隔著適當(dāng)?shù)拈g隔，在 供給管主體5的外壁整體大致均等地分散形成。
此外，氣體噴出孔51)的直徑優(yōu)選為0.2111]11以上。就是說(shuō)，通過(guò)較大 地設(shè)定氣體噴出孔5b的直徑，可以有效地避免蒸鍍膜引起的氣體噴出孔 5b的堵塞。另外，如果使該直徑大至必要以上，則相反氣體的噴出量容 易變得不均一，所以該直徑優(yōu)選為3mm以下。
氣體供給管4的長(zhǎng)度只要具有從容器3的首部至到達(dá)底部的附近的長(zhǎng) 度即可，而在氣體供給管4的全域由金屬管構(gòu)成的供給管主體5形成的情 況下，優(yōu)選該長(zhǎng)度以等離子處理室1的大小等決定的微波的波長(zhǎng)為基準(zhǔn)， 定于其l/2波長(zhǎng)。這是因?yàn)?，如果這樣，則沿著容器3的軸方向的電場(chǎng)強(qiáng) 度分布穩(wěn)定，可以防止蒸鍍膜的厚度不均。
本發(fā)明的氣體供給管4的特征在于，形成其一部分或整體的供給管形 成構(gòu)件由具有10X10—VC以下的熱膨脹率的材質(zhì)構(gòu)成。例如，在使用本 實(shí)施方式的氣體供給管4，在容器3的內(nèi)面形成由氧化硅構(gòu)成的蒸鍍膜的 情況下，作為優(yōu)選的供給管主體5的材質(zhì)，可以選定具有8.6X10—V'C的 熱膨脹率的鈦(TO。
如果這樣，可以減低在氣體供給管4的外面形成的蒸鍍膜伴隨氣體供 給管4的熱膨脹或熱收縮剝離的可能性。
作為氣體供給管4的材質(zhì)而在過(guò)去廣泛使用的不銹鋼的熱膨脹率為15 17X10—6/°C，而在制膜中，隨著等離子處理室l內(nèi)的溫度上升，該氣 體供給管4發(fā)生熱膨脹，在制膜后，隨著腔2的開(kāi)放引起的溫度低下，氣 體供給管4發(fā)生熱收縮，所以在氣體供給管4與在其外面形成的蒸鍍膜之 間發(fā)生伴隨熱膨脹或熱收縮的位置偏離，成為蒸鍍膜容易剝離的狀況。
但是，在本實(shí)施方式中，形成氣體供給管4的整體的供給管主體5 由于具有10X 10—6/°C以下的熱膨脹率，所以可以有效地抑制氣體供給管4 的熱膨脹或熱收縮引起的蒸鍍膜的剝離。結(jié)果，消除從氣體供給管4剝離 的蒸鍍膜作為異物在容器3的內(nèi)面附著或者落下到噴嘴密封面從而使等 離子處理室1內(nèi)的真空度低下的不良情形。
如果利用如上所述構(gòu)成的本實(shí)施方式，則其是被插入到保持于等離子 處理室1內(nèi)的容器3的內(nèi)部，通過(guò)向容器3的內(nèi)部供給等離子處理用氣體， 在容器3的內(nèi)面形成蒸鍍膜的等離子處理用氣體供給管4，由于形成其整 體的供給管主體5由具有10X10—YC以下的熱膨脹率的材質(zhì)構(gòu)成，所以 在氣體供給管4的外面形成的蒸鍍膜可以減低伴隨氣體供給管4的熱膨脹 或熱收縮剝離的可能性。這樣，可以消除從氣體供給管4剝離的蒸鍍膜作 為異物在容器3的內(nèi)面附著或者落下到噴嘴密封面從而使等離子處理室1 內(nèi)的真空度低下的不良情形。
另外，在本實(shí)施方式中，通過(guò)由具有8.6X10^廠C的熱膨脹率的鈦形 成氣體供給管4的供給管主體5，可以有效地抑制在氣體供給管4的外面 形成的蒸鍍膜的剝離，并同時(shí)在容器3的內(nèi)面形成由氧化硅構(gòu)成的蒸鍍 膜。
此外，本發(fā)明當(dāng)然不限定于所述的實(shí)施方式。例如，在所述的實(shí)施方 式中，假設(shè)制造氧化硅膜時(shí)，將供給管主體的材質(zhì)作為具有8.6X10—6/'C
的熱膨脹率的鈦，但只要是具有1oxio—erc以下的熱膨脹率的材質(zhì)即可，
不限定于鈦，當(dāng)然可以對(duì)應(yīng)蒸鍍膜的熱膨脹率，適當(dāng)選定優(yōu)選的材質(zhì)。例 如，可以選定具有7.0X10—V。C的熱膨脹率的陶瓷(氧化鋁)或具有8.5 X10—VC的熱膨脹率的陶瓷(可切削)等。
此外，可切削陶瓷(machinable ceramics)是以玻璃質(zhì)為主體的可加 工性好的復(fù)合陶瓷的總稱。
另外，在所述的例子中，以利用微波輝光放電的等離子處理為例進(jìn)行了說(shuō)明，但所述的氣體供給管也可以適用于利用高頻輝光放電的等離子處 理。利用高頻的等離子處理，除了在容器的外面附近設(shè)置高頻外部電極， 在容器的內(nèi)部設(shè)置接地電極，使其產(chǎn)生高頻，由此進(jìn)行等離子處理的點(diǎn)或 者容器內(nèi)的真空度等微細(xì)條件以外，基本上與微波的情況同樣地進(jìn)行，進(jìn) 行等離子處理。因而，通過(guò)使用本發(fā)明的氣體供給管，可以有效地抑制在 氣體供給管的外面形成的蒸鍍膜的剝離。 [第二實(shí)施方式]
接著，參照?qǐng)D3說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的氣體供給管。
圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面圖。
