專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置及反應容器，尤其是半導體器件制造過 程中使用的基板(襯底)處理裝置，與在反應室內處理基板的基板處 理裝置及反應容器有關，與給基板提供氣體的氣體導入部的改進更為 密切。
背景技術：
下面參照圖14，以直立式基板處理裝置為例，筒要介紹采用CVD (化學氣相沉積)法或ALD (單原子層沉積)法處理基板時的現(xiàn)用技 術。
圖14是與現(xiàn)用技術有關的直立式基板處理裝置中的反應室的反
應管內的模式性剖面圖。
反應管106內部的結構為作為處理對象的基板(村底)，插入 以多層重狀態(tài)承載晶片107的舟108，此外，作為用于工藝處理反應 管106內的晶片107的氣體導入部，設置了氣咀101。
通過在氣咀101上設置多個氣咀孔103 (圖14中示出5個)，使 用于處理的氣體由氣體輸入口 105進入，沿氣咀101內前進，從氣咀 孔103提供給各晶片107。
提供給各晶片107的氣體對各晶片107實施形成所希望的膜層的 工藝處理之后，由排氣口 118排出反應管106外。然而，當i殳置在氣咀101上的各個氣咀孔103的開口面積全部相 同時，由各氣咀孔103提供給各晶片107的氣體流量及流速存在著由 靠近氣體輸入口 105的上游一側到遠離的下游一側逐漸減少的問題。
也就是說，正如圖14所示，在統(tǒng)一工藝處理多個晶片107的裝置 之中，從給每片晶片提供氣體的觀點來看，表面上看起來氣咀101給 每片晶片101提供了均勻的氣體，其實氣體流量及流速均發(fā)生了差異， 并未給所有的晶片107提供相同的條件。
例如當把設置在氣咀101上的5個氣咀孔103，由靠近氣咀101 的輸入口 105的上游，朝遠離的下游，分別設定為第1氣咀孔、第2 氣咀孔、...第5氣咀孔，把各氣咀孔103提供的氣體流量設定為ql、 q2、…q5時，出現(xiàn)了 ql > q2 > q3 > q4 > q5的十青況。
此外，氣體的流速也出現(xiàn)了由第1氣咀孔103提供的氣體最快， 而往下第2氣咀孔、第3氣咀孔、…逐步變慢。
其結果是提供給各晶片107的氣體的流量及流速均出現(xiàn)了不均勻。
這樣一來，在倍受氣體提供量左右的晶片的工藝處理之中，在承 載的各晶片107上形成的膜必然會出現(xiàn)不均勻。
再回到圖14，考察該氣體的提供量不均勻的原因。 在處于給晶片107提供氣體狀態(tài)的氣咀101內，將輸入口 ？M華， 第1氣咀孔103間的氣體流量設定為q00,將氣體的壓力設定為p0。 接著將笫1與笫2氣咀孔103間的氣體流量設定為q01、將氣體壓力 設定為pl。下面與此相同，將第n-l與第n個氣咀孔103間的氣體 流量設定為q0 ( n - 1)，將氣體壓力設定為p ( n-l)。 另外，將第n氣咀孔103噴出的氣體流量i史定為qn。 此時，由i殳置在從氣咀101的上游到整個下游的開口面積相同的 多個氣咀孔103中噴出的氣體流量qn(n=l、 2、…)正如式1所示從上 游的氣咀孔到下游的氣咀孔逐漸減少。
ql>q2>".>qn-l>qn (1) 這是因為在氣咀101內由上游到下游流動的氣體是在其氣體流量q0 (n-l)通過氣咀孔103時減少了從該氣咀孔103噴出的氣體流量 qn之后流向下一個氣咀孔的，所以流過該氣咀孔103后的氣體流量 q0n則如式2所示，隨著從上游到下游方向逐步減少。
qOn=qO(n-l)-qii (2) 此時氣咀IOI內的流動氣體的氣體密度從上游到下游，逐漸減少 由氣咀孔中噴出的氣體流量部分。由于氣體的密度與氣體壓力密切相 關，所以與氣咀孔103相對應的氣咀101內的部位的氣體壓力pn也 如式(3)所示，從上游到下游逐漸下降。
Pl>p2>...〉pn-l〉pn (3) 因此，從各氣咀孔103噴出的氣體流量qn并不相等。此外，若將 氣咀孔103的開口面積i殳定為S，則從氣咀孔中噴出的氣體流速V可 用式(4)所示。由于從各氣咀孔中噴射出的
V=gn/S ( 4 )
氣體流量qn并不相等，所以若噴咀孔的開口面積相同，則從各氣 咀孔103中噴射的氣體的流速也不同。因此由于在上述的現(xiàn)用的氣咀 101之中，從各氣咀孔103噴射出的氣體的氣體流量及氣體流速均不 同，因而無法給承栽的各晶片提供均勻的氣體。 對于上述問題，有兩種先驅性的解決辦法。
第1種解決辦法是從上游到下游逐步擴大氣咀孔103的開口面積， 用擴大開口面積的辦法增加下游逐漸減少的氣體流量。然而即便通過 擴大開口面積能使氣體流量相等，正如式(4)所示，隨著開口面積的 擴大，流速會變得不同。因此各從氣咀孔103中噴出的氣體依然無法 消除氣體流速的不均勻。
第2種解決辦法是將氣咀自身制造成可忽視噴出量的容納大量氣 體的大容量氣咀，使從各氣咀孔103中噴出的氣體流量相等，以便實 現(xiàn)即便從上游到下游由氣咀孔103中噴射出氣體，與各氣咀孔對應部 位的氣p且IOI內的氣體壓力也不發(fā)生變化。然而由于要受容納氣咀的 反應室內的容積的限制，而把氣咀自身的容量增加到氣咀IOI內的氣 體壓力不受氣體噴出量影響的程度并不現(xiàn)實。而且上述問題并不局限于晶片而是廣泛適用于所有基板。

發(fā)明內容
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種從與上述的結構完全不同的視 角出發(fā)，通過均勻提供氣體，即可實現(xiàn)基板間的處理的均勻性的基板 處理裝置。
依據本發(fā)明的第1種方式所提供的基板處理裝置，其特征在于 該基板處理裝置包括收容多層配置的基板的反應室、氣體導入部、 以及緩沖室；上述氣體導入部沿上述基板的多層配置方向設置，將用 于處理基板的氣體輸入上述緩沖室；上述緩沖室具有沿上述基板的多 層配置方向設置的多個供氣口 ，將從上述氣體導入部輸入的上述用于 處理基板的氣體由上述多個供氣口提供上述反應室。
