專利名稱：真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用在太陽(yáng)能真空集熱管毛管內(nèi)壁鍍膜領(lǐng)域的真空 高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)。
背景技術(shù)：
目前，太陽(yáng)能真空集熱管毛管內(nèi)壁鍍膜一般采用化學(xué)鍍制，此方法鍍制 的產(chǎn)品鏡面反射率達(dá)不到要求，廢品率過(guò)高，因此需要研制出新的工藝及配 套設(shè)備。
眾所周知，在鋼帶上連續(xù)真空鍍鋁的大型設(shè)備中，高頻感應(yīng)加熱蒸鍍工 藝已經(jīng)取得令人滿意的結(jié)果。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是將裝有蒸發(fā)材料的石墨或陶 瓷坩鍋放在水冷的高頻螺旋線圈中央，使蒸發(fā)材料在高頻帶內(nèi)磁場(chǎng)的感應(yīng)下 對(duì)鐵磁體產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失，致使蒸發(fā)材料升溫，直至氣化蒸 發(fā)。膜材的體積越小，感應(yīng)的頻率就越高。另外，抽真空是一個(gè)相當(dāng)成熟的 技術(shù)，廣泛的應(yīng)用于保溫瓶、全玻璃真空集熱管、真空鍍膜等的生產(chǎn)中。
基于上述原因，我公司摸索出 一套應(yīng)用在全玻璃太陽(yáng)能真空集熱管毛管 內(nèi)壁鍍膜方面的真空高頻感應(yīng)加熱蒸發(fā)鍍膜工藝，但是要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模機(jī)械化 生產(chǎn)并保證鍍膜質(zhì)量和速率，必須研制出一種與工藝相配套的專用設(shè)備。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種真空高頻移 動(dòng)蒸鍍機(jī)，能夠方便地根據(jù)真空管反射鏡面圓心角大小需要直接鍍制出設(shè)計(jì) 弧度的反射膜，并且適用于大規(guī)模機(jī)械化生產(chǎn)，能較大的提高了鍍膜速率、 保證鍍膜質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是 一種真空高頻移動(dòng)蒸鍍 機(jī)，包括蒸發(fā)舟、抽真空裝置及設(shè)置在移動(dòng)架車上的高頻裝置，高頻裝置設(shè) 有外置的高頻線圈及電磁鐵，蒸發(fā)舟設(shè)于毛管內(nèi)部，蒸發(fā)舟上設(shè)有磁鐵， 毛管穿過(guò)高頻線圈插入抽真空裝置。移動(dòng)駕車帶動(dòng)高頻裝置移動(dòng)、電磁鐵 與磁鐵吸合運(yùn)動(dòng)。利用抽真空裝置預(yù)精抽，保證玻璃的毛管內(nèi)部真空度滿足 鍍制反射膜的工藝需要；高頻裝置通過(guò)感應(yīng)加熱高頻線圈產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)使 蒸發(fā)舟內(nèi)的蒸鍍物料產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失升溫，直至氣化蒸發(fā)，
蒸發(fā)材料遇毛管管壁冷卻黏附于毛管內(nèi)壁上；高頻裝置安裝于移動(dòng)架車之上， 通過(guò)移動(dòng)架車運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高頻線圈相對(duì)毛管發(fā)的運(yùn)動(dòng)，固定在高頻裝置上的電 磁鐵吸引毛管內(nèi)部蒸發(fā)舟上的磁鐵使之形成強(qiáng)磁力作用，牽引控制管內(nèi)蒸發(fā) 舟移動(dòng)，最終實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)加熱源(高頻線圈)與蒸發(fā)舟同步運(yùn)動(dòng)，能夠方便地 根據(jù)真空管反射鏡面圓心角大小需要直接鍍制出設(shè)計(jì)弧度的反射膜，并得到 連續(xù)均勻的反射膜，通過(guò)控制移動(dòng)架車及高頻裝置的行走速度和高頻裝置的 頻率來(lái)控制膜層的厚度，實(shí)現(xiàn)鍍膜的質(zhì)量的穩(wěn)定性。因加熱源可移動(dòng)從而大 大降低了真空鍍膜對(duì)真空操作空間的要求，不需要建大的真空室，節(jié)省了生 產(chǎn)成本，同時(shí)使抽真空時(shí)間大大降低，提高了生產(chǎn)效率。
為了實(shí)現(xiàn)機(jī)械化大規(guī)模生產(chǎn)，所述移動(dòng)架車上設(shè)有多臺(tái)高頻裝置，相應(yīng) 的抽真空裝置上設(shè)有多個(gè)承插口。
本實(shí)用新型的有益效果是相比現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)鍍膜，本實(shí)用新型能夠
