專利名稱：介電物質(zhì)的沉積方法及其所應(yīng)用的前驅(qū)體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與介電物質(zhì)有關(guān)，尤指應(yīng)用于半導(dǎo)體的介電物質(zhì)的制造技術(shù)之沉積方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體技術(shù)中的介電物質(zhì)多以沉積的方法制造，若是將高介電材料應(yīng)用于半導(dǎo)體上則是應(yīng)用原子層沉積
法(atomic layer deposition, ALD)， 并配合脈沖一清洗(pulse-purge)的方式沉積介電材料，首先將材料脈沖到所欲沉積于其上的母材，之后再進(jìn)行清洗，意即將多余的材料自母材上移除。
通常介電材料并不是直接的應(yīng)用在母材上，而是先以一種化合物的型態(tài)作為前驅(qū)體，之后還要再經(jīng)過氧化或還原(通常是氧化)的加工，才會得到最后的介電材料成品。
請參閱圖1，為脈沖一清洗沉積方式的示意圖。首先進(jìn)行的是脈沖的程序，即步驟(a):于反應(yīng)室中脈沖化合物M，使之發(fā)生化學(xué)吸附，直到基材1表面達(dá)到飽和，其中化合物M是由元素ml與元素m2所組成，之后，再進(jìn)行步驟(b) 清洗程序，將多余且不附著在基材1上的化合物M予以清洗。又，為了進(jìn)行氧化程序，進(jìn)行步驟(c):再于反應(yīng)室中脈沖一氧化劑O，使之和基材l吸附的化合物M產(chǎn)生反應(yīng)，氧化劑O其是由元素ol與元素o2所組成。當(dāng)脈沖氧化劑O的程序完成后，即會進(jìn)行氧化反應(yīng)，當(dāng)然依需要有時會對基材l予以加熱來幫
助進(jìn)行氧化。在氧化的過程中，化合物M與氧化劑0結(jié)合形成一個新的化合物MO，而元素ml、 m2則與元素ol、 02結(jié)合形成一個新的化合物O，(副產(chǎn)品)，最后，再進(jìn)行步驟(d):清洗的程序，將多余的氧化劑O與化合物O'排出，其中，新化合物MO即為所需的介電物質(zhì)。如此即完成了 一次的沉積作業(yè)。此種脈沖一清洗的作業(yè)方式亦適用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)。此外，
以此脈沖一清洗的沉積方式得到的是原子厚度的沉積
層，故亦稱原子層沉積法。由上述的文字與圖1可知，
僅僅要將一個介電物質(zhì)的沉積與制造加以完成，即需要
至少兩次的脈沖一清洗的動作，簡而言之，先脈沖、'* 目IJ驅(qū)
體，之后清洗多余的前驅(qū)體，再脈沖氧化物，之后清洗
多余的氧化物與其它副產(chǎn)品。
請參閱圖2，為脈沖一清洗沉積法的時序圖其中
縱軸表示動作及其所作用的物質(zhì)，而橫軸的部分則表示
時間。因此，若配合圖l所示，可知圖2的縱軸由上而
下分別是步驟(a):脈沖化合物M、步驟(b):清洗化合物
M、步驟(c):脈沖氧化劑0、以及步驟(d):清洗氧化劑
0與副產(chǎn)品。而由橫軸的時間來看，則就步驟(a)的脈沖
化合物M的部分而言，與時段(a)對應(yīng)；步驟(b)的清洗化合物M的部分而言，與時段(b)對應(yīng)；步驟(c)的脈沖
氧化劑0的部分而言，與時段(C)對應(yīng)；步驟(d)的清洗
氧化劑O(及副產(chǎn)品)的部分而言，與時段(d)對應(yīng)。而且，
直到步驟(d)結(jié)束之后才是一次完整的沉積作業(yè)，故而將
時段(a)、時段(b)、時段(c)與時段(d)相加后，才是完整的 一個循環(huán)(cycle)。由此可見，進(jìn)行一個完整的沉積作業(yè)的循環(huán)是需要相當(dāng)?shù)臅r間。
