專利名稱：：硅槽形成方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：'.本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路芯片工藝
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體為對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕的方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體功率器件被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，可以用做電壓控制器件，其具有以下特點(diǎn)輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率低、漏極電流負(fù)溫度系數(shù)、無(wú)二次擊穿、工作范圍寬以及熱穩(wěn)定性好。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metallicoxidesemiconductorfielde會(huì)ecttransistor，TrenchMOSFET)是半導(dǎo)體功率器件中的新型垂直結(jié)構(gòu)高元胞密度器件，具有低導(dǎo)通電阻、低柵漏電荷密度、低導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗以及高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。其中硅襯底刻蝕工藝作為TrenchMOSFET工藝關(guān)鍵點(diǎn)，得到了廣泛研究。目前業(yè)界主要選用HBr/CL2/He-02或者HB/NF3/He-02混合氣體，采用磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子設(shè)備進(jìn)行硅襯底刻蝕。傳統(tǒng)硅槽形成方法主要存在如下幾個(gè)方面的問(wèn)題其一、不論采用HB/CL2/He-02混合氣體還是采用HBr/NF3/He-02混合氣體進(jìn)行刻蝕，HBr氣體的耗量較高。'其二、在刻蝕反應(yīng)過(guò)程中，使用大流量的HBr容易產(chǎn)生會(huì)生成大量的SiBr4、SiBivOy副產(chǎn)物；過(guò)多的副產(chǎn)物SiBrxOy沉積在工藝腔體里，不僅影響了腔體的潔凈度，而且增大了設(shè)備備件的損耗，以及增加了設(shè)備維護(hù)備件的更換成本。其三、CL2、NF3具有毒性，使用上述氣體增加了硅槽刻蝕的不安全性。其四、不論采用HB/CL2/He-02混合氣體還是采用HBr/NF3/He-02混合氣體進(jìn)行刻蝕，消耗混合氣體的綜合成本較高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠提高刻蝕安全性的硅槽形成方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種硅槽形成方法，采用如下的技術(shù)方案在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層；在硬掩膜層表面涂覆光刻膠，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HB/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽。所述的硅襯底是單晶硅襯底；所述的硬掩膜是二氧化硅。所述硅槽的垂直角度大于87度。其中，所述向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底褲行刻蝕，形成硅槽的步驟包括向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HB"CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行各向異性刻蝕，形成硅槽。進(jìn)一步地，所述刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層的步驟之后，還包括去除光刻膠層的步驟。其中，所述硅襯底刻蝕設(shè)備為磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子設(shè)備。進(jìn)行硅村底刻蝕時(shí)，腔體壓力為45~60mT;功率為450~550W;HBr流量為40~45SCCM;CF4流量為5~7SCCM;He-02流量為5~7SCCM。進(jìn)一步地，所述向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅對(duì)底進(jìn)行刻蝕，形成^5圭槽的步驟之后，還包括利用氫氟酸溶液濕法去除剩余的硬掩膜層；對(duì)珪槽底部進(jìn)行圓角刻蝕。本發(fā)明所述硅槽形成方法，通過(guò)往硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，代替HB/NF3/He-02混合氣體或者HB/CL2/He-02混合氣體對(duì)硅村底進(jìn)行刻蝕，能夠提高刻蝕的安全性。