專利名稱：：雙面研磨裝置用載具、及使用此載具的雙面研磨裝置和雙面研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在雙面研磨裝置中，研磨半導(dǎo)體晶片時(shí)，用以保持半導(dǎo)體晶片的雙面研磨裝置用載具。
背景技術(shù)：
：從前，在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的雙面拋光等的研磨時(shí)，是通過(guò)載具保持半導(dǎo)體晶片。此載具是薄于半導(dǎo)體晶片厚度地形成，備有用以保持晶片于雙面研磨裝置的上方轉(zhuǎn)盤與下方轉(zhuǎn)盤間的預(yù)定位置的晶片保持孔。將半導(dǎo)體晶片插入、保持于此晶片保持孔中，以設(shè)于上方轉(zhuǎn)盤與下方轉(zhuǎn)盤的相對(duì)面的研磨布等的研磨具，包挾半導(dǎo)體晶片的上下面，一邊對(duì)研磨面供給研磨劑一邊進(jìn)行研磨。進(jìn)行如此的雙面研磨時(shí)，因壓力集中于半導(dǎo)體晶片的外周部分、研磨漿或研磨布的粘彈性等的影響，造成僅半導(dǎo)體晶片的外周部過(guò)度研磨而發(fā)生外周塌邊。此外周塌邊會(huì)有惡化晶片平坦度這樣的問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)揭示一種進(jìn)行第二次雙面研磨工藝以修正第一次雙面研磨工藝發(fā)生的外周塌邊的方法，作為減少如此的外周塌邊的方法(參照日本專利公開公報(bào)特開2005-158798號(hào))。但是，此方法中，因?yàn)橐M(jìn)行修正外周塌邊的第二次雙面研磨工藝而有工藝增加的缺點(diǎn)，而要求一種可更簡(jiǎn)便地減少外周塌邊的雙面研磨方法。另外，從前的晶片研磨中，為了得到安定的研磨特性，是利用陶瓷板等進(jìn)行研磨布表面的修整。但是，在上述雙面研磨中，不僅是被加工物的晶片，載具也與研磨布接觸，所以研磨布表面的修整效果無(wú)法長(zhǎng)期持續(xù)，而有必須頻繁地利用陶瓷板等進(jìn)行研磨布表面的修整這樣的問(wèn)題。此外，也有載具本身的壽命短、成本高的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容3因此，有鑒于如此的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種雙面研磨裝置用載具、使用此載具的雙面研磨裝置及雙面研磨方法，于半導(dǎo)體晶片的雙面研磨時(shí)，可安定、有效率、低成本地生產(chǎn)可減少晶片外周塌邊、具有高平坦度的高質(zhì)量晶片。為解決上述課題，本發(fā)明提供一種雙面研磨裝置用載具，是于雙面研磨裝置中，配設(shè)于貼附有研磨布的上下方轉(zhuǎn)盤之間，為了保持研磨時(shí)包挾于上下方轉(zhuǎn)盤之間的半導(dǎo)體晶片而形成保持孔的形態(tài)的雙面研磨裝置用載具，該載具的材質(zhì)是鈦，該鈦制載具的表面粗糙度Ra為0.14|im以上。如此，如載具的材質(zhì)為鈦，其硬度較樹脂高，研磨時(shí)的磨耗小而延長(zhǎng)載具壽命。另外，鈦本身對(duì)于硅等半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散系數(shù)小，難以成為不純物，且鈦中不存在鐵等擴(kuò)散系數(shù)大的金屬不純物，因此，可抑制對(duì)于半導(dǎo)體晶片的金屬不純物的污染。此外，如使用如此的表面粗糙度Ra為0.14pm以上的鈦制載具，即可安定、效率良好地生產(chǎn)出可減少晶片外周塌邊，具有高平坦度的高質(zhì)量的晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率，可有效率地進(jìn)行研磨。此時(shí)，表面粗糙度Ra較佳為0.32pm以上。如載具的表面粗糙度Ra為0.32)im以上時(shí)，則更可生產(chǎn)出可減少外周塌邊、高平坦度的高質(zhì)量的晶片。并且，上述載具的正反面，較佳為具有從載具外周側(cè)至保持孔的溝。