專利名稱：：拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在制備半導(dǎo)體器件的工藝中使用的拋光液。
背景技術(shù)：
：近年來，在半導(dǎo)體器件如半導(dǎo)體集成電路(下文中，稱作"Lsr)的發(fā)展中，為了使這樣的器件小型化并提高它們的速度，己經(jīng)通過降低布線的厚度以及形成多層布線來尋求提高的密度和集成度。而且，為了實現(xiàn)這種目的，已經(jīng)采用了各種技術(shù)，如化學(xué)機械拋光(下文中稱作"CMP")等。對于加工層如夾層絕緣膜的表面平坦化、對于插頭的形成、對于埋入金屬布線的形成等，CMP是必要的技術(shù)，并且CMP進行襯底的平滑和從布線形成物上將過量金屬薄膜除去，以及將在絕緣膜表面上的過量阻擋層除去。CMP的常規(guī)方法是這樣的方法將拋光墊固定在圓形拋光工作臺(拋光臺板)的表面上，用拋光液浸漬拋光墊的表面，將襯底(晶片)的表面按壓到墊上，然后將拋光臺板和晶片同時旋轉(zhuǎn)，同時從它們的背側(cè)施加預(yù)定量的壓力(拋光壓力)，從而使得晶片的表面通過由此產(chǎn)生的機械磨損而被平坦化。當(dāng)制備半導(dǎo)體器件如LSI時，在多個布線層內(nèi)形成細(xì)線，并且當(dāng)在這些層中的每一個內(nèi)形成如銅的金屬布線時，預(yù)形成如Ta、TaN、Ti和TiN的阻擋層金屬，以防止布線材料擴散到一個或多個夾層絕緣膜內(nèi)，以及提高布線材料的粘附。為了形成各個布線層，通常地，首先在一個階段或多個階段進行對金屬膜的CMP處理(下文中，稱作"金屬膜CMP")，以將過量的通過電鍍等沉積的布線材料移除，之后，進行CMP處理，將已經(jīng)暴露在金屬膜表面上的阻擋層金屬材料(阻擋層金屬)移除(下文中，稱作"阻擋層金屬CMP")。然而，金屬膜CMP可能引起過度拋光，這種過度拋光被稱作表面凹陷，以及引起布線部分侵蝕的發(fā)生。為了減少這樣的表面凹陷，在這種在金屬膜CMP之后的阻擋層金屬CMP中，應(yīng)當(dāng)形成這樣的布線層，在該布線層中，由于表面凹陷、侵蝕等引起的水平差通過調(diào)節(jié)金屬布線部分的拋光速率和阻擋層金屬部分的拋光速率而最終降低。具體地，在阻擋層金屬CMP中，因為當(dāng)與金屬布線材料的拋光速率相比，阻擋層金屬和夾層絕緣膜的拋光速率較低時，可能產(chǎn)生由于布線部分的過度拋光所帶來的表面凹陷以及由表面凹陷所引起的侵蝕，所以優(yōu)選的是，阻擋層金屬和絕緣層的拋光速率適度地高。這樣不僅具有提高阻擋層金屬CMP處理量的優(yōu)點，而且由于上述原因，還需要相對地提高阻擋層金屬和絕緣層的拋光速率，因為在實踐中，表面凹陷通常由金屬膜CMP造成。CMP中采用的金屬拋光液通常包括磨料粒(例如，氧化鋁或二氧化硅)和氧化劑(例如，過氧化氫和過硫酸)。據(jù)認(rèn)為基本的拋光機理是金屬表面被氧化劑氧化，然后將由此形成的氧化膜用磨料粒移除。然而，當(dāng)在CMP處理中使用包含這些種類的固體磨料粒的拋光液時，可能產(chǎn)生如下的問題例如，拋光損傷(擦傷)、整個拋光表面被過度拋光的現(xiàn)象(變薄)、拋光金屬表面凹陷的現(xiàn)象(表面凹陷)、以及由于在金屬布線層之間放置的絕緣體的過度拋光導(dǎo)致多個金屬布線表面凹陷的現(xiàn)象(侵蝕)等。而且，存在成本有關(guān)的問題，如常規(guī)使用的在用含有固體磨料粒的拋光液進行拋光之后從半導(dǎo)體表面上消除殘余拋光液的清潔方法會復(fù)雜，例如要求當(dāng)處置這種清潔后的液體(廢液)時，必須將固體磨料粒沉淀。對于含有這種固體磨料粒的拋光液，進行了下列研究。例如，提出了旨在實現(xiàn)高的拋光速率，而實際上不產(chǎn)生擦傷的CMP拋光劑和拋光方法(例如，日本專利申請公開2003-17446);用于提高CMP的可洗滌性的拋光組合物和拋光方法(例如，日本專刑申請公開2003-142435);以及旨在防止磨料粒聚集的拋光組合物(例如，日本專利申請公開2000-84832)。然而，即使采用如上所述的拋光液，仍然沒有獲得可以實現(xiàn)在拋光必要層時高的拋光速率，并且能夠抑制由固體磨料粒的聚集而引起的擦傷的技術(shù)。特別是，近年來，隨著布線進一步微型化，已經(jīng)開始將介電常數(shù)比通常使用的夾層絕緣膜比如TEOS更低的低介電常數(shù)材料用作絕緣膜。這種類型的絕緣膜被稱為低k膜，所述低k膜由例如有機聚合物基材料，SiOC基材料或SiOF基材料制成，并且通常通過將其與絕緣膜層壓而使用。然而，這種類型的絕緣膜的強度比現(xiàn)有的絕緣膜更低；因此，在CMP方法中，諸如過度拋光和擦傷的問題更加顯著。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮到上述情形做出的。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于拋光半導(dǎo)體集成電路的阻擋層的拋光液。所述拋光液包含季銨陽離子、腐蝕抑制劑、在末端具有磺基的聚合物、無機粒子和有機酸。所述拋光液的pH值在l至7的范圍內(nèi)。具體實施方式下文中，將描述本發(fā)明的具體實施方案。；本發(fā)明的拋光液包含季銨陽離子、腐蝕抑制劑、在末端具有磺基的聚合物、無機粒子和有機酸，并且具有在l至7的范圍內(nèi)的pH值。在需要時，所述拋光液可以包含任意組分。本發(fā)明拋光液所含有的各種組分可以單獨或者以其至少兩種的組合使用。本發(fā)明的"拋光液"不僅包括在用于拋光時的拋光液(具體地，根據(jù)需要稀釋的拋光液)，而且包括拋光液的濃縮液。濃縮液或濃縮的拋光液指的是溶質(zhì)濃度被調(diào)節(jié)到高于用于拋光時的拋光液的溶質(zhì)濃度水平且在拋光時用水或水溶液稀釋而使用的拋光液。稀釋比按體積計通常為1至20倍。