專(zhuān)利名稱(chēng)：：電氣電子部件用復(fù)合材料、電氣電子部件及電氣電子部件用復(fù)合材料的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電氣電子部件用復(fù)合材料、電氣電子部件及電氣電子部件用復(fù)合材料的制造方法，其中，所述電氣電子部件用復(fù)合材料是在金屬基材上設(shè)置有電絕緣膜的復(fù)合材料。
背景技術(shù)：
：在金屬基材上設(shè)置有電絕緣膜(在本發(fā)明中也簡(jiǎn)稱(chēng)為絕緣膜)的帶有絕緣膜的金屬材料可以在例如電路基板等中作為屏蔽材料使用。該金屬材料適合用作筐體(筐體)、外殼、套子、蓋罩(cap)等，尤其適合用作元件內(nèi)置用低背化(表示使內(nèi)部空間的高度進(jìn)一步降低)復(fù)體。另外，作為提高帶有絕緣膜的金屬材料中金屬基材與絕緣膜間密合性的方法，已知有在金屬基材表面涂布偶聯(lián)劑的方法、在金屬基材表面形成具有樹(shù)枝狀晶體的鍍層的方法。
發(fā)明內(nèi)容將金屬基材上設(shè)置有絕緣膜的金屬材料應(yīng)用于其他電氣電子部件用材料時(shí)，由于該材料在金屬基材上設(shè)置有絕緣膜，因而可認(rèn)為通過(guò)對(duì)包括金屬基材和絕緣膜間界面在內(nèi)的部位進(jìn)行沖裁加工等加工來(lái)形成連接器接點(diǎn)等，可以以窄間距配置所述連接器接點(diǎn)，從而使其付諸各類(lèi)應(yīng)用。另夕卜，通過(guò)在進(jìn)行沖裁加工等加工后對(duì)其實(shí)施彎曲加工，可將其用于具有各種功能的電氣電子部件。可是，當(dāng)對(duì)包括金屬基材和絕緣膜間界面在內(nèi)的部位實(shí)施沖裁加工等加工時(shí)，在被加工處的金屬基材和絕緣膜之間可能會(huì)出現(xiàn)數(shù)Mm數(shù)十Mm左右的^(鼓小縫隙。該狀態(tài)概略地示于圖2。在圖2中，2為電氣電子部件，21為金屬基材，22為絕緣膜，在金屬基材21的沖裁加工面21a附近，在金屬基材21和絕緣膜22之間形成有縫隙23。該傾向隨著上述沖裁加工時(shí)的間隙增大(例如，上述金屬基材厚度的5%以上)而增強(qiáng)。由于減小所述沖裁加工時(shí)的間隙實(shí)際上有限度，因而也可以說(shuō)上述被加工體越是微細(xì)化，該傾向越強(qiáng)。在上述狀態(tài)下，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期變化等，絕緣膜22將完全從金屬基材21上剝離，從而使在金屬基材21上設(shè)置絕緣膜22變得沒(méi)有意義。另外，在進(jìn)行微細(xì)加工后再附加絕緣膜的方法極其費(fèi)時(shí)費(fèi)力，導(dǎo)致產(chǎn)品成本的增加，因而不實(shí)用。此外，欲使用所形成的電氣電子部件的金屬外露面(例如沖裁加工面21a)作為連接器接點(diǎn)等時(shí)，也考慮通過(guò)鍍敷等對(duì)金屬外露面(例如沖裁加工面21a)進(jìn)行金屬層的后附加，但可能會(huì)導(dǎo)致在將其浸漬于鍍液中時(shí)因鍍液從縫隙23浸入而加速絕緣模22從金屬基材21上剝離。另外，當(dāng)實(shí)施沖裁加工等加工后再進(jìn)行彎曲加工時(shí)，即j吏在實(shí)施沖裁加工等加工的階段在被加工部位未在金屬基材與絕緣模之間形成縫隙的情況下，有時(shí)也能在進(jìn)行彎曲加工后在金屬基材與絕緣模之間形成縫隙。該狀態(tài)概略地示于圖3。在圖3中，3為電氣電子部件，31為金屬基材，32為絕緣膜，在金屬基材31的彎曲部位內(nèi)側(cè)形成有縫隙33、在電氣電子部件3的端部(尤其是發(fā)生彎曲時(shí)的外側(cè))形成有縫隙34。如圖3所示，這些縫隙33、34在發(fā)生彎曲的電氣電子部件的彎曲部位的側(cè)面及內(nèi)表面?zhèn)?、電氣電子部件的端部尤為顯著，而這些縫隙的存在是導(dǎo)致絕緣膜32從金屬基材31上剝離的原因。另外，作為提高金屬基材與絕緣膜之間密合性的方法，當(dāng)采用在金屬基材表面涂布偶聯(lián)劑的方法時(shí)，由于偶聯(lián)劑的液體壽命短，存在必須對(duì)液體的控制加以注意的問(wèn)題。