如此，如載具的正反面具有從載具外周側(cè)至保持孔的溝，研磨時(shí)，研磨液可通過(guò)溝供給至半導(dǎo)體晶片，緩和晶片外周部研磨時(shí)受到的阻力，可進(jìn)一步減少外周塌邊。另外，可通過(guò)溝于研磨中進(jìn)行研磨布的修整，因此，還可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率。另外，上述溝的圖樣可為圍棋棋盤狀或放射狀。如此，以圍棋棋盤狀或放射狀作為溝的圖樣，即可容易且確實(shí)地供給研磨液至研磨時(shí)的半導(dǎo)體晶片。并且，如為至少包含上述本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置，因載具的材質(zhì)為鈦，壽命長(zhǎng)，可抑制對(duì)于半導(dǎo)體晶片的金屬不純物的污染，且可生產(chǎn)出可減少晶片外周塌邊，具有高平坦度的高質(zhì)量的晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率，可顯著提高裝置的運(yùn)作率。另外，提供一種半導(dǎo)體晶片的雙面研磨方法，于貼附有研磨布的上下方轉(zhuǎn)盤之間，配設(shè)上述載具，保持半導(dǎo)體晶片于該載具上形成的保持孔，將其包挾于上下方轉(zhuǎn)盤之間來(lái)進(jìn)行雙面研磨。如此，如于上述本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的保持孔保持半導(dǎo)體晶片，將其包挾于上下方轉(zhuǎn)盤之間來(lái)進(jìn)行雙面研磨，則載具的壽命長(zhǎng)，且可生產(chǎn)出可減少受到金屬不純物污染與晶片外周塌邊，具有高平坦度的高質(zhì)量的晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率，可減少成本、效率良好地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的雙面研磨。如以上的說(shuō)明，依本發(fā)明即提供一種材質(zhì)為鈦，可延長(zhǎng)壽命，難以引起金屬不純物的污染的雙面研磨裝置用載具，使用此載具即可安定、效率良好地生產(chǎn)出可減少受到金屬不純物污染與晶片外周塌邊，具有高平坦度的高質(zhì)量的晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率。因此，可減少成本、效率良好地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的雙面研磨。圖1是例示具備本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的縱剖面圖。圖2是雙面研磨裝置的內(nèi)部構(gòu)造俯視圖。圖3是表示外周塌邊測(cè)定位置的概略圖。圖4是實(shí)驗(yàn)的測(cè)定結(jié)果。圖5是實(shí)驗(yàn)的測(cè)定結(jié)果。圖6是例示本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具正反面的溝的圖樣，(a)是圍棋棋盤狀、(b)是放射狀。圖7是實(shí)施例1、2與比較例1、2的測(cè)定結(jié)果。圖8是實(shí)施例37的測(cè)定結(jié)果。圖9是實(shí)施例8、比較例3的測(cè)定結(jié)果。具體實(shí)施例方式以下說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，但其并非用以限定本發(fā)明。現(xiàn)有的雙面研磨裝置用載具，可舉例如不銹鋼等的金屬制成、或在金屬板的表面蒸鍍陶瓷砥粒而制成等。但是，使用這些載具進(jìn)行研磨時(shí)，因僅其所保持的半導(dǎo)體晶片的外周部會(huì)被過(guò)度研磨而發(fā)生外周塌邊、或是蒸鍍的砥粒脫落而于晶片表面發(fā)生傷痕，產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片的質(zhì)量降低的問(wèn)題。另外，在雙面研磨中，研磨布表面的修整效果無(wú)法長(zhǎng)期持續(xù)，有必須頻繁地利用陶瓷板等進(jìn)行研磨布表面的修整的問(wèn)題。