請參閱圖3，為現(xiàn)有技術(shù)的介電物質(zhì)之脈沖一清洗沉積法的時序圖。其中縱軸表示動作之內(nèi)容，而橫軸的 部分則表示時序。其中縱軸由上而下分別是動作(1 ):脈 沖第一前驅(qū)體；動作(2):清洗；動作(3):脈沖氧化劑； 動作(4)脈沖第二前驅(qū)體。至于橫軸的時序部分則是時序 (Tl):執(zhí)行動作(l);時序(T2):執(zhí)行動作(2);時序(T3): 執(zhí)行動作(3);時序(T4):執(zhí)行動作(2);時序(T5):執(zhí)行 動作(4);時序(T6):執(zhí)行動作(2);時序(T7):執(zhí)行動作 (3);時序(T8):執(zhí)行動作(2)。依厚度及比例需求，Tl
至T4可重復(fù)m次且T5至T8亦可重復(fù)n次，故可達(dá)成 比例為m:n之成份比例。而由時序(T 1 )至?xí)r序(T8)則是 一整個現(xiàn)有技術(shù)的循環(huán)CL1。以下將逐步解釋。
請繼續(xù)參閱圖3 ，由于僅僅使用單 一 元素的材料作 為介電物質(zhì)所得到的電性特性與介電系數(shù)不夠，因此遂 有以兩種材料之結(jié)合作為介電物質(zhì)，以期提高介電系數(shù) 與改善電性特性，由于涉及到兩種材料，通常是兩種元 素，故需要由兩種前驅(qū)體提供所需之元素并對之進(jìn)行氧 化反應(yīng)，始可得到所欲之具有高介電系數(shù)的介電物質(zhì)。 故于圖3中就顯示了使用兩種前驅(qū)體所需的脈沖一清洗 的沉積方式及其所需要的氧化反應(yīng)，詳言之，整個介電 物質(zhì)的形成依時間軸來看是首先時序(l)的部分，是執(zhí)行 動作(l)的脈沖第一前驅(qū)體，使第一前驅(qū)體沉積在一基材 上，通常是使之沉積在 一 基材所具有的深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧 式結(jié)構(gòu))之內(nèi)；之后是來到時序(2)的部分，是執(zhí)行動作(2) 的清洗，亦即將多余的第一前驅(qū)體自深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式 結(jié)構(gòu))內(nèi)排出；接著是時序(3)，執(zhí)行動作(3)的脈沖氧化 劑，再到時序(4)的執(zhí)行動作(2)的清洗，亦即將多余的氧 化劑與副產(chǎn)品予以排出；之后是時序(5)的部分，是執(zhí)行 動作(4)的脈沖第二前驅(qū)體，使第二前驅(qū)體亦沉積在該基 材所具有的深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式結(jié)構(gòu))之內(nèi)；之后是來到時序(6)的部分，是執(zhí)行動作(2)的清洗，亦即將多余的第 二前驅(qū)體自深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式結(jié)構(gòu))內(nèi)排出；接著是時 序(7),執(zhí)行動作(3)的脈沖氧化劑，再到時序(8)的執(zhí)行 動作(2)的清洗，亦即將多余的氧化劑與副產(chǎn)品予以排 出。
由此可見，由于使用到了 氧化劑予以氧化，因此脈沖一 就是第一前驅(qū)體的脈沖一清洗 清洗，第二前驅(qū)體的脈沖一清 一清洗，整個時程約需三分鐘 生產(chǎn)、追求時效的半導(dǎo)體工業(yè) 者，由于所需執(zhí)行的動作甚多 而出錯的風(fēng)險，因此，減低風(fēng) 業(yè)重要的課題。
所以在現(xiàn)行的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，尤其是介電物質(zhì) 的沉積技術(shù)，迫切的需要 一 種可大幅縮短制造時間，并 附帶增加良率降低風(fēng)險的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于以現(xiàn)有的介電物質(zhì)的沉積方法所耗時間過 長，本發(fā)明在硅基表面上作高深寬比的結(jié)構(gòu)，透過高深 寬比的結(jié)構(gòu)來達(dá)到增加電容器面積并進(jìn)而提升電容之目 的。 .