另外，由于很難對(duì)整個(gè)金屬基材表面實(shí)施均勻處理，因此有時(shí)對(duì)所述微細(xì)的縫隙沒(méi)有效果。當(dāng)采用在金屬基材表面形成具有樹(shù)枝狀晶體的鍍層的方法時(shí)，為了控制所形成的鍍層的結(jié)晶狀態(tài)，必須在限定的鍍敷條件下進(jìn)行鍍敷，因而必須細(xì)心注意加以控制。此外，為了獲得充分的密合性，必須加厚鍍層厚度，因而在經(jīng)濟(jì)上也不優(yōu)選。本發(fā)明的課題在于提供一種即使在對(duì)包括金屬基材與絕緣膜間界面在內(nèi)的部分進(jìn)行沖裁加工等加工時(shí)，也可使金屬基材和絕緣膜之間保持高度密合性的電氣電子部件用復(fù)合材料，同時(shí)還提供由該電氣電子部件用復(fù)合材料所形成的電氣電子部件及制造該電氣電子部件用復(fù)合材料的方法。本發(fā)明人等經(jīng)過(guò)深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)當(dāng)在金屬基材上通過(guò)夾有特定的金屬層來(lái)設(shè)置絕緣膜時(shí)，可以在金屬基材與絕緣膜之間獲得充分的密合性，而不依賴(lài)于所述金屬層的結(jié)晶狀態(tài)及厚度，本發(fā)明人等進(jìn)行進(jìn)一步研究，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供以下第19所述的技術(shù)方案。本發(fā)明的第1技術(shù)方案提供一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該復(fù)合材料被用作經(jīng)沖裁加工等加工后再進(jìn)行彎曲加工而形成的電氣電子部件的材料，其在金屬基材的至少一部分上實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣膜，其特征在于在所述金屬基材和所述絕緣膜之間設(shè)置有金屬層，使得經(jīng)過(guò)所述彎曲加工后在材料端部的所述絕緣膜的剝離寬度小于10ym，并且使經(jīng)過(guò)所述彎曲加工后在材料彎曲部位內(nèi)側(cè)的所述絕緣膜的附著狀態(tài)以及在彎曲部位外側(cè)延長(zhǎng)的之前的端部的所述絕緣膜的附著狀態(tài)均可得到保持。本發(fā)明的第2技術(shù)方案的特征在于在第1技術(shù)方案中，所述金屬基材由銅系金屬材料或鐵系金屬材料構(gòu)成。本發(fā)明的第3技術(shù)方案的特征在于在第1或第2技術(shù)方案中，所述金屬基材的厚度為0.04~0.4mm。本發(fā)明的第4技術(shù)方案的特征在于在第l技術(shù)方案中，所述金屬層由選自Ni、Zn、Fe、Cr、Sn、Si、Ti中的金屬或這些金屬的合金構(gòu)成。本發(fā)明的第5技術(shù)方案的特征在于在第4技術(shù)方案中，所述金屬層的厚度為0.001~0.5jum。本發(fā)明的第6技術(shù)方案的特征在于在第1~第5的任一技術(shù)方案中，所述絕緣膜由熱固性樹(shù)脂形成。本發(fā)明的第7技術(shù)方案提供一種電氣電子部件，其是在利用沖裁加工等對(duì)在金屬基材的至少一部分上設(shè)置有絕緣膜的電氣電子部件用復(fù)合材料進(jìn)行加工后再在使其彎曲的狀態(tài)下形成的，并使得所述金屬基材的一部分上殘留有絕緣膜，其特征在于所述電氣電子部件復(fù)合材料是第1第6的任一技術(shù)方案中所述的電氣電子部件用材料。本發(fā)明的第8技術(shù)方案的特征在于在第7技術(shù)方案中，在利用沖裁加工等對(duì)所述電氣電子部件進(jìn)行加工后再在使其彎曲的狀態(tài)下對(duì)未設(shè)置所述絕緣膜的部位進(jìn)行濕法后處理。本發(fā)明的第9技術(shù)方案提供一種電氣電子部件用復(fù)合材料的制造方法，該方法是在金屬基材的至少一部分上設(shè)置絕緣膜來(lái)制造電氣電子部件用復(fù)合材料的方法，其特征在于，通過(guò)鍍敷等在所述金屬基材表面上設(shè)置金屬層來(lái)形成上述第1第6的任一技術(shù)方案中所述的電氣電子部件用復(fù)合材料,其中，所述金屬層使所述金屬基材和所述絕緣膜之間的密合性提高。在本發(fā)明中，經(jīng)沖裁加工后材料端部的絕緣膜的剝離寬度通過(guò)下述方法測(cè)定使用間隙為5%的模具將試料沖裁成5mmx10mm的矩形后，將其浸漬于溶有紅色油墨的水溶液中進(jìn)行測(cè)定。