如該圖所示，第二實(shí)施方式的氣體供給管6在供給管主體7的前端部 具備噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8的這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8 是用于調(diào)節(jié)氣體供給管6的長(zhǎng)度方向上的氣體噴出量的分布的構(gòu)件，通過(guò) 變更噴出量調(diào)節(jié)孔8a的網(wǎng)孔，調(diào)節(jié)所述的分布。例如想要增多氣體供給 管6的前端側(cè)的氣體噴出量的情況下，適用網(wǎng)孔大的噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8， 在想要減少氣體供給管6的前端側(cè)的氣體噴出量的情況下，使用網(wǎng)孔小的 噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8。
即使在這樣的氣體供給管6中，也可以良好地適用本發(fā)明。例如，在 使用本實(shí)施方式的氣體供給管6，在容器3的內(nèi)面形成由氧化硅構(gòu)成的蒸 鍍膜的情況下，作為優(yōu)選的噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8的材質(zhì)，可以選定具有10 X10—^C以下的熱膨脹率的材質(zhì)，例如鈦(熱膨脹率為8.6X10—6/°C)。 如果這樣，可以有效地抑制在噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8的外面形成的蒸鍍膜的剝 離。
此外，對(duì)于供給管主體7，通過(guò)由多孔體(例如不銹鋼的燒結(jié)導(dǎo)管等) 構(gòu)成，具有防止蒸鍍膜的剝離的效果。所以，在本實(shí)施方式中，用多孔體 制造供給管主體7，用具有10X 10—6/°C以下的熱膨脹率的材質(zhì)形成噴出量 調(diào)節(jié)構(gòu)件。
在此，不僅供給管主體7，而且對(duì)于噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8，也考慮用多 孔體制造。但是，難以用多孔體制造噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8。因此，優(yōu)選用具 有10X10—V'C以下的熱膨脹率的材質(zhì)形成噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8。
10另外，在本實(shí)施方式中，作為供給管主體7和噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件8的雙 方材質(zhì)，也可以選定具有10X10—YC以下的熱膨脹率的材質(zhì)。如果這樣， 則可以在氣體供給管6的全域有效地抑制熱膨脹或熱收縮引起的蒸鍍膜 的剝離。
此外，作為熱膨脹率為10X1(T^C以下的材質(zhì)，除了鈦以外，例如 也可以選定具有7.0X1(TVC的熱膨脹率的陶瓷(氧化鋁)或具有8.5X10 —，C的熱膨脹率的陶瓷(可切削)等。
另外，盡管多孔體具有剝離防止的效果，但小孔逐漸堵塞，所以優(yōu)選 在供給管主體7上與第二實(shí)施方式的氣體供給管4同樣地設(shè)置氣體噴出 孔。
接著，參照?qǐng)D4說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式中的氣體供給管。
圖4是本發(fā)明的第三實(shí)施方式中的等離子處理用氣體供給管的截面圖。
如該圖所示，第三實(shí)施方式的氣體供給管9與所述實(shí)施方式不同的一 點(diǎn)在于，具備由金屬管(例如多孔不銹鋼管)構(gòu)成的供給管主體10、由 非金屬管(例如氟樹(shù)脂管)構(gòu)成的供給路延遲構(gòu)件11和用于連接二者的 連接構(gòu)件12。供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11是為了不改變氣體供給管9的金屬部分 的長(zhǎng)度而延長(zhǎng)氣體供給管的長(zhǎng)度而設(shè)置的。這樣，可以將氣體供給管9的 金屬部分的長(zhǎng)度定于微波的1/2波長(zhǎng)，使沿著容器3的軸方向的電場(chǎng)強(qiáng)度 分布穩(wěn)定，同時(shí)還將氣體供給路延長(zhǎng)至容器3的底部附近，有效地防止蒸 鍍膜的厚度不均。
連接構(gòu)件12是在兩端部具有管接頭部12a、 12b的短條狀(包括管接 頭部12a， 12 15mm左右)的管狀構(gòu)件。本實(shí)施方式的連接構(gòu)件12具有 螺栓式的管接頭部12a、 12b，將一方管接頭部12a旋入供給管主體10的 前端部，而且，通過(guò)向另一方的管接頭部12b旋入供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11的 基端部，從而一體連接供給管主體10和供給管延長(zhǎng)構(gòu)件11。
即使在這樣的氣體供給管9中，也可以良好地適用本發(fā)明。例如，使 用本實(shí)施方式的氣體供給管9，在容器3的內(nèi)面形成由氧化硅構(gòu)成的蒸鍍 膜的情況下，作為優(yōu)選的連接構(gòu)件12的材質(zhì)，可以選定具有10X10—6/"C以下的熱膨脹率的材質(zhì)，例如鈦(熱膨脹率為8.6X10—YC)。如果這樣， 可以有效地抑制在連接構(gòu)件12的外面形成的蒸鍍膜的剝離。