在本說明書中的表述"濃縮物"和"濃縮液"是作為常規(guī)用來表示"濃縮物"或"濃縮液"的表述使用的，即，比使用時的狀態(tài)更濃的狀態(tài)，而不是伴隨物理濃縮過程如蒸發(fā)等的通常術(shù)語的意義。下文中，將更詳細(xì)地解釋本發(fā)明的拋光液的每種構(gòu)成成分。(A)季銨陽離子本發(fā)明的拋光液包含季銨陽離子(下文中，在有些情況下，可以簡稱作"特定陽咼子")。本發(fā)明的季銨陽離子不限于具體某種，只要它具有在分子結(jié)構(gòu)內(nèi)包含一個或兩個季氮的結(jié)構(gòu)即可。在這些中，從達(dá)到拋光速率的充分改善的目的考慮，優(yōu)選由下述式(1)或式(2)表示的陽離子式(1)612+式(2)在式(1)和式(2)中，W至W各自獨立地表示含有1至20個碳原子的烷基、鏈烯基、環(huán)烷基、芳基或芳垸基，并且W至I^中的兩個可以彼此結(jié)合以形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為R1至R6的含1至20個碳原子的烷基的具體實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基和辛基，并且在這些中，優(yōu)選甲基、乙基、丙基和丁基。作為R1至R6的鏈烯基優(yōu)選為具有2至10個碳原子的鏈烯基，并且其具體實例包括乙烯基和丙烯基。作為R'至RS的環(huán)烷基的具體實例包括環(huán)己基和環(huán)戊基，并且在這些中，優(yōu)選環(huán)己基。作為R'至W的芳基的具體實例包括苯基和萘基，并且這些中，優(yōu)選作為R'至RS的芳垸基的具體實例包括芐基，并且在這些芳烷基中，優(yōu)選芐基。由R'至W表示的基團各自還可以具有取代基?？梢员灰氲娜〈膶嵗u基、氨基、羧基、雜環(huán)基、吡啶鑰基、氨基烷基、磷酸酯基、2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>亞氨基、硫醇基、磺基和硝基。在式(2)中，X表示含有1至IO個碳原子的亞垸基、亞鏈烯基、亞環(huán)烷基、亞芳基，或通過將這些基團中的至少兩個組合而獲得的基團。而且，除如上所述有機連接基團之外，由x表示的連接基團還可以在其鏈內(nèi)包括一s-、—s(=o)2-、—0-或一((=0)~。含有1至IO個碳原子的亞烷基的具體實例可以包括亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基和亞辛基，并且在這些中，亞乙基和亞戊基是優(yōu)選的。亞鏈烯基的具體實例包括亞乙烯基和亞丙烯基，并且在這些中，亞丙烯基是優(yōu)選的。亞環(huán)烷基的具體實例可以包括亞環(huán)己基和亞環(huán)戊基，并且在這些中，亞環(huán)己基是優(yōu)選的。亞芳基的具體實例可以包括亞苯基和亞萘基，并且在這些中，亞苯基是優(yōu)選的。如上所述的連接基團各自還可以具有取代基?？梢员灰氲娜〈膶嵗u基、氨基、磺?；?、羧基、雜環(huán)基、吡啶鐵基、氨基烷基、磷酸酯基、亞氨基、硫醇基、磺基和硝基。下文中，將顯示本發(fā)明中的(A)季銨陽離子(特定陽離子)的具體實例(示例性化合物(A-l)至(A-46))，但是本發(fā)明不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>考慮到在拋光液內(nèi)的分散穩(wěn)定性，在季銨陽離子(特定陽離子)的上述實例中，優(yōu)選A8、A10、All、A12、A36、A37和A46。本發(fā)明的(A)季銨陽離子(特定陽離子)可以例如通過取代反應(yīng)合成，在該取代反應(yīng)中，氨或各種類型的胺等起著親核試劑的作用。季銨陽離子還可以作為商購試劑獲得。相對于在用于拋光時的拋光液(具體地，如果拋光液被水或水溶液稀釋，貝U"用于拋光時的拋光液"指的是稀釋之后的拋光液，這同樣適用于下文)，(A)季銨陽離子(特定陽離子)的添加量優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％至1質(zhì)量％，并且更優(yōu)選為0.001質(zhì)量％至0.3質(zhì)量％。具體地，從充分提高拋光速率的觀點考慮，季銨陽離子(特定陽離子)的量優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上，并且從實現(xiàn)漿液的充分穩(wěn)定性的觀點考慮，優(yōu)選為0.3質(zhì)量％以下。(B)腐蝕抑制劑本發(fā)明的拋光液包括腐蝕抑制劑，該腐蝕抑制劑通過吸附到被拋光表面并且在其上形成膜而抑制金屬表面的腐蝕。本發(fā)明的腐蝕抑制劑優(yōu)選包含在分子內(nèi)具有至少三個氮原子并且具有稠環(huán)結(jié)構(gòu)的雜芳族環(huán)化合物。此處，"至少三個氮原子"優(yōu)選為構(gòu)成稠環(huán)的原子，并且雜芳族化合物優(yōu)選為苯并三唑或其通過將各種取代基結(jié)合到苯并三唑中獲得的衍生物。在本發(fā)明中可以使用的腐蝕抑制劑的實例可以包括苯并三唑、1,2,3-苯并三唑、5，4-二甲基-1,2，3-苯并三唑、l-(l,2-二羧基乙基)苯并三唑、l-[N,N-雙(羥基乙基)氨基甲基]苯并三唑、l-(羥基甲基)苯并三唑、甲苯基三唑、l-(l，2-二羧基乙基)甲苯基三唑、l-[N,N-雙(羥基乙基)氨基甲基]甲苯基三唑、l-(2，3-二羥基丙基)苯并三唑和l-(2,3-二羥基丙基)甲苯基三唑。在這些中，優(yōu)選1,2,3-苯并三唑、5,4-二甲基-1，2,3-苯并三唑、甲苯基三唑、l-(l,2-二羧基乙基)苯并三唑、l-(l,2-二羧基乙基)甲苯基三唑、l-[N，N-雙(羥基乙基)氨基甲基]苯并三唑、l-[N，N-雙(羥基乙基)氨基甲基]甲苯基三唑、l-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、l-(2，3-二羥基丙基)甲苯基三唑和l-(羥基甲基)苯并三唑。