為了達(dá)到上述之目的，本發(fā)明提供 一 種應(yīng)用于制造 介電物質(zhì)的前驅(qū)體，其中，所述前驅(qū)體是 Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
如上所述的前驅(qū)體，其中該前驅(qū)體是用于深槽(deep trench)結(jié)構(gòu)的沉積作業(yè)中。
如上所述的前驅(qū)體，其中該前驅(qū)體是用于堆棧式
兩種J丄， 刖驅(qū)體，且各白需要
清洗的過程需要四個，也
，氧化劑第—次的脈沖—
洗氧化劑第次的脈沖
的時間，以現(xiàn)今尋求大里
而曰，時間并不算短再
，亦增加了因?yàn)檫@些動作
險、增加良率亦是這個工(stacked)結(jié)構(gòu)的沉積作業(yè)中。
如上所述的前驅(qū)體， 為 Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]。
為了達(dá)到上述之目的，本發(fā)明提供 一 種介電物質(zhì)的 沉積方法，該介電物質(zhì)具有一第一主元素與一第二主元 素，其中該第一主元素與該第二主元素存在于一單一的
前驅(qū)體中，而該沉積方法包含下列步驟脈沖該前驅(qū)體； 清洗多余的該前驅(qū)體；脈沖氧化劑；以及清洗多余的氧 化劑。
如前述的方法，其中該前驅(qū)體所含之該第一主元素 是自鋁、鉿與鋯中選擇一種。
如前述的方法，其中該前驅(qū)體所含之該第二主元素為硅。
如前述的方法，是選用于深槽(deep trench)結(jié)構(gòu)與 堆棧式(stacked)結(jié)構(gòu)中的 一 種。
如前述的方法，其中該前驅(qū)體是 Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
如前所述的方法，其中該前驅(qū)體是 Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2。
為了達(dá)到上述之目的，本發(fā)明提供另一種應(yīng)用于沉
積介電物質(zhì)的前驅(qū)體，其中，所述前驅(qū)體具有一第主
元素與硅元素，且該第一主元素是選自鋁、鉿與鋯中的一種。
較佳者，所述前驅(qū)體是應(yīng)用于介電物質(zhì)的沉積作
業(yè)，而該沉積作業(yè)的步驟首先是脈沖該前驅(qū)體接著是
清洗多余的該前驅(qū)體；之后是脈沖氧化劑；以及清洗多
余的氧化劑，如此，即完成了所述介電物質(zhì)的沉積作業(yè)。 較佳者，其中該前驅(qū)體是金屬硅酸鹽。 較佳者，所述的金屬硅酸鹽含有過渡金屬。較佳者，所述過渡金屬是自鉿與鋯中選擇一種。 較佳者，其中該氧化劑是選自臭氧、氧氣或水中的一種。


圖1，為脈沖 一 清洗
圖2，為脈沖 一 清洗
圖3，為現(xiàn)有技術(shù)的
的時序圖；以及
圖4，為本發(fā)明的介
時序圖。
沉積方式的示意沉積法的時序介電物質(zhì)之脈沖一清洗沉積法
電物質(zhì)之脈沖 一 清洗沉積法的
具體實(shí)施例方式
請參見圖4，為本發(fā)明的介電物質(zhì)之脈沖一清洗沉 積法的時序圖。其中縱軸表示動作之內(nèi)容，而橫軸的部
分則表示時序。其中縱軸由上而下分別是動作(l'):脈 沖第一物質(zhì)；動作(2'):清洗；動作(3';):氧化劑之脈沖。 至于橫軸的時序部分則是時序CT1):執(zhí)行動作(l');時序 (T2):執(zhí)行動作(2，)；時序(T3):執(zhí)行動作(3，)；時序(T4):