本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠提高刻蝕安全性的硅槽形成裝置。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案一種硅槽形成裝置，包括硬掩膜層生長(zhǎng)模塊，用于在硅村底上生長(zhǎng)硬掩膜層；光刻膠層涂覆模塊，用于在硬掩膜層表面涂覆光刻膠層，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；硬掩膜層刻蝕才莫塊，用于刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；硅村底刻蝕模塊，用于向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽。所述硅槽形成裝置，還包括光刻膠層去除模塊，用于去除光刻膠層；硬掩膜層去除模塊，用于利用氫氟酸溶液濕法去除剩余的硬掩膜層。進(jìn)一步，所述的硅槽形成裝置，還包括圓角刻蝕模塊，用于對(duì)硅槽底部進(jìn)行圓角刻蝕。本發(fā)明所述硅槽形成裝置，通過(guò)往硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，代替HB/NF3/He-02混合氣體或者HB/CL2/He-02混合氣體對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，能夠提高刻蝕的安全性。圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式中硅槽形成方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式中光刻膠層經(jīng)過(guò)光刻技術(shù)曝光顯影后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式中對(duì)硬掩膜層進(jìn)行刻蝕后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明具體實(shí)施方式中去除光刻膠后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖；'圖5為本發(fā)明具體實(shí)施方式中進(jìn)行硅襯底刻蝕后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明具體實(shí)施方式中利用氫氟酸HF溶液濕法去除剩余的硬掩膜層以及對(duì)硅槽底部圓角刻蝕后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖7為本發(fā)明具體實(shí)施方式中硅槽形成裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明旨在提供一種硅槽形成方法，通過(guò)使用HBr/CF4/He-02混合氣體代替HB/NF3/He-02混合氣體和HBr/CL2/He-02混合氣體對(duì)單晶硅襯底進(jìn)行刻蝕，提高了刻蝕的安全性；而且，形成同樣尺寸的硅槽，使用HB^CF4/He-02混合氣體可以降低H^氣體的消耗量，從而降低設(shè)備維護(hù)備件的更換成本，進(jìn)一步，能夠降低混合氣體的總消耗成本；并且，在刻蝕后通過(guò)對(duì)硅槽進(jìn)行圓角刻蝕，能夠減少尖角的;^文電。下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式中硅槽形成方法的流程示意圖。如圖1所示，本發(fā)明所述硅槽形成方法，具體步驟如下步驟101:在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層。本發(fā)明通過(guò)高溫工藝在硅襯底表面生長(zhǎng)出特定厚度的硬掩膜層，形成附有較薄硬掩膜層的硅片。其中，所述的硅襯底是指單晶硅襯底；所述的硬掩膜層是二氧化硅(Sj02);具體來(lái)說(shuō)，可以是0.25-0.5微米厚的Sj02層，也可以是在500ASj02層上沉積3000A低壓的四乙氧基硅烷(LPTEOS)層。如果采用500ASj02層上沉積3000A低壓的LPTEOS層作為硬掩膜層，所述LPTEOS層在半導(dǎo)體工藝中可以通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積方法來(lái)獲得。步驟102:在硬掩膜層表面涂覆光刻膠層，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形。本發(fā)明首先在硅片的硬掩膜層表面旋覆一層光刻膠，然后利用光刻技術(shù)曝光，并將涂有光刻膠層的硅片放到顯影液里，顯影出光刻膠圖形；其目的是為了選擇性的刻蝕硬掩膜層Si02。圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式中光刻膠層經(jīng)過(guò)光刻技術(shù)曝光顯影后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖。步驟103:刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層。