相對于用于拋光時的拋光液的量，(B)腐蝕抑制劑的添加量優(yōu)選為0.01質(zhì)量％至0.2質(zhì)量％，并且更優(yōu)選為0.05質(zhì)量％至0.2質(zhì)量％。S卩，腐蝕抑制劑的添加量優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上，以防止表面凹陷的擴展，并且優(yōu)選為0.2質(zhì)量％以下，以確保儲存穩(wěn)定性。(C)在末端具有磺基的聚合物化合物本發(fā)明的拋光液包含其在末端具有磺基的聚合物化合物。在本發(fā)明的拋光液中，可以通過控制在末端具有磺基的聚合物化合物的種類和/或量，提高拋光速率并且控制絕緣層的拋光速率。在末端具有磺基的聚合物化合物的結(jié)構(gòu)的實例包括聚氧乙烯月桂基醚硫酸鹽、聚氧乙烯苯基醚硫酸鹽、聚氧乙烯十三垸基苯基醚硫酸鹽、聚氧丙烯月桂基醚硫酸鹽、聚氧乙烯辛基醚硫酸鹽、聚氧乙烯辛基苯基醚硫酸鹽、聚氧乙烯十五垸基苯基醚硫酸鹽和丁基萘磺酸鹽。在這些中，優(yōu)選具有苯環(huán)的高聚物。具有苯環(huán)的聚合物化合物的實例包括聚氧乙烯苯基醚磺酸鹽、聚氧乙烯十三垸基苯基醚磺酸鹽、聚氧乙烯辛基苯基醚硫酸鹽、聚氧乙烯十五垸基苯基醚硫酸鹽和丁基萘磺酸鹽。在末端具有磺基的聚合物化合物可以是其中磺基可以具有例如鈉鹽、鉀鹽或銨鹽的鹽結(jié)構(gòu)的化合物。在末端具有磺基的聚合物化合物的重均分子量優(yōu)選為500至5000，更優(yōu)選為600至4000，并且特別優(yōu)選為600至3000。S卩，出于SiOC拋光性能的觀點，在末端具有磺基的聚合物化合物的重均分子量優(yōu)選為500以上，并且出于在拋光后的擦傷防止性能(擦傷性)的觀點，在末端具有磺基的聚合物化合物的重均分子量優(yōu)選為3000以下。在下文中，將顯示在本發(fā)明中的(C)在末端具有磺基的聚合物化合物的具體實例[示例性化合物(P-l)至(P-21)]。然而，本發(fā)明不限于此。在具體實例中，n和m各自獨立地表示2至10的整數(shù)，x和y各自表示整數(shù)，并且x+y為2至10。R表示具有l(wèi)至12個碳原子的烷基。200810149126.X說明書第12/36頁S03HOS03NH4P-3O—(CH2—CH2-0)ir~(CH2)3—S03HNaP—4C4H4n9CH,S03HNaCH,S03HNaP-5P-6-CH2—CH-COINH」S03HNaP一lP-2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>相對于在用于拋光時的1L拋光液，作為總量，(C)在末端具有磺基的聚合物化合物的添加量優(yōu)選在0.001至10g的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.01至5g的范圍內(nèi)，并且特別優(yōu)選在0.01至lg的范圍內(nèi)。即，在1L拋光液中，出于SiOC拋光性能的觀點，(C)在末端具有磺基的聚合物化合物的量優(yōu)選為0.0001g以上，并且出于起泡性能的觀點，優(yōu)選為lg以下。(D)無機粒子本發(fā)明的拋光液包含無機粒子。在本發(fā)明的拋光液中使用的無機粒子用作拋光粒子(固體磨料粒)。其實例包括二氧化硅(沉淀法二氧化硅、熱解法二氧化硅、膠體二氧化硅、合成二氧化硅)、氧化鋁、二氧化鈰、氧化鋯、二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳和碳化硅，并且在這些中，優(yōu)選二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、氧化鋯和二氧化鈦。特別是，優(yōu)選二氧化硅，并且更優(yōu)選膠體二氧化硅。膠體二氧化硅優(yōu)選為通過在粒子內(nèi)部不包含雜質(zhì)比如堿金屬的垸氧基硅垸的水解而獲得的膠體二氧化硅。另一方面，盡管還可以使用通過從堿金屬硅酸鹽水溶液中消除堿金屬(alkali)而制備的膠體二氧化硅，但是在這樣的情況下，可能存在殘留在粒子內(nèi)部的堿金屬可以被逐漸洗脫，從而不利地影響拋光能力的問題。從這個觀點考慮，更優(yōu)選通過將烷氧基硅烷水解而獲得的膠體二氧化硅作為原料。無機粒子的粒子大小優(yōu)選為5nm至200nm，更優(yōu)選10nm至100nm并且特別優(yōu)選20nm至70nm。相對于在用于拋光時的拋光液的量，在本發(fā)明的拋光液中的(D)無機粒子的含量(濃度)優(yōu)選為0.5質(zhì)量％至15質(zhì)量°/。，更優(yōu)選為3質(zhì)量％至12質(zhì)量％，并且特別優(yōu)選為5質(zhì)量％至12質(zhì)量％。g卩，從以足夠的拋光速率拋光阻擋層的觀點考慮，(D)無機粒子的含量優(yōu)選為0.5質(zhì)量。/。以上，并且從儲存穩(wěn)定性的觀點考慮，優(yōu)選為15質(zhì)量％以下。在本發(fā)明的拋光液中，作為(D)無機粒子，可以將膠體二氧化硅和其它無機粒子一起使用。在此情況下，相對于無機粒子的總量，膠體二氧化硅的含量比優(yōu)選為50質(zhì)量％以上，并且特別優(yōu)選為80質(zhì)量％以上。含有的磨料?？梢匀渴悄z體二氧化硅。在本發(fā)明中的拋光液中與膠體二氧化硅一起使用的磨料粒的實例包括熱解法二氧化硅、氧化鈰，氧化鋁和二氧化鈦。一起使用的磨料粒的大小優(yōu)選等于或大于膠體二氧化硅的大小，并且為膠體二氧化硅大小的兩倍以下。(E)有機酸本發(fā)明的拋光液包含有機酸。