另外，在本發(fā)明中，組合使用下述方案時(shí)，可以更容易獲得使金屬基材與絕緣膜間保持高度密合性狀態(tài)的電氣電子部件用復(fù)合材料。(1)使金屬基材由銅系金屬材料或鐵系金屬材料構(gòu)成；(2)使金屬基材的厚度為0.04~0.4mm;(3)使金屬層由選自Ni、Zn、Fe、Cr、Sn、Si、Ti中的金屬或這些金屬的合金構(gòu)成；(4)使金屬層的厚度為0.0010.5jum。本發(fā)明的上述及其他特征及優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)適當(dāng)參照附圖并結(jié)合下述說(shuō)明而進(jìn)一步明確。圖1為示出本發(fā)明的實(shí)施方式中的電氣電子部件用復(fù)合材料的一例的截面圖。圖2為示出在金屬基材和絕緣膜之間形成縫隙的狀態(tài)的一例的示意圖。圖3為示出在金屬基材和絕緣膜之間形成縫隙的狀態(tài)的一例的示意圖。具體實(shí)施例方式對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電氣電子部件用復(fù)合材料的截面的一例。如圖1所示，該電氣電子部件用復(fù)合材料1如下構(gòu)成在金屬基材11上設(shè)置有絕緣膜12,并在金屬基材11和絕緣膜12之間設(shè)置有用以提高兩者密合性的金屬層13。從實(shí)現(xiàn)沖裁加工等加工性?xún)?yōu)異的電氣電子部件用復(fù)合材料1的觀點(diǎn)來(lái)看，該金屬層13優(yōu)選與金屬基材11和絕緣膜12之間的密合性高的金屬層。在圖1中，示出了在金屬基材11的部分上表面和金屬基材11的整個(gè)下表面上設(shè)置絕緣膜12的實(shí)例，但其僅為一個(gè)例子，也可以將絕緣膜12設(shè)置在金屬基材11的整個(gè)上表面和整個(gè)下表面上，還可以設(shè)置在金屬基材11的部分上表面和部分下表面上。即，只要在金屬基材11的至少一部分上設(shè)置絕緣膜12即可。作為金屬基材11,就其導(dǎo)電性等而言，優(yōu)選使用銅系金屬材料或鐵系金屬材料。作為銅系金屬材料，除了可使用磷青銅(Cu-Sn-P系)、黃銅(Cu-Zn系)、鋅白銅(Cu-Ni-Zn系)、科森合金(Cu-Ni-Si系)等銅基合金以外，還可以使用無(wú)氧銅、韌銅、磷脫酸銅(i;y脫酸銅)等。此外，作為鐵系金屬材料，可使用SUS(Fe-Cr-Ni系)、42合金(Fe-Ni系)等鐵基合金。金屬基材11的厚度優(yōu)選為0.04mm以上。'這是由于當(dāng)其厚度小于0.04mm時(shí)，無(wú)法確保其作為電氣電子部件的足夠的強(qiáng)度。另外，當(dāng)其過(guò)厚時(shí)，沖裁加工時(shí)的間隙絕對(duì)值變大，沖裁部位的塌角(夕、、^)變大，故優(yōu)選使其厚度為0.4mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3mm以下。因此，金屬基材11的厚度的上限可根據(jù)沖裁加工等加工所引起的影響(間隙、塌角的大小等)來(lái)確定。絕緣膜12優(yōu)選具有適度的絕緣性，因而，優(yōu)選使用環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂等樹(shù)脂。特別是在要求耐熱性的用途中，優(yōu)選由聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂等耐熱樹(shù)脂形成。在這些耐熱性樹(shù)脂中，優(yōu)選熱固性樹(shù)脂。作為絕緣膜12的材料，從加工性等方面來(lái)看，優(yōu)選使用如上所述的合成樹(shù)脂等有機(jī)材料，但可以根據(jù)電氣電子部件用復(fù)合材料1的要求特性等來(lái)適當(dāng)選擇絕緣膜12的材料。例如，可以使用以合成樹(shù)脂等有機(jī)材料為基材、并向其中添加了基材以外的添加物(有機(jī)物、無(wú)機(jī)物中的任一種均可)而得到的材料，還可以使用無(wú)機(jī)材料等。