由于具有該構成，本發(fā)明涉及的基板處理裝置可使由上述氣體導 入部提供的流速不均勻的氣體在上述緩沖室內變均勻，從而可對基板 提供均勻的氣體。
設置在上述緩沖室中的多個供氣口的開口面積最好相等。
通過設置具有相同開口面積的供氣口，可使提供給基板的氣體更 為均勻。
最好在上述緩沖室內設置用于產生等離子的電極。 通過采用在緩沖室內設置產生等離子的電極的結構，可在靠近基 板的位置上而且以均勻的壓力狀態(tài)靠等離子生成活性種，從而能給基 板均勻提供更多的活性種。
依據本發(fā)明的第2種實施方式所提供的基板處理裝置，基特征在 于該基板處理裝置包括收容多層配置的基板的反應室、多個緩沖 室、將用于處理基板的氣體分別輸入上述多個緩沖室的多個氣體導入 部；上述多個緩沖室具有沿上述基板的多層配置方向設置的多個供氣
上述多個供氣口分別提供給上述反應室。
依據本發(fā)明的第3種實施方式所提供的反應容器，其特征在于該反應容器包括收容多層配置的基板的反應室、多個緩沖室、將用 于處理基板的氣體分別輸入上述多個緩沖室的多個氣體導入部；上述 多個緩沖室分別具有沿上述基板的多層配置方向設置的多個供氣口，
多個供氣口分別提供給i述反應室。' A '
依據本發(fā)明的第4種實施方式所提供的反應容器，其特征在于 該反應容器包括收容多層配置的基板的反應室、氣體導入部、緩沖 室；上述緩沖室具有沿上述基板的多層配置方向設置的多個供氣口 ，
口提供給上述反應室。
本發(fā)明的上述以及其余目的，特征及優(yōu)點想必通過附圖以及下面 的詳細的說明能夠更為了解。


圖l是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管內
部的模型剖面圖。
圖2A是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管
模型剖面圖。
圖2B是沿圖2A的aa，線的縱剖面圖。
圖3A是本發(fā)明的笫1實施方式所涉及的氣咀斜視圖。
圖3B是本發(fā)明的笫1實施方式所涉及的緩沖室的斜視圖。
圖4是本發(fā)明的實施方式所涉及的直立式基板處理裝置的簡要構成圖。
圖5A示出本發(fā)明的第2實施方式所涉及的基板處理裝置的反應 管的外觀，圖5B示出本發(fā)明的第2實施方式所涉及的基板處理裝置 的反應管簡要縱剖面，圖5C示出本發(fā)明的第2實施方式所涉及的基 板處理裝置的反應管的部分切割后的簡要縱剖面。
圖6是沿圖5A的A-A線的橫剖面。
圖7是本發(fā)明的第3實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的橫剖面。
圖8是本發(fā)明的第4實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 橫剖面。
圖9是本發(fā)明的第5實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 橫剖面。
圖10是本發(fā)明的第6實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 局部橫剖面。
圖11是本發(fā)明的第7實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 局部橫剖面。
圖12是本發(fā)明的第8實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 局部橫剖面。
圖13是本發(fā)明的第9實施方式所涉及的基板處理裝置的反應管的 橫剖面。
圖14是現(xiàn)用技術所涉及的基板處理反應管內部的模型剖面。
具體實施例方式
首先邊比較本發(fā)明的實施方式中采用的兩種基板工藝處理方式-CVD法與ALD法，邊簡要介紹二者的成膜處理。
CVD法(化學氣相沉積)是一種在某種成膜條件(溫度、時間等) 下，將用于成膜的l種(或l種以上)的原料氣體混合之后提供給基 板，采用氣相反應和表面反應或僅用表面反應的方法使之沉積在基板 上，發(fā)生反應之后成膜的方法。
ALD法(單原子層沉積)是一種在某種成膜條件(溫度、時間等) 下，將用于成膜的兩種(或兩種以上)的原料氣體每次一種交替提供 給基板，使之按l個原子層單位沉積，利用表面反應成膜的方法。
也就是說，當利用的化學反應是SiN (氮化硅)成膜的情況下的 ALD時，使用DCS ( 二氯硅烷)和NH3 (氨)，可在300 ~ 600。C的 低溫下形成高品質的膜。與之相對應，采用CVD法時，成膜溫度相 對要高，通常都在600~800。C。此外，從供氣角度而言，采用ALD法時每次只供應一種氣體，交替供應多種氣體(不同時供應)，而與
之相對應的CVD法則是同時供應多種氣體。而且關于膜層厚度的控 制，ALD法是用反應性氣體的供給周期來控制的。(例如若設成膜速 度為lA/周期，則需要形成20A的膜厚時，可重復處理20個周期。與 之相對應的CVD法則與此不同，是通過控制時間來實現(xiàn)的。
在此參照圖1~圖13說明本發(fā)明的實施方式。
在圖1~圖13之中共同的部分用相同標號標示。
首先用圖4簡要介紹本發(fā)明的各種實施方式所涉及的直立式基板 處理裝置的基本構成。
圖4示出直立式基板處理裝置的外觀。由圖可知，該裝置將多個 片處理用基板-直徑200mm的晶片承栽于反應室-石英制的反應管 內，采用CVD法或其中的ALD法工藝處理成膜。
直立式基板處理裝置具有主體60以及給主體提供電力等的供應 部61。
在主體60內部，設置了對晶片實施工藝處理的直立式反應室 -反 應管6，以及適當加熱該反應管6的加熱器16。而且在反應管6的下 方，設置了使晶片進出反應管6的舟8以及使該舟8上下活動的舟升 降機36。