執(zhí)行動作(2')而由時序(Tl)至?xí)r序(T4)則是 一 整個本發(fā) 明的循環(huán)CL2 。由于現(xiàn)有技術(shù)的長時間之耗費(fèi)是在于脈 沖一清洗的次數(shù)過多，因此減少脈沖一清洗次數(shù)的概念 就是同時將兩種前驅(qū)體在經(jīng)過某種整合之后，僅需要一 次的前驅(qū)體的脈沖一清洗程序即可完成所有的必須的元 素(或化合物)的沉積。而為了實(shí)現(xiàn)此一概念，本發(fā)明透 過提供一種單一的前驅(qū)體來同時取代現(xiàn)有的兩種前驅(qū) 體，于整個制造程序之始即予以脈沖。故使用了本發(fā)明 所提供的前驅(qū)體，其沉積作業(yè)的實(shí)施步驟如后，首先步 驟(l):提供一具有深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式結(jié)構(gòu))的母材(圖中未揭示)，此具有深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式結(jié)構(gòu))的母材與現(xiàn)有 之被介電物質(zhì)所填充者相似，于此不在贅述。接著是步 驟(2):將本發(fā)明所述的用以取代現(xiàn)有兩種前驅(qū)體的單一 前驅(qū)體脈沖于該母材上，使之沉積于母材的深槽結(jié)構(gòu)(或 堆棧式結(jié)構(gòu))內(nèi)。而本發(fā)明的前驅(qū)體同時具有原分屬于兩 種現(xiàn)有前驅(qū)體的第一主元素與第二主元素。若以具有兩 種主要元素的介電物質(zhì)來說，以目前最常使用的硅酸鉿 而言，其原來是由兩個前驅(qū)體經(jīng)反應(yīng)而得到，此二前驅(qū)
體分別是鉿的前驅(qū)體，即四甲基乙酯金屬鉿胺鹽
(TEMAHf， Hf[N(C2Hs)(CH3)]4)作為所述的第一化合物， 而其中的第一主元素即是鉿(Hafnium)，而另 一 是硅的前 驅(qū)體， 即作為所述第 二 化合物的 3-DMASi(Si[N(CH3)2]3H)，而第二主元素就是硅，兩者 結(jié)合而成的硅酸鉿則是具有高介電系數(shù)的介電物質(zhì)，也 就是說，本發(fā)明的單一前驅(qū)體同時具有鉿與硅。再來是
步驟(3):清洗多余的該前驅(qū)體；接著是步驟(4):脈沖氧 化劑；以及步驟(5):清洗多余的氧化劑。
請繼續(xù)參閱圖4，上述的步驟(l)由于是與進(jìn)行沉積 作業(yè)之前的相關(guān)程序有關(guān)，在此不予討論。因此將步驟
(2)與圖4對照，就是時序(T1):執(zhí)行動作(l')，換言之，
以上述的實(shí)施例而言就是脈沖本發(fā)明的前驅(qū)體，而動作
(l，)所述的第 一 物質(zhì)即為本發(fā)明的前驅(qū)體。將步驟(3)與 圖4對照，就是時序(T2):執(zhí)行動作(2')的清洗，在本實(shí) 施例中即清洗多余的該前驅(qū)體。將步驟(4)與圖4對照， 實(shí)時序(T3):執(zhí)行動作(3')，也就是本實(shí)施例的脈沖氧化 劑。最后是將步驟(5)與圖4對照，就是時序(T4):執(zhí)行 動作(2')的清洗，在本實(shí)施例中即清洗多余的氧化劑。
因此，由上述的步驟并配合圖4可知，本發(fā)明透過 脈沖了本發(fā)明用以取代現(xiàn)有的兩種前驅(qū)體的創(chuàng)新的前驅(qū)體，即可將兩個原本分屬于現(xiàn)有的兩個前驅(qū)體的r脈沖
—清洗」程序減少為—個。也因此原來兩次的氧化物之
廠脈沖 一 清洗」程序也減少為一個，所以本發(fā)明與現(xiàn)有
技術(shù)相比，總共減少了兩個「脈沖一清洗」程序，亦即
由現(xiàn)有技術(shù)的四個「脈沖一清洗」程序減少為兩個，也
就是現(xiàn)有技術(shù)的 一 半，可見利用本發(fā)明的前驅(qū)體可以縮
短半的制造時間，也就是由大約三分鐘的時間縮短為
大約九十秒，換言之，在相同的制造程序的時間下，本
發(fā)明約有兩倍于現(xiàn)有技術(shù)的產(chǎn)量，效率極高
承上，簡而言之，由上述的內(nèi)容配合圖4可知，其
中時序(Tl)::執(zhí)行動作(r)的脈沖第一 物質(zhì)，即是所述的
脈沖前驅(qū)體的步驟；而時序(T2):執(zhí)行動作(2')的清洗， 即是所述清洗多余的前驅(qū)體的步驟；接著是時序(T3): 執(zhí)行動作(3')的氧化劑之脈沖，即是前述的脈沖氧化劑 的步驟；最后是時序(T4):執(zhí)行動作(2')的清洗，即所述 的清洗多余的氧化劑。
由此可見，只要脈沖的第一物質(zhì)，即前述之單、' 刖
驅(qū)體同時具有介電物質(zhì)所需的第一主元素與第主元
素，就可以減少一個「脈沖一清洗」程序，而也由于減