作為在金屬基材11的表面隔著金屬層13設(shè)置絕緣膜12的方法，可列舉下述方法在金屬基材上需要絕緣的部位上，(a)設(shè)置帶有粘合劑的耐熱性樹(shù)脂膜，利用感應(yīng)加熱輥使所述粘合劑熔融后再進(jìn)行加熱處理以進(jìn)行反應(yīng)固化接合的方法；(b)使用溶劑中溶解有樹(shù)脂或樹(shù)脂前體的清漆進(jìn)行涂布，使溶劑揮發(fā)，再進(jìn)行加熱處理以進(jìn)行反應(yīng)固化接合的方法等。在本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的電氣電子部件用復(fù)合材料1中，從可以不考慮粘合劑的影響這點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選使用上述的方法(b)。其中，上述方法(b)的具體實(shí)例是在絕緣電線(xiàn)的制造方法等中的一般的技術(shù)，已知在日本特開(kāi)平5-130759號(hào)公報(bào)等中有所記載。在該公報(bào)中，設(shè)置了多層絕緣包覆層，該公報(bào)被視為本發(fā)明的參考技術(shù)。這里，還可以重復(fù)進(jìn)行上述方法(b)。這樣一來(lái)，可以降低溶劑揮發(fā)不充分的可能性，從而降低在絕緣膜12和金屬層13之間產(chǎn)生氣泡等的危險(xiǎn)，進(jìn)而可以提高絕緣膜12和金屬層13之間的密合性。即便如此，分多次形成的樹(shù)脂固化物只要實(shí)質(zhì)上相同，則能夠在金屬層13上設(shè)置實(shí)質(zhì)上是1層的絕緣膜12。另外，想要在金屬基材11的部分表面上設(shè)置絕緣膜12時(shí)，在金屬基材11的表面設(shè)置金屬層13后，可采用下述方法，例如，應(yīng)用輥涂法設(shè)備對(duì)涂敷部位進(jìn)行平版印刷(offsetprinting)或凹版印刷(gravureprinting)的方法，或應(yīng)用光敏性耐熱樹(shù)脂的涂布、利用紫外線(xiàn)或電子射線(xiàn)來(lái)形成圖案、及樹(shù)脂固化技術(shù)的方法，以及通過(guò)將利用曝光顯影蝕刻溶解在電路基板上形成微細(xì)圖案的技術(shù)應(yīng)用于樹(shù)脂膜等來(lái)制造與形成精度水平相應(yīng)的樹(shù)脂膜的方法。通過(guò)這樣的方法，可以容易地實(shí)現(xiàn)僅在金屬基材11的表面的必要部分上設(shè)置絕緣膜，由于將金屬基材11與其它的電氣電子部件或電線(xiàn)等連接，因此不需要除去絕緣膜12。當(dāng)絕緣膜12的厚度過(guò)薄時(shí)，不能獲得絕緣效果，過(guò)厚時(shí)，沖裁加工變得困難，因此，優(yōu)選其厚度為2~20jam,更優(yōu)選為310jum。設(shè)置金屬層13的目的是為了提高金屬基材11和絕緣膜12之間的密合性。金屬基材11和絕緣膜12之間的密合性以沖裁加工后材料端部的所述絕緣膜的剝離寬度小于10pm為優(yōu)選，進(jìn)一步以小于5pm為優(yōu)選。金屬層13優(yōu)選以電鍍、化學(xué)鍍等方法形成，并優(yōu)選由選自Ni、Zn、Fe、Cr、Sn、Si和Ti中的金屬或這些金屬的合金(Ni-Zn合金、Ni-Fe合金、Fe-Cr合金等)構(gòu)成。當(dāng)利用鍍敷形成金屬層13時(shí)，可以是濕法鍍敷，也可以是千法鍍敷。作為所述濕法鍍敷的實(shí)例，可列舉電解鍍敷法或非電解鍍敷法。作為所述干法鍍敷的實(shí)例，可列舉物理氣相沉積(PVD)法或化學(xué)氣相沉積(CVD)法。當(dāng)金屬層13的厚度過(guò)薄時(shí)，無(wú)法提高金屬層13與金屬基材11之間、及金屬層13與絕緣膜12之間的密合性，過(guò)厚時(shí)，在金屬層13上發(fā)生開(kāi)裂的可能性增加，因此，優(yōu)選其厚度為0.001-0.5jum，更優(yōu)選為0.005~0.5um。另外，也可以在利用沖裁加工等對(duì)電氣電子部件用復(fù)合材料1進(jìn)行加工后在其彎曲狀態(tài)下對(duì)未設(shè)置絕緣膜12的部位進(jìn)行濕法后處理。所述未設(shè)置絕緣膜12的部位是指，例如在圖1中金屬基材11的側(cè)面、及金屬基材11的上表面上除了部分設(shè)置有絕緣膜12的部位以外的部位等。這里所使用的濕法處理，可列舉例如濕法鍍敷(鍍Ni、鍍Sn、鍍Au等)、水系清洗(酸洗、堿脫脂等)、溶劑清洗(超聲波清洗等)等。