此外，當需要在反應管6內生成等離子時，可在反應管6內沒哭 電極52，通過RF匹配單元53由高頻電源51給該電極52施加高頻電 力。
此外，在主體60的內部還設置了臨時保管給上述舟8提供晶片的 晶片收容盒的保管架34、以及從該保管架34給舟8提供處理前的晶 片，取出處理后的晶片的晶片轉移機38。
而在保管架34與外界收授晶片盒32的1/0載物臺33之間，由晶 片盒裝料器35負責搬運晶片盒32。
1/0載物臺33設置在裝置前面，與裝置外部收授收容晶片的晶片 盒32。
在此簡要介紹上述直立式基板處理裝置的動作。將收容了晶片的晶片盒32裝到1/0載物臺33之上。 裝在I/O載物臺33之上的晶片盒32,由晶片盒裝料器35依次運 到保管架34之上。
每個晶片盒32之中收容25片晶片。
晶片轉移機38從保管架34上取出晶片，轉移到石英舟8之上。 由于舟8可裝填100片晶片，因而上述晶片轉移機38的轉移動作要重 復若干次。
往舟8上裝填晶片的動作一結束，舟8即靠舟升降機36上升，插 入反應管6，此后氣密性保持在反應管6之內。
反應管6內的氣體由未圖示的排氣口用泵排出， 一旦達到規(guī)定的 壓力即通過未圖示的旋轉裝置使舟8施轉，并把額定流量的用于成膜 處理的氣體提供給反應管。所提供的用于處理的氣體靠未圖示的調壓 裝置保持著額定壓力。此時，反應管6內部的晶片靠加熱器16保持著 額定溫度。
象這樣在晶片上進行成膜處理的工藝流程的內容將在后文中介紹。
此外，這時采用等離子CVD法或ALD法進行成膜處理的情況下， 關于由高頻電源51經過RF匹配裝置53給電極52施加高頻電力，在 上述用于成膜的氣體之中生成等離子，并進行使該用于成膜的氣體活 化的操作內容也將在后文介紹。
成膜處理工藝一結束，晶片舟8則靠舟升降機36從反應管中下降， 經過晶片轉移機38、保管架34、晶片盒裝料器35，被送到I/0載物 臺33之上，然后再送到該裝置之外。
下面介紹采用上述直立式基板處理裝置的實施方式。 (第1實施方式)
該方式是在成膜處理工藝中使用CVD法的實施方式。 圖2A是本實施方式所涉及的直立式基板處理裝置中的反應管的 模型橫剖面，圖2B是沿圖2Aa-a，的縱剖面。
在圖2A之中，在直立式反應室-反應管6的外周設置了加熱器16，在其內部作為多個片被處理對象的基板，多層承載著晶片7。
此外，在反應管6的內壁與晶片7之間的圓弧形空間內，在反應
管6的下部到上部的內壁上，沿晶片的裝載方向，設置了緩沖室17,
在該緩沖室17與晶片7相鄰的腔壁上，設有作為供氣孔使用的緩沖室
孔3。該緩沖室孔3的開口正對著反應管6的中心。
而在該緩沖室17內與設置緩沖室孔3的一端相反方向的另一端，
仍是從反應管6的下部到上部沿晶片7的裝栽方向配置了設置在氣體
導入部的氣咀2。而且在該氣咀2上設置了多個氣咀孔4。
另外，正如圖2B所示，反應管6的外周被加熱器16所覆蓋。而
且反應管6由爐口法蘭盤25支持，爐口法蘭盤25的爐口由爐口蓋27密封。
反應管6內的中心部設置了以同一間隔分層裝栽著多個片晶片7 的舟8，該舟8設定為可通過上述舟升降機進出于反應管6。此外，為 了提高處理的均勻性，在舟8的下面設有用來旋轉舟8的旋轉裝置15。
在舟8進入反應管6內，對晶片進行成膜處理期間，分層裝栽的 各個晶片7與緩沖室17保持等距離狀態(tài)。
沿反應管6的內壁設置了緩沖室17，在緩沖室17內的反應管6 一側，自下而上配置了氣咀2，在其下部則形成氣體輸入口 5。在氣咀 2和緩沖室17之上設有上述氣咀孔和緩沖室孔，關于該孔的開口狀態(tài) 由圖3A、圖3B示出。
圖3A是圖2A~圖2C所示的氣咀的斜視圖，圖3B也一樣，是圖 2A~圖2C所示的緩沖室的斜視圖。
圖3A所示的氣咀(氣體噴嘴)2是剖面為圓形的管材，在其側面 從該氣咀2的最上部到緩沖室底部設置了由氣體的上游到下游直線性 排列的氣咀孔4，而且其開口面積從上述氣體輸入口的角度而言，從 其上游端(圖3A中為下方)到下游端(圖3A中為上方)逐漸變大。
圖3B所示的緩沖室17是剖面為圓弧形的管材，在其里側面一端， 沿晶片7的裝載方向直線性排列設置了具有相同開口面積的緩沖室孔 3。下面再回到圖2B。
在反應管6下部的一側設置了與未圖示的排氣泵連接的排氣口18。
在此參照圖2A、圖2B，就反應管6內采用CVD法往晶片7上沉 積膜層的成膜工藝加以說明。
形成成膜原料的處理氣體從氣體輸入口 5提供給氣咀2。在氣咀2 上，設置了多個上述氣咀孔4，將氣體噴入緩沖室17。然而，正如作 為前驅性解決辦法中所介紹的那樣，若僅僅控制氣咀孔4的開口面積， 很難使從多個氣咀孔4中噴出的氣體的流量與流速相同。
因此在本發(fā)明之中，通過將氣咀孔4的開口面積自上游到下游逐 步加大，使從各氣咀孔4中噴出的氣體雖然有流速方面的差別，但其 流量卻大體相同。而且并不是將該各氣咀孔4中噴出的氣體直接噴入 反應管6，而是首先噴到緩沖室17之中，使上述氣體流速方面的差異 平均化。
也就是說，在緩沖室17之中，由各氣咀孔4噴出的氣體在緩沖室 17內緩和其各氣體微粒的速度之后再由緩沖室孔3噴到反應管6內。 其間，由于從各個氣咀孔4噴出的氣體交換彼此的運動能量，因而從 各緩沖室孔3噴出時可使之成為具有均勻流量與流速的氣體。
關于在上述緩沖室17中的供氣量的均勻性，下面參照圖1進一步 加以說明。
圖1是表示本發(fā)明所涉及的直立式基板處理裝置的反應管內部的 氣咀、緩沖室、晶片相互關系的模型剖面圖。
在圖1之中，反應管6內設置了緩沖室17,在緩沖室17內配置 了氣咀2，還設置了排出反應管6內氣體的排氣口 18。
在反應管6內與緩沖室17相鄰，還設置了承載晶片7 (圖1中為 承載5片)的舟8。
在氣咀2和緩沖室17上，設置了氣咀孔4和緩沖室孔3，(圖l 為各設置5個)，氣咀孔4的開口面積，從氣體輸入口的角度而言， 從上游到下游逐漸變大。采用該構成，當把從氣咀2上靠近輸入口5的上游端到遠離輸入 口的下游端分別設定為第l孔、第2孔…第5孔，把從各氣咀孔4提 供的氣體流量設定為Q1、 Q2…Q5時，能使Q1-Q2-…Q5 。