另外，對(duì)于供給路延長(zhǎng)構(gòu)件ll，作為優(yōu)選的材質(zhì)，可以選定具有IO X1(T C以下的熱膨脹率的材質(zhì)，例如陶瓷(例如如果為氧化鋁，則熱膨 脹率為7.0X10—6/'C)。如果這樣，可以有效地抑制在供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11 的外面形成的蒸鍍膜的剝離。
此外，對(duì)于供給管主體10，通過(guò)由多孔體(例如不銹鋼的燒結(jié)導(dǎo)管 等)構(gòu)成，具有防止蒸鍍膜的剝離的效果。所以，在本實(shí)施方式中，用多 孔體制造供給管主體10，用具有10X10—Vc以下的熱膨脹率的材質(zhì)形成 供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11或連接構(gòu)件12。
在此，不僅供給管主體IO，而且對(duì)于供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11或連接構(gòu)件 12，也考慮用多孔體制造。但是，難以用多孔體制造供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11 或連接構(gòu)件12。因此，優(yōu)選用具有10X10—^C以下的熱膨脹率的材質(zhì)形 成供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11或連接構(gòu)件12。
另外，作為供給管主體10、供給路延長(zhǎng)構(gòu)件11或連接構(gòu)件12的全 部材質(zhì)，也可以選定具有10X10—V'C以下的熱膨脹率的材質(zhì)。
此外，作為熱膨脹率為10X10—VC以下的材質(zhì)，除了鈦以外，例如 也可以選定具有7.0X 10—V'C的熱膨脹率的陶瓷(氧化鋁)或具有8.5X 10 —VC的熱膨脹率的陶瓷(可切削)等。
另外，優(yōu)選在供給管主體10上與第一實(shí)施方式的氣體供給管4同樣 地設(shè)置氣體噴出孔。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明可以適用于通過(guò)被插入到保持于等離子處理室內(nèi)的容器內(nèi)部， 向容器內(nèi)部供給等離子處理用氣體，在容器內(nèi)面形成蒸鍍膜的等離子處理 用氣體供給管，尤其可以優(yōu)選用于在塑料瓶等容器的內(nèi)面利用等離子 CVD法形成蒸鍍膜時(shí)使用的等離子處理用氣體供給管。
權(quán)利要求
1. 一種等離子處理用氣體供給管，其特征在于，所述等離子處理用氣體供給管是被插入到保持于等離子處理室內(nèi)的容器內(nèi)部，通過(guò)向容器內(nèi)部供給等離子處理用氣體，在容器內(nèi)面形成蒸鍍膜的等離子處理用氣體供給管，形成所述等離子處理用氣體供給管的一部分或整體的供給管形成構(gòu)件的熱膨脹率為10×10-6/℃以下。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理用氣體供給管，其中， 所述供給管形成構(gòu)件包含鈦或陶瓷。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子處理用氣體供給管，其中，所述供給管形成構(gòu)件是具有氣體噴出孔的供給管主體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子處理用氣體供給管，其中，所述供給管形成構(gòu)件是設(shè)置于供給管主體的前端部的噴出量調(diào)節(jié)構(gòu)件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子處理用氣體供給管，其中， 所述供給管形成構(gòu)件是用于連接由金屬管構(gòu)成的供給管主體和由非金屬管構(gòu)成的供給路延長(zhǎng)構(gòu)件的連接構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有效地抑制在氣體供給管的外面形成的蒸鍍膜的剝離，盡可能防止剝離的蒸鍍膜相對(duì)容器內(nèi)面的附著或向噴嘴密封面的附著，被插入到保持于等離子處理室(1)內(nèi)的容器(3)的內(nèi)部，通過(guò)向容器(3)的內(nèi)部供給等離子處理用氣體，在容器(3)的內(nèi)面形成蒸鍍膜的等離子處理用的氣體供給管(4)，形成其整體的供給管主體(5)由具有10×10^-6/℃以下的熱膨脹率的材質(zhì)構(gòu)成，在氣體供給管(4)的外面形成的蒸鍍膜隨著氣體供給管(4)的熱膨脹或熱收縮剝離的可能性被減低。
文檔編號(hào)C23C16/455GK101443478SQ20078001750
公開(kāi)日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2007年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月17日
發(fā)明者小石亮介, 藤本博 申請(qǐng)人:東洋制罐株式會(huì)社