有機酸的實例包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸；它們的鹽，例如它們的銨和它們的堿金屬鹽；和它們的混合物。在這些中，優(yōu)選具有羧基的化合物。盡管不以任何方式特別限制具有羧基的化合物，只要該化合物在分子中具有至少一個羧基即可，但是出于拋光速率機理的觀點，優(yōu)選選擇由下式(3)表示的化合物。，而且，出于成本效率的觀點，在分子中優(yōu)選具有1至4個羧基，并且在分子中更優(yōu)選具有1或2個羧基。式(3)R7——O——R8——COOH在式(3)中，117和118各自獨立地表示烴基，優(yōu)選具有1至IO個碳原子的烴基。W為一價烴基，并且優(yōu)選為具有1至IO個碳原子的垸基，例如甲基、環(huán)垸基等，芳基例如苯基等，烷氧基和芳氧基。R8為二價烴基，并且優(yōu)選為具有1至IO個碳原子的亞烷基，例如亞甲基、亞環(huán)垸基等，亞芳基例如亞苯基等，和亞烷氧基。由W和RS表示的烴基還可以具有取代基。可以被引入的取代基的實例可以包括具有1至3個碳原子的烷基、芳基、垸氧基、羧基等。在取代基為羧基的情況下，該化合物具有多個羧基。而且，117和118可以相互結(jié)合以形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。由上述式(3)表示的化合物的實例可以包括例如2-呋P南甲酸、2,5-呋喃二甲酸、3-呋喃甲酸、2-四氫呋喃甲酸、二甘醇酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸和苯氧基乙酸。這些中，出于以高拋光速率拋光要被拋光的表面的觀點，優(yōu)選2,5-呋喃二甲酸、2-四氫呋喃甲酸、二甘醇酸和甲氧基乙酸。相對于在用于拋光時的拋光液的量，(E)有機酸(優(yōu)選地，具有羧基的化合物由式(3)表示的化合物)的添加量優(yōu)選為0.1質(zhì)量％至5質(zhì)量％，并且更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％至2質(zhì)量％。具體地，從達(dá)到足夠的拋光速率考慮，具有羧基的化合物(有機酸)的量優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上，并且從防止過分表面凹陷考慮，優(yōu)選為5質(zhì)量％以下。其它組分在本發(fā)明的拋光液中，除作為必要組分的組分(A)至(E)以外，可以將其它已知的組分一起使用，只要本發(fā)明的有益效果不受影響即可。表面活性劑本發(fā)明的拋光液可以包括除非離子表面活性劑以外的表面活性劑?？梢允褂玫谋砻婊钚詣┑膶嵗庪x子表面活性劑和陽離子表面活性劑。陰離子表面活性劑的具體實例包括化合物如癸基苯磺酸、十二烷基苯磺酸、十四烷基苯磺酸、十六烷基苯磺酸、十二烷基萘磺酸和十四烷基萘磺酸。陽離子表面活性劑的具體實例包括化合物如月桂基三甲銨、月桂基三乙銨、硬脂基三甲銨、棕櫚基三甲銨、辛基三甲銨、十二烷基吡啶鑰(pyridium)、癸基吡啶鎿和辛基吡啶鎗?？梢栽诒景l(fā)明中使用的陰離子表面活性劑的實例，除如上所述的磺酸鹽以外，還包括羧酸鹽、硫酸酯鹽和磷酸酯鹽。其具體實例包括羧酸鹽，例如皂、N-?；被猁}、聚氧乙烯垸基醚羧酸鹽、聚氧丙烯烷基醚羧酸鹽和?；?；硫酸酯鹽，例如磺化油、垸基硫酸鹽、烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯垸基烯丙基醚硫酸鹽、聚氧丙烯烷基烯丙基醚硫酸鹽和烷基酰胺硫酸鹽；磷酸酯鹽，例如烷基磷酸鹽、聚氧乙烯烷基烯丙基醚磷酸鹽、聚氧丙烯烷基烯丙基醚磷酸鹽。在用于拋光時的l升的拋光液中，作為總量，除非離子表面活性劑外的表面活性劑的添加量優(yōu)選在0.001g至10g的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.01g至5g的范圍內(nèi)，并且特別優(yōu)選在0.01g至1g的范圍內(nèi)。即，為了獲得足夠的益處，表面活性劑的添加量優(yōu)選為0.01g以上，并且從防止CMP速率降低的觀點考慮，優(yōu)選為1g以下。氧化劑本發(fā)明的拋光液可以包含能夠氧化被拋光金屬的化合物(氧化劑)。氧化劑的實例可以包括例如過氧化氫、過氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、高碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、高氯酸鹽、過硫酸鹽、重鉻酸鹽、高錳酸鹽、臭氧水、銀(n)鹽和鐵(in)鹽。這些中，優(yōu)選使用過氧化氫。作為鐵(ni)鹽，可以優(yōu)選使用無機鐵(in)鹽如硝酸鐵(m)、氯化鐵(m)、硫酸鐵(in)或溴化鐵(ni)，以及鐵(m)的有機配鹽?？梢愿鶕?jù)在阻擋層cmp的早期階段的表面凹陷量調(diào)節(jié)所添加的氧化劑的量。當(dāng)在阻擋層cmp的早期階段的表面凹陷量大，g卩，在阻擋層cmp中布線材料的需要拋光量不大時，氧化劑添加量優(yōu)選小。另一方面，當(dāng)表面凹陷量顯著小并且需要布線材料的高速率拋光時，氧化劑的添加量優(yōu)選大。如上所述，被添加的氧化劑的量優(yōu)選根據(jù)在阻擋層CMP的早期階段的表面凹陷狀態(tài)進行改變，并且相對于在用于拋光時的1升拋光溶液，優(yōu)選為0.01摩爾至1摩爾，并且更優(yōu)選為0.05摩爾至0.4摩爾。pH調(diào)節(jié)劑本發(fā)明的拋光液應(yīng)當(dāng)具有在2.5至5.0范圍內(nèi)的pH值，并且更優(yōu)選在3.0至4.5的范圍內(nèi)的pH值。通過調(diào)節(jié)拋光液的pH值在此范圍內(nèi)，可以更顯著地調(diào)節(jié)夾層絕緣膜的拋光速率。為了將pH值調(diào)節(jié)在上述所需范圍內(nèi)，可以使用堿/酸或緩沖劑。