然而，正如前驅性解決辦法中已介紹過的那樣，在氣體的流速方 面，從第l孔的氣咀孔4中噴出的氣體流速最大，而在其后的第2孑L、 第3孔則逐漸變小。
流量相同但流速不同的Q1 Q5的氣流首先被輸入緩沖室17。其 間，Q1~Q5的氣流通過彼此之間的能量互換使流速方面的差異變均 勻，因而緩沖室17內的壓力變?yōu)榛鞠嗤?br> 其結果，當把從各緩沖室孔3中噴出的氣流的流量設定為Rl、 R2…R5時，即便各緩沖室孔3的開口面積相同，但由于緩沖室17內 的壓力均勻所以在Rl = R2 = .，.R5的同時，其流速也變得相同。
此外最好把緩沖室孔3的各個開口位置設定為分別與之相鄰的晶 片7間隔相同，通過設定將氣體提供給裝栽的各晶片7間的間隔部分， 把流量與流速均已平均化的氣體高效提供給晶片7。
通過把流量與流速均已平均化的氣體高效提供給晶片7，除了能 使各晶片7間的成膜狀態(tài)變得更為均勻之外，還可大幅度提高晶片 7的工藝處理速度。
在上述介紹之中以CVD為例記述了氣咀、緩沖室的構成，然而 該結構同樣適用于ALD法。 (第2實施方式)
該方式是在成膜處理工藝中使用了 ALD法的實施方式。
下面就采用ALD法成膜的實施方式加以具體it明。
當采用ALD法在晶片7上成膜時，也可使用上述直立式的基板處
理裝置。但在采用ALD的情況下，當要求采用等離子等使處理氣體
活化時，需要在該過程中增加必要的裝置及操作。
下面用圖5A、 5B、 5C以及圖6說明用ALD法成膜的情況。
圖5A、 5B、 5C是從不同側面展示在采用ALD法成膜時使用的，
本發(fā)明所涉及的直立式基板處理裝置中的反應室-反應管的外觀及內部的圖，圖6則是其A-A橫剖面。
在圖5A、 5B、 5C之中，圖5A示出反應室的外觀，圖5B、圖5C 示出反應室的縱剖面，加熱器、晶片、舟、反應管和爐口法蘭盤的接 合部、舟旋轉裝置則省略。
在圖6之中，反應管的外周設置了加熱器16，在其內側，作為多 個片處理對象的基板，多層承載著晶片7。在反應管6的內壁和晶片7 之間的圓弧形空間內靠反應管內壁一側，沿晶片7的裝栽方向設置了 緩沖室17，在與晶片相鄰一側的壁面上設置了緩沖室孔3。
此外，在反應管6的下部設有排氣口 18。
在圖2A中說明的反應管之中，氣咀配置在與緩沖室內設置緩沖 室孔的一端相反方向的另一端，而在本實施方式所涉及的反應管之中， 并無氣咀，而是配置了供氣室43取代其功能，在其下部設有氣體輸入 口 5。
而且，在供氣室43與緩沖室17的間隔板上設置了具有與上述氣 咀所設置的氣咀孔結構相同的供氣室孔47，并將設置在緩沖室17上 的各緩沖室孔3的開口位置分別設置在和與之相鄰的晶片7間隔相同 的位置上。
其結果，正如第l實施方式中所述， 一旦從氣體導入部輸入氣體
即可將氣體均勻地提供給承載的各個晶片。
此外，在本實施方式之中，緩沖室17內自上而下配置的電極52， 由電極保護管50保護，該電極52通過RF匹配單元53與高頻電源 51連接。
其結果，可使電極52在緩沖室17內產生等離子14。 本實施方式中，從緩沖室孔3的開口位置計算，在反應管6內壁 120。左右的的位置上增設了反應氣體緩沖室42。該反應氣體緩沖室42 是在使用ALD法成膜，給晶片7每次提供一種氣體、交替提供多種 氣體時，用來與緩沖室17共同分擔氣體供給種類的。
該反應氣體緩沖室42也與緩沖室17—樣，在與晶片相鄰的位置 上以同 一間隔設有反應氣體緩沖室孔48，在其下部設有反應氣體輸入口 45。然而，與緩沖室17不同之處在于它沒有供氣室43和電極52。 此外，反應氣體緩沖室孔48還具有其開口面積從上游到下游逐漸變大 的結構。
排氣口 18設在反應管6的下部，但在使用上述ALD法成膜，給 晶片提供一種氣體，交替提供多種氣體時，該排氣口 18形成可排除反 應管6內部氣體的結構。
圖5A是可從正面觀察緩沖室17時的反應管6的外觀及內部(虛 線標示)構成。
在反應管6內自上而下設置了緩沖室17，與緩沖室17相鄰設置 了供氣室43。而且在緩沖室17之內，自上而下配置了被電極保護管 50保護的電極52，在供氣室43的下部設置了氣體輸入口 5。
該電極保護管50形成可使細長結構的電極52以與緩沖室17的氣 氛隔離的狀態(tài)插入緩沖室17內的結構。在此，由于電極保護管50內 部是與外部氣(空氣)相同的氣氛，所以插入電極保護管50的電極 52有可能因未圖示的加熱器的加熱而被氧化。為此，電極保護管50 的內部設定為非活性氣體凈化結構，采用填充氮氣等非活性氣體或凈 化方法，充分抑制其中的氧氣濃度。
在從該緩沖室17沿反應管6的內壁環(huán)繞一定距離的位置上，同樣 是自上而下設置了反應氣體緩沖室42，在其下部設置了反應氣體輸入 口 45。
此外，在從緩沖室17朝與反應氣體緩沖室42相反的方向，沿反 應管內壁環(huán)繞一定距離的下部位置上設置了排氣口 18。
圖5B是緩沖室孔3及反應氣體緩沖室孔48處于正面觀察位置時 的反應管6的內部情況。
在反應管6內自上而下設置了緩沖室17以及與之相鄰的供氣室 43，在緩沖室17內自上而下與未圖示的晶片相鄰的位置上以相同間距 設置了具有同一開口面積的緩沖室孔3。而且緩沖室孔3在具有同樣 厚度的緩沖室17的腔壁上具有同樣的開口面積。
在從該緩沖室17環(huán)繞反應管6內壁一定距離的位置上，同樣是自上而下，設置了反應氣體緩沖室42。而且，在反應氣體緩沖室42內， 自上而下在與未圖示的晶片相鄰的位置上設置了具有同一間隔的反應
氣體緩沖室孔48。而反應氣體緩沖室孔48的開口面積的結構為從 上游到下游，在圖5A、 5B、 5C之中則是由下而上逐漸加大。
圖5C是為了從正面觀察設置在供氣室43上的供氣室孔47的反 應管6的縱剖面圖。