少了現(xiàn)有技術(shù)的第二前驅(qū)體的脈沖動作致使原本配合
第前驅(qū)體的氧化物的「脈沖一清洗」程序也可減少
所以本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，總共減少了兩個「脈沖一
清洗」程序，亦即由現(xiàn)有技術(shù)的四個「脈沖 一 清洗程
序減少為兩個，也就是現(xiàn)有技術(shù)的一半，可見利用本發(fā)明的技術(shù)可以縮短 一 半的制造時間。此外，在本實(shí)施例
中的第一主元素是自鋁、鉿與鋯中選擇—種。而第主
元素可為硅。至于本實(shí)施例所應(yīng)用的結(jié)構(gòu)則是深槽或堆
棧式結(jié)構(gòu)。
由于在高介電系數(shù)的材料的運(yùn)用上，至少以應(yīng)用于深槽結(jié)構(gòu)(或堆棧式結(jié)構(gòu))的領(lǐng)域之內(nèi)而言，目前所見者 多以金屬硅酸鹽類的物質(zhì)作為高介電系數(shù)的材料，因此， 本發(fā)明提供的另一種實(shí)施例即直接以金屬硅酸鹽作說 明。而此介電物質(zhì)的沉積方法的步驟如后，首先是脈沖 該金屬硅酸鹽的前驅(qū)體，接著是清洗多余的該前驅(qū)體， 之后是脈沖氧化劑，再是清洗多余的氧化劑。并請配合圖4。
承上段，將圖4與之對照可知，其中時序(T1):執(zhí)
行動作(l，)的脈沖第 一 物質(zhì)，即是所述的脈沖金屬硅酸
鹽前驅(qū)體的步驟；而時序(T2):執(zhí)行動作(2，)的清洗，即 是所述清洗多余的硅酸鹽前驅(qū)體的步驟；接著是時序
(T3)執(zhí)行動作(3')的氧化物之脈沖，即是前述的脈沖氧
化劑的步驟；最后是時序(T4):執(zhí)行動作(2')的清洗，即
所述的清洗多余的氧化劑。由此可見，此實(shí)施例直接使
用了金屬硅酸鹽的前驅(qū)體，因而免除了現(xiàn)有技術(shù)其中
、,-目ij驅(qū)體的「脈沖一清洗」程序，連帶的也免除了為了該
、'' 刖驅(qū)體之氧化的氧化劑的「脈沖一清洗」程序，所以總
共減少了兩個「脈沖一清洗」程序并僅剩下「脈沖—清
洗程序，相較于現(xiàn)有技術(shù)的四個，本發(fā)明的實(shí)施例亦
減少了 一半的時間，換句話說就是提高了 一倍的產(chǎn)能，
對于提升競爭力具有莫大的幫助。至于金屬硅酸鹽中所
含的金屬可以自過渡金屬中擇一，通常是鉿或是鋯而
娃酸鹽亦可為硅酸鋁，至于氧化劑則多使用臭氧，亦可
為氧氣或水。
總體而言，本發(fā)明是由于深感整個沉積作業(yè)的耗時
甚長，促使發(fā)明人殫精竭慮的思考如何縮短作業(yè)時間
因此，由減少「脈沖清洗」程序下手，其中 一 種方式是
以新的前驅(qū)體來實(shí)行，即此前驅(qū)體含有原屬于第一、八 刖
驅(qū)體的第一主元素、以及原屬于第二前驅(qū)體的第二主元素，進(jìn)一步來說，此新的前驅(qū)體即是將該高介電系數(shù)的 介電物質(zhì)的硅酸鹽之前驅(qū)體予以使用，此金屬硅酸鹽之 前驅(qū)體可以是甲基群并包含了氮、硅、與鉿元素的化合
物，如Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]，較佳者，a的值介 于1 4， b的值介于1~4， c的值介于1~4， d的值介于 1~4，例如為Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]，而將之應(yīng)用于
的介電物質(zhì)沉積方法時，化學(xué)反應(yīng)方程式如后述
Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d〗+ 03 (or H20)
HfxSi(x-i)O + C02 + H20 + N2 亦即，將此前驅(qū)體與氧化劑(臭氧或水)反應(yīng)后，生
成娃酸鉿、氧化碳、水與氮?dú)狻Ｓ纱丝梢?，只要使用了此類新的、A-刖驅(qū)體即可減少前驅(qū)體的脈沖一清洗程序，
也由于減少個脈沖一清洗的程序，使得原本要與該
、'-刖驅(qū)體搭配的氧化物之脈沖—清洗程序順帶予以減少，