本發(fā)明將硬質(zhì)Si02作為掩膜層，而不直接使用光刻膠層作為掩膜層，這是因?yàn)樵谶M(jìn)行硅襯底刻蝕時(shí)，Si02能夠更好地控制側(cè)壁鈍化保護(hù)層進(jìn)行沉積和揮發(fā)，得到垂直度較好的硅槽。本發(fā)明可以通過(guò)LamRainbow4520型號(hào)的普通刻蝕設(shè)備對(duì)硬掩膜層進(jìn)行等離子體干法刻蝕。圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式中對(duì)硬掩膜層進(jìn)行刻蝕后的硅片結(jié)構(gòu)示意圖。對(duì)硬掩膜層進(jìn)行刻蝕后，所述硬掩膜層的窗口垂直度一般大于87度，窗口的尺寸在進(jìn)行硅襯底刻蝕時(shí)可以用來(lái)控制石圭槽的工藝線寬(CriticalDimension,CD)。在硬掩膜層刻蝕完成后，本發(fā)明采用干法02等離子體去除掉刺余的光刻膠層。圖4為本發(fā)明具體實(shí)施方式中去除光刻膠層后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖。步驟104:向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)珪襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽。硬掩膜層刻蝕后，硬掩膜層窗口露出部分硅襯底，這部分的單晶硅由于暴露在空氣中，很容易被氧化成致密的氧化物薄膜。因此，在采用磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子設(shè)備對(duì)單晶硅襯底進(jìn)行刻蝕之前，首先要對(duì)所述氧化物薄膜進(jìn)行穿透刻蝕。具體來(lái)說(shuō)，穿透刻蝕的刻蝕條件如下壓力為50Mt，功率為400W，^場(chǎng)為30高斯，CF4氣體流量為35SCCM，時(shí)間為15秒。接著，在硬掩膜層Si02的保護(hù)下，往硅襯底刻蝕設(shè)備腔體中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)單晶硅襯底進(jìn)行近乎各向異性垂直方向的刻蝕。具體的刻蝕條件如下腔體壓力為45~60mT;功率為450550W;HBr流量為4045SCCM;CF4流量為5~7SCCM;He-02流量為5~7SCCM?？涛g完成后，硅槽的垂直角度大于87度。本發(fā)明最佳實(shí)施例的刻蝕條件如下壓力60Mt,功率500W，磁場(chǎng)30高斯，HBr流量40SCCM，CF4流量7SCCM,He-02流量5SCCM,時(shí)間150秒。當(dāng)然，每個(gè)參數(shù)可以有10%的漂動(dòng)；其中，時(shí)間可以視硅槽深度而增減，硅槽的CD與光刻圖形的CD有關(guān)，也可以說(shuō)硅槽的CD與硬掩膜層Sj02的窗口寬度有關(guān)。在上述最佳實(shí)施例的刻蝕條件下形成的硅槽，深度為l.O士O.lum，硅槽的CD為0.4士0.4um。圖5為本發(fā)明具體實(shí)施方式中進(jìn)行硅襯底刻蝕后的,片結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明所述的硅襯底刻蝕設(shè)備是磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子設(shè)備，當(dāng)然本發(fā)明對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕不局限于此設(shè)備，也可以采用高密度等離子體刻蝕設(shè)備，如TCP等離子體干法刻蝕設(shè)備或者DPS等離子體干法刻蝕設(shè)備，所需的刻蝕條件做適當(dāng)調(diào)整即可。與采用HBr/MVHe-02混合氣體比較而言，本發(fā)明所述的硅槽形成方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)1)、采用HBr/CF4/He-02混合氣體對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，保障了刻蝕的安全褲。2)、當(dāng)形成相同尺寸的硅槽時(shí)，本發(fā)明采用HBr/CF4/He-02混合氣體降低了HBr氣體的消耗。例如，當(dāng)形成深度為l.O士O.lum,CD為0.4土0.4um尺寸的硅槽時(shí)，在采用HB/NF3/He-02混合氣體和HBr/CF4/He-02混合氣體兩種情況下，HBr氣體的消耗比例為17:8,如表1所示；因此采用CF4氣體4義替NF3氣體，可以節(jié)約HBr氣體的用量。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表2<table>complextableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>綜合表l、表2可以看出，形成同樣尺寸的硅槽，選用HBr/CF4/He-0"&合氣體所消耗的綜合成本較低。4)、降低了備件更換成本。