在反應管6內自上而下與緩沖室17相鄰的位置上設置了供氣室 43。而且在緩沖室17與供氣室43的間隔壁上，由上部到與未圖示的 晶片相鄰位置還要靠下許多的下部，設置了供氣室孔47。供氣室孔47 的開口一直延伸到緩沖室最下端的理由是為了不讓緩沖室17內產生 氣體沉淀區(qū)。
而供氣室孔47的開口面積與圖3A中所示的氣咀上的氣咀孔相 同，采用了從氣體的上游到下游方向逐漸加大的構成。
下面參照圖5A、 5B、 5C及圖6說明采用ALD法往反應管6內 的晶片7上沉積膜的情況。
在該成膜例中，介紹作為處理氣體，交替提供氨氣(NH3)的活 性種以及二氯硅烷(SiH2Cl2)氣體，采用原子層成膜法形成SiNx膜 (氮化硅膜)的方法。
在反應管6內裝填100片晶片，并使反應管6內部保持氣密狀態(tài)。 采用未圖示的泵，通過排氣管18排掉反應管6內的氣體，并通過調節(jié) 加熱器16的溫度使反應管6內保持300 600。C范圍內的某一規(guī)定溫 度。
首先把氨氣從氣體輸入口 5提供給供氣室43。
為了使從此處噴到緩沖室17中的氨氣流量相等，因此把開口面積 i殳計為從氣流的上游到下游逐漸加大。
因此從供氣室孔47噴到緩沖室17的氨氣，其流速雖是上游快下 游慢，但其流量則是所有的供氣室孔47都一樣。
該噴到緩沖室17中的氨氣一旦被輸入此處，通過彼此交換動能使 流速方面的差異平均化，從而使緩沖室17內部的壓力平均化。在氨氣被輸入緩沖室17,1對電極保護管之間的壓力相等的狀態(tài) 下，若將高頻電源51而來的高頻電力通過RF耦合器53提供給插入 設置在緩沖室17內的兩根電極保護管50中的棒狀電極52，就會在電 極保護管50之間生成等離子14。
而在緩沖室17之內，通過氨氣等離子化，生成氨氣的活性種(晶 種)，而且由于此時是在緩沖室17內的壓力均勻的情況下生成等離子 的，由于對活性種的生有影響的等離子的電子溫度及等離子密度的分 布也變得均勻，因而能夠生成分布更為均勻的活性種。
由于靠等離子等作用生成的活性種有其壽命，若等離子生成器與 晶片7之間的距離過遠，就會在提供給晶片7之前失活，從而造成對 晶片7上的反應起作用的活性種數量顯著減少的后果，所以等離子的 生成最好在晶片7的近旁進行。
若采用該構成，由于是在緩沖室17這一晶片7近旁生成氨氣活性 種的，因而能夠高效率地把生成的大量氨氣的活性種提供給晶片7。
而兩根電極保護管50的間隔最好設定為適當的距離，最好是 20mm，以便使等離子14的生成限定在緩沖室17之內，此外，雖然 等離子的生成可在緩沖室17的任何地方，但最好使輸入緩沖室n的 氣體通過該等離子之中，以設置在緩沖室孔3與供氣室孔47的中間位 置為最佳。
此夕卜，應預先把電極保護管50與緩沖室孔3之間的距離調整為適 當間隔，以便緩沖室17內生成的等離子14不至于擴散泄漏到緩沖室 17之外。
其結果因為由緩沖室孔3提供給晶片7的全部是電特性為中性的 氨的活性種，所以能夠避免因晶片7的電菏上升引起的損傷。
正如上述，由于設置在緩沖室17上的緩沖室孔3其開口面積全部 相同，而且由于提供給晶片7的氨氣的活性種能以均勻的流量及均勻 的流速提供，因而能對各晶片進行均勻的成膜處理。
此外，由于緩沖室孔3設置在多層承載晶片7的間隔的中間位置 上，因而能給各晶片7提供充足的處理氣體。而在交替提供不同種類的處理氣體形成一層層極薄的薄膜的
ALD法之中，通過適當設定反應管6內的壓力及溫度，每當由該氨氣 的活性種的提供而形成一層含N原子的極薄膜時，范圍限定就會起作 用，膜厚不會進一步增加。
當整個晶片7的表面均形成含氮原子的極薄膜時，施加在電極52 上的RF電力即被切斷，并停止氨氣的供給。
接著，邊用N2及Ar等非活性氣體凈化反應管6內部，邊把 這些氣體由排氣口 18排出。然后在反應管6內的氨氣的活性種的濃度 充分下降的時刻，停止供給上述非活性氣體，由反應氣體輸入口 45， 將二氯硅烷氣體輸入反應氣體緩沖室42。
在反應氣體緩沖室42之中，面向反應管6的中心設置了由反應氣 體輸入口 45的上游到下游，開口面積逐漸擴大的反應氣體緩沖室孔 48。這樣一來，由反應氣體緩沖室孔48提供給晶片的二氯硅烷雖然 流速不同但流量卻相同地噴到反應管6內。
當然，如果不使用反應氣體緩沖室42提供二氯硅烷氣體，而是在 反應管6內另外設置一套與提供氨氣使用的設備相同的供氣室43以及 與之相鄰的緩沖室17，使流量與流速均保持均勻則會更好。
然而在本實施方式之中，若二氯硅烷氣的提供使用比供氣室43和 緩沖室17的組合更加簡易的反應氣體緩沖室42使氣體流量相等，也 有可能在晶片7上形成很均勻的膜。
一旦在晶片7的表面上形成含硅的極薄膜，即停止二氯硅烷的提 供。接著用N2及Ar等非活性氣體凈化反應管內部，并將這些氣體從 排氣口 18排出，在反應管內的二氯硅烷濃度充分下降的時刻，停止供 給非活性氣體。
采用上述一連串的工藝處理，即可形成約lA的氮化硅薄膜，因 此例如當需要在晶片7上形成500 A的氮化硅膜的情況下，大約需要 重復500次上述工藝。
而且通過使承載晶片7的未圖示的舟以一定速度旋轉，即使從晶 片7的一側供氣，也能在整個晶片7上實現(xiàn)更均勻的成膜處理。在本實施方式之中，其旋轉速度若有1 ~ 10rpm就足夠了 。
因此，在舟不旋轉的情況下，晶片7的膜厚的均勻性約為±5%，
而在旋轉舟的情況下，其誤差小于±1%。 (第3~第5實施方式)
這是在成膜處理工藝中使用ALD法的不同的實施方式。 圖7是本發(fā)明的第3實施方式所涉及的直立式基板處理裝置的反 應管的橫剖面。
圖7所示的反應管6與圖6所示的反應管6結構相同，但圖6的 緩沖室17內配置了產生等離子的電極，而圖7則是配置了一組用于使 氣體活化的紫外線燈54以及用于防止紫外線照射到緩沖室17外面的 反射板58。
利用紫外燈54的光能使反應氣體活化。
在具有以上結構的緩沖室17內被激活的處理氣體，由緩沖室孔3 朝晶片上噴出，用上述的ALD法在晶片7上形成膜層。