當(dāng)pH值在上述范圍內(nèi)時，本發(fā)明的拋光液可以達(dá)到優(yōu)良的效果。堿/酸或緩沖劑的實例可以優(yōu)選包括氨；有機氫氧化銨，比如氫氧化銨和氫氧化四甲銨；非金屬堿性試劑，比如，烷醇胺如二乙醇胺、三乙醇胺和三異丙醇胺；堿金屬氫氧化物，如氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋰；無機酸，比如硝酸、硫酸和磷酸；碳酸鹽，碳酸鈉；磷酸鹽，比如磷酸三鈉；硼酸鹽；四硼酸鹽；羥基苯甲酸鹽等。這些中，特別優(yōu)選氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鋰和氫氧化四甲銨。堿/酸或緩沖劑的添加量可以被確定為保持pH值在所需范圍內(nèi)的任意量，并且相對于用于拋光時的1升拋光液，優(yōu)選為0.0001摩爾至1.0摩爾，并且更優(yōu)選為0.003摩爾至0.5摩爾。螯合劑為了降低結(jié)合在其中的多價金屬離子等的不利影響，必要時，本發(fā)明的拋光液可以優(yōu)選包含螯合劑(即，軟水劑)。螯合劑的實例可以包括用作鈣或鎂沉淀抑制劑的通用軟水劑或其類似化合物，例如，氨三乙酸；二亞乙基三胺五乙酸；亞乙基二胺四乙酸；N，N，N-三亞甲基膦酸；亞乙基二胺-N,N，N，，N，-四亞甲基磺酸；反式-環(huán)己烷二胺四乙酸；1，2-二氨基丙烷四乙酸；乙二醇醚二胺四乙酸；亞乙基二胺鄰羥基苯基乙酸；亞乙基二胺琥珀酸(SS);N-(2-羧酸酯乙基)-L-天冬氨酸；卩-丙氨酸二乙酸；2-膦?；≯?l,2,4-三羧酸、l-羥基亞乙基-l,l-二膦酸；N,N，-雙(2-羥基芐基)亞乙基二胺-N,N，-二乙酸；和1,2-二羥基苯-4，6-二磺酸等。必要時，可以將兩種以上的螯合劑組合使用。所添加的螯合劑量可以確定為任意量，只要它足以捕獲金屬離子比如多價金屬離子即可，并且相對于用于拋光時的每1升拋光液，可以為例如0.0003摩爾至0.07摩爾。典型地，本發(fā)明的拋光液適合于拋光由用于防止銅擴散的阻擋層金屬材料構(gòu)成的阻擋層，所述阻擋層放置在由銅金屬和/或銅合金構(gòu)成的布線和夾層絕緣膜之間。阻擋層金屬材料典型地，優(yōu)選低電阻金屬材料作為構(gòu)成作為本發(fā)明拋光液的拋光物體的阻擋層的材料，并且其優(yōu)選實例包括Ta、Tan、Ti、TiN、Ru、CuMn、Mn02、WN、W和Co。這些中，尤其優(yōu)選Ta和TaN。夾層絕緣膜作為用于本發(fā)明的拋光液的拋光物體的夾層絕緣膜(絕緣層)，除通常使用的夾層絕緣膜比如TEOS之外，還例舉的有包含低介電常數(shù)材料，例如，介電常數(shù)為約3.5至2.0的材料的夾層絕緣膜(比如通常被稱作低-k膜的有機聚合物基膜、SiOC基膜和SiOF基膜)。具體地，用于形成具有低介電常數(shù)的夾層絕緣膜的材料的實例包括在SiOC基膜中，HSG-R7(商品名，由日立化學(xué)股份有限公司(HitachiChemicalCo.,Ltd.)生產(chǎn))禾卩BLACKDIAMOND(商品名，由應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)生產(chǎn))。這種低k膜通常位于TEOS絕緣膜下面，并且在TEOS絕緣膜上面，形成阻擋層和金屬布線。本發(fā)明的拋光液能夠適合地拋光阻擋層，當(dāng)將它應(yīng)用到具有低k膜和TEOS絕緣膜的層壓結(jié)構(gòu)的襯底上時，能夠以高速拋光TEOS絕緣膜，并且在暴露低k膜時的時間點，能夠抑制拋光速率，從而實現(xiàn)表面平滑度優(yōu)異并且抑制擦傷發(fā)生的拋光。用于布線的材料本發(fā)明中的被拋光表面優(yōu)選具有含有銅金屬和/或銅合金的布線，例如，應(yīng)用到半導(dǎo)體器件例如LSI芯片上的布線。特別是，優(yōu)選銅合金作為用于這種布線的原料。而且，在這些中，優(yōu)選包含銀的銅合金。而且，包含在銅合金中的銀的量優(yōu)選不大于40質(zhì)量％，更優(yōu)選不大于10質(zhì)量％，還更優(yōu)選不大于1質(zhì)量％，并且以在0.00001至0.1質(zhì)量％的范圍內(nèi)的量可以實現(xiàn)最優(yōu)良的效果。布線的厚度當(dāng)本發(fā)明中的拋光物體被應(yīng)用于DRAM型器件時，布線按半間距(halfpitch)計的厚度優(yōu)選為不大于0.15pm，更優(yōu)選為不大于0.10^m，并且還更優(yōu)選為不大于0.08pm。另一方面，當(dāng)拋光物體被應(yīng)用于MPU型器件時，布線的厚度優(yōu)選為不大于0.12pm，更優(yōu)選為不大于0.09|im，并且還更優(yōu)選為不大于0.07|im。本發(fā)明的上述拋光液對具有這種類型的布線的表面表現(xiàn)出特別優(yōu)良的效果。拋光方法本發(fā)明的拋光液可以為(1)濃縮溶液形式，當(dāng)使用時通過加入水或水溶液進行稀釋；(2)是通過將分別含有拋光液組分的水溶液如下面所述那樣混合，并且必要時加入水進行稀釋而制備的；或(3)可以原樣使用的液體形式。上述拋光液(1)至(3)中任一種都可以被應(yīng)用于使用本發(fā)明拋光液的拋光方法中。這種拋光方法是這樣的方法，其中將拋光液供給到放置在拋光臺板上的拋光墊上，使拋光墊與被拋光表面接觸，并且將被拋光表面和拋光墊設(shè)置為相對運動。作為在拋光中使用的裝置，可以使用具有用于保持具有被拋光表面的物體(例如，形成有導(dǎo)體材料膜的晶片)的支架以及其上附著有拋光墊的拋光臺板(裝備有速度可變的電動機等)的常規(guī)拋光裝置。作為拋光墊，可以沒有特別限制地使用通常的無紡織物、聚氨酯泡沫、多孔氟碳樹脂等。拋光臺板的旋轉(zhuǎn)速度沒有任何方式的限制，但是優(yōu)選低至200rpm以下，以便被拋光的物體不偏離臺板。