因此相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的實(shí)施例均較之減少一
半的程序，也就是減少一半的時間，相對的就是在同
樣的時間內(nèi)產(chǎn)量多T 一倍，更重要的是本發(fā)明的實(shí)施例
均不需要對生產(chǎn)設(shè)備作任何的添加或其它繁瑣的設(shè)定變
更，僅以原有的設(shè)備即可作業(yè)。因此，本發(fā)明不但不會
增加成本，還能減少之故本發(fā)明對于此領(lǐng)域的產(chǎn)能
的提升與成本的降低、甚至于良率的提升，均有極高的價值。
本發(fā)明經(jīng)熟習(xí)本技術(shù)領(lǐng)域的人所迸行的任意改動， 皆不脫離本發(fā)明申請專利范圍的保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于制造介電物質(zhì)的前驅(qū)體，其中，所述前驅(qū)體是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
2 .根據(jù)權(quán)利要求1所述的前驅(qū)體，其特征在于，所述前 驅(qū)體為Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]。
3. —種介電物質(zhì)的沉積方法，所述介電物質(zhì)具有一第一 主元素與一第二主元素，其中所述第一主元素與所述第 二主元素存在于一單一的前驅(qū)體中，其特征在于，所述沉積方法包含下列步驟脈沖所述單一的前驅(qū)體；清洗多余的所述前驅(qū)體； 脈沖氧化劑；以及清洗多余的所述氧化劑。
4 .根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述刖驅(qū)體所含之所述第--主元素是自鋁、鉿與鋯中選擇種
5 .根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述.、/A 刖驅(qū)體所含之所述第二二主元素為硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述、' 刖驅(qū)體是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述、'-刖驅(qū)體是Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]。
8. —種應(yīng)用于沉積介電物質(zhì)的前驅(qū)體，其中，所述前驅(qū) 體是金屬硅酸鹽并具有一第一主元素與硅元素，且所述 第一主元素是選自鋁、鉿與鋯中的一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的前驅(qū)體，其特征在于，所述前 驅(qū)體是應(yīng)用于介電物質(zhì)的沉積作業(yè)，而所述沉積作業(yè)的 步驟首先是脈沖所述前驅(qū)體；接著是清洗多余的所述前 驅(qū)體；之后是脈沖氧化劑；以及清洗多余的所述氧化劑， 如此，即完成了所述介電物質(zhì)的沉積作業(yè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的前驅(qū)體，其特征在于，所述 氧化劑是選自臭氧、氧氣以及水中的 一 種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種介電物質(zhì)的沉積方法，該介電物質(zhì)具有一第一主元素與一第二主元素，其中該第一主元素與該第二主元素存在于一單一的前驅(qū)體中，而該沉積方法包含下列步驟脈沖前驅(qū)體；清洗多余的前驅(qū)體；脈沖氧化劑；以及清洗多余的氧化劑。
文檔編號C23C16/18GK101624696SQ20081013381
公開日2010年1月13日 申請日期2008年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月11日
發(fā)明者聶鑫譽(yù), 謝君毅, 黃才育 申請人:南亞科技股份有限公司