圖8是本發(fā)明的第4實施方式所涉及的直立式基板處理裝置的反 應管的橫剖面。
圖8所示的反應管6與圖7所示的反應管6結構相同，但圖7是 利用光能激活反應氣體的，而在本實施方式中則是用電源57把具有適 當電阻值的電阻絲(下面使用電加熱器)加熱到1600。C以上，用來變 活與該電加熱器接觸的氣體的。
作為該具有適當電阻值，能產生活性種的電加熱器55，使用 0.5mm左右的鴒絲最為合適。
利用電源57的電力將該電加熱器加熱到1600。C以上，利用熱能 激活與之接觸的處理氣體。
在具有以上構成的緩沖室17內被激活的處理氣體，由緩沖室孔3 朝晶片7噴出，釆用上述的ALD法在晶片上形成膜層。
圖9是本發(fā)明的第5實施方式所涉及的直立式基板處理裝置的反 應管的橫剖面。
圖9所示的反應管6與圖6所示的反應管6結構相同，但圖6是在緩沖室17內配置了產生等離子的電極，而圖9則采用了在將處理氣 體輸入反應管6的氣體輸入口 5的更加靠近上游一側的氣體流路上設 置了遙控式等離子發(fā)生裝置56，使通過此處的氣體產生等離子的結 構。
通過遙控式等離子發(fā)生器56的處理用的氣體在此處與等離子發(fā) 生反應而被激活，該被激活的氣體由氣體輸入口 5進入反應管6，經 供氣室43提供給緩沖室17，進而從設置在該緩沖室17上的緩沖室孔 3,作為均勻的氣體提供給晶片，并采用上述的ALD法在晶片上形成 膜層。
在此，作為遙控式等離子發(fā)生器56,使用ICP線圏最為合適。 采用該構成，與圖6的裝置相比，雖然提供給晶片的活性種的數 量減少、處理效率下降，但在對處理效率無要求的情況下仍可使用。 (第6~第8實施方式)
下面參照圖10、 11、 12介紹本發(fā)明的第6~第8實施方式。圖10、 圖11、圖12分別是本發(fā)明的第6、第7、第8實施方式的基板處理處 理裝置中使用的反應管6的左半部分的橫剖面。
在圖10、圖11、圖12分別示出的第6、第7、第8實施方式之中， 與笫1實施方式相同，氣咀102從反應管6的下部直到上部沿晶片7 的層迭方向配置在緩沖室17之內。氣咀102的下部與氣體輸入口 5 連通。在氣咀102之上縱向設置了許多氣咀孔(未圖示)。此外，與 第1~第5實施方式相同，雖未圖示，但在反應管6的下部側面上設 置了與未圖示的排氣泵相連的排氣口 。
在圖10所示的第6實施方式之中，緩沖室17的部分腔壁172與 反應管6的部分管壁共用，兩根電極保護管50配置在與該腔壁172 的壁面174相比，更加靠近設置了緩沖室孔3的緩沖室17的部分腔壁 171的173壁面的位置上。由兩根電極保護管50保護的兩根電極52 也配置在與腔壁172的壁面174相比，更加靠近腔壁171的壁面173 的位置上(電極保護管50與緩沖室17的腔壁171的壁面173之間的 距離最好為0~5mm。這里所說的Omm是指電極保護管50緊貼壁面配置)。兩根電極52以及兩根電極保護管50跨越緩沖室孔3配置， (即緩沖室孔3位于兩根電極保護管50之間)。這種結構即可使等離 子14與緩沖室孔3的距離變得最短。
通過使兩根電極保護管50靠近構成緩沖室17的腔壁171的壁面 173，即可限定主要的氣體流路。此外通過在被限定的主要的氣體流路 通過兩根電極保護管50之間的位置上設置緩沖室孔3，即可使反應氣 體高效通過等離子14密度高的區(qū)域，從而可使活性種的密度增大。
在圖10的情況下，緩沖室17內的反應氣體路徑大體上可分為路 徑D、路徑E、路徑c、路徑f。路徑D、路徑E形成主要的氣體流路， 反應氣體的大半都要從兩根兩極保護管之間通過也就是從等離子14 密度大的區(qū)域通過。
此外，由于等離子14距緩沖室孔3非常近，而且不必要的氣流阻 滯也被控制在最小限度內，因而能夠把在路徑D、路徑E生成的活性 種的失活控制在最低限度內。此外，即便在進入緩沖室孔的前階段失 活，也能通過等離子14再度激活。
另外，那些未流經兩根電極保護管50間的路徑c、路徑f的氣流， 由于其在進入緩沖室孔3之前必然要通過等離子14的近旁，因而其活 性種的密度也會增大，而且路徑c也與路徑D —樣在輸入反應室6之 前很少失活。
也就是說，采用本實施方式可實現(xiàn)下述各項。
① 能夠用高密度等離子激活。(在激活時間點上的活性的密 度加大)
② 能夠將活性種不失活地送到被處理基板(晶片7)。
不必為了消除路徑D與路徑E上活性種的密度差異而控制形成活 性種之前的氣體流路也是本實施方式的特征。
在此由于只要把電極保護管50貼緊緩沖室17，就可切斷路徑c 與路徑f,而只剩下氣體路徑D與E，因而能給被處理基板有效提供 高密度的活性種，此外，由于消除了路c、 f通過的間隙，由于裝置間 的反應氣體激活密度沒有誤差，所以效果更好。圖11示出第7實施方式，為使氣咀102提供的氣體直線性(路徑 F)地通過等離子14、緩沖室孔3，因而將氣咀102與緩沖室孔3配 置在兩根電極保護管50之間，與圖10相同，都是可增加活性種密度 的構成。
圖12示出第8實施方式，兩根電極保護管50中的一根靠近構成 緩沖室17，設置緩沖室孔3的腔壁171的壁面173,而另一根電極保 護管則靠近反應管6與緩沖室17共用的部分腔壁172的壁面174，以 此來限定主要的氣體流路。在主要氣體流路I通過兩根電極保護管50 間的位置上設置了緩沖室孔3。
若與圖IO與圖11的實施方式做比較，就會發(fā)現(xiàn)等離子14和緩沖 室孔3的距離變大，并隨之產生了氣流阻滯，但通過把電極保護管中 的一根靠近構成緩沖室17的腔壁171的壁面173，從而可減少失活。
正如上述，通過使緩沖室7、電極保護管50，以及緩沖室孔3的 配置最佳化，即可增大反應氣體的活性種的密度。
通過緩沖室17、電極保護管50、緩沖室孔3的相對位置的最佳化 提高反應氣體的活性種的密度已在上面介紹，但是當從另外的角度考 慮各處理裝置間的處理的一致性、可靠性、重復性時，則最好采用一 致的相對位置。