而且，從拋光墊到具有被拋光表面(被拋光膜)的物體的接觸壓力優(yōu)選為0.68至34.5kPa，并且更優(yōu)選為3.40至20.7kPa，以滿足襯底的面內(nèi)均勻性和圖案平面度。在拋光過程中，通過泵等將拋光液連續(xù)地供給到拋光墊上。一旦襯底完成拋光，則用流動水徹底洗滌，然后通過用旋轉(zhuǎn)式脫水機等將在拋光襯底上的水滴移除進行干燥。當(dāng)如在上述方法(l)中所述，拋光液的濃縮液被稀釋時，則可以使用下面所示的水溶液稀釋濃縮溶液。水溶液是其中預(yù)先包含有氧化劑、有機酸、添加劑和表面活性劑中的至少一種組分的水，使得在該水溶液中和在濃縮　液中組分的總量等于所得到的在用于拋光時的拋光液(使用的液體)中的組分總量。因此，當(dāng)使用通過稀釋濃縮溶液制備拋光液的方法時，可以隨后以水溶液形式加入不容易溶解的組分。因此，可以制備具有甚至更高濃縮度的濃縮液。而且，作為通過加入水或水溶液稀釋濃縮溶液的方法，還可以使用的方法是將用于供給濃縮的拋光液的管和用于供給水或水溶液的管在中途匯合在一起，由此將作為已經(jīng)混合且稀釋的拋光液的液體供給到拋光墊上。濃縮溶液和水或水溶液的混合可以通過常規(guī)使用的方法進行，例如通過在施加壓力的同時使液體通過窄通道而使液體碰撞混合的方法；其中將填料比如玻璃管填充在管內(nèi)，并且重復(fù)進行液體流的分流/分離和會聚的方法；以及，在管內(nèi)安置被強迫旋轉(zhuǎn)的葉片的方法。為了滿足被拋光表面的面內(nèi)均勻性和圖案平面度，拋光液的供給速率優(yōu)選為10至1000毫升/分鐘，并且更優(yōu)選為170至800毫升/分鐘。而且，作為在持續(xù)用水或水溶液稀釋濃縮溶液的同時進行拋光的方法，存在的方法是分別安置供給拋光液的管和供給水或水溶液的管，從相應(yīng)的管將預(yù)定量的液體和水或水溶液供給到拋光墊上，并且通過拋光墊和被拋光表面之間的相對運動，在將液體和水或水溶液混合的同時進行拋光。此外，還可以使用的拋光方法是將預(yù)定量的濃縮液和水或水溶液在單個容器中混合，然后將該混合液供給到拋光墊上。而且，還可以使用的拋光方法是將拋光液中必需包含的組分分成至少兩種構(gòu)成組分，并且使用時，通過添加水或水溶液將構(gòu)成組分稀釋，并且供給到放置在拋光臺板的表面上的拋光墊上，然后與被拋光表面接觸，由此通過被拋光表面和拋光墊的相對移動進行拋光。例如，可以以這樣的方式將組分分開:將氧化劑作為構(gòu)成組分(A)提供，而將有機酸、添加劑、表面活性劑和水作為構(gòu)成組分(B)提供，并且在使用時，用水或水溶液稀釋構(gòu)成組分(A)和(B)。備選地，溶解度低的添加劑可以以這樣的方式將其分離以包含在兩種構(gòu)成組分(A)和(B)的任一種中例如，將氧化劑、添加劑和表面活性劑作為構(gòu)成組分(A)提供，而將有機酸、添加劑、表面活性劑和水作為構(gòu)成組分(B)提供，并且在使用時，用水或水溶液稀釋構(gòu)成組分(A)和(B)。在上述實例的這些情況下，需要三根管，以分別供應(yīng)構(gòu)成組分(A)、構(gòu)成組分(B)和水或水溶液。通過將三根管匯合形成單管，由該單管將拋光液供給到拋光墊上，并且在該管內(nèi)進行混合的方法，可以進行稀釋和混合。在這種情況下，還可以將兩根管首先匯合，然后接著將最后一根管匯合。具體地，該方法是這樣的將含有溶解度低的添加劑的構(gòu)成組分和其它構(gòu)成組分首先混合，并且在將該混合物通過長距離以保證添加劑有足夠時間溶解之后，在將最后一根管匯合在一起的位置處供應(yīng)給水或水溶液。其它混合方法包括分別將三根管直接通向拋光墊，并且在拋光墊和被拋光表面相對移動的同時進行混合的方法；將三種構(gòu)成組分在單個容器中混合，并且將稀釋的拋光液供給到拋光墊上的方法；等。在上述拋光方法中，可以調(diào)節(jié)構(gòu)成組分的溫度，使得含有氧化劑的構(gòu)成組分的溫度不超過40°C，而其它構(gòu)成組分被加熱到范圍在從室溫到100°C的溫度，并且在將那些構(gòu)成組分混合或添加水或水溶液進行稀釋時，所得溶液具有不超過40°C的溫度。這種方法對于利用溶解度通過其溫度升高而增加的現(xiàn)象來提高溶解度低的原料在拋光液中的溶解度是有效的。通過將其它構(gòu)成組分加熱到范圍從室溫到100°C的溫度而溶解的原料隨著溫度的降低而沉淀在溶液中。因此，當(dāng)在低溫狀態(tài)使用一種或多種其它構(gòu)成組分時，必須進行沉淀組分的預(yù)加熱。通過應(yīng)用以下的方法可以實現(xiàn)上述加熱輸送已經(jīng)被加熱以溶解原料的一種或多種其它構(gòu)成組分的方法；或?qū)⒑谐恋聿牧系囊后w攪拌并輸送，同時將管加熱以溶解該材料的方法。如果加熱的一種或多種其它構(gòu)成組分使一種或多種含氧化劑的構(gòu)成組分的溫度升高到高達(dá)40°C以上，則氧化劑可能分解。因此，所述一種或多種含有氧化劑的構(gòu)成組分和一種或多種其它構(gòu)成組分的混合物的溫度優(yōu)選為40。C以下。如上所述，在本發(fā)明中，可以將拋光液的組分分成至少兩種組分，并且供給到被拋光的表面上。在這種情況下，優(yōu)選的是將組分分成含有有機酸的組分和含有氧化物的組分。而且，還可以將濃縮溶液作為拋光液提供，并且將稀釋用水分開供給到被拋光表面上。在本發(fā)明中，在使用將拋光液分成至少兩組組分并且供給到被拋光表面上的方法的情況下，其供給量指的是從每個管中供給的量之和。墊作為可以在本發(fā)明的拋光方法中使用的用于拋光的拋光墊，可以使用非泡沫結(jié)構(gòu)墊或泡沬結(jié)構(gòu)墊。前者使用硬質(zhì)合成樹脂塊狀材料，比如塑料板，以形成墊。后者還包括三種類型的墊獨立泡沫(干泡沫型)、連續(xù)泡沫(濕泡沫型)或兩層復(fù)合體(層壓型)。尤其是，優(yōu)選兩層泡沫復(fù)合體。發(fā)泡可以是均勻或非均勻的。