對(duì)此，經(jīng)本發(fā)明人努力進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如雙面研磨裝置用載具，其載具的材質(zhì)是鈦，該鈦制載具的表面粗糙度Ra為0.14pm以上時(shí)，即可解決上述問(wèn)題，進(jìn)而完成本發(fā)明。亦即，如使用如此的雙面研磨裝置用載具來(lái)進(jìn)行雙面研磨，即可生產(chǎn)出可減少晶片外周塌邊，具有高平坦度的高質(zhì)量的晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等來(lái)修整研磨布的頻率，可有效率地進(jìn)行研磨。另外，此載具未蒸鍍砥粒，而是增加載具本身的粗糙度，因此，不會(huì)有砥粒脫落于晶片表面造成傷痕的情況發(fā)生。此外，因材質(zhì)為鈦，壽命長(zhǎng)，不會(huì)發(fā)生鐵等影響晶片質(zhì)量的污染。以下利用有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。在此，圖1是例示具備本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的縱剖面圖，圖2是雙面研磨裝置的內(nèi)部構(gòu)造俯視圖。本發(fā)明是針對(duì)同時(shí)研磨半導(dǎo)體晶片兩面的雙面研磨裝置，關(guān)于用以保持半導(dǎo)體晶片的載具的改良；首先，利用圖l、圖2來(lái)說(shuō)明雙面研磨裝置的概要。具備本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具10的雙面研磨裝置11，備有上下相對(duì)地設(shè)置的下方轉(zhuǎn)盤12與上方轉(zhuǎn)盤13;各轉(zhuǎn)盤12、13的相對(duì)面?zhèn)确謩e貼附研磨布14。而且，在上方轉(zhuǎn)盤13與下方轉(zhuǎn)盤12之間的中心部，設(shè)有太陽(yáng)齒輪15，而在周緣部則設(shè)有內(nèi)部齒輪16。半導(dǎo)體晶片W是保持于載具10的保持孔17，包挾于上方轉(zhuǎn)盤13與下方轉(zhuǎn)盤12之間。太陽(yáng)齒輪15和內(nèi)部齒輪16的各齒部，與載具10的外周齒嚙合，隨著上方轉(zhuǎn)盤13與下方轉(zhuǎn)盤12通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)源而旋轉(zhuǎn)，使得載具10—面自轉(zhuǎn)一面繞著太陽(yáng)齒輪15的周圍公轉(zhuǎn)。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片W是保持于載具10的保持孔17，通過(guò)上下的研磨布14同時(shí)研磨雙面。研磨時(shí)，從未圖示的噴嘴供給研磨液。并且，在圖2中，各載具分別保持一片晶片進(jìn)行研磨，但也可使用具有多個(gè)保持孔的載具，于各載具保持多片晶片來(lái)進(jìn)行研磨。以下說(shuō)明配設(shè)于上述雙面研磨裝置11中的本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具10。本發(fā)明的載具10，其材質(zhì)是鈦，其硬度高于例如于現(xiàn)有的sus材施以樹脂覆膜的硬度，且無(wú)鐵、鎳等擴(kuò)散系數(shù)大的不純物存在。因此，可減少傷痕、破損等，并可延長(zhǎng)載具壽命、抑制成本。另外，可抑制會(huì)對(duì)半導(dǎo)體晶片W造成影響的金屬污染的問(wèn)題。現(xiàn)有的載具材質(zhì)的SUS的硬度是420Hv，而本發(fā)明的載具10材質(zhì)的鈦的硬度是220Hv。因此，先前認(rèn)為鈦的硬度較SUS低，無(wú)法使用作為載具的材質(zhì)。但是，如上所述，外露的SUS材質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體晶片W會(huì)發(fā)生致命的金屬污染，實(shí)際上，為抑制金屬污染，必須對(duì)SUS材質(zhì)施以樹脂覆膜。