在上述的例中，由于電極保護管50、緩沖室17以及緩沖室孔3 各自獨立，而產生組裝誤差，因而會在反應氣體活性化濃度方面產生 裝置間的不一致性。
因而若采用反應管6、構成緩沖室17的腔壁、緩沖室孔3、電極 保護管50共為一體的反應管，則有可能抑制上述不一致性。若各自的 材料均采用石英，則通過溶化形成一個整體應該不成問題。
此外，由于在上述例中，使用了電極保護管50，因而就電極保護 管50的位置加以了說明，不過在不使用電極保護管50的情況下，電 極52的位置可以說與上述相同。
若采用上述笫6~第8實施方式所示的結構，則與第1實施方式 相同，可作為CVD裝置使用，而且如圖6所示，若在緩沖室17之外另增加一個緩沖室42的話，則可作為ALD裝置使用。 (第9實施方式)
下面參照圖13介紹本發(fā)明的第9實施方式。
本實施方式是在圖10所示的第6實施方式的裝置上增加圖6所示 的另一個緩沖室42，作為ALD裝置使用的。
在氣咀102上縱向設置了許多氣咀孔103。該氣咀孔103朝緩沖 室17的腔壁175的壁面176設置。若將氣咀孔103朝與壁面176相反 方向的緩沖室17的內側設置，在例如第2實施方式那樣交替從氣咀 102提供氨氣、從緩沖室42提供二氯硅烷氣體，采用ALD法形成氮 化硅膜的情況下，會在氨氣滯留、二氯硅烷氣體流動時生成反應性副 生成物而形成微粒。因此，將氣咀孔103朝緩沖室17的腔壁175的壁 面176設置，在提供氨氣之后用非活性氣體凈化，不使氨氣滯留，從 而可防止微粒發(fā)生。
在上述第6~第8實施方式中，在氣咀102的側面縱向設置了許 多氣咀孔(未圖示)，在上述第9實施方式中的氣咀102的側面也縱 向設置了許多氣咀孔103，但也可把氣咀102設定為規(guī)定長度，將氣 咀102的上部設定為開口 ，在此情況下，氣咀102的高度最好位于比 晶片7的搭載位置偏下的位置上。
上面示出種種典型實施方式并加以了說明。不過本發(fā)明并不局限 于這些實施方式。因此，本發(fā)明的范圍僅受權利要求范圍的限定。
權利要求
1、一種基板處理裝置，其特征在于包括反應容器，包括處理室和電極室，上述電極室與上述處理室相分離，上述電極室容納有一對電極，和多個待疊層的基板容納在上述處理室中；和供氣件，將處理氣提供進上述電極室，上述供氣件包括多個供氣口，其中上述一對電極沿上述多個基板的疊層方向延伸，上述電極設置在上述多個基板的一側，高頻電源被提供給上述電極。
2、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 反應容器，其中容納并疊層有多個基板；上述反應容器中設置有一對電極，上述電極沿上述多個基板的疊層方向延伸，和高頻電源提供給上述電極；電極室，容納上述電極，上述電極室設置在上述反應容器中；和 供氣件，將處理氣體提供給上述電極室，上述供氣件包括多個供氣口。
3、 根據權利要求2上述的基板處理裝置，其特征在于上述對電 極是棒狀電極。
4、 根據權利要求2上述的基板處理裝置，其特征在于當上述基 板被容納在上述反應容器中，上述基板不設置在上述對電極之間的空 間內。
5、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 反應容器，至少容納一個基板；一對電極，上述一對電極中的至少一個設置在上述反應容器中， 高頻電源被提供給上述電極；電極室，容納上述至少一對電極，上述電極室設置在上述反應容 器內；供氣件，向上述電極室提供處理氣體，上述供氣件包括多個供氣保護件，覆蓋上述反應室中設置的上述至少一對電極。
6、 根據權利要求5上述的基板處理裝置，其特征在于上述保護 件充有惰性氣體。
7、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 處理室，容納至少一個基板； 一對電極，；陂施加高頻電源；電極室，容納有上述電極，上述電極室與上述處理室相分離； 加熱件，加熱上述處理室中的基板，上述加熱件圍繞處理室和電極室設置；供氣件，將處理氣提供進電極室，上述供氣件包括多個第一供氣 口 ；和至少一個第二供氣口，與電極室一起設置，用于將處理氣提供進 處理室，上述第二供氣口在上述一對電極之間。
8、 一種基板處理裝置，其特征在于包括反應容器，包括電極室和處理室，上述電極室容納一對電極，電 極被施加高頻電源，上述處理室容納至少一個基板，和上述電極室與 處理室相分離；加熱件，加熱上述處理室中的至少一個基板；和 供氣件，將處理氣體提供進上述電極室，上述供氣件包括多個供 氣口，其中上述電極室位于上述加熱器和上述處理室中上述至少一個基板之 間，在上述電極室形成等離子，上述處理氣體在上迷電極室被活化。
9、 一種裝置，其特征在于包括 支撐件，支撐多個基板；處理室，容納上述多個基板和上述支撐件； 加熱件，加熱上述基板；供氣件，交替將多種處理氣體提供進處理室，上述供氣件包括 第一供氣件，提供第一處理氣；第二供氣件，提供第二處理氣；排出部分，排出處理室中氣；旋轉件，旋轉上述支撐件，使在處理上述基板期間旋轉上述基板， 其中，通過多次交替將上述多種處理氣體提供給上述多個基板表 面，在上述多個基板上形成膜。
10、 一種等離子處理裝置，其特征在于包括 處理管，其中容納疊置有多個基板；一對電極，設置在上述處理管中，上述電極沿上述多個基板的疊 層方向延伸，高頻電源蜂皮施加給上述電極；供氣件，向上述處理管中提供處理氣，上述供氣件包括提供第一 處理氣的第一供氣件和提供第二處理氣的第二供氣件。
11、 一種等離子處理裝置，其特征在于包括 處理管，其中容納至少一個基板；一對電極，上述一對電極中的至少一個設置在上述處理管中，上 述對電極被施加高頻電源；供氣件，向處理管中提供處理氣；保護件，覆蓋上述處理管中上述至少一對電極。