例如，通過(guò)采用濕法鍍敷來(lái)設(shè)置后附加金屬層，可以對(duì)金屬基材11的表面加以保護(hù)，但本實(shí)施方式中的電氣電子部件用復(fù)合材料1具有下述優(yōu)點(diǎn)通過(guò)提高金屬基材11和絕緣膜12之間的密合性，即使在利用鍍敷等后加工來(lái)設(shè)置后附加金屬層(未圖示)，絕緣膜12也不會(huì)從金屬基材11上剝離。這里，后附加金屬層的厚度可不依賴(lài)于金屬層13的厚度而適當(dāng)確定，也可以與金屬層13同樣地選擇0.0010.5ym的范圍。被用作后附加金屬層的金屬可根據(jù)電氣電子部件的用途而適當(dāng)選擇，但當(dāng)將其用于電接點(diǎn)、連接器等時(shí)，優(yōu)選采用Au、Ag、Cu、Ni、Sn、或含有這些金屬的合金。根據(jù)本發(fā)明，使所述金屬基材和所述絕緣膜之間夾有用以提高所述金屬基材和所述絕緣膜之間密合性的金屬層，從而，即使在對(duì)包括金屬基材和絕緣膜之間的界面(具體指金屬基材與金屬層之間的界面、及金屬層與絕緣膜之間的界面)在內(nèi)的部位進(jìn)行沖裁加工等加工后再實(shí)施彎曲加工，也可以使金屬基材與絕緣膜之間保持高度的密合性，從而可獲得在沖裁加工及彎曲加工等中具有優(yōu)異的加工性的電氣電子部件用復(fù)合材料。此外，本發(fā)明的電氣電子部件是在利用沖裁加工等對(duì)在金屬基材的至少一部分上設(shè)置有絕緣膜的電氣電子部件用復(fù)合材料進(jìn)行加工后，再在使其彎曲的狀態(tài)下形成的，其中，在形成該電氣電子部件時(shí)，使金屬基材的一部分上殘留有絕緣膜，并且，由于使用夾有用以提高所述金屬基材和所述絕緣膜之間密合性的金屬層的材料作為電氣電子部件用復(fù)合材料，因而可使絕緣膜通過(guò)金屬層密合于金屬基材上，從而可以容易獲得在沖裁加工及彎曲加工等中具有優(yōu)異的加工性的電氣電子部件。此外，在本發(fā)明的電氣電子部件中，由于金屬基材與絕緣膜之間相互密合，因此，通過(guò)利用鍍敷等后加工在未設(shè)置絕緣膜的部位設(shè)置后附加金屬層，可使絕緣膜不會(huì)從金屬基材上剝離。另外，在本發(fā)明的電氣電子部件用復(fù)合材料的制備方法中，利用鍍敷等在金屬基材表面設(shè)置用以提高所述金屬基材和絕緣膜之間密合性的金屬層，從而即使在對(duì)包括金屬基材和絕緣膜之間的界面(具體指金屬基材與金屬層之間的界面、及金屬層與絕緣膜之間的界面)在內(nèi)的部位進(jìn)行沖裁加工等加工后再實(shí)施彎曲加工，也可以使金屬基材與絕緣膜之間保持高度的密合性，容易獲得在沖裁加工及彎曲加工等中具有優(yōu)異的加工性的電氣電子部件用材料。下面，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說(shuō)明，但本發(fā)明不受下述實(shí)施例的限定。實(shí)施例(試料的說(shuō)明)作為本發(fā)明的具體實(shí)例，對(duì)厚O.lmm、寬10mm的金屬條(金屬基材)依次進(jìn)行電解脫脂、酸洗處理后，分別以0.001jum、0.005jum、0.01|Jm、0.05|um、0.1nm、0.5|um的厚度進(jìn)行鍍Ni、4度Zn、鍍Fe、鍍Cr、鍍Sn、鍍Ni-Zn合金、鍍Ni-Fe合金、鍍Fe-Cr合金、鍍Si、鍍Ti,然后，在各金屬條需要進(jìn)行絕緣的部位上設(shè)置絕緣涂層，制造電氣電子部件用復(fù)合材料。作為金屬條，使用JIS合金C5210R(磷青銅，古河電氣工業(yè)(抹)制造)。需要指出的是，鍍層厚度是采用熒光X射線(xiàn)膜厚計(jì)SFT-3200(SEIKOPRECISION(林)制造)進(jìn)行10點(diǎn)測(cè)定而得到的平均值。另外，作為比較例，與本發(fā)明的具體例不同，是在依次進(jìn)行電解脫脂、酸洗處理后，未進(jìn)行鍍敷而在其需要進(jìn)行絕緣的部位上設(shè)置絕緣涂層，制造電氣電子部件用復(fù)合材料。作為除此之外的其他比較例，除了進(jìn)行了1.0材料。(各種條件)所述電解脫脂處理，是在含有60g/l清潔劑160S(Meltex(株)制造)的脫脂液中，在液溫60。C、電流密度2.5A/dn^的條件下進(jìn)行30秒陰極電解。所述酸洗處理，是在含有100g/l硫酸的酸洗液中，在室溫下進(jìn)行30秒浸漬。所述鍍Ni,是在含有400g/l氨基磺酸鎳、30g/l氯化鎳、30g/l硼酸的鍍液中，在液溫55。