因此，相較于表面涂布樹脂的現(xiàn)有載具，材質(zhì)為鈦的本發(fā)明的載具10的表面較硬。因此壽命長(zhǎng)。此外，本發(fā)明的載具10的特征，是其表面粗糙度Ra為0.14,以上。本發(fā)明人進(jìn)行下述的實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)為得到外周塌邊減少的晶片，載具的表面粗糙度Ra必須于0.14fim以上。(實(shí)驗(yàn))準(zhǔn)備多個(gè)鈦制載具，其正反面以粗細(xì)相異的金剛石粒粗化，成為分別具有相異表面粗糙度的載具，作為雙面研磨裝置用載具。各載具的表面粗糙度是利用Mitutoyo公司制的表面粗度測(cè)定機(jī)SurftestSJ-201P測(cè)定，基于日本工業(yè)規(guī)格JISB0601-1994進(jìn)行評(píng)價(jià)。將上述各載具配設(shè)于雙面研磨裝置，修整研磨布之后，進(jìn)行直徑300mm的硅晶片的雙面研磨。亦即，分別于具有一保持孔的五片鈦制載具，各裝設(shè)一片完成蝕刻的硅晶片，上方轉(zhuǎn)盤往順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)、下方轉(zhuǎn)盤往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，并分別將轉(zhuǎn)速設(shè)為20rpm、將荷重設(shè)為250g/cm2，研磨液是使用含有膠態(tài)硅的堿性溶液，以此條件來(lái)進(jìn)行研磨。測(cè)定研磨后的晶片的外周塌邊量。利用黑田精工公司制的晶片形狀評(píng)價(jià)裝置，如圖3所示，以距晶片邊緣30mm的位置至外周塌邊開始的位置之間作為基準(zhǔn)面，測(cè)定距晶片邊緣lmm的位置與3mm的位置的晶片形狀的差異，作為外周塌邊量。測(cè)定結(jié)果表示于表l、圖4以及圖5中。<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>由表l、圖4以及圖5可知，將載具的表面粗糙度Ra設(shè)為0.14(im以上時(shí)，外周塌邊量顯著地改善，而可得到外周塌邊少、平坦度高的晶片。此外，將載具的表面粗糙度Ra設(shè)為0.32pm以上時(shí)，更可減少外周塌邊。并且，本實(shí)驗(yàn)中，即使將載具的正反面粗糙化，載具也不發(fā)生變形、破損，與載具的正反面未進(jìn)行粗糙化處理的無(wú)處理的鈦制載具，具有相同的使用壽命，與無(wú)處理的載具相比，除了平坦度之外，晶片的質(zhì)量無(wú)任何差異。但是，如載具表面的粗糙度過(guò)大，則容易發(fā)生載具的變形、破損，縮短載具的壽命。因此，例如較佳是將表面粗糙度Ra設(shè)為10pm以下。此外，也已知通過(guò)將載具正反面粗糙化，研磨中也可進(jìn)行研磨布的修整。而可以將現(xiàn)有每10批便要進(jìn)行一次的修整，變成以每40批進(jìn)行一次的頻率來(lái)實(shí)施修整，也可獲得相同的效果。如此，表面粗糙度Ra為0.14pm以上的鈦制載具，更佳是表面粗糙度Ra為0.32,以上的鈦制載具，其載具壽命長(zhǎng)，如使用此鈦制載具進(jìn)行雙面研磨，即可安定、有效率、低成本地生產(chǎn)出可降低金屬污染與外周塌邊的具有高平坦度的高質(zhì)量晶片。此外，研磨中也可利用載具表面來(lái)進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率，可顯著提高裝置的運(yùn)作率。此外，本發(fā)明的載具，較佳為在其正反面具有從載具外周側(cè)至保持孔的溝。載具因具有如此的溝，由于在研磨時(shí)，研磨液可通過(guò)溝供給至半導(dǎo)體晶片，緩和晶片外周部研磨時(shí)受到的阻力，更可減少外周塌邊。另外，可通過(guò)溝于研磨中進(jìn)行研磨布的修整，因此，更可降低利用陶瓷板等修整研磨布的頻率。上述溝的圖樣并無(wú)任何限定，例如圖6(a)所示的圍棋棋盤狀、或圖6(b)所示的放射線狀的溝18，或者是橫條紋、縱條紋等圖樣皆可。溝18的尺寸也無(wú)特別限定，例如可定為寬l2mm、深26pm。