專利名稱：不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及塑膠件表面處理技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)涉及不導(dǎo)電膜層真空 鍍膜工藝。
背景技術(shù)：
手機(jī)塑膠外殼一般要進(jìn)行真空鍍膜，由于手機(jī)是帶電體，因此，進(jìn)行真 空鍍膜時(shí)，要求在手機(jī)塑膠外殼鍍上不導(dǎo)電膜層。
目前，不導(dǎo)電膜層鍍膜工藝已較普遍及成熟，在工業(yè)應(yīng)用上如雨后春筍 般興起。這種工藝一般采用預(yù)熱后蒸發(fā)的鍍膜過(guò)程，而且大都使用相同工藝 參數(shù)及材料，即使用金屬錫進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，但在自然光環(huán)境下，因?yàn)殄a極易 氧化，使得產(chǎn)品底色始終偏黃。也有在錫的基礎(chǔ)上加銦的，雖然加銦可使膜 層較白，但仍無(wú)法很好地解決膜層顏色偏黃的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝， 該工藝可有效解決不導(dǎo)電膜層顏色偏黃的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的不導(dǎo)電膜層真空 鍍膜工藝，其特征在于，它包括以下步驟
第一步，調(diào)配鍍膜材料銀和銦，質(zhì)量配比為4:3，體積配比約為l:l; 第二步，將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料
筐；
第三步，投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空；第四步，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，將電壓調(diào)至1.70V，
進(jìn)行時(shí)間為28S的預(yù)熱階段；
第五步，將電壓調(diào)至3.10V，進(jìn)行時(shí)間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段； 第六步，將電壓調(diào)至3.85V，進(jìn)行時(shí)間為10 12S的蒸發(fā)階段； 第七步，開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品。 所述第三步中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0Xl(T2Pa。 本發(fā)明的有益效果由于該工藝采用的鍍膜材料為銀和銦，而且由于鍍
膜材料的不同，預(yù)熱階段與蒸發(fā)階段之間增加了預(yù)蒸發(fā)階段，使得鍍膜材料
蒸發(fā)更完全，加上銀在自然光環(huán)境下不易發(fā)生氧化，以及銦的作用，使得不
導(dǎo)電膜層顏色不易偏黃。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例，不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝，它包括以下步驟-
第一步，調(diào)配鍍膜材料銀和銦，質(zhì)量配比為4:3，體積配比約為l:l;
第二步，將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料
筐；
第三步，投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空； 第四步，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，將電壓調(diào)至1.70V， 進(jìn)行時(shí)間為28S的預(yù)熱階段；
第五步，將電壓調(diào)至3.10V，進(jìn)行時(shí)間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段； 第六步，迅速將電壓調(diào)至3.85V，進(jìn)行時(shí)間為10 12S的蒸發(fā)階段； 第七步，開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品。 所述第三步中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X10々Pa。由于銀的導(dǎo)電性極佳，用來(lái)制作不導(dǎo)電膜，工藝上必須有突破，蒸發(fā)時(shí) 要有適當(dāng)?shù)碾妷汉瓦m當(dāng)?shù)臅r(shí)間控制。因?yàn)殂y的熔點(diǎn)高，如果電壓過(guò)低，則蒸 發(fā)不完全，電壓過(guò)高則可能導(dǎo)電，時(shí)間過(guò)短則蒸發(fā)不完全，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)也可能 會(huì)導(dǎo)電。因此針對(duì)這種銀加上銦的鍍膜材料，采用"分步同時(shí)蒸發(fā)方式"，"分 步"即先預(yù)熱、再預(yù)蒸發(fā)、最后蒸發(fā)，"同時(shí)"即將調(diào)配好的銀和銦兩種材料 同時(shí)放在一個(gè)材料筐里進(jìn)行蒸發(fā)。
此工藝獲得的膜層具有通透的底色，很好地解決膜層顏色偏黃的問(wèn)題，適 合于用來(lái)制造高端手機(jī)透光面蓋，或其它半透裝飾件。
以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，故凡依本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍所述的 構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝，其特征在于，它包括以下步驟第一步，調(diào)配鍍膜材料銀和銦，質(zhì)量配比為4∶3，體積配比約為1∶1；第二步，將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐；第三步，投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空；第四步，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，將電壓調(diào)至1.70V，進(jìn)行時(shí)間為28S的預(yù)熱階段；第五步，將電壓調(diào)至3.10V，進(jìn)行時(shí)間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段；第六步，將電壓調(diào)至3.85V，進(jìn)行時(shí)間為10～12S的蒸發(fā)階段；第七步，開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝，其特征在于所述 第三步中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X10^Pa。
全文摘要
本發(fā)明涉及塑膠件表面處理技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)涉及不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝，它包括以下步驟第一步，調(diào)配鍍膜材料銀和銦，質(zhì)量配比為4∶3，體積配比約為1∶1；第二步，將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐；第三步，投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空；第四步，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，將電壓調(diào)至1.70V，進(jìn)行時(shí)間為28S的預(yù)熱階段；第五步，將電壓調(diào)至3.10V，進(jìn)行時(shí)間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段；第六步，將電壓調(diào)至3.85V，進(jìn)行時(shí)間為10～12S的蒸發(fā)階段；第七步，開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品；該工藝可有效解決不導(dǎo)電膜層顏色偏黃的問(wèn)題。
文檔編號(hào)C23C14/54GK101423926SQ20081002876
公開(kāi)日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月13日
發(fā)明者建 王 申請(qǐng)人:東莞勁勝精密組件股份有限公司