C、電流密度10A/dn^的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Zn，是在含有350g/l硫酸鋅、30g/l硫酸銨的鍍液中，在液溫45'C、電流密度20A/dm2的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Fe,是在含有400g/l硫酸鐵、50g/l硫酸銨、80g/l尿素的鍍液中，在液溫6(TC、電流密度30A/dn^的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Cr，是在含有250g/l鉻酸酐、2.5g/l硫酸的鍍液中，在液溫55。C、電流密度20A/dm2的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Sn,是在含有55g/l硫酸錫、100g/l硫酸的鍍液中，在液溫25°C、電流密度2A/dr^的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Ni-Zn合金，是在含有75g/l氯化鎳、30g/l氯化鋅、30g/l氯化銨、15g/l硫氰化鈉的鍍液中，在液溫25。C、電流密度0.2A/dm2的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Ni-Fe合金，是在含有250g/l硫酸鎳、50g/l硫酸鐵、30g/l硼酸的鍍液中，在液溫50。C、電流密度5A/dm"的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Fe-Cr合金，是在含有40g/l硫酸鐵、120g/l硫酸鉻、55g/l氯化銨、40g/l硼酸的鍍液中，在液溫45。C、電流密度20A/dm2的條件下進(jìn)行鍍敷，并對(duì)鍍槽長(zhǎng)度和線(xiàn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其達(dá)到指定的鍍層厚度。所述鍍Si和鍍Ti，是使用巻繞式濺射裝置SPW-069((株)l幾VAC制造)，利用PVD法進(jìn)行的。所述絕緣涂層通過(guò)使清漆(流動(dòng)狀涂布物)從涂敷裝置的矩形噴出口垂直噴射至移動(dòng)中的金屬基材表面,然后在300。C下加熱30秒而形成。所述清漆使用以N-曱基-2-p比咯烷酮為溶劑的聚酰胺酰亞胺(PAI)溶液(東特涂料公司制造)，形成樹(shù)脂厚度為810Mm范圍的樣品。此外，也獲得了使用以N-曱基-2-吡咯烷酮為溶劑的聚酰亞胺(PI)溶液(荒川化學(xué)工業(yè)(株)制造)、以曱乙酮為溶劑的環(huán)氧樹(shù)脂溶液(大日本涂料(林)制造)而形成的樹(shù)脂厚度為810Mm范圍的樣品，但得到了相同的結(jié)果。(評(píng)價(jià)結(jié)果)針對(duì)所獲得的電氣電子部件用復(fù)合材料的沖裁加工性及彎曲加工性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。沖裁加工性的評(píng)價(jià)如下進(jìn)行使用間隙為5%的模具將試料沖裁成5mmxlOmm的矩形后，將其浸漬于溶有紅色油墨的水溶液中，當(dāng)沖裁端部的樹(shù)脂的剝離寬度小于5pm時(shí)，記作;在5jnm以上且小于lOum時(shí)，記作〇；在10nm以上時(shí)，記作x。彎曲加工性的評(píng)價(jià)如下進(jìn)行使用間隙為5%的模具將試料沖裁成5mmx10mm的矩形后，使用曲率半徑O.lmm、彎曲角度120度的模具(該模具有可對(duì)距試料端部lmm的位置進(jìn)行彎曲加工的結(jié)構(gòu))進(jìn)行彎曲加工，并利用光學(xué)體視顯微鏡、在40倍下針對(duì)在彎曲部位內(nèi)側(cè)是否發(fā)生了樹(shù)脂剝離、和對(duì)彎曲部位外側(cè)進(jìn)行延長(zhǎng)后的之前的端部是否發(fā)生了樹(shù)脂剝離進(jìn)行判斷。將未發(fā)生剝離的樣品(樹(shù)脂的附著狀態(tài)得以維持的樣品)記作〇，發(fā)生了剝離的樣品(樹(shù)脂的附著狀態(tài)未被保持的樣品)記作x。同時(shí)，針對(duì)在彎曲加工部位是否存在基底鍍層的開(kāi)裂進(jìn)行觀察，并以O(shè)x進(jìn)行鍍層彎曲性的評(píng)價(jià)。