而且，墊可以包括在拋光中常規(guī)使用的磨料粒(例如，由二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁、樹脂等構(gòu)成的那些)。而且，墊的硬度可以是硬或軟。在層壓型中，優(yōu)選的是各個相應(yīng)的層具有不同的硬度。作為優(yōu)選的材料，可以例舉的有無紡織物、人造革、聚酰胺、聚氨酯、聚酯、聚碳酸酯等。而且，在與被拋光表面接觸的墊表面上，可以形成格狀凹槽、？L、同心凹槽、螺旋凹槽等。曰作為采用本發(fā)明拋光液的CMP處理中進行拋光的物體優(yōu)選為不小于200mm，并且特別地，優(yōu)選為不小于300mm不小于300mm時，本發(fā)明的效果可以得到顯著體現(xiàn)。拋光裝置在拋光處理中采用本發(fā)明的拋光液的裝置沒有任何方式的特別限制，并且可以包括MirraMesaCMP、ReflexionCMP(商品名，由應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials,Inc)生產(chǎn))、FREX200和FREX300(商品名，由伊巴拉公司(EbaraCorporation)生產(chǎn))、NPS3301和NPS2301(商品名，由尼康公司(NikonCorporation)生產(chǎn))、A-FP-310A和A-FP-210A(商品名，由東京塞密特蘇股份有限公司(TokyoSeimitsu,Co,，Ltd,)生產(chǎn))、2300TERES(商品名，由蘭姆研究股份有限公司(LamResearch,Co.,Ltd.)生產(chǎn))、Momentum(商品名，由斯必得范姆-IPEC公司(SpeedFam-IPEC,Inc.)生產(chǎn))等。，晶片的直徑。當(dāng)該直徑為實施例下文中，本發(fā)明將參考下列實施例進行更詳細(xì)說明。然而，本發(fā)明并不具體限于這些實施例。[實施例1]制備具有下面所示的組成的拋光液，并且進行拋光試驗。<組成(1)>-(A)季銨陽離子Al0.2g/L-(B)腐蝕抑制劑苯并三唑(BTA)0.5g/L-(C)在末端具有磺基的聚合物化合物P-l0.1g/L-(D)無機粒子膠體二氧化硅C-l200g/L(次級粒子直徑45nm，商品名PL3SLURRY,由扶桑化學(xué)工業(yè)社(FusoKagakuK.K.)生產(chǎn))-(E)有機酸具有羧基的化合物B-llg/L(由和光純化學(xué)工業(yè)株式會社(WakoPureChemicalIndustriesLtd.)生產(chǎn))-氧化劑過氧化氫10mL-包括純水的總量1000mLpH(通過使用氨水和硝酸調(diào)節(jié))3.5(評價方法)作為拋光裝置，使用由拉波馬斯特股份有限公司(LapMasterCo.,Ltd.)生產(chǎn)的裝置(商品名LGP-412),并且在下列條件下，在供給漿液的同時，將下面示出的各個晶片膜進行拋光-工作臺轉(zhuǎn)數(shù)90rpm;-機頭轉(zhuǎn)數(shù)85rpm;-拋光壓力13.79kPa;畫拋光墊POLYTEXPAD(商品名，由Rodel/Nitta株式會社(Rodel/NittaK.K.)生產(chǎn))；-拋光液供給速率200毫升/分鐘(拋光速率評價被拋光物體)作為被拋光物體，使用通過將SiOC膜(商品名BLACKDIAMOND，由應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)生產(chǎn))、TEOS膜、Ta膜和銅膜以此順序形成在Si襯底上獲得的8英寸晶片。(擦傷評價被拋光物體)作為被拋光物體，使用8英寸晶片，其中通過光刻步驟和反應(yīng)性離子蝕刻步驟將通過CVD方法形成的低k膜和TEOS膜形成圖案，以形成寬度為0.09pm至100pm并且深度為400nm的布線用凹槽和通孔，隨后通過濺射法形成厚度為20nm的Ta膜，進一步通過濺射法形成厚度為50nm的銅膜，并且還進一步通過電鍍法形成總厚度為lOOOnm的銅膜。<拋光速率>通過在拋光之前和之后分別測量TEOS膜(絕緣膜)的膜厚度和SiOC膜(低k膜)的膜厚度，并且由下式計算，獲得拋光速率。結(jié)果顯示在表1中。拋光速率(A/min)=(拋光之前的膜厚度-拋光之后的膜厚度)/(拋光時間)<擦傷評價>對于用于評價擦傷的晶片(被拋光物體)，在將TEOS層拋光之后，隨后對SiOC膜拋光(拋光20nm的SiOC膜)，將拋光表面用純水洗滌并干燥。然后通過使用光學(xué)顯微鏡觀察干燥的拋光表面，并且基于下面所示的評價標(biāo)準(zhǔn)評價擦傷。這里，將標(biāo)準(zhǔn)A和B認(rèn)為實際上可接受的水平。獲得的結(jié)果顯示在表1中。-評價標(biāo)準(zhǔn)-A:沒有觀察到有問題的擦傷。B:在晶片表面中，觀察到1至2個有問題的擦傷。C:在晶片表面中，觀察到許多有問題的擦傷。[實施例2至44和比較例1至3]通過使用通過用在下表1至5中所示的組成代替實施例1中的組成(l)制備的拋光液，在與實施例1中的拋光條件相同的拋光條件下進行實施例2至44和比較例1至3的拋光試驗。結(jié)果顯示于表1至5中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>在表中描述的(A)季銨陽離子(在表中稱為"季鹽")和在末端具有磺基的聚合物化合物(在表中簡稱為"聚合物化合物")表示在上面所述的示例性化合物。而且，下面顯示在實施例中縮寫的化合物的詳情。BTA:1,2,3-苯并三唑DBTA:5，4-二甲基-1，2,3-苯并三唑DCEBTA:l-(l,2-二羧基乙基)苯并三唑HEABTA:l-[N,N-雙(羥基乙基)氨基甲基]苯并三唑HMBTA:l-(羥基甲基)苯并三唑-有機酸-在下表中顯示了具有羧基并且用作有機酸的化合物B-l至B-5的化合物名稱。