并且，上述說(shuō)明中是例舉游星式雙面研磨裝置的載具，但是本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具不限定于游星式，應(yīng)用于搖動(dòng)式的雙面研磨裝置的載具也有效。具備如此的本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具10的雙面研磨裝置11，即可制得降低金屬污染、外周塌邊少的高平坦度晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低修整研磨布的頻率，可顯著提高裝置的運(yùn)作率。另外，因載具壽命長(zhǎng)而可降低成本。而且，將上述本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具IO配設(shè)于雙面研磨裝置11的貼附有研磨布14的上下方轉(zhuǎn)盤13、12之間，以保持孔17保持半導(dǎo)體晶片W，包挾于上下方轉(zhuǎn)盤13、12之間，能夠一面供給研磨液一面進(jìn)行晶片W的雙面研磨。如使用此方法進(jìn)行雙面研磨，即可安定、有效率地獲得可抑制金屬污染、外周塌邊少的高平坦度晶片。此外，研磨中也可利用載具表面進(jìn)行研磨布的修整，因此，可降低修整研磨布的頻率、有效率地進(jìn)行研磨。而且，鈦制載具的表面本身具有一預(yù)定的粗糙度，因此，砥粒等涂布層從載具表面剝離而于晶片造成傷痕的事情也不會(huì)發(fā)生。以下例舉實(shí)施例與比較例更具體地說(shuō)明，但并非用以對(duì)于本發(fā)明進(jìn)行任何限定。(實(shí)施例1、2)準(zhǔn)備圖1、圖2所示的雙面研磨裝置11。鈦制載具10預(yù)先以金剛石粒將其正反面粗糙化。載具的表面粗糙度是利用Mitutoyo公司制的表面粗度測(cè)定機(jī)SurftestSJ-201P測(cè)定，基于日本工業(yè)規(guī)格JISB0601-1994進(jìn)行評(píng)價(jià)。表面粗糙度Ra二0.280.32pm(實(shí)施例1、2)。使用此載具10如下所述地進(jìn)行雙面研磨。修整研磨布14之后，進(jìn)行直徑300mm的硅晶片的雙面研磨。亦即，分別于具有一保持孔17的五片鈦制載具，各裝設(shè)一片完成蝕刻的硅晶片W，上方轉(zhuǎn)盤13往順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)、下方轉(zhuǎn)盤12往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，并分別將轉(zhuǎn)速設(shè)為20rpm、將荷重設(shè)為250g/cm2，研磨液是使用含有膠態(tài)硅的堿性溶液，以此條件來(lái)進(jìn)行研磨。此研磨反復(fù)進(jìn)行四次。測(cè)定研磨后的晶片的外周塌邊量。與上述實(shí)驗(yàn)相同地利用黑田精工公司制的晶片形狀評(píng)價(jià)裝置，以距晶片邊緣30mm的位置至外周塌邊開始的位置之間作為基準(zhǔn)面，測(cè)定距晶片邊緣lmm的位置與3mm的位置的晶片形狀的差異，作為外周塌邊量。所得的測(cè)定結(jié)果表示于圖7。(比較例1、2)除了使用正反面未粗化的鈦制載具(表面粗糙度Ra二0.020.06pm)之外，于與實(shí)施例1、2相同的條件下進(jìn)行雙面研磨、測(cè)定(比較例1、2)。所得的測(cè)定結(jié)果表示于圖7。由圖7所示可確認(rèn)，將鈦制載具的正反面粗糙化而使Ra為0.14)im以上，則不論四次中的任一次研磨，皆可獲得外周塌邊少、平坦度高的晶片。(實(shí)施例3、4、5)與上述實(shí)施例1、2相同地，將鈦制載具的正反面以金剛石粒粗糙化后(Ra二0.280.32^im)，形成具有如圖6(a)所示的圍棋棋盤狀圖樣的溝。溝寬lmm、溝深2pm、溝間隔2mm。除了使用具有如此溝的載具之外，于與實(shí)施例l、2相同的條件下進(jìn)行雙面研磨。研磨后的晶片，與實(shí)施例1、2相同地進(jìn)行外周塌邊量的測(cè)定(實(shí)施例3、4、5)。所得的測(cè)定結(jié)果表示于圖8。