其結(jié)果示于表1。〖表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>脂的沖裁性及彎曲性差。比較例62-71的樹(shù)脂的沖裁性及彎曲性?xún)?yōu)異，但鍍層厚，鍍敷部位發(fā)生開(kāi)裂。與此相反，本發(fā)明的試料No.l~60中的樹(shù)脂具有優(yōu)異的沖裁性及彎曲性，且在鍍敷部位也未發(fā)生開(kāi)裂，因而適合在精密壓制加工用途中使用，并進(jìn)一步適用于伴隨有彎曲加工的用途。尤其是實(shí)施了鍍Ni及鍍Zn的試料No.1~12，在鍍層厚度較薄的區(qū)域中也可以獲得優(yōu)異的效果。[實(shí)施例2]除了使用JIS合金C7701R(鋅白銅，三菱電機(jī)METECS(抹)制造)作為金屬條以外，與實(shí)施例l同樣地操作。其結(jié)果如表2所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>比較例的試料No.132由于未實(shí)施底鍍處理，因而樹(shù)脂的沖裁性及彎曲性差。比較例133~142的樹(shù)脂的沖裁性及彎曲性?xún)?yōu)異，但鍍層厚，鍍敷部位發(fā)生了開(kāi)裂。與此相反，本發(fā)明的試料No.72131中的樹(shù)脂具有優(yōu)異的沖裁性及彎曲性，且在鍍敷部位也未發(fā)生開(kāi)裂，因而適合在精密壓制加工用途中使用，并進(jìn)一步適用于伴隨有彎曲加工的用途。尤其是實(shí)施了鍍Ni及鍍Zn的試料No.7283，在鍍層厚度較薄的區(qū)域中也可以獲得優(yōu)異的效果。即，可以說(shuō)，與實(shí)施例l相同，實(shí)施例2的試料No.72131由于具有優(yōu)異的樹(shù)脂沖裁性而適用于精密壓制加工用途、尤其是伴隨有彎曲加工的用途。[實(shí)施例2]除了使用SUS304-CPS(不銹鋼，日新制鋼(抹)制造)作為金屬條以外，與實(shí)施例1同樣地操作。其結(jié)果如表3所示。:表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>比較例的試料No.203由于未實(shí)施底鍍處理，因而樹(shù)脂的沖裁性及彎曲性差。比較例204~213的樹(shù)脂的沖裁性及彎曲性?xún)?yōu)異，但鍍層厚，鍍敷部位發(fā)生了開(kāi)裂。與此相反，本發(fā)明的試料No.143202中的樹(shù)脂具有優(yōu)異的沖裁性及彎曲性，且在鍍敷部位也未發(fā)生開(kāi)裂，因而適合在精密壓制加工用途中使用，并進(jìn)一步適用于伴隨有彎曲加工的用途。尤其是實(shí)施了鍍Ni及鍍Zn的試料No.143154,在鍍層厚度較薄的區(qū)域中也可以獲得優(yōu)異的效果。即，可以說(shuō)，與實(shí)施例l相同，實(shí)施例3的試料No.143202由于具有優(yōu)異的樹(shù)脂沖裁性而適用于精密壓制加工用途、尤其是伴隨有彎曲加工的用途。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的電氣電子部件用復(fù)合材料即使在對(duì)包括金屬基材和絕緣膜間界面在內(nèi)的部位進(jìn)行沖裁加工等加工后再實(shí)施彎曲加工，也可以使金屬基材與絕緣膜之間保持高度的密合性，因此，適合用作在沖裁加工及彎曲加工等中具有優(yōu)異加工性的電氣電子部件用復(fù)合材料。以上結(jié)合實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但在未作特殊指定的情況下，本發(fā)明不受限于說(shuō)明中的任一細(xì)節(jié)部分，可以認(rèn)為，在不違反本發(fā)明所附權(quán)利要求書(shū)所示的本發(fā)明的要點(diǎn)和范圍的前提下，應(yīng)在寬范圍下加以解釋。本申請(qǐng)基于2006年12月27日在日本提出專(zhuān)利申請(qǐng)的特愿2006-350875，及2007年12月25日在日本提出專(zhuān)利申請(qǐng)的特愿2007-333316要求優(yōu)先權(quán)，并將上述專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容作為參考并入到本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容的一部分中。