進(jìn)行硅襯底刻蝕時(shí)，使用大流量的HBr容易產(chǎn)生較多難以揮發(fā)的SiBrxOy，沉積在腔壁里容易臟污刻蝕設(shè)備腔體；而改用小流量的HBr，明顯可以減小設(shè)備的周期性維護(hù)次數(shù)，提高設(shè)備備件的使用壽命，降低設(shè)備維護(hù)成本。同理，采用HB/CF4/He-02混合氣體代替HBr/CL2/He-02混合氣體的情形與上述情況類似，雖然各成分的消耗比例略有不同，但同樣能達(dá)到上述類似的效果，在此不做贅述。為了去除剩余的硬掩膜層Si02,本發(fā)明通過(guò)采用氫氟酸HF溶液濕法去除；即氫氟酸HF溶液與Si02反應(yīng)，生成水溶性的產(chǎn)物H2SiF6，具體的化學(xué)方程式如下Si02+HF—H2SiF6+H20。圖6為本發(fā)明具體實(shí)施方式中利用氫氟酸HF溶液濕法去除剩余的硬掩膜層以及對(duì)硅槽底部圓角刻蝕后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖。為了減小尖角的》文電，本發(fā)明可以對(duì)硅槽底部進(jìn)行圓角Rounding刻蝕，使槽底盡可能平滑。其中，進(jìn)行Rounding刻蝕可以使用各向同性干刻刻蝕設(shè)備AE2001設(shè)備；進(jìn)行Rounding刻蝕之后，珪槽的深度變?yōu)閘.l土O.lum，硅槽的CD變?yōu)?.6土0.6um;經(jīng)過(guò)Rounding刻蝕后的硅槽形貌能夠滿足產(chǎn)品的器件要求。綜上所述，本發(fā)明所述的硅槽形成方法，通過(guò)使用HB/CF4/He-02混合氣體代替HB/CL2/He-02或HBr/NF3/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，不僅能夠提高刻蝕的安全性，降低HBr氣體的消耗量，而且能夠降低硅槽的刻蝕成本和設(shè)備維護(hù)的成本。另一方面，本發(fā)明還提供了一種硅槽形成裝置，其中，通過(guò)硅襯底刻蝕模塊對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，能夠P爭(zhēng)低HBr氣體的消耗量，從而P爭(zhēng)低設(shè)備維護(hù)備件的更換成本；而且能夠提高刻蝕的安全性，并降低混合氣體的總消耗成本；進(jìn)一步，通過(guò)圓角刻蝕模塊進(jìn)行圓角刻蝕，能夠減少尖角的放電。"下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)所述硅槽形成裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖7為本發(fā)明具體實(shí)施方式中硅槽形成裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，所述硅槽形成裝置包括硬掩膜層生長(zhǎng)模塊701、光刻膠層涂覆模塊702、硬掩膜層刻蝕模塊703以及硅襯底刻蝕模塊704。其中，硬掩膜層生長(zhǎng)模塊用于在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層；光刻膠層涂覆模塊用于在硬掩膜層表面涂覆光刻膠層，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；硬掩膜層刻蝕模塊用于刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；硅襯底刻蝕模塊用于向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻'蝕，形成硅槽。所述硅槽形成裝置進(jìn)行工作時(shí)，向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，刻蝕硅襯底，從而形成硅槽；當(dāng)形成同樣尺寸的硅槽時(shí)，采用HB/NF3/He-02混合氣體和HB/CF4/He-02混合氣體兩種情況下，所消耗HBr氣體的比例為17:8,消耗NF3氣體和CF4氣體的比例為10:7,消耗He-02氣體的比例相同。由此可以得出，采用HB/CF4/He-02混合氣體進(jìn)行硅村底刻蝕，降低了HBr氣體的消耗量，從而減少了副產(chǎn)物SiBrxOy的生成量，降低設(shè)備維護(hù)成本；并且由于同樣體積的NF3氣體成本要比CF4氣體高，還降低了-i合氣體的總消耗成本。同理，HBr/CF4/He-02混合氣體相對(duì)于HBr/CL2/He-02混合氣體進(jìn)行硅襯底刻蝕，也能達(dá)到類似的效果，在此不估支贅述。所述硅槽形成裝置，還包括光刻膠層去除模塊和硬掩膜層去除模塊。(圖t未示出)其中，所述光刻膠層去除模塊用于去除光刻膠層；所述硬掩膜層去除模塊用于利用氫氟酸溶液濕法去除剩余的硬掩膜層。本發(fā)明所述裝置在通過(guò)硬掩膜層刻蝕模塊進(jìn)行硬掩膜層刻蝕之后，通過(guò)光刻膠層去除模塊去除剩余的光刻膠層；并且，在硅襯底刻蝕模塊進(jìn)行硅襯底刻蝕，形成硅槽之后，通過(guò)硬掩膜層去除模塊去除剩余的硬掩膜層。但是，本發(fā)明保護(hù)的范圍不限于此，還可以在硅襯底刻蝕模塊進(jìn)行硅襯底刻蝕，形成硅槽之后分別通過(guò)光刻膠層去除模塊和硬掩膜層去除模塊去除剩余的光刻月來(lái)層以及硬掩膜層。