根據(jù)真空管反射鏡面圓心角大小直接鍍制出設(shè)計(jì)弧度的反射膜，并且適用于
大規(guī)模機(jī)械化生產(chǎn)，能較大的提高了鍍膜速率、保證鍍膜質(zhì)量；由于加熱源 可移動(dòng)從而大大降低了真空鍍膜對(duì)真空操作空間的要求，不需要建大的真空 室，節(jié)省了生產(chǎn)成本，同時(shí)使抽真空時(shí)間大大降低，提高了生產(chǎn)效率。

圖1是本實(shí)用新型真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)的主視圖2是圖1的俯視圖3是圖1中A的局部放大圖。
圖中l(wèi)高頻裝置、2移動(dòng)架車、3抽真空裝置、3. l承插口、 4磁鐵、5 電磁鐵、6高頻線圈、7蒸發(fā)舟、8毛管。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為對(duì)本 實(shí)用新型的限定。
如圖l、 2及3所示的一種真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)，包括蒸發(fā)舟7、抽真空 裝置3及設(shè)置在移動(dòng)架車2上的高頻裝置1，其中抽真空裝置3、移動(dòng)架車 2及高頻裝置1是現(xiàn)有設(shè)備。蒸發(fā)舟7設(shè)于毛管8內(nèi)部，蒸發(fā)舟7上設(shè)有磁 鐵4。參見圖3，高頻裝置1設(shè)有外置的高頻線圈6及電磁鐵5。參見圖1 及2,毛管8穿過(guò)高頻線圈6插入抽真空裝置3。移動(dòng)駕車帶動(dòng)高頻裝置l
移動(dòng)、電磁鐵5與磁鐵4吸合運(yùn)動(dòng)。如圖2所示，所述移動(dòng)架車2上設(shè)有多 臺(tái)高頻裝置1，相應(yīng)的抽真空裝置3上設(shè)有多個(gè)承插毛管8的承插口 3. 1， 可實(shí)現(xiàn)機(jī)械化大規(guī)模生產(chǎn)。
因此本實(shí)用新型能夠根據(jù)真空管反射鏡面圓心角大小直接鍍制出設(shè)計(jì)弧 度的反射膜，并且適用于大規(guī)模機(jī)械化生產(chǎn)，能較大的提高了鍍膜速率、保 證鍍膜質(zhì)量；由于加熱源可移動(dòng)從而大大降低了真空鍍膜對(duì)真空操作空間的 要求，不需要建大的真空室，節(jié)省了生產(chǎn)成本，同時(shí)使抽真空時(shí)間大大降低， 提高了生產(chǎn)效率。
以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的一種，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包 含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)，其特征在于包括蒸發(fā)舟、抽真空裝置及設(shè)置在移動(dòng)架車上的高頻裝置，高頻裝置設(shè)有外置的高頻線圈及電磁鐵，蒸發(fā)舟設(shè)于毛管內(nèi)部，蒸發(fā)舟上設(shè)有磁鐵，毛管穿過(guò)高頻線圈插入抽真空裝置，移動(dòng)駕車帶動(dòng)高頻裝置移動(dòng)、電磁鐵與磁鐵吸合運(yùn)動(dòng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)，其特征在于所述移動(dòng) 架車上設(shè)有多臺(tái)高頻裝置，相應(yīng)的抽真空裝置上設(shè)有多個(gè)承插口。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種應(yīng)用在太陽(yáng)能真空集熱管毛管內(nèi)壁鍍膜領(lǐng)域的真空高頻移動(dòng)蒸鍍機(jī)，包括蒸發(fā)舟、抽真空裝置及設(shè)置在移動(dòng)架車上的高頻裝置，高頻裝置設(shè)有外置的高頻線圈及電磁鐵，蒸發(fā)舟設(shè)于毛管內(nèi)部，蒸發(fā)舟上設(shè)有磁鐵，毛管穿過(guò)高頻線圈插入抽真空裝置，移動(dòng)駕車帶動(dòng)高頻裝置移動(dòng)、電磁鐵與磁鐵吸合運(yùn)動(dòng)。本實(shí)用新型能夠根據(jù)真空管反射鏡面圓心角大小直接鍍制出設(shè)計(jì)弧度的反射膜，并且適用于大規(guī)模機(jī)械化生產(chǎn)，能較大的提高鍍膜速率、保證鍍膜質(zhì)量；由于加熱源可移動(dòng)從而大大降低了真空鍍膜對(duì)真空操作空間的要求，不需要建大的真空室，節(jié)省了生產(chǎn)成本，同時(shí)使抽真空時(shí)間大大降低，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)C23C14/56GK201190178SQ200820106959
公開日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月24日
發(fā)明者殷占民, 王孝星, 許維華 申請(qǐng)人:黃 鳴