權(quán)利要求1.一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該復(fù)合材料被用作經(jīng)沖裁加工后再進(jìn)行彎曲加工而形成的電氣電子部件的材料，其在金屬基材的至少一部分上實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣膜，其中，在所述金屬基材和所述絕緣膜之間設(shè)置有金屬層，使得經(jīng)過(guò)所述沖裁加工后在材料端部的所述絕緣膜的剝離寬度小于10μm，并且使經(jīng)過(guò)所述彎曲加工后在材料彎曲部位內(nèi)側(cè)的所述絕緣膜的附著狀態(tài)以及在彎曲部位外側(cè)延長(zhǎng)的之前的端部的所述絕緣膜的附著狀態(tài)均可得到保持。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述金屬基材由銅系金屬材料或鐵系金屬材料構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述金屬基材的厚度為0.040.4mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述金屬層由選自Ni、Zn、Fe、Cr、Sn、Si和Ti中的金屬或這些金屬的合金構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述金屬層的厚度為0.001~0.5nm。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任1項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述絕緣膜由熱固性樹(shù)脂形成。7.—種電氣電子部件，其是在利用沖裁加工等對(duì)在金屬基材的至少一部分上設(shè)置有絕緣膜的電氣電子部件用材料進(jìn)行加工后再在使其彎曲的狀態(tài)下形成的，并使所述金屬基材的一部分上殘留有絕緣膜，其中，所述電氣電子部件材料是權(quán)利要求1~6中任1項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電氣電子部件，其中，在利用沖裁加工對(duì)所述電氣電子部件進(jìn)行加工后再在使其彎曲的狀態(tài)下對(duì)未設(shè)置所述絕緣膜的部位進(jìn)行濕法后處理。9.一種電氣電子部件用復(fù)合材料的制造方法，該方法是在金屬基材的至少一部分上設(shè)置絕緣膜來(lái)制造電氣電子部件用復(fù)合材料的方法，其中，通過(guò)利用鍍敷等在所述金屬基材表面上設(shè)置金屬層而形成權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，所述金屬層使所述金屬基材和所述絕緣膜之間的密合性提高。全文摘要本發(fā)明提供一種電氣電子部件用復(fù)合材料、使用該復(fù)合材料形成的電氣電子部件、以及所述電氣電子部件用復(fù)合材料的制造方法。其中，所述電氣電子部件用復(fù)合材料被用作經(jīng)沖裁加工等加工后再進(jìn)行彎曲加工而形成的電氣電子部件的材料，其在金屬基材的至少一部分上實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣膜，并且，在金屬基材和絕緣膜之間設(shè)置有金屬層，使得經(jīng)過(guò)沖裁加工后在材料端部的所述絕緣膜的剝離寬度小于10μm，并使經(jīng)過(guò)所述彎曲加工后在材料彎曲部位內(nèi)側(cè)的所述絕緣膜的附著狀態(tài)以及在彎曲部位外側(cè)延長(zhǎng)的之前的端部的所述絕緣膜的附著狀態(tài)均可得到保持。文檔編號(hào)C23C26/00GK101617066SQ20078004862公開(kāi)日2009年12月30日申請(qǐng)日期2007年12月26日優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日發(fā)明者座間悟,菅原親人申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社