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>在下表中顯示了用作無機粒子的膠體二氧化硅C-1至C-5的形狀和初級平均粒子直徑。在下表中描述的膠體二氧化硅全部由扶?；瘜W(xué)工業(yè)社(FusoKagakuK.K.)生產(chǎn)。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>根據(jù)上面所示的結(jié)果，明顯的是與比較例的那些相比，當(dāng)使用實施例的拋光液時，在拋光TEOS時的拋光速率更高，抑制了在拋光SiOC絕緣膜(低k膜)時的拋光速率，并且擦傷防止性能(擦傷性)是優(yōu)良的。此外，明顯的是在比較例的拋光液中，在拋光TEOS時的拋光速率，在拋光SiOC絕緣膜時的拋光速率的抑制能力，以及擦傷防止性能，與實施例的拋光液相比全部是差的。從上面，明顯的是實施例的拋光液具有優(yōu)異的TEOS拋光速率、在抑制拋光SiOC絕緣膜(低k膜)時的拋光速率方面是有效的，并且具有優(yōu)異的擦傷防止性。根據(jù)本發(fā)明，提供一種拋光液，所述拋光液含有固體磨料粒，并且在制造半導(dǎo)體集成電路時的平整步驟中用于化學(xué)機械拋光。通過使用拋光液，當(dāng)使用其中具有層壓普通的TEOS絕緣膜和低電介質(zhì)常數(shù)低k膜的絕緣膜的襯底時，可以在拋光TEOS絕緣膜時獲得優(yōu)異的拋光速率，并且即使在使用強度低的絕緣膜，如低k膜時，也可以有效地抑制在拋光低k膜時的拋光速率以及由固體磨料粒的聚集所導(dǎo)致的擦傷的出現(xiàn)。下面，將描述本發(fā)明的示例性實施方案。然而，本發(fā)明不限于此。<1>一種用于拋光半導(dǎo)體集成電路的阻擋層的拋光液，所述拋光液包含季銨陽離子；腐蝕抑制劑；在末端具有磺基的聚合物化合物；無機粒子；和有機酸，其中所述拋光液的PH值在1至7的范圍內(nèi)。<2><1>所述的拋光液，其中所述季銨陽離子是由以下式(1)或式(2)表示的陽離子，R4—"2式(l)在式(1)和式(2)中，W至W各自獨立地表示含有1至20個碳原子的烷基、鏈烯基、環(huán)烷基、芳基或芳垸基；W至RS中的兩個可以彼此結(jié)合以形成環(huán)結(jié)構(gòu)；并且X表示含有1至IO個碳原子的亞烷基、亞鏈烯基、亞環(huán)垸基、亞芳基，或通過將這些基團中的至少兩個組合而獲得的基團。<3><1>或<2>所述的拋光液，其中所述聚合物化合物為含有苯環(huán)的聚合物化合物。<4><1>至<3>中任一項所述的拋光液，其中所述無機粒子選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈰粒子、氧化鋯粒子、二氧化鈦粒子和其兩種以上的組合。<5><1>至<4>中任一項所述的拋光液，其中相對于所述拋光液的總量，所述無機粒子的濃度為0.5至15質(zhì)量％。<6><1>至<5>中任一項所述的拋光液，其中所述被拋光的阻擋層包含選自Ta、TaN、Ti、TiN、Ru、CuMn、Mn02、WN、W和Co中的至少一種材料。在本說明書中提及的所有出版物、專利申請和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)通過引用結(jié)合在此，其程度如同具體地且單獨地說明每一份單獨的出版物、專利申請或技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)而通過引用結(jié)合一樣。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>權(quán)利要求1.一種用于拋光半導(dǎo)體集成電路的阻擋層的拋光液，所述拋光液包含季銨陽離子；腐蝕抑制劑；在末端具有磺基的聚合物化合物；無機粒子；和有機酸；其中所述拋光液的pH值在1至7的范圍內(nèi)。2.權(quán)利要求l所述的拋光液，其中所述季銨陽離子是由以下的式(l)或式(2)表示的陽離子<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(l)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(2)其中，在式(1)和式(2)中，R'至RS各自獨立地表示含有1至20個碳原子的烷基、鏈烯基、環(huán)烷基、芳基或芳垸基；W至W中的兩個可以彼此結(jié)合以形成環(huán)結(jié)構(gòu)；并且X表示含有1至10個碳原子的亞烷基、亞鏈烯基、亞環(huán)烷基、亞芳基，或通過將這些基團中的至少兩個組合而獲得的基團。3.權(quán)利要求1所述的拋光液，其中所述聚合物化合物為含有苯環(huán)的聚合物化合物。4.權(quán)利要求l所述的拋光液，其中所述無機粒子選自二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈰粒子、氧化鋯粒子、二氧化鈦粒子和其兩種以上的組合。5.權(quán)利要求1所述的拋光液，其中相對于所述拋光液的總量，所述無機粒子的濃度為0.5至15質(zhì)量％。6.權(quán)利要求1所述的拋光液，其中將被拋光的所述阻擋層包含選自Ta、TaN、Ti、TiN、Ru、CuMn、Mn02、WN、W和Co中的至少一種材料。全文摘要一種用于拋光半導(dǎo)體集成電路的阻擋層的拋光液，所述拋光液包含季銨陽離子；腐蝕抑制劑；在末端具有磺基的聚合物化合物；無機粒子；和有機酸，所述拋光液的pH值在1至7的范圍內(nèi)。文檔編號B24B37/00GK101397481SQ20081014912公開日2009年4月1日申請日期2008年9月12日優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日發(fā)明者上村哲也,齋江俊之申請人:富士膠片株式會社