進(jìn)一步，為了減少尖角放電，所述的硅槽形成裝置，還包括圓角刻蝕模塊。(圖中未示出)所述圓角刻蝕模塊用于對(duì)硅槽底部進(jìn)行圓角刻蝕。綜上所述，本發(fā)明所述的硅槽形成裝置，通過(guò)使用HBA:F4/He-02混合氣體代替HBr/CL2/He-02或HBr/NF3/He-02混合氣體，不僅能夠提高刻蝕的安全性，降低H^氣體的消耗量，而且能夠降低硅槽的刻蝕成本和設(shè)備維護(hù)的成本。,以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1、一種硅槽形成方法，其特征在于，包括在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層；在硬掩膜層表面涂覆光刻膠，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-O2混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述的硅襯底是單晶硅襯底；所述的硬掩膜是二氧化硅。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述硅槽的垂直角度大于87度。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽的步驟包括向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行各向異性刻蝕，形成硅槽。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層的步驟之后，還包括去除光刻膠層的步驟。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述硅襯底刻蝕設(shè)備為磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子設(shè)備。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅槽形成方法，其特征在于，進(jìn)行硅襯底刻蝕Ehf，腔體壓力為45~60mT;功率為450550W;HBr流量為40~45SCCMM;CF4流量為5~7SCCM;He-02流量為5~7SCCM。8、根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的硅槽形成方法，其特征在于，所述向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HBr/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽的步驟之后，還包括利用氫氟酸溶液濕法去除剩余的硬掩膜層；對(duì)硅槽底部進(jìn)行圓角刻蝕。9、一種硅槽形成裝置，其特征在于，包括硬掩膜層生長(zhǎng)模塊，用于在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層；光刻膠層涂覆^t塊，用于在硬掩膜層表面涂覆光刻膠，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；硬掩膜層刻蝕才莫塊，用于刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；硅襯底刻蝕模塊，用于向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HB/CF4/He-02混合氣體，對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，形成硅槽。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅槽形成裝置，其特征在于，還包括光刻膠層去除模塊，用于去除光刻膠層；硬掩膜層去除模塊，用于利用氫氟酸溶液濕法去除剩余的硬掩膜層。11、根據(jù)權(quán)利要求IO所述的硅槽形成裝置，其特征在于，還包括圓角刻蝕才莫塊，用于對(duì)石圭槽底部進(jìn)行圓角刻蝕。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種硅槽形成方法及裝置，屬于半導(dǎo)體集成電路芯片工藝
技術(shù)領(lǐng)域：
。所述方法包括在硅襯底上生長(zhǎng)硬掩膜層；在硬掩膜層表面涂覆光刻膠層，經(jīng)過(guò)光刻工藝得到光刻膠圖形；刻蝕硬掩膜層，復(fù)制光刻膠圖形到硬掩膜層；向硅襯底刻蝕設(shè)備中通入HB_r/CF₄/He-O₂混合氣體刻蝕硅襯底，形成硅槽。所述裝置包括硬掩膜層生長(zhǎng)模塊、光刻膠層涂覆模塊、硬掩膜層刻蝕模塊以及硅襯底刻蝕模塊。上述方法及裝置主要應(yīng)用在硅襯底的刻蝕方面；既能夠提高安全性，又能夠降低HB_r的消耗，降低設(shè)備的維護(hù)成本，并節(jié)約混合氣體的綜合消耗成本。文檔編號(hào)C23F4/00GK101345194SQ20081010602公開(kāi)日2009年1月14日申請(qǐng)日期2008年5月7日優(yōu)先權(quán)日2008年5月7日發(fā)明者勇楊,王托猛,蔡新春,謝海華申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司