(實(shí)施例6、7)除了使用未形成溝的Ra二0.280.32^im的鈦制載具之夕卜，于與實(shí)施例3、4、5相同的條件下進(jìn)行雙面研磨、測(cè)定(實(shí)施例6、7)。所得的測(cè)定結(jié)果表示于圖8。由圖8所示的外周塌邊量的測(cè)定結(jié)果可知，實(shí)施例3、4、5的晶片比實(shí)施例6、7的晶片平坦度高。特別是與實(shí)施例6、7相比，實(shí)施例3、4、5的外周塌邊量特別小，可確認(rèn)于載具形成溝更可改善外周塌邊。10(實(shí)施例8)于與上述實(shí)施例1、2相同的條件下進(jìn)行雙面研磨。以金剛石粒將載具的正反面粗糙化后的粗糙度Ra=0.280.32,。研磨后的晶片以RAYTEX公司制的晶片表面檢查裝置觀察的結(jié)果，晶片表面未觀察到傷痕(圖9)，確認(rèn)為高質(zhì)量的晶片。(比較例3)將SUS制載具表面施以噴砂加工，形成表面粗糙度Ra=4.85.0(am的凹凸面。于此凹凸面蒸鍍陶瓷砥粒。除了使用如此的載具之外，于與實(shí)施例8相同的條件下進(jìn)行雙面研磨。研磨后的晶片以RAYTEX公司制的晶片表面檢査裝置觀察的結(jié)果，晶片表面觀察到傷痕(圖9)，認(rèn)為是蒸鍍于載具表面的砥粒脫落，使研磨中的晶片表面產(chǎn)生傷痕。如此，使用蒸鍍砥粒的載具會(huì)有造成晶片質(zhì)量降低的可能性，但如使用本發(fā)明的載具即可獲得高質(zhì)量的晶片。但是，本發(fā)明并不限定于上述形態(tài)。上述實(shí)施形態(tài)僅為例示，與本發(fā)明的保護(hù)范圍中記載的技術(shù)思想具有實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成，產(chǎn)生同樣的作用效果，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種雙面研磨裝置用載具，是于雙面研磨裝置中，配設(shè)于貼附有研磨布的上下方轉(zhuǎn)盤之間，為了保持研磨時(shí)包挾于上述上下方轉(zhuǎn)盤之間的半導(dǎo)體晶片而形成有保持孔的形態(tài)的雙面研磨裝置用載具，該載具的材質(zhì)是鈦，鈦制的該載具的表面粗糙度Ra為0.14μm以上。2.如權(quán)利要求1所述的雙面研磨裝置用載具，其中上述表面粗糙度Ra為0.32|im以上。3.如權(quán)利要求1或2所述的雙面研磨裝置用載具，其中上述載具的正反面具有從載具外周側(cè)至上述保持孔的溝。4.如權(quán)利要求3所述的雙面研磨裝置用載具，其中上述溝的圖樣是圍棋棋盤狀或放射狀。5.—種雙面研磨裝置，其至少包含權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的雙面研磨裝置用載具。6.—種半導(dǎo)體晶片的雙面研磨方法，是雙面研磨半導(dǎo)體晶片的方法，于貼附有研磨布的上下方轉(zhuǎn)盤之間，配設(shè)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的載具，保持半導(dǎo)體晶片于該載具上所形成的保持孔，將所述半導(dǎo)體晶片包挾于上述上下方轉(zhuǎn)盤之間來(lái)進(jìn)行雙面研磨。全文摘要本發(fā)明涉及一種雙面研磨裝置用載具，是于雙面研磨裝置中，配設(shè)于貼附有研磨布的上下方轉(zhuǎn)盤之間，為了保持研磨時(shí)包挾于上述上下方轉(zhuǎn)盤之間的半導(dǎo)體晶片而形成保持孔的形態(tài)的雙面研磨裝置用載具，該載具的材質(zhì)是鈦，該鈦制載具的表面粗糙度Ra為0.14μm以上。由此，可提供一種雙面研磨裝置用載具、使用此載具的雙面研磨裝置及雙面研磨方法，于半導(dǎo)體晶片的雙面研磨時(shí)，可安定、有效率、低成本地生產(chǎn)出可減少晶片外周塌、具有高平坦度的高質(zhì)量晶片。文檔編號(hào)B24B37/08GK101489722SQ20078002701公開日2009年7月22日申請(qǐng)日期2007年6月5日優(yōu)先權(quán)日2006年7月18日發(fā)明者內(nèi)山勇雄申請(qǐng)人:信越半導(dǎo)體股份有限公司