12、 一種等離子處理裝置，其特征在于包括 處理室，其中容納至少一個基板；加熱件，加熱上述處理室中上述至少一個基板，上述加熱件設置 在上述處理室周圍；一對電極，設置在上述加熱件中，上述電極是棒狀電極，高頻電 源-故施加給上述電極；供氣件，向上述處理室中提供處理氣。
13、 根據權利要求9上述的裝置，其特征在于還包括設置在上 述處理室內的緩沖室；上述緩沖室容納有電極，用于活化上述第一供 氣件提供來的第一處理氣體。
14、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 反應管，形成收容疊層配置的基板的反應室； 第 一 氣體導入部和第二氣體導入部；設置在上述反應管內部具有供氣口的緩沖室； 設置在上述緩沖室內部的用于活化處理氣體的等離子發(fā)生電極； 上述第一氣體導入部將上述處理氣體導入上述緩沖室； 上述緩沖室在其內部形成由電極活化上述處理氣體的空間，從上述供氣口向上述反應室供給由上迷第一氣體導入部輸入的上述處理氣體；上述第二氣體導入部將與被活化的上述處理氣體不同的處理氣體 不活化提供給上述反應室。
15、 一種基板處理裝置，其特征在于包括反應管，形成收容疊層配置基板的反應室； 氣體導入部；以及設置在上述反應管內的緩沖室，上迷氣體導入部具有至少一個氣體輸入口，用于將處理氣體輸入 上述緩沖室；上述緩沖室具有至少一個供氣口，用于從上述供氣口向上述反應 室供給由上述氣體導入部輸入的上述處理氣體；在上述緩沖室內形成的從上述氣體輸入口到上述供氣口上述處理 氣體流所流過的中途設置用于活化上述處理氣體的等離子發(fā)生電極。
16、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 處理管，形成收容多個基板的處理室；包含有至少一個第一供氣口、在上迷處理管內設置的第一供氣部； 包含有至少一個第二供氣口的第二供氣部； 包含有至少一個第三供氣口的第三供氣部； 在上述第一供氣部的內部形成的等離子發(fā)生電極， 第一處理氣體以活性化狀態(tài)被供給到上述處理室內，要提供到上 述第二供氣部內的上述第一處理氣體從上述第二供氣口提供給上述第 一供氣部內，而上述第二供氣部提供來的上述第一處理氣體在上述第一供氣部內活性化，從上述第一供氣口提供給上述處理室，向上述第三供氣部內提供的非活性化的第二處理氣體從上述第三供氣口提供給上述處理室。
17、 一種基板處理裝置，其特征在于包括 處理管，形成收容多個基板的處理室；包含至少一個第一供氣口、設置在上述處理管內的第一供氣部； 包含至少一個第二供氣口的第二供氣部； 包含至少一個第三供氣口的第三供氣部；第一處理氣體以活性化狀態(tài)供給到上述處理室內，要提供到上述 第二供氣部內的上述第一處理氣體從上述第二供氣口提供給上述第一 供氣部內，而上述第二供氣部提供來的上述第一處理氣體從上述第一 供氣口提供給上述處理室內，要提供到上述第三供氣部內的未被活性化的上述第二處理氣體從 上述第三供氣口提供給上述第處理室內，在上述第一供氣部從上述第二供氣口到上述第一供氣口上述第一 處理氣體流所流過的途中設置用于活化上述第一處理氣體的等離子發(fā) 生電極。
18、 一種基板處理裝置，包括處理管，形成收容多個基板的反應室； 氣體導入部；和設置在上述處理管內的緩沖室， 其特征在于上述氣體導入部具有用于將處理氣體導入到上述緩沖室中的氣體 輸入口，上述緩沖室具有用于將由上述氣體導入部導入的上述處理氣體提 供到上述反應室內的供氣口，上述基板處理裝置還包括設置在上述緩沖室內、用于將上述處理 氣體活性化的紫外線燈。
19、 根據權利要求18上述的基板處理裝置，其特征在于在上述 緩沖室內設置有反射板，用于防止由上述紫外線燈照射的紫外線向上 述緩沖室外照射。
20、 一種基板處理裝置，包括處理管，形成收容多個基板的反應室； 氣體導入部；和設置在上述處理管內的緩沖室，其特征在于上述氣體導入部具有用于將處理氣體導入到上述緩沖室中的氣體 輸入口 ，上述緩沖室具有用于將由上述氣體導入部導入的上述處理氣體提 供到上述反應室內的供氣口，上述基板處理裝置還包括電源和設置在上述緩沖室內的電阻絲， 利用上述電源將上述電阻絲加熱，使與上述電阻絲接觸的上述處理氣 體活性化。
21、 根據權利要求20上述的基板處理裝置，其特征在于利用上 述電源將上述電阻絲加熱到1600。C以上。
22、 根據權利要求20上述的基板處理裝置，其特征在于上述電 阻絲由鵠構成。
23、 一種基板處理裝置，包括:處理管，形成收容多個基板的反應室； 氣體導入部；和設置在上述處理管內的緩沖室，其特征在于上述氣體導入部具有用于將處理氣體導入到上述緩沖室中的氣體 輸入口，上述緩沖室具有用于將由上述氣體導入部導入的上述處理氣體提 供到上述反應室內的供氣口，上述基板處理裝置還包括設置在上述氣體導入部上的遙控式等離 子發(fā)生裝置，將通過上述遙控式等離子發(fā)生裝置的上述處理氣體活性 化，將上述活性化了的處理氣體從上述供氣口提供給上述反應室。
24、 根據權利要求23上迷的基板處理裝置，其特征在于上迷遙 控式等離子發(fā)生裝置使用ICP線圈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，其特征在于包括一種基板處理裝置，其特征在于包括反應容器，包括處理室和電極室，所述電極室與所述處理室相分離，所述電極室容納有一對電極，和多個待疊層的基板容納在所述處理室中；和供氣件，將處理氣提供進所述電極室，所述供氣件包括多個供氣口，其中所述對電極沿所述多個基板的疊層方向延伸，所述電極設置在所述多個基板的一側，高頻電源被提供給所述電極。
文檔編號C23C16/452GK101435074SQ20081017958
公開日2009年5月20日 申請日期2003年4月4日 優(yōu)先權日2002年4月5日
發(fā)明者豐田一行, 佐藤武敏, 八木泰志, 加賀谷徹, 國井泰夫, 境正憲, 奧田和幸, 嶋信人, 渡邊誠治, 石丸信